技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種集總參數(shù)射頻電感模型及其優(yōu)化設(shè)計方法，采用帶校正因子的電感計算公式，便于使用專業(yè)軟件進行優(yōu)化設(shè)計。采用一端口物理電路模型，便于使電感的優(yōu)化目標函數(shù)和其幾何尺寸建立聯(lián)系，簡化電感優(yōu)化設(shè)計步驟?？紤]趨夫厚度與導體厚度的關(guān)系提高計算的精度。通過大量實例的研究確定了校正因子的初始值，減少了優(yōu)化步驟。用格林豪斯算法獲得準確的電感值，以此得到實際校正因子提高設(shè)計精度。本發(fā)明有效解決了硅射頻電感值的計算精度不高及不便于電路優(yōu)化的問題，為提高硅射頻電感的計算精度和便于實現(xiàn)硅射頻電感優(yōu)化設(shè)計，提供了一種有力的手段。

技術(shù)研發(fā)人員：熊祥正;廖成;奐瑞;羅杰;高明均;郭曉東
受保護的技術(shù)使用者：西南交通大學
文檔號碼：201710008189
技術(shù)研發(fā)日：2017.01.05
技術(shù)公布日：2017.05.24