本發(fā)明屬于存儲設備技術領域,特別是涉及一種存儲設備的硬件結構及優(yōu)化方法。
背景技術:
當前存儲設備的硬件結構請參考圖1所示,將前端IO單元、計算和緩存單元、后端IO單元都做到一塊控制板(如圖1虛線框起來部分)上,作為一個可更換單元。但存在以下兩點缺陷:1.前端IO單元、計算和緩存單元、后端IO單元都做到一塊控制板上,計算和緩存單元如果故障或需要升級系統(tǒng)性能,需要整個控制板一起更換,更換成本高。2.前端IO單元、計算和緩存單元、后端IO單元都做到一塊控制板上,計算和緩存單元如果需要升級,整個控制板需要重新開發(fā),開發(fā)周期長,開發(fā)成本高。
技術實現(xiàn)要素:
本發(fā)明目的是提供一種易維護、易升級、低成本的存儲設備的硬件結構及優(yōu)化方法,IO單元和控制單元分別作為獨立的可更換單元,可獨立維護、獨立升級,降低產品升級的研發(fā)成本和研發(fā)周期,降低產品維護成本,降低用戶系統(tǒng)升級成本。
為了實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采用以下的技術方案:
一種存儲設備的硬件結構,包括:至少一個存儲模塊,所述存儲模塊上設置多個獨立的控制板,控制板與控制板之間通過總線連接。
優(yōu)選地,所述存儲模塊包括IO單元和控制單元,IO單元和控制單元均作為獨立的可更換單元,并分別位于不同的控制板上。
優(yōu)選地,所述控制單元通過總線與IO單元和/或相鄰存儲模塊的控制單元相互通信。
優(yōu)選地,所述控制單元包括計算單元和緩存單元。
優(yōu)選地,所述IO單元包括前端IO單元和后端IO單元,所述前端IO單元和后端IO單元均通過總線與控制單元相連接。
本發(fā)明還提供一種存儲設備的優(yōu)化方法,包括以下步驟:
將存儲設備分為多個存儲模塊;
在每個存儲模塊上設置兩個獨立的控制板;
IO單元和控制單元分別對應上述兩個獨立的控制板,且同一個存儲模塊上的IO單元和控制單元進行相互關聯(lián);
將多個不同存儲模塊上的控制單元進行相互關聯(lián)。
優(yōu)選地,所述IO單元包括前端IO單元和后端IO單元,前端IO單元和后端IO單元設置在同一個控制板上,并分別通過總線與控制單元相連接。
優(yōu)選地,所述控制單元包括計算單元和緩存單元。
與現(xiàn)有技術相比,本發(fā)明具有以下優(yōu)點:
1.本發(fā)明每個存儲模塊上的IO單元和控制單元均作為獨立的可更換單元,并分別位于不同的控制板上,當IO控制芯片更新速度與CPU更新速度不同步,使用本發(fā)明的硬件結構,CPU更新后可以只開發(fā)控制單元,就可以提升產品性能,大大減小了開發(fā)工作量、開發(fā)成本和開發(fā)周期。當IO控制芯片做更新后,可以只開發(fā)IO單元所在的控制板,就可以升級系統(tǒng)帶寬??傊?,當系統(tǒng)性能需要升級時,可以只開發(fā)新的控制單元;當系統(tǒng)IO帶寬需要升級時,可以只開發(fā)新的IO單元,降低產品升級的研發(fā)成本和研發(fā)周期。
2.用戶現(xiàn)場存儲設備發(fā)生故障后,控制單元或IO單元可以只更換故障單元,大大降低產品的維護成本。
3.用戶需要升級性能時,可以只更換新的控制單元,大大降低系統(tǒng)升級成本。
附圖說明
圖1是現(xiàn)有技術存儲設備的硬件結構示意圖;
圖2是本發(fā)明存儲設備的硬件結構示意圖;
圖3是本發(fā)明存儲設備的優(yōu)化方法流程示意圖。
具體實施方式
為了便于理解,對本發(fā)明中出現(xiàn)的部分名詞作以下解釋說明:
PCI-E總線:PCI-E(PCI-Express)是一種通用的總線規(guī)格,它由Intel所提倡和推廣,其最終的設計目的是為了取代現(xiàn)有電腦系統(tǒng)內部的總線傳輸接口,這不只包括顯示接口,還囊括了CPU、PCI、HDD、Network等多種應用接口。
下面結合附圖和實施例,對本發(fā)明的具體實施方式作進一步詳細描述:
實施例一,請參考圖2,圖2是本發(fā)明存儲設備的硬件結構示意圖;本實施例提供一種存儲設備的硬件結構,包括至少一個存儲模塊,所述存儲模塊上設置多個獨立的控制板,控制板與控制板之間通過總線連接。
在本實施例中,存儲設備的硬件結構包括兩個存儲模塊,每個存儲模塊上設置有兩個獨立的控制板。
每個存儲模塊包括IO單元和控制單元,IO單元和控制單元均作為獨立的可更換單元,并分別位于不同的控制板上??刂茊卧ㄓ嬎銌卧途彺鎲卧?,控制單元通過總線與同一個存儲模塊的IO單元和相鄰存儲模塊的控制單元相互通信。IO單元包括前端IO單元和后端IO單元,前端IO單元和后端IO單元均通過總線與同一個存儲模塊的控制單元相連接。
這里使用的總線采用PCI-E總線。
本發(fā)明每個存儲模塊上的IO單元和控制單元均作為獨立的可更換單元,并分別位于不同的控制板上,當IO控制芯片更新速度與CPU更新速度不同步,使用本發(fā)明的硬件結構,CPU更新后可以只開發(fā)控制單元,就可以提升產品性能。當IO控制芯片做更新后,可以只開發(fā)IO單元所在的控制板,就可以升級系統(tǒng)帶寬。總之,當系統(tǒng)性能需要升級時,可以只開發(fā)新的控制單元;當系統(tǒng)IO帶寬需要升級時,可以只開發(fā)新的IO單元,大大減小開發(fā)工作量、開發(fā)成本和開發(fā)周期。用戶現(xiàn)場存儲設備發(fā)生故障后,控制單元或IO單元可以只更換故障單元,不需要整個控制板一起更換,大大降低產品的維護成本。
實施例二,請參考圖3,圖3是本發(fā)明存儲設備的優(yōu)化方法流程示意圖;本實施例提供一種存儲設備的優(yōu)化方法,包括以下步驟:
步驟S301,將存儲設備分為多個存儲模塊;
在本實施例中,將存儲設備分為兩個存儲模塊。
步驟S302,在每個存儲模塊上設置兩個獨立的控制板;
步驟S303,IO單元和控制單元分別對應不同的控制板,且同一個存儲模塊上的IO單元和控制單元進行相互關聯(lián);
IO單元包括前端IO單元和后端IO單元,前端IO單元和后端IO單元設置在同一個控制板上,并分別通過總線與同一個存儲模塊上的控制單元相連接。控制單元包括計算單元和緩存單元。
本實施例中提到的總線優(yōu)選采用PCI-E總線。
步驟S304,將多個不同存儲模塊上的控制單元進行相互關聯(lián)。
在本實施例中,將兩個存儲模塊上的控制單元進行相互關聯(lián)。
通過以上方法對存儲設備進行性能優(yōu)化,本發(fā)明將控制單元作為一個獨立的可更換單元,IO單元作為一個獨立的可變更單元,單元與單元之間通過PCI-E高速總線連接,解決了IO單元和控制單元做到一塊控制板上,更換成本高和開發(fā)周期長的問題,從而實現(xiàn)了同一個存儲模塊中的IO單元和控制單元可以獨立維護、獨立升級,降低產品升級的研發(fā)成本和研發(fā)周期,降低產品維護成本,降低用戶系統(tǒng)升級成本。
以上所示僅是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式,應當指出,對于本技術領域的普通技術人員來說,在不脫離本發(fā)明原理的前提下,還可以做出若干改進和潤飾,這些改進和潤飾也應視為本發(fā)明的保護范圍。