本發(fā)明是與觸控與壓力感測(cè)有關(guān)，尤其是關(guān)于一種自電容觸控與壓力感測(cè)裝置及自電容觸控與壓力感測(cè)方法。

背景技術(shù)：

一般而言，于傳統(tǒng)的電容式觸控與壓力感測(cè)裝置的疊構(gòu)設(shè)計(jì)中，通常都需要有獨(dú)立的電容式壓力感測(cè)元件，并且還需要在電容式壓力感測(cè)元件下方設(shè)置有額外的金屬遮蔽層(metalshieldinglayer)，由以避免電容式壓力感測(cè)元件感應(yīng)到由下方而來的電容變化量(亦即雜訊)。此外，傳統(tǒng)的電容式觸控與壓力感測(cè)裝置亦需設(shè)置有額外的控制軟性印刷電路板(flexibleprintcircuit,fpc)以及壓力感測(cè)控制接腳或芯片(forcesensingcontrolpinorchip)，這均會(huì)導(dǎo)致傳統(tǒng)的電容式觸控與壓力感測(cè)裝置的疊構(gòu)及制程均變得較為復(fù)雜，并且其制造成本亦會(huì)隨之增加。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明提出一種自電容觸控與壓力感測(cè)裝置及自電容觸控與壓力感測(cè)方法，以有效解決現(xiàn)有技術(shù)所遭遇到的上述種種問題。

根據(jù)本發(fā)明的一具體實(shí)施例為一種自電容觸控與壓力感測(cè)裝置。于此實(shí)施例中，自電容觸控與壓力感測(cè)裝置可分別操作于一自電容觸控感測(cè)模式及一自電容壓力感測(cè)模式下。自電容觸控與壓力感測(cè)裝置包含一金屬層、一感測(cè)元件層、一空氣間隔層及一處理模塊。感測(cè)元件層設(shè)置于金屬層的上方?？諝忾g隔層形成于金屬層與感測(cè)元件層之間。處理模塊耦接金屬層與感測(cè)元件層。其中，當(dāng)自電容觸控與壓力感測(cè)裝置操作于自電容觸控感測(cè)模式時(shí)，金屬層被驅(qū)動(dòng)與一觸控信號(hào)同步，致使感測(cè)元件層與金屬層之間無(wú)電容效應(yīng)產(chǎn)生而感測(cè)到一第一電容變化量；當(dāng)自電容觸控與壓力感測(cè)裝置操作于自電容壓力感測(cè)模式時(shí)，金屬層接地，致使感測(cè)元件層與金屬層之間有電容效應(yīng)產(chǎn)生而感測(cè)到一第二電容變化量；處理模塊根據(jù)第一電容變化量與第二電容變化量得到一第三電容變化量。

于一實(shí)施例中，第一電容變化量?jī)H包含觸控所造成的電容變化量。

于一實(shí)施例中，第二電容變化量包含觸控所造成的電容變化量與壓力所造成的電容變化量。

于一實(shí)施例中，處理模塊將第二電容變化量減去第一電容變化量而得到第三電容變化量。

于一實(shí)施例中，第三電容變化量?jī)H包含壓力所造成的電容變化量。

于一實(shí)施例中，金屬層為整片或圖案化的形式。

于一實(shí)施例中，自電容觸控與壓力感測(cè)裝置進(jìn)一步包含一光學(xué)導(dǎo)電層，設(shè)置于金屬層與空氣間隔層之間。

于一實(shí)施例中，光學(xué)導(dǎo)電層為整片或圖案化的形式。

于一實(shí)施例中，自電容觸控與壓力感測(cè)裝置應(yīng)用于一自電容觸控面板。

于一實(shí)施例中，自電容觸控面板具有一內(nèi)嵌式(in-cell)疊構(gòu)、一on-cell疊構(gòu)或一out-cell疊構(gòu)。

根據(jù)本發(fā)明的另一具體實(shí)施例為一種自電容觸控與壓力感測(cè)方法。于此實(shí)施例中，自電容觸控與壓力感測(cè)方法應(yīng)用于一自電容觸控與壓力感測(cè)裝置。自電容觸控與壓力感測(cè)裝置可分別操作于一自電容觸控感測(cè)模式及一自電容壓力感測(cè)模式下。自電容觸控與壓力感測(cè)裝置包含一金屬層、一感測(cè)元件層及一空氣間隔層。感測(cè)元件層設(shè)置于金屬層的上方，空氣間隔層形成于金屬層與感測(cè)元件層之間。

自電容觸控與壓力感測(cè)方法包含下列步驟：當(dāng)自電容觸控與壓力感測(cè)裝置操作于自電容觸控感測(cè)模式時(shí)，驅(qū)動(dòng)金屬層與一觸控信號(hào)同步，致使感測(cè)元件層與金屬層之間無(wú)電容效應(yīng)產(chǎn)生而感測(cè)到一第一電容變化量；當(dāng)自電容觸控與壓力感測(cè)裝置操作于自電容壓力感測(cè)模式時(shí)，將金屬層接地，致使感測(cè)元件層與金屬層之間有電容效應(yīng)產(chǎn)生而感測(cè)到一第二電容變化量；以及根據(jù)第一電容變化量與第二電容變化量得到一第三電容變化量。

于一實(shí)施例中，該第一電容變化量?jī)H包含觸控所造成的電容變化量。

于一實(shí)施例中，該第二電容變化量包含觸控所造成的電容變化量與壓力所造成的電容變化量。

于一實(shí)施例中，該處理模塊將該第二電容變化量減去該第一電容變化量而得到該第三電容變化量。

于一實(shí)施例中，該第三電容變化量?jī)H包含壓力所造成的電容變化量。

于一實(shí)施例中，該金屬層為整片或圖案化的形式。

于一實(shí)施例中，該自電容觸控與壓力感測(cè)裝置進(jìn)一步包含一光學(xué)導(dǎo)電層，設(shè)置于該金屬層與該空氣間隔層之間。

于一實(shí)施例中，該光學(xué)導(dǎo)電層為整片或圖案化的形式。

于一實(shí)施例中，該自電容觸控與壓力感測(cè)裝置應(yīng)用于一自電容觸控面板。

于一實(shí)施例中，該自電容觸控面板具有一內(nèi)嵌式(in-cell)疊構(gòu)、一on-cell疊構(gòu)或一out-cell疊構(gòu)。

相較于現(xiàn)有技術(shù)，根據(jù)本發(fā)明的自電容觸控與壓力感測(cè)裝置及自電容觸控與壓力感測(cè)方法通過控制金屬層與自電容感測(cè)元件層的電位并配合后端的數(shù)碼處理，由以在觸控感測(cè)模式與壓力感測(cè)模式共用感測(cè)元件的情況下，分別得到準(zhǔn)確的觸控電容變化量及壓力電容變化量，其具有下列優(yōu)點(diǎn)與功效：

(1)當(dāng)本發(fā)明的自電容觸控與壓力感測(cè)裝置進(jìn)行自電容觸控感測(cè)時(shí)，其疊構(gòu)中的金屬層將會(huì)被驅(qū)動(dòng)與一觸控信號(hào)同步，不僅可避免自電容感測(cè)元件層受到下方的金屬層的影響而導(dǎo)致電阻電容負(fù)荷(rcloading)增加，當(dāng)壓力改變導(dǎo)致自電容感測(cè)元件層與下方的金屬層之間的空氣間隔層(airgap)形變時(shí)便不會(huì)產(chǎn)生任何電容改變的影響，此時(shí)，自電容感測(cè)元件層將只會(huì)感測(cè)到上方由于觸控所產(chǎn)生的電容變化量，故可有效隔絕來自下方的外在環(huán)境雜訊，以提升觸控感測(cè)的信噪比(signal-noiseratio,snr)。

(2)當(dāng)本發(fā)明的自電容觸控與壓力感測(cè)裝置進(jìn)行自電容壓力感測(cè)時(shí)，由于其疊構(gòu)中的金屬層會(huì)接地，可直接取代傳統(tǒng)的金屬遮蔽層，故能有效避免自電容感測(cè)元件層受到下方的雜訊干擾。當(dāng)壓力改變導(dǎo)致自電容感測(cè)元件層與下方的金屬層之間的空氣間隔層形變時(shí)的電容變化量亦會(huì)被自電容感測(cè)元件層所感測(cè)到，故自電容感測(cè)元件層將會(huì)同時(shí)感測(cè)到由于觸控所產(chǎn)生的電容變化量以及由于壓力改變所產(chǎn)生的電容變化量。

(3)本發(fā)明的自電容觸控與壓力感測(cè)裝置可根據(jù)自電容壓力感測(cè)時(shí)所感測(cè)到的綜合電容變化量與自電容壓力感測(cè)時(shí)所感測(cè)到的觸控電容變化量進(jìn)行適當(dāng)處理后，得到準(zhǔn)確的壓力電容變化量，并可支援多點(diǎn)的壓力感測(cè)。

關(guān)于本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)與精神可以通過以下的發(fā)明詳述及所附附圖得到進(jìn)一步的了解。

附圖說明

圖1為根據(jù)本發(fā)明的一較佳具體實(shí)施例的自電容觸控與壓力感測(cè)裝置的示意圖。

圖2為當(dāng)本發(fā)明的自電容觸控與壓力感測(cè)裝置操作于觸控感測(cè)模式下且尚未有觸控發(fā)生時(shí)的示意圖。

圖3為當(dāng)本發(fā)明的自電容觸控與壓力感測(cè)裝置操作于觸控感測(cè)模式下且已有觸控發(fā)生時(shí)的示意圖。

圖4為當(dāng)本發(fā)明的自電容觸控與壓力感測(cè)裝置操作于壓力感測(cè)模式下且尚未有觸控發(fā)生時(shí)的示意圖。

圖5為當(dāng)本發(fā)明的自電容觸控與壓力感測(cè)裝置操作于壓力感測(cè)模式下且已有觸控發(fā)生時(shí)的示意圖。

圖6為根據(jù)本發(fā)明的另一較佳具體實(shí)施例的自電容觸控與壓力感測(cè)方法的流程圖。

圖7a及圖7b為本發(fā)明的自電容觸控與壓力感測(cè)方法的詳細(xì)流程圖。

主要元件符號(hào)說明：

1自電容觸控與壓力感測(cè)裝置

10金屬層

11背光模塊

12光學(xué)導(dǎo)電層

13空氣間隔層

14下基板

15感測(cè)元件層

16上基板

17偏光鏡及光學(xué)膠

18上蓋透鏡

19處理模塊

190電容感測(cè)器

192數(shù)碼處理單元

fg手指

cfinger感測(cè)元件層與手指之間的電容

cfilm感測(cè)元件層與金屬層之間的電容

s10～s14、s20～s31步驟

具體實(shí)施方式

根據(jù)本發(fā)明的一具體實(shí)施例為一種自電容觸控與壓力感測(cè)裝置。于此實(shí)施例中，自電容觸控與壓力感測(cè)裝置可分別操作于一自電容觸控感測(cè)模式及一自電容壓力感測(cè)模式下。實(shí)際上，自電容觸控與壓力感測(cè)裝置可應(yīng)用于一自電容觸控面板，并且自電容觸控面板可具有內(nèi)嵌式(in-cell)疊構(gòu)、on-cell疊構(gòu)或out-cell疊構(gòu)，但不以此為限。

首先，請(qǐng)參照?qǐng)D1，圖1為應(yīng)用于內(nèi)嵌式自電容觸控面板的自電容觸控與壓力感測(cè)裝置的示意圖。

如圖1所示，自電容觸控與壓力感測(cè)裝置1至少包含有金屬層10、空氣間隔層13、感測(cè)元件層15及處理模塊19。其中，感測(cè)元件層15設(shè)置于金屬層10的上方?？諝忾g隔層13形成于金屬層10與感測(cè)元件層15之間。處理模塊19包含電容感測(cè)器190及數(shù)碼處理單元192。電容感測(cè)器190通過模擬匯流排(analogbus)分別耦接金屬層10與感測(cè)元件層15。數(shù)碼處理單元192耦接電容感測(cè)器190。于實(shí)際應(yīng)用中，金屬層10可以是整片的形式或是圖案化的形式，并無(wú)特定的限制。

此外，自電容觸控與壓力感測(cè)裝置1還可包含有背光模塊11、光學(xué)導(dǎo)電層12、下基板14、上基板16、偏光鏡(pol)及光學(xué)膠(oca)17及上蓋透鏡18。其中，背光模塊11與光學(xué)導(dǎo)電層12設(shè)置于金屬層10與空氣間隔層13之間，并且光學(xué)導(dǎo)電層12位于背光模塊11上方；感測(cè)元件層15位于下基板14與上基板16之間；偏光鏡及光學(xué)膠17與上蓋透鏡18設(shè)置于上基板16上方，并且上蓋透鏡18位于偏光鏡及光學(xué)膠17上方。于實(shí)際應(yīng)用中，光學(xué)導(dǎo)電層12可以是整片的形式或是圖案化的形式，并無(wú)特定的限制。需說明的是，此實(shí)施例中的電容感測(cè)器190耦接金屬層10，但實(shí)際上亦可視實(shí)際需求將電容感測(cè)器190耦接光學(xué)導(dǎo)電層12，亦可達(dá)到相同的效果。

接著，請(qǐng)參照?qǐng)D2及圖3，圖2為當(dāng)本發(fā)明的自電容觸控與壓力感測(cè)裝置1操作于觸控感測(cè)模式下且尚未有觸控發(fā)生時(shí)的示意圖；圖3為當(dāng)本發(fā)明的自電容觸控與壓力感測(cè)裝置1操作于觸控感測(cè)模式下且已有觸控發(fā)生時(shí)的示意圖。

如圖2及圖3所示，當(dāng)自電容觸控與壓力感測(cè)裝置1操作于自電容觸控感測(cè)模式時(shí)，金屬層10會(huì)被驅(qū)動(dòng)與感測(cè)元件層15所接收的觸控信號(hào)同步，致使感測(cè)元件層15與金屬層10之間不會(huì)有電容效應(yīng)產(chǎn)生。

需說明的是，若電容感測(cè)器190耦接光學(xué)導(dǎo)電層12，而不是耦接金屬層10，則此時(shí)會(huì)是光學(xué)導(dǎo)電層12被驅(qū)動(dòng)與感測(cè)元件層15所接收的觸控信號(hào)同步，致使感測(cè)元件層15與光學(xué)導(dǎo)電層12之間不會(huì)有電容效應(yīng)產(chǎn)生，后續(xù)均可依此類推，故不再另行贅述。

根據(jù)圖3可知：當(dāng)自電容觸控與壓力感測(cè)裝置1操作于自電容觸控感測(cè)模式時(shí)，由于感測(cè)元件層15與金屬層10之間不會(huì)有電容效應(yīng)產(chǎn)生，因此，當(dāng)受到手指fg的觸控時(shí)，即使位于金屬層10與感測(cè)元件層15之間的空氣間隔層13的厚度發(fā)生改變，亦不會(huì)對(duì)于感測(cè)元件層15造成影響。因此，當(dāng)電容感測(cè)器190發(fā)出電容感測(cè)信號(hào)至感測(cè)元件層15時(shí)，感測(cè)元件層15所感測(cè)到的第一電容變化量△c1將會(huì)僅包含由觸控所造成的電容變化量(亦即圖3中的cfinger)，而不會(huì)包含由壓力所造成的電容變化量，故可有效隔絕來自下方的外在環(huán)境雜訊，以提升觸控感測(cè)時(shí)的信噪比(snr)。

此外，驅(qū)動(dòng)金屬層10與觸控信號(hào)同步亦可有效避免感測(cè)元件層15受到下方的金屬層10的影響而導(dǎo)致電阻電容負(fù)荷(rcloading)增加，故可達(dá)到降低電阻電容負(fù)荷的具體功效。

接著，請(qǐng)參照?qǐng)D4及圖5，圖4為當(dāng)本發(fā)明的自電容觸控與壓力感測(cè)裝置1操作于壓力感測(cè)模式下且尚未有觸控發(fā)生時(shí)的示意圖；圖5為當(dāng)本發(fā)明的自電容觸控與壓力感測(cè)裝置1操作于壓力感測(cè)模式下且已有觸控發(fā)生時(shí)的示意圖。

如圖4及圖5所示，當(dāng)自電容觸控與壓力感測(cè)裝置1操作于自電容壓力感測(cè)模式時(shí)，金屬層10會(huì)接地而感測(cè)元件層15仍接收觸控信號(hào)，致使感測(cè)元件層15與金屬層10之間會(huì)有電容效應(yīng)產(chǎn)生，亦即圖4及圖5中的cfilm。需說明的是，接地的金屬層10可直接取代傳統(tǒng)的金屬遮蔽層，故能有效避免感測(cè)元件層15受到下方的雜訊干擾。

根據(jù)圖5可知：當(dāng)自電容觸控與壓力感測(cè)裝置1操作于自電容壓力感測(cè)模式時(shí)，由于感測(cè)元件層15與金屬層10之間會(huì)有電容效應(yīng)產(chǎn)生，因此，當(dāng)受到手指fg的觸控而導(dǎo)致位于金屬層10與感測(cè)元件層15之間的空氣間隔層13的厚度發(fā)生改變時(shí)，會(huì)造成感測(cè)元件層15與金屬層10之間的電容cfilm改變而會(huì)對(duì)感測(cè)元件層15的電容感測(cè)造成影響。因此，當(dāng)電容感測(cè)器190發(fā)出電容感測(cè)信號(hào)至感測(cè)元件層15時(shí)，感測(cè)元件層15所感測(cè)到的第二電容變化量△c2將會(huì)同時(shí)包含由觸控所造成的電容變化量以及由壓力所造成的電容變化量。

最后，當(dāng)處理模塊19分別接收到自電容觸控與壓力感測(cè)裝置1操作于自電容觸控感測(cè)模式及自電容壓力感測(cè)模式下所感測(cè)到的第一電容變化量△c1及第二電容變化量△c2時(shí)，由于第一電容變化量△c1僅包含由觸控所造成的電容變化量，而第二電容變化量△c2同時(shí)包含由觸控所造成的電容變化量以及由壓力所造成的電容變化量，因此，處理模塊19即可將第二電容變化量△c2減去第一電容變化量△c1而得到僅包含由壓力所造成的電容變化量的第三電容變化量△c3。由此，自電容觸控與壓力感測(cè)裝置1即可順利得到準(zhǔn)確的觸控電容變化量△c1以及壓力電容變化量△c3，并可支援多點(diǎn)的壓力感測(cè)。

根據(jù)本發(fā)明的另一具體實(shí)施例為一種自電容觸控與壓力感測(cè)方法。于此實(shí)施例中，自電容觸控與壓力感測(cè)方法應(yīng)用于一自電容觸控與壓力感測(cè)裝置。自電容觸控與壓力感測(cè)裝置可分別操作于一自電容觸控感測(cè)模式及一自電容壓力感測(cè)模式下。自電容觸控與壓力感測(cè)裝置包含一金屬層、一感測(cè)元件層及一空氣間隔層。感測(cè)元件層設(shè)置于金屬層的上方，空氣間隔層形成于金屬層與感測(cè)元件層之間。

請(qǐng)參照?qǐng)D6，圖6為此實(shí)施例中的自電容觸控與壓力感測(cè)方法的流程圖。如圖6所示，自電容觸控與壓力感測(cè)方法包含下列步驟：

步驟s10：當(dāng)自電容觸控與壓力感測(cè)裝置操作于自電容觸控感測(cè)模式時(shí)，驅(qū)動(dòng)金屬層與一觸控信號(hào)同步，致使感測(cè)元件層與金屬層之間無(wú)電容效應(yīng)產(chǎn)生而感測(cè)到一第一電容變化量；

步驟s12：當(dāng)自電容觸控與壓力感測(cè)裝置操作于自電容壓力感測(cè)模式時(shí)，將金屬層接地，致使感測(cè)元件層與金屬層之間有電容效應(yīng)產(chǎn)生而感測(cè)到一第二電容變化量；以及

步驟s14：根據(jù)第一電容變化量與第二電容變化量得到一第三電容變化量。

接著，請(qǐng)參照?qǐng)D7a及圖7b，圖7a及圖7b為自電容觸控與壓力感測(cè)方法的詳細(xì)流程圖。如圖7a及圖7b所示，更詳細(xì)而言，本發(fā)明的自電容觸控與壓力感測(cè)方法可包含下列步驟：

步驟s20：于自電容觸控感測(cè)模式下，驅(qū)動(dòng)金屬層(或光學(xué)導(dǎo)電層)與觸控信號(hào)同步，致使感測(cè)元件層與金屬層(或光學(xué)導(dǎo)電層)之間無(wú)電容效應(yīng)產(chǎn)生；

步驟s21：輸入電容感測(cè)信號(hào)以取得第一感測(cè)電容值；

步驟s22：根據(jù)第一感測(cè)電容值與觸控電容參考值得到第一電容變化量；

步驟s23：根據(jù)第一電容變化量判斷是否有受到觸控；

若步驟s23的判斷結(jié)果為否，則該方法執(zhí)行步驟s24：計(jì)算更新觸控電容參考值；

若步驟s23的判斷結(jié)果為是，代表第一電容變化量即為由觸控所造成的電容變化量，則該方法執(zhí)行步驟s25：切換至自電容壓力感測(cè)模式下，將金屬層(或光學(xué)導(dǎo)電層)接地，致使感測(cè)元件層與金屬層(或光學(xué)導(dǎo)電層)之間有電容效應(yīng)產(chǎn)生；

步驟s26：輸入電容感測(cè)信號(hào)以取得第二感測(cè)電容值；

步驟s27：根據(jù)第二感測(cè)電容值與壓力電容參考值得到第二電容變化量；

步驟s28：將第二電容變化量減去第一電容變化量而得到第三電容變化量；

步驟s29：根據(jù)第三電容變化量判斷是否有受到壓力；

若步驟s29的判斷結(jié)果為否，則該方法執(zhí)行步驟s30：計(jì)算更新壓力電容參考值；

若步驟s29的判斷結(jié)果為是，代表第三電容變化量即為由壓力所造成的電容變化量，故該方法執(zhí)行步驟s31：將第一電容變化量(由觸控所造成的電容變化量)以及第三電容變化量(由壓力所造成的電容變化量)回報(bào)至主機(jī)。

相較于現(xiàn)有技術(shù)，根據(jù)本發(fā)明的自電容觸控與壓力感測(cè)裝置及自電容觸控與壓力感測(cè)方法通過控制金屬層與自電容感測(cè)元件層的電位并配合后端的數(shù)碼處理，由以在觸控感測(cè)模式與壓力感測(cè)模式共用感測(cè)元件的情況下，分別得到準(zhǔn)確的觸控電容變化量及壓力電容變化量，其具有下列優(yōu)點(diǎn)與功效：

(1)當(dāng)本發(fā)明的自電容觸控與壓力感測(cè)裝置進(jìn)行自電容觸控感測(cè)時(shí)，其疊構(gòu)中的金屬層將會(huì)被驅(qū)動(dòng)與一觸控信號(hào)同步，不僅可避免自電容感測(cè)元件層受到下方的金屬層的影響而導(dǎo)致電阻電容負(fù)荷增加，當(dāng)壓力改變導(dǎo)致自電容感測(cè)元件層與下方的金屬層之間的空氣間隔層形變時(shí)便不會(huì)產(chǎn)生任何電容改變的影響，此時(shí)，自電容感測(cè)元件層將只會(huì)感測(cè)到上方由于觸控所產(chǎn)生的電容變化量，故可有效隔絕來自下方的外在環(huán)境雜訊，以提升觸控感測(cè)的信噪比。

(2)當(dāng)本發(fā)明的自電容觸控與壓力感測(cè)裝置進(jìn)行自電容壓力感測(cè)時(shí)，由于其疊構(gòu)中的金屬層會(huì)接地，可直接取代傳統(tǒng)的金屬遮蔽層，故能有效避免自電容感測(cè)元件層受到下方的雜訊干擾。當(dāng)壓力改變導(dǎo)致自電容感測(cè)元件層與下方的金屬層之間的空氣間隔層形變時(shí)的電容變化量亦會(huì)被自電容感測(cè)元件層所感測(cè)到，故自電容感測(cè)元件層將會(huì)同時(shí)感測(cè)到由于觸控所產(chǎn)生的電容變化量以及由于壓力改變所產(chǎn)生的電容變化量。

(3)本發(fā)明的自電容觸控與壓力感測(cè)裝置可根據(jù)自電容壓力感測(cè)時(shí)所感測(cè)到的綜合電容變化量與自電容壓力感測(cè)時(shí)所感測(cè)到的觸控電容變化量進(jìn)行適當(dāng)處理后，得到準(zhǔn)確的壓力電容變化量，并可支援多點(diǎn)的壓力感測(cè)。

由以上較佳具體實(shí)施例的詳述，是希望能更加清楚描述本發(fā)明的特征與精神，而并非以上述所公開的較佳具體實(shí)施例來對(duì)本發(fā)明的范疇加以限制。相反地，其目的是希望能涵蓋各種改變及具相等性的安排于本發(fā)明所欲申請(qǐng)的專利范圍的范疇內(nèi)。