本發(fā)明涉及斷電保護(hù)技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種斷電保護(hù)方法、裝置及計(jì)算機(jī)。

背景技術(shù)：

在計(jì)算機(jī)的使用過(guò)程中，有時(shí)候存在異常斷電的情況：例如，筆記本電腦在開(kāi)機(jī)模式下，同時(shí)移除電源適配器和電池。在這種情況下，往往會(huì)造成系統(tǒng)無(wú)法正常開(kāi)機(jī)的故障。

在現(xiàn)有技術(shù)中，出現(xiàn)這種故障時(shí)，可以通過(guò)重置互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(Complementary Metal Oxide Semiconductor，CMOS)，來(lái)消除故障。但是，在重置CMOS前后過(guò)程中，需要拆卸和組裝計(jì)算機(jī)。由于計(jì)算機(jī)的零件非常精密和復(fù)雜，在組裝過(guò)程中，很容易發(fā)生丟失零件或者組裝錯(cuò)誤等的情況。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明實(shí)施例的目的是提供一種在修復(fù)計(jì)算機(jī)由于斷電引起的故障時(shí)，不需要拆卸計(jì)算機(jī)就可以修復(fù)故障的斷電保護(hù)方法、裝置及計(jì)算機(jī)。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種斷電保護(hù)方法，包括：

檢測(cè)計(jì)算機(jī)是否存在異常斷電；

若存在，則重置CMOS，且重置信號(hào)來(lái)自于一包括電源芯片的外置電路。

作為優(yōu)選，重置CMOS，包括：

接收喚醒南橋掛起邏輯的重置信號(hào)；

接收啟動(dòng)南橋備用電源的控制信號(hào)。

作為優(yōu)選，接收喚醒南橋掛起邏輯的重置信號(hào)，包括：

將所述重置信號(hào)設(shè)置為第一預(yù)設(shè)電平；

所述第一預(yù)設(shè)電平持續(xù)預(yù)設(shè)時(shí)間后，將所述重置信號(hào)設(shè)置為第二預(yù)設(shè)電平；所述第二預(yù)設(shè)電平高于所述第一預(yù)設(shè)電平。

作為優(yōu)選，接收啟動(dòng)南橋備用電源的控制信號(hào)，包括：

將所述重置信號(hào)設(shè)置為第二預(yù)設(shè)電平后，接收啟動(dòng)所述南橋的備用電源的控制信號(hào)。

本發(fā)明實(shí)施例還提供一種斷電保護(hù)裝置，包括：

檢測(cè)模塊，配置為檢測(cè)計(jì)算機(jī)是否存在異常斷電；

接收模塊，配置為當(dāng)所述計(jì)算機(jī)存在異常斷電時(shí)，重置CMOS的信號(hào)，且重置信號(hào)來(lái)自于一包括電源芯片的外置電路。

作為優(yōu)選，所述接收模塊，包括：

第一接收子模塊，配置為接收喚醒南橋掛起邏輯的重置信號(hào)；

第二接收子模塊，配置為接收啟動(dòng)南橋備用電源的控制信號(hào)。

作為優(yōu)選，所述第一接收子模塊，包括：

第一設(shè)置子模塊，配置為將所述重置信號(hào)設(shè)置為第一預(yù)設(shè)電平；

第二設(shè)置子模塊，配置為所述第一預(yù)設(shè)電平持續(xù)預(yù)設(shè)時(shí)間后，將所述重置信號(hào)設(shè)置為第二預(yù)設(shè)電平；所述第二預(yù)設(shè)電平高于所述第一預(yù)設(shè)電平。

作為優(yōu)選，所述第二接收子模塊，包括：

第三接收子模塊，配置為將所述重置信號(hào)設(shè)置為第二預(yù)設(shè)電平后，接收啟動(dòng)所述南橋的備用電源的控制信號(hào)。

本發(fā)明實(shí)施例還提供一種計(jì)算機(jī)，所述計(jì)算機(jī)包括如上所述的裝置，所述計(jì)算機(jī)的主板上包括外置電路，所述外置電路配置為發(fā)送重置所述計(jì)算機(jī)主板上的CMOS的控制信號(hào)。

作為優(yōu)選，所述外置電路包括第一場(chǎng)效應(yīng)管、第二場(chǎng)效應(yīng)管、第一電阻和第二電阻；所述第一場(chǎng)效應(yīng)管的柵極接收MPWRG信號(hào)，所述第一場(chǎng)效應(yīng)管的源極連接所述第一電阻的第一端，所述第一電阻的第二端連接電源，所述第一場(chǎng)效應(yīng)管的源極還連接所述第二場(chǎng)效應(yīng)管的柵極，所述第一場(chǎng)效應(yīng)管的漏極接地，所述第二場(chǎng)效應(yīng)管的漏極接地，所述第二場(chǎng)效應(yīng)管的源極連接所述第二電阻的第一端，所述第二電阻的第二端輸出RSMRST信號(hào)。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明實(shí)施例具有以下有益效果：本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案當(dāng)檢測(cè)計(jì)算機(jī)存在異常斷電時(shí)，則接收外置電路發(fā)送的重置所述計(jì)算機(jī)主板上的CMOS的信號(hào)，以重置所述CMOS，所述外置電路包括電源芯片，這樣可以避免EC檢測(cè)異常斷電時(shí)，突然斷電，導(dǎo)致發(fā)送重置CMOS信號(hào)失敗的風(fēng)險(xiǎn)。

附圖說(shuō)明

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中異常斷電情況時(shí)RSMRST#信號(hào)和其對(duì)應(yīng)的電源信號(hào)VCCPRIM示意圖；

圖2為本發(fā)明的斷電保護(hù)方法的實(shí)施例一的流程圖；

圖3為本發(fā)明的斷電保護(hù)方法的實(shí)施例二的流程圖；

圖4為本發(fā)明的斷電保護(hù)裝置的實(shí)施例一的流程圖；

圖5為本發(fā)明的斷電保護(hù)裝置的實(shí)施例二的流程圖；

圖6為本發(fā)明的計(jì)算機(jī)的實(shí)施例一外置電路的示意圖；

圖7為本發(fā)明的計(jì)算機(jī)的實(shí)施例一的RSMRST#信號(hào)和VCCPRIM信號(hào)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式作進(jìn)一步詳細(xì)描述。以下實(shí)施例用于說(shuō)明本發(fā)明，但不用來(lái)限制本發(fā)明的范圍。

在計(jì)算機(jī)的使用過(guò)程中，有時(shí)候存在以下情況：在開(kāi)機(jī)模式下，同時(shí)移除電源適配器和電池。在這種情況下，為防止造成時(shí)鐘(Real-Time Clock，RTC)損壞，需要在由電源供電的各器件電壓超出預(yù)設(shè)正常工作范圍之前，切斷各器件的RSMRST#信號(hào)。也就意味著，在南橋的供電電壓低于預(yù)設(shè)值之前，切斷南橋的RSMRST#信號(hào)。圖1為現(xiàn)有技術(shù)中當(dāng)發(fā)生異常斷電時(shí)，RSMRST#信號(hào)和其對(duì)應(yīng)的電源信號(hào)VCCPRIM示意圖。

其中，RSMRST#信號(hào)是南橋返回掛起電路的復(fù)位信號(hào)。RSMRST#信號(hào)是用來(lái)通知南橋5VSB和3VSB待機(jī)電壓正常的信號(hào)，這個(gè)信號(hào)如果為低，則南橋收到報(bào)錯(cuò)信息，認(rèn)為相應(yīng)的待機(jī)電壓沒(méi)有發(fā)生錯(cuò)誤，所以不會(huì)進(jìn)行下一步的上電動(dòng)作。

VCCPRIM信號(hào)為南橋備用電源(standby power)的電源軌(power rail)信號(hào)，主要用于支持英特爾的博銳技術(shù)。

由圖1可以看出，RSMRST#信號(hào)下降早于VCCPRIM信號(hào)，但是由于RSMRST#信號(hào)下降持續(xù)時(shí)間過(guò)長(zhǎng)，這將導(dǎo)致，在VCCPRIM信號(hào)已經(jīng)開(kāi)始下降了，可是RSMRST#信號(hào)還沒(méi)有完成，即南橋沒(méi)有進(jìn)入掛起邏輯。

以因特爾芯片為例，RSMRST#信號(hào)的工作電壓為-0.5V至0.99V，也就是說(shuō)，為防止在VCCPRIM信號(hào)已經(jīng)開(kāi)始下降了，南橋還沒(méi)有進(jìn)入掛起邏輯這一情況的發(fā)生，需要在VCCPRIM信號(hào)下降之前，使RSMRST#信號(hào)的電壓不低于0.99V。

還可以采用其他方法，防止RTC損壞引起的電腦故障。由于計(jì)算機(jī)主板的設(shè)置信息存儲(chǔ)在主板的CMOS中，因此，可以采用軟件方式，清除CMOS。當(dāng)存在異常斷電的情況，若嵌入式控制器(Embed Controller，EC)仍然可以正常工作，EC則發(fā)出降低RTCRST#和SRTCRST#信號(hào)電平的控制指令，以使系統(tǒng)恢復(fù)正常。但是采用這種方法，清除CMOS的信息，將使計(jì)算機(jī)中的日期也清除了，用戶(hù)還需要重新設(shè)置時(shí)間。

基于以上的分析，本發(fā)明提供實(shí)施例如下：

圖2為本發(fā)明的斷電保護(hù)方法的實(shí)施例一的流程圖，如圖2所示，本實(shí)施例的斷電保護(hù)方法，具體可以包括如下步驟：

S201，檢測(cè)計(jì)算機(jī)是否存在異常斷電；若存在，則執(zhí)行步驟S202，否則，則執(zhí)行步驟S203。

S202，重置CMOS，且重置信號(hào)來(lái)自于一包括電源芯片的外置電路。

具體地，也可以通過(guò)EC重置CMOS，但是當(dāng)異常斷電時(shí)，有可能EC在還沒(méi)有發(fā)送重置指令時(shí)，就已經(jīng)電量不足無(wú)法發(fā)送重置CMOS的指令。而本實(shí)施例通過(guò)外置電路重置計(jì)算機(jī)主板上的CMOS，外置電路中設(shè)置有電源芯片，可以保證能夠發(fā)送重置CMOS的指令。

S203，啟動(dòng)計(jì)算機(jī)。

具體地，如果沒(méi)有發(fā)生異常斷電情況，則正常啟動(dòng)計(jì)算機(jī)即可。

本實(shí)施中所涉及的計(jì)算機(jī)包括筆記本電腦、臺(tái)式計(jì)算機(jī)和服務(wù)器等設(shè)備。

本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案當(dāng)檢測(cè)計(jì)算機(jī)存在異常斷電時(shí)，則接收外置電路發(fā)送的重置計(jì)算機(jī)主板上的CMOS的信號(hào)，以重置CMOS，外置電路包括電源芯片，這樣可以避免EC檢測(cè)異常斷電時(shí)，突然斷電，導(dǎo)致發(fā)送重置CMOS信號(hào)失敗的風(fēng)險(xiǎn)。

圖3為本發(fā)明的斷電保護(hù)方法的實(shí)施例二的流程圖，本實(shí)施例的斷電保護(hù)方法在上述實(shí)施例一的基礎(chǔ)上，進(jìn)一步更加詳細(xì)地介紹本發(fā)明的技術(shù)方案。如圖3所示，本實(shí)施例的斷電保護(hù)方法，具體可以包括如下步驟：

S301，檢測(cè)計(jì)算機(jī)是否存在異常斷電；若存在，則執(zhí)行步驟S302，否則，執(zhí)行步驟S304。

S302，接收喚醒南橋掛起邏輯的重置信號(hào)。

具體地，南橋工作需要五個(gè)條件：(1)+3V待機(jī)電壓；(2)恢復(fù)重置信號(hào)RSMRST#，該信號(hào)為低電平時(shí)有效，該信號(hào)用來(lái)復(fù)位南橋的睡眠喚醒邏輯，當(dāng)RSMRST#信號(hào)如果為低電平，則南橋ACPI控制器始終處于復(fù)位狀態(tài)無(wú)法上電；(3)RTC，實(shí)時(shí)時(shí)鐘；(4)RTCRST，用來(lái)復(fù)位南橋內(nèi)部的邏輯電路；(5)CLK(32.768KHZ)?？梢?jiàn)，喚醒南橋掛起邏輯的重置信號(hào)，即向南橋發(fā)送RSMRST#信號(hào)。

具體地，步驟S302，包括：A，將重置信號(hào)設(shè)置為第一預(yù)設(shè)電平；B，第一預(yù)設(shè)電平持續(xù)預(yù)設(shè)時(shí)間后，將重置信號(hào)設(shè)置為第二預(yù)設(shè)電平；第二預(yù)設(shè)電平高于第一預(yù)設(shè)電平。也就是說(shuō)使RSMRST#信號(hào)的電平先降低再拉高。在具體實(shí)施時(shí)，第一預(yù)設(shè)電平，為0.5V，第二預(yù)設(shè)電平為0.99V。

S303，接收啟動(dòng)南橋備用電源的控制信號(hào)。

具體地，S303包括：C，將重置信號(hào)設(shè)置為第二預(yù)設(shè)電平后，接收啟動(dòng)南橋的備用電源的控制信號(hào)。

啟動(dòng)南橋備用電源的控制信號(hào)為VCCPRIM信號(hào)。

S304，啟動(dòng)計(jì)算機(jī)。

具體地，如果沒(méi)有發(fā)生異常斷電情況，則正常啟動(dòng)計(jì)算機(jī)即可。

本實(shí)施中所涉及的計(jì)算機(jī)包括筆記本電腦、臺(tái)式計(jì)算機(jī)和服務(wù)器等設(shè)備。

本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案當(dāng)檢測(cè)計(jì)算機(jī)存在異常斷電時(shí)，則接收外置電路發(fā)送的重置計(jì)算機(jī)主板上的CMOS的信號(hào)，以重置CMOS，外置電路包括電源芯片，這樣可以避免EC檢測(cè)異常斷電時(shí)，突然斷電，導(dǎo)致發(fā)送重置CMOS信號(hào)失敗的風(fēng)險(xiǎn)。

圖4為本發(fā)明的斷電保護(hù)裝置的實(shí)施例一的示意圖，如圖4所示，本實(shí)施例的斷電保護(hù)裝置，具體可以包括檢測(cè)模塊41和接收模塊43。

檢測(cè)模塊41，配置為檢測(cè)計(jì)算機(jī)是否存在異常斷電。

接收模塊42，配置為當(dāng)計(jì)算機(jī)存在異常斷電時(shí)，接收外置電路發(fā)送的重置計(jì)算機(jī)主板上的CMOS的信號(hào)，以重置CMOS；外置電路包括電源芯片。

本實(shí)施例的斷電保護(hù)裝置，通過(guò)采用上述模塊對(duì)計(jì)算機(jī)進(jìn)行斷電保護(hù)的實(shí)現(xiàn)機(jī)制與上述圖2所示實(shí)施例的斷電保護(hù)方法的實(shí)現(xiàn)機(jī)制相同，詳細(xì)可以參考上述圖2所示實(shí)施例的記載，在此不再贅述。

圖5為本發(fā)明的斷電保護(hù)裝置的實(shí)施例二的示意圖，本實(shí)施例的斷電保護(hù)裝置在如圖4所示的實(shí)施例一的基礎(chǔ)上，進(jìn)一步更加詳細(xì)地介紹本發(fā)明的技術(shù)方案。如圖5所示，本實(shí)施例的斷電保護(hù)裝置，進(jìn)一步可以包括：

接收模塊42，包括：

第一接收子模塊421，配置為接收喚醒南橋掛起邏輯的重置信號(hào)；

第二接收子模塊422，配置為接收啟動(dòng)南橋備用電源的控制信號(hào)。

進(jìn)一步地，第一接收子模塊421，包括：

第一設(shè)置子模塊，配置為將重置信號(hào)設(shè)置為第一預(yù)設(shè)電平；

第二設(shè)置子模塊，配置為第一預(yù)設(shè)電平持續(xù)預(yù)設(shè)時(shí)間后，將重置信號(hào)設(shè)置為第二預(yù)設(shè)電平；第二預(yù)設(shè)電平高于第一預(yù)設(shè)電平。

進(jìn)一步地，第二接收子模塊422，包括：

第三接收子模塊，配置為將重置信號(hào)設(shè)置為第二預(yù)設(shè)電平后，接收啟動(dòng)南橋的備用電源的控制信號(hào)。

本實(shí)施例的斷電保護(hù)裝置，通過(guò)采用上述模塊對(duì)對(duì)計(jì)算機(jī)進(jìn)行斷電保護(hù)的實(shí)現(xiàn)機(jī)制與上述圖3所示實(shí)施例的斷電保護(hù)方法的實(shí)現(xiàn)機(jī)制相同，詳細(xì)可以參考上述圖3所示實(shí)施例的記載，在此不再贅述。

本發(fā)明還提供一種計(jì)算機(jī)，該計(jì)算機(jī)包括如圖4至5所示的裝置，該計(jì)算機(jī)的主板上包括外置電路，該外置電路配置為發(fā)送重置計(jì)算機(jī)主板上的CMOS的控制信號(hào)。

如圖6所示，外置電路包括第一場(chǎng)效應(yīng)管Q₁、第二場(chǎng)效應(yīng)管Q₂、第一電阻R₁和第二電阻R₂；第一場(chǎng)效應(yīng)管Q₁的柵極接收MPWRG信號(hào)，第一場(chǎng)效應(yīng)管Q₁的源極連接第一電阻R₁的第一端，第一電阻R₁的第二端連接電源VCC，第一場(chǎng)效應(yīng)管Q₁的源極還連接第二場(chǎng)效應(yīng)管Q₂的柵極，第一場(chǎng)效應(yīng)管Q₁的漏極接地，第二場(chǎng)效應(yīng)管Q₂的漏極接地，第二場(chǎng)效應(yīng)管Q₂的源極連接第二電阻R₂的第一端，第二電阻R₂的第二端輸出RSMRST#信號(hào)。

其中，MPWRG信號(hào)為電源管理器發(fā)往南橋的電源信號(hào)，以通知南橋電壓正常。當(dāng)MPWRG信號(hào)為高電平，則第一場(chǎng)效應(yīng)管Q₁的柵極接收高電平信號(hào)，其源極和漏極導(dǎo)通，電源通過(guò)第一電阻R₁和第一場(chǎng)效應(yīng)管Q₁開(kāi)始放電，第二場(chǎng)效應(yīng)管Q₂的柵極為低電平，因此，RSMRST#信號(hào)保持為高電平信號(hào)；當(dāng)發(fā)生異常斷電時(shí)，MPWRG信號(hào)將變?yōu)榈碗娖?，第一?chǎng)效應(yīng)管Q₁的源極和漏極不導(dǎo)通，第二場(chǎng)效應(yīng)管Q₂的柵極接收高電平信號(hào)，其源極和漏極導(dǎo)通，這時(shí)，RSMRST#信號(hào)變?yōu)榈碗娖叫盘?hào)。

如圖7所示，通過(guò)上述外置電路控制RSMRST#信號(hào)之后，當(dāng)筆記本異常斷電時(shí)，RSMRST#信號(hào)電壓下降，但是在VCCPRIM信號(hào)下降之前會(huì)迅速升高至0.99V以上，而南橋在RSMRST#信號(hào)有波動(dòng)時(shí)就會(huì)進(jìn)入掛起邏輯，而且這樣不會(huì)清除CMOS中存儲(chǔ)的信息。

以上實(shí)施例僅為本發(fā)明的示例性實(shí)施例，不用于限制本發(fā)明，本發(fā)明的保護(hù)范圍由權(quán)利要求書(shū)限定。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在本發(fā)明的實(shí)質(zhì)和保護(hù)范圍內(nèi)，對(duì)本發(fā)明做出各種修改或等同替換，這種修改或等同替換也應(yīng)視為落在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。