本發(fā)明屬于數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域，尤其涉及一種配置信息緩存的方法、裝置、主控芯片和存儲系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

SD卡即安全數(shù)字卡(Secure Digital Card)，是一種基于半導(dǎo)體快閃記憶器的新一代記憶設(shè)備。由于具有體積小、數(shù)據(jù)傳輸速度快和可熱插拔等優(yōu)良的特性，SD卡被廣泛應(yīng)用于數(shù)碼相機、個人數(shù)碼助理(即PDA)、智能移動終端和多媒體播放器等便攜式裝置。

從硬件結(jié)構(gòu)角度，SD卡分為控制器和存儲本體兩部分?？刂破髫撠?zé)與外部設(shè)備通信，通過一系列的控制命令，將存儲本體的數(shù)據(jù)與外部設(shè)備進行交互。，其中，讀數(shù)據(jù)的操作過程為在MCU控制器運行的軟件控制之下，完成從外部NandFlash讀取數(shù)據(jù)，依次經(jīng)過NandFlash控制器模塊、數(shù)據(jù)隨機化模塊、壞列管理模塊和BCH編解碼模塊之后，寫入到芯片內(nèi)部的靜態(tài)隨機存儲器(Static Random Access Memory，SRAM)進行數(shù)據(jù)緩存，寫數(shù)據(jù)的操作過程為在MCU控制器運行的軟件控制之下，完成從芯片內(nèi)部的SRAM讀取數(shù)據(jù)，依次經(jīng)過BCH編解碼模塊、壞列管理模塊、數(shù)據(jù)隨機化模塊和NandFlash控制器模塊之后，寫入到外部NandFlash中。

然而，上述的讀數(shù)據(jù)或?qū)憯?shù)據(jù)操作過程中，在兩個數(shù)據(jù)包傳輸之間，需要等待MCU控制器配置各個模塊的寄存器，如此，導(dǎo)致實際讀寫數(shù)據(jù)的時間開銷變長，從而SD卡主控芯片讀寫數(shù)據(jù)的性能下降。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種配置信息緩存的方法、裝置、主控芯片和存儲系統(tǒng)，以提高SD卡讀寫數(shù)據(jù)的速度。

本發(fā)明第一方面提供一種配置信息緩存的方法，所述方法包括：

在開始讀寫數(shù)據(jù)操作前，將讀寫數(shù)據(jù)處理模塊的各個子模塊對應(yīng)的配置信息預(yù)先存儲于主控芯片的配置緩存區(qū)，所述讀寫數(shù)據(jù)處理模塊包括閃存控制器子模塊、數(shù)據(jù)隨機化子模塊、壞列管理子模塊和BCH編解碼子模塊；

讀寫數(shù)據(jù)開始時，從所述配置緩存區(qū)讀取所述配置信息更新到所述子模塊對應(yīng)寄存器中。

本發(fā)明第二方面提供一種配置信息緩存裝置，所述裝置包括：

預(yù)存模塊，用于在開始讀寫數(shù)據(jù)操作前，將讀寫數(shù)據(jù)處理模塊的各個子模塊對應(yīng)的配置信息預(yù)先存儲于主控芯片的配置緩存區(qū)，所述讀寫數(shù)據(jù)處理模塊包括閃存控制器子模塊、數(shù)據(jù)隨機化子模塊、壞列管理子模塊和BCH編解碼子模塊；

配置模塊，用于讀寫數(shù)據(jù)開始時，從所述配置緩存區(qū)讀取所述配置信息更新到所述子模塊對應(yīng)寄存器中。

本發(fā)明第三方面提供一種主控芯片，用于包括微處理器、讀寫數(shù)據(jù)處理模塊和內(nèi)部數(shù)據(jù)緩存區(qū)，所述讀寫數(shù)據(jù)處理模塊包括閃存控制器子模塊、數(shù)據(jù)隨機化子模塊、壞列管理子模塊和BCH編解碼子模塊，所述主控芯片還包括數(shù)據(jù)流管理單元和配置緩存區(qū)，所述數(shù)據(jù)流管理單元包括預(yù)存模塊和配置模塊；

所述預(yù)存模塊，用于在開始讀寫數(shù)據(jù)操作前，將讀寫數(shù)據(jù)處理模塊的各個子模塊對應(yīng)的配置信息預(yù)先存儲于主控芯片的配置緩存區(qū)；

所述配置模塊，用于讀寫數(shù)據(jù)開始時，從所述配置緩存區(qū)讀取所述配置信息更新到所述子模塊對應(yīng)寄存器中；

所述配置緩存區(qū)，用于存儲所述各個讀寫數(shù)據(jù)處理模塊的配置信息；

所述閃存控制器子模塊，用于從所述外部存儲體讀取數(shù)據(jù)包，依次經(jīng)所述閃存控制器子模塊、數(shù)據(jù)隨機化子模塊、壞列管理子模塊和BCH編解碼子模塊處理后寫入主控芯片內(nèi)部數(shù)據(jù)緩存區(qū)。

本發(fā)明第四方面提供一種存儲系統(tǒng)，包括主控芯片和外部存儲體，所述主控芯片包括微處理器、讀寫數(shù)據(jù)處理模塊和內(nèi)部數(shù)據(jù)緩存區(qū)，所述讀寫數(shù)據(jù)處理模塊包括閃存控制器子模塊、數(shù)據(jù)隨機化子模塊、壞列管理子模塊和BCH編解碼子模塊，所述主控芯片還包括數(shù)據(jù)流管理單元和配置緩存區(qū)，所述數(shù)據(jù)流管理單元包括預(yù)存模塊和配置模塊；

所述預(yù)存模塊，用于在開始讀寫數(shù)據(jù)操作前，將讀寫數(shù)據(jù)處理模塊的各個子模塊對應(yīng)的配置信息預(yù)先存儲于主控芯片的配置緩存區(qū)；

所述配置模塊，用于讀寫數(shù)據(jù)開始時，從所述配置緩存區(qū)讀取所述配置信息更新到所述子模塊對應(yīng)寄存器中；

所述配置緩存區(qū)，用于存儲所述各個讀寫數(shù)據(jù)處理模塊的配置信息；

所述閃存控制器子模塊，用于從所述外部存儲體讀取數(shù)據(jù)包，依次經(jīng)所述閃存控制器子模塊、數(shù)據(jù)隨機化子模塊、壞列管理子模塊和BCH編解碼子模塊處理后寫入主控芯片內(nèi)部數(shù)據(jù)緩存區(qū)；或者

所述預(yù)存模塊，用于在開始數(shù)據(jù)包寫入操作前，將所述各個讀寫數(shù)據(jù)處理模塊的各個子模塊對應(yīng)的配置信息預(yù)先存儲于所述配置緩存區(qū)；

所述配置模塊，用于所述BCH編解碼子模塊開始從主控芯片內(nèi)部數(shù)據(jù)緩存區(qū)讀取每一個數(shù)據(jù)包時，從所述配置緩存區(qū)讀取所述配置信息更新到所述子模塊對應(yīng)寄存器中；

所述配置緩存區(qū)，用于存儲所述各個讀寫數(shù)據(jù)處理模塊的配置信息；

所述BCH編解碼模塊，用于從所述主控芯片內(nèi)部數(shù)據(jù)緩存區(qū)讀取數(shù)據(jù)包，依次經(jīng)所述BCH編解碼子模塊、壞列管理子模塊、數(shù)據(jù)隨機化子模塊和閃存控制器子模塊處理后寫入外部存儲體。

從上述本發(fā)明技術(shù)方案可知，由于在開始數(shù)據(jù)包的讀寫操作之前，已將各個讀寫數(shù)據(jù)處理模塊的各個子模塊對應(yīng)的配置信息預(yù)先存儲于主控芯片的配置緩存區(qū)，讀寫數(shù)據(jù)開始時，從所述配置緩存區(qū)讀取所述配置信息更新到所述子模塊對應(yīng)寄存器中，因此，與現(xiàn)有技術(shù)在每次讀寫完一個數(shù)據(jù)包后，需要等待CPU配置讀寫數(shù)據(jù)相關(guān)處理模塊的配置信息完成后再讀寫下一個數(shù)據(jù)包相比，本發(fā)明提供的技術(shù)方案節(jié)省了這個等待時間，相當(dāng)于減小了數(shù)據(jù)讀寫的開銷，從而提高了數(shù)據(jù)讀寫的速度，使得SD卡主控芯片讀寫數(shù)據(jù)的整體性能得到了顯著提升。

附圖說明

圖1是本發(fā)明實施例一提供的配置信息緩存的方法的實現(xiàn)流程示意圖；

圖2是本發(fā)明實施例二提供的配置信息緩存的裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本發(fā)明實施例三提供的配置信息緩存的裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是本發(fā)明實施例四提供的主控芯片的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5是本發(fā)明實施例五提供的主控芯片的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6是本發(fā)明實施例六提供的存儲系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7是本發(fā)明實施例七提供的存儲系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及有益效果更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實施例，對本發(fā)明進行進一步詳細說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。

本發(fā)明實施例提供一種配置信息緩存的方法，所述方法包括：在開始讀寫數(shù)據(jù)操作前，將讀寫數(shù)據(jù)處理模塊的各個子模塊對應(yīng)的配置信息預(yù)先存儲于主控芯片的配置緩存區(qū)，所述讀寫數(shù)據(jù)處理模塊包括閃存控制器子模塊、數(shù)據(jù)隨機化子模塊、壞列管理子模塊和BCH編解碼子模塊；讀寫數(shù)據(jù)開始時，從所述配置緩存區(qū)讀取所述配置信息更新到所述子模塊對應(yīng)寄存器中。本發(fā)明實施例還提供相應(yīng)的配置信息緩存的裝置、主控芯片和存儲系統(tǒng)。以下分別進行詳細說明。

請參閱附圖1，是本發(fā)明實施例一提供的配置信息緩存的方法的實現(xiàn)流程示意圖，主要包括以下步驟S101和步驟S102，詳細說明如下：

S101，在開始數(shù)據(jù)包讀取操作前，將讀寫數(shù)據(jù)處理模塊的各個子模塊對應(yīng)的配置信息預(yù)先存儲于主控芯片的配置緩存區(qū)。

以包括一個主控芯片和外部存儲體即NandFlash的SD卡為例，在本發(fā)明實施例中，讀寫數(shù)據(jù)處理模塊主要包括閃存控制器子模塊、數(shù)據(jù)隨機化子模塊、壞列管理子模塊和BCH編解碼子模塊，其中，讀寫數(shù)據(jù)處理模塊的各個子模塊對應(yīng)的配置信息包括所述各個子模塊對應(yīng)寄存器地址以及所述寄存器的值。

作為本發(fā)明一個實施例，在開始數(shù)據(jù)讀取操作前，將讀寫數(shù)據(jù)處理模塊的各個子模塊對應(yīng)的配置信息預(yù)先存儲于配置緩存區(qū)包括：將讀寫數(shù)據(jù)處理模塊的各個子模塊對應(yīng)的配置信息以寄存器的地址+寄存器的值+結(jié)束符的格式，按照配置緩存區(qū)的一個存儲單元存儲一個配置信息的方式存儲于配置緩存區(qū)的存儲單元，其中，存儲的方式可以是順次存儲，也可以是一次性存儲，而結(jié)束符可以是一個16進制且值為FFFF的信息，以表示讀寫數(shù)據(jù)處理模塊的一個子模塊對應(yīng)的配置信息存儲完畢，后續(xù)在讀取這些配置信息時，當(dāng)讀取到FFFF這個信息時，表明讀寫數(shù)據(jù)處理模塊的一個子模塊對應(yīng)的配置信息讀取完畢。

S102，讀寫數(shù)據(jù)開始時，從主控芯片的配置緩存區(qū)讀取讀寫數(shù)據(jù)處理模塊的各個子模塊對應(yīng)的配置信息更新到讀寫數(shù)據(jù)處理模塊的各個子模塊對應(yīng)寄存器中。

由于NandFlash是以一個扇區(qū)(sector)為操作單位進行數(shù)據(jù)的讀寫的，而一個扇區(qū)的容量為1K字節(jié)，因此，此處以一個數(shù)據(jù)包為1K字節(jié)來舉例說明。假設(shè)要讀取或?qū)懭氪笮?4K的數(shù)據(jù)，分成每個數(shù)據(jù)包大小為1K的64個數(shù)據(jù)包來操作。在從外部存儲體讀取第一個數(shù)據(jù)包(該數(shù)據(jù)包是即將要寫入到主控芯片內(nèi)部數(shù)據(jù)緩存區(qū)的數(shù)據(jù)包)或者向外部存儲體寫入第一個數(shù)據(jù)包(該數(shù)據(jù)包是從主控芯片內(nèi)部數(shù)據(jù)緩存區(qū)讀取的數(shù)據(jù)包)時，就從緩存區(qū)讀取配置信息更新到讀寫數(shù)據(jù)處理模塊的各個子模塊對應(yīng)寄存器中，在第一個數(shù)據(jù)包的讀寫操作完畢并開始第二個數(shù)據(jù)包的讀寫操作時，從緩存區(qū)讀取配置信息更新到讀寫數(shù)據(jù)處理模塊的各個子模塊對應(yīng)寄存器中，同時開始第二個數(shù)據(jù)包的讀寫操作。

從上述附圖1示例的配置信息緩存的方法可知，由于在開始數(shù)據(jù)包的讀寫操作之前，已將各個讀寫數(shù)據(jù)處理模塊的各個子模塊對應(yīng)的配置信息預(yù)先存儲于主控芯片的配置緩存區(qū)，讀寫數(shù)據(jù)開始時，從所述配置緩存區(qū)讀取所述配置信息更新到所述子模塊對應(yīng)寄存器中，因此，與現(xiàn)有技術(shù)在每次讀寫完一個數(shù)據(jù)包后，需要等待CPU配置讀寫數(shù)據(jù)相關(guān)處理模塊的配置信息完成后再讀寫下一個數(shù)據(jù)包相比，本發(fā)明提供的技術(shù)方案節(jié)省了這個等待時間，相當(dāng)于減小了數(shù)據(jù)讀寫的開銷，從而提高了數(shù)據(jù)讀寫的速度，使得SD卡主控芯片讀寫數(shù)據(jù)的整體性能得到了顯著提升。

請參閱附圖2，，是本發(fā)明實施例二提供的配置信息緩存的裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。為了便于說明，附圖2僅示出了與本發(fā)明實施例相關(guān)的部分。附圖2示例的配置信息緩存的裝置主要包括預(yù)存模塊201和配置模塊202，詳細說明如下：

預(yù)存模塊201，用于在開始讀寫數(shù)據(jù)操作前，將讀寫數(shù)據(jù)處理模塊的各個子模塊對應(yīng)的配置信息預(yù)先存儲于主控芯片的配置緩存區(qū)，其中，讀寫數(shù)據(jù)處理模塊包括閃存控制器子模塊、數(shù)據(jù)隨機化子模塊、壞列管理子模塊和BCH編解碼子模塊；

配置模塊202，用于讀寫數(shù)據(jù)開始時，從主控芯片的配置緩存區(qū)讀取配置信息更新到子模塊對應(yīng)寄存器中。

附圖2示例的配置信息緩存的裝置中，讀寫數(shù)據(jù)處理模塊的各個子模塊對應(yīng)的配置信息包括所述各個子模塊對應(yīng)寄存器地址以及所述寄存器的值，預(yù)存模塊201包括配置信息寫入單元301，如附圖3所示本發(fā)明實施例三提供的配置信息緩存的裝置，配置信息寫入單元301將讀寫數(shù)據(jù)處理模塊的各個子模塊對應(yīng)的配置信息以寄存器的地址+寄存器的值+結(jié)束符的格式，按照配置緩存區(qū)的一個存儲單元存儲一個配置信息的方式存儲于配置緩存區(qū)的存儲單元，其中，存儲的方式可以是順次存儲，也可以是一次性存儲，而結(jié)束符可以是一個16進制且值為FFFF的信息，以表示讀寫數(shù)據(jù)處理模塊的一個子模塊對應(yīng)的配置信息存儲完畢，后續(xù)在讀取這些配置信息時，當(dāng)讀取到FFFF這個信息時，表明讀寫數(shù)據(jù)處理模塊的一個子模塊對應(yīng)的配置信息讀取完畢。

需要說明的是，附圖2或附圖3示例的配置信息緩存的裝置中，預(yù)存模塊201和配置模塊202可以是一個由硬件實現(xiàn)的NFF數(shù)據(jù)流管理單元。

請參閱圖4，是本發(fā)明實施例四提供的主控芯片的結(jié)構(gòu)示意圖。為了便于說明，附圖4僅示出了與本發(fā)明實施例相關(guān)的部分。附圖4示例的主控芯片除包括微處理器401、讀寫數(shù)據(jù)處理模塊402和內(nèi)部數(shù)據(jù)緩存區(qū)403之外，還包括數(shù)據(jù)流管理單元408和配置緩存區(qū)409，其中，數(shù)據(jù)流管理單元408包括預(yù)存模塊410和配置模塊411，讀寫數(shù)據(jù)處理模塊402包括閃存控制器模塊404、數(shù)據(jù)隨機化子模塊405、壞列管理子模塊406和BCH編解碼子模塊407，詳細說明如下：

預(yù)存模塊410，用于在開始讀寫數(shù)據(jù)操作前，將讀寫數(shù)據(jù)處理模塊402的各個子模塊對應(yīng)的配置信息預(yù)先存儲于主控芯片的配置緩存區(qū)409；

配置模塊411，用于讀寫數(shù)據(jù)開始時，從主控芯片的配置緩存區(qū)409區(qū)讀取讀寫數(shù)據(jù)處理模塊402的各個子模塊對應(yīng)的配置信息更新到讀寫數(shù)據(jù)處理模塊402的各個子模塊對應(yīng)寄存器中；

配置緩存區(qū)409，用于存儲各個讀寫數(shù)據(jù)處理模塊402的各個子模塊對應(yīng)的配置信息；

閃存控制器模塊404，用于從外部存儲體讀取數(shù)據(jù)包，依次經(jīng)閃存控制器子模塊404、數(shù)據(jù)隨機化子模塊405、壞列管理子模塊406和BCH編解碼子模塊407處理后寫入主控芯片內(nèi)部數(shù)據(jù)緩存區(qū)403。

附圖4示例的主控芯片中，讀寫數(shù)據(jù)處理模塊402的各個子模塊對應(yīng)的配置信息包括各個子模塊對應(yīng)寄存器地址以及所述寄存器的值，預(yù)存模塊410可以包括配置信息寫入單元501，如附圖5所示本發(fā)明實施例五提供的主控芯片，配置信息寫入單元501用于將讀寫數(shù)據(jù)處理模塊402的各個子模塊對應(yīng)的配置信息以寄存器的地址+寄存器的值+結(jié)束符的格式，按照配置緩存區(qū)409的一個存儲單元存儲一個配置信息的方式存儲于配置緩存區(qū)409的存儲單元，其中，結(jié)束符可以是一個16進制且值為FFFF的信息，以表示一個讀寫數(shù)據(jù)處理模塊的配置信息存儲完畢；后續(xù)在讀取這些配置信息時，當(dāng)讀取到FFFF這個信息時，表明一個讀寫數(shù)據(jù)處理模塊的子模塊的配置信息讀取完畢。

請參閱圖6，是本發(fā)明實施例六提供的存儲系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖。為了便于說明，附圖6僅示出了與本發(fā)明實施例相關(guān)的部分。附圖6示例的存儲系統(tǒng)主要包括主控芯片601和外部存儲體(即外部NandFlash)602，主控芯片601主要包括微處理器603、讀寫數(shù)據(jù)處理模塊604和內(nèi)部數(shù)據(jù)緩存區(qū)605，讀寫數(shù)據(jù)相關(guān)處理模塊1104主要包括閃存控制器子模塊、數(shù)據(jù)隨機化子模塊、壞列管理子模塊和BCH編解碼子模塊，主控芯片601還包括數(shù)據(jù)流管理單元606和配置緩存區(qū)607，數(shù)據(jù)流管理單元606主要包括預(yù)存模塊608和配置模塊609，詳細說明如下：

預(yù)存模塊608，用于在開始讀寫數(shù)據(jù)操作前，將讀寫數(shù)據(jù)處理模塊604的各個子模塊對應(yīng)的配置信息預(yù)先存儲于主控芯片601的配置緩存區(qū)607；

配置模塊609，用于讀寫數(shù)據(jù)開始時，從主控芯片601的配置緩存區(qū)607讀取讀寫數(shù)據(jù)處理模塊604的各個子模塊對應(yīng)的配置信息更新到子模塊對應(yīng)寄存器中；

配置緩存區(qū)607，用于存儲讀寫數(shù)據(jù)處理模塊604的各個子模塊對應(yīng)的配置信息；

閃存控制器子模塊，用于從外部存儲體602讀取數(shù)據(jù)包，依次經(jīng)閃存控制器子模塊、數(shù)據(jù)隨機化子模塊、壞列管理子模塊和BCH編解碼子模塊處理后寫入主控芯片內(nèi)部數(shù)據(jù)緩存區(qū)605。

請參閱圖7，是本發(fā)明實施例七提供的存儲系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖。為了便于說明，附圖7僅示出了與本發(fā)明實施例相關(guān)的部分。附圖7示例的存儲系統(tǒng)主要包括主控芯片701和外部存儲體(即外部NandFlash)702，主控芯片701主要包括微處理器703、讀寫數(shù)據(jù)處理模塊704和內(nèi)部數(shù)據(jù)緩存區(qū)705，讀寫數(shù)據(jù)處理模塊704主要包括閃存控制器子模塊、數(shù)據(jù)隨機化子模塊、壞列管理子模塊和BCH編解碼子模塊，主控芯片701還包括數(shù)據(jù)流管理單元706和配置緩存區(qū)707，數(shù)據(jù)流管理單元706主要包括預(yù)存模塊708和配置模塊709，詳細說明如下：

預(yù)存模塊708，用于在開始讀寫數(shù)據(jù)操作前，將讀寫數(shù)據(jù)處理模塊704的各個子模塊對應(yīng)的配置信息預(yù)先存儲于主控芯片701的配置緩存區(qū)707；

配置模塊709，用于BCH編解碼子模塊開始從主控芯片701內(nèi)部數(shù)據(jù)緩存區(qū)705讀取每一個數(shù)據(jù)包時，從配置緩存區(qū)707讀取配置信息更新到讀寫數(shù)據(jù)處理模塊704的各個子模塊對應(yīng)寄存器中；

配置緩存區(qū)707，用于存儲讀寫數(shù)據(jù)處理模塊704的各個子模塊對應(yīng)的配置信息；

BCH編解碼子模塊，用于從主控芯片701內(nèi)部數(shù)據(jù)緩存區(qū)704讀取數(shù)據(jù)包，依次經(jīng)BCH編解碼子模塊、壞列管理子模塊、數(shù)據(jù)隨機化子模塊和閃存控制器子模塊處理后寫入外部存儲體702。

需要說明的是，上述裝置各模塊/單元之間的信息交互、執(zhí)行過程等內(nèi)容，由于與本發(fā)明方法實施例基于同一構(gòu)思，其帶來的技術(shù)效果與本發(fā)明方法實施例相同，具體內(nèi)容可參見本發(fā)明方法實施例中的敘述，此處不再贅述。

本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解上述實施例的各種方法中的全部或部分步驟是可以通過程序來指令相關(guān)的硬件來完成，該程序可以存儲于一計算機可讀存儲介質(zhì)中，存儲介質(zhì)可以包括：只讀存儲器(ROM，Read Only Memory)、隨機存取存儲器(RAM，Random Access Memory)、磁盤或光盤等。

以上對本發(fā)明實施例所提供的配置信息緩存的方法、裝置、主控芯片和存儲系統(tǒng)進行了詳細介紹，本文中應(yīng)用了具體個例對本發(fā)明的原理及實施方式進行了闡述，以上實施例的說明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想；同時，對于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的思想，在具體實施方式及應(yīng)用范圍上均會有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對本發(fā)明的限制。