本發(fā)明涉及集成電路技術(shù)領(lǐng)域，更準(zhǔn)確的說涉及一種復(fù)位控制模塊及復(fù)位方法。

背景技術(shù)：

在數(shù)字信號(hào)處理的應(yīng)用系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，復(fù)位處理是一個(gè)基本但又極為關(guān)鍵的問題。復(fù)位是將電路中保持狀態(tài)的時(shí)序器件初始化，從而使電路的狀態(tài)初始化。在進(jìn)行電路系統(tǒng)設(shè)計(jì)時(shí)，每個(gè)系統(tǒng)都需要有一個(gè)能夠正確復(fù)位整個(gè)系統(tǒng)的控制單元，在系統(tǒng)上電時(shí)對系統(tǒng)中各單元電路和芯片進(jìn)行全局的復(fù)位控制。對于芯片來說，也需要保證芯片在上電時(shí)進(jìn)行復(fù)位，初始化芯片內(nèi)部的各個(gè)部分，以保證芯片內(nèi)部各部分進(jìn)入一個(gè)確定的狀態(tài)。在電路系統(tǒng)設(shè)計(jì)時(shí)，一般在系統(tǒng)內(nèi)設(shè)置專用的復(fù)位芯片，該專用復(fù)位芯片結(jié)合外圍電路組成復(fù)位控制電路，該復(fù)位控制電路輸出全局復(fù)位控制信號(hào)，對系統(tǒng)內(nèi)所有的芯片進(jìn)行復(fù)位。相應(yīng)地，在設(shè)計(jì)芯片時(shí)，需要專門設(shè)計(jì)一個(gè)復(fù)位控制管腳，通過此復(fù)位控制管腳，系統(tǒng)的全局復(fù)位控制信號(hào)能夠輸入芯片，使芯片復(fù)位。由于單獨(dú)設(shè)置復(fù)位芯片需要從外部控制芯片的復(fù)位，增加了電路設(shè)計(jì)的難度，同時(shí)增加了制造成本。為了解決上述問題，現(xiàn)有的解決方式是在芯片中集成復(fù)位控制芯片，實(shí)現(xiàn)芯片的自復(fù)位，同時(shí)通過一個(gè)芯片控制各單元電路的復(fù)位，電路設(shè)計(jì)更加簡潔，效率更高?，F(xiàn)有的芯片控制模塊在進(jìn)行復(fù)位時(shí)，會(huì)對芯片內(nèi)部所有邏輯進(jìn)行復(fù)位，不會(huì)對需要復(fù)位的類型進(jìn)行區(qū)分，而當(dāng)芯片內(nèi)部具有如閃存模塊這一類復(fù)雜的模擬模塊時(shí)，該類模擬模塊的初始化會(huì)耗費(fèi)較長時(shí)間，如果每次復(fù)位均為長復(fù)位，則上述模擬模塊每次復(fù)位均需要耗費(fèi)較長的時(shí)間進(jìn)行初始化，嚴(yán)重影響芯片的效率，進(jìn)而影響電路的工作效率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明的主要目的在于提供一種復(fù)位控制模塊，所述復(fù)位控制模塊集成于芯片中，芯片中包括至少一個(gè)功能模塊，所述復(fù)位控制模塊通過寄存器配置內(nèi)容判斷所需復(fù)位類型，控制芯片中功能模塊進(jìn)行長復(fù)位或短復(fù)位，減少不必要的模塊初始化時(shí)間，提高芯片工作效率。

本發(fā)明的另一個(gè)目的在于提供一種復(fù)位方法，所述復(fù)位方法通過檢測芯片中功能模塊所需的復(fù)位類型，通過復(fù)位控制芯片控制各個(gè)功能模塊進(jìn)行相應(yīng)的復(fù)位，過程簡單，方便實(shí)施。

為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供一種復(fù)位控制模塊，集成于芯片中，所述芯片還包括至少一功能模塊，所述復(fù)位控制模塊與所述功能模塊之間存在信息傳遞，所述復(fù)位控制模塊收集所有所述功能模塊的復(fù)位信息，并且所述復(fù)位控制模塊根據(jù)所述寄存器配置內(nèi)容判斷所述功能模塊所需要的復(fù)位方式，并控制所述功能模塊進(jìn)行長復(fù)位或者短復(fù)位。

優(yōu)選地，所述復(fù)位控制模塊具有一狀態(tài)機(jī)，所述狀態(tài)機(jī)具有一狀態(tài)0、一狀態(tài)1、一狀態(tài)2、一狀態(tài)3以及一空閑狀態(tài)，所述復(fù)位控制模塊按照所述寄存器配置內(nèi)容來判斷和控制所述功能模塊的復(fù)位方式。

優(yōu)選地，所述狀態(tài)0的進(jìn)入條件為：發(fā)生上電復(fù)位或不可恢復(fù)的復(fù)位事件；所述狀態(tài)0的退出條件為:上電復(fù)位結(jié)束、不可恢復(fù)的復(fù)位事件結(jié)束、內(nèi)部快速晶振已經(jīng)運(yùn)行10個(gè)周期以上并且電壓穩(wěn)壓器能夠穩(wěn)定提供電壓給所述芯片的內(nèi)部邏輯。

優(yōu)選地，所述狀態(tài)1的進(jìn)入條件為：發(fā)生有效的長復(fù)位事件或者滿足狀態(tài)0的退出條件；所述狀態(tài)1的退出條件為：有效的長復(fù)位事件結(jié)束并且內(nèi)部快速晶振在狀態(tài)1下運(yùn)行時(shí)間超過閃存模塊要求的recall時(shí)間。

優(yōu)選地，所述狀態(tài)2的進(jìn)入條件為：滿足狀態(tài)1的退出條件。所述狀態(tài)2的退出條件為：所述功能模塊初始化結(jié)束。

優(yōu)選地，所述狀態(tài)3的進(jìn)入條件為：發(fā)生有效的短復(fù)位事件或者滿足狀態(tài)2的退出條件；所述狀態(tài)3的退出條件為：有效的短復(fù)位事件結(jié)束并且復(fù)位端口已被釋放。

優(yōu)選地，所述空閑狀態(tài)的進(jìn)入條件為：滿足狀態(tài)3的退出條件；所述空閑狀態(tài)的退出條件為：發(fā)生上電復(fù)位、不可恢復(fù)的復(fù)位事件、有效的長復(fù)位事件或者有效的短復(fù)位事件。

本發(fā)明還提供一種復(fù)位方法的流程示意圖，所述復(fù)位方法基于所述復(fù)位控制模塊11，包括步驟：

(A)復(fù)位控制模塊檢測并判斷功能模塊所需復(fù)位方式；

(B)復(fù)位控制模塊控制功能模塊進(jìn)行長復(fù)位或短復(fù)位。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明公開的一種復(fù)位控制模塊和復(fù)位方法的優(yōu)點(diǎn)在于：所述復(fù)位控制模塊集成于芯片內(nèi)，控制芯片內(nèi)集成的功能模塊進(jìn)行復(fù)位，同時(shí)控制集成電路的復(fù)位，電路集成化高，芯片效率高；所述復(fù)位控制模塊通過區(qū)分功能模塊所需要進(jìn)行的復(fù)位類型控制其復(fù)位，大大縮短了復(fù)位所需時(shí)間，芯片工作效率大幅提高；所述復(fù)位方法基于所述復(fù)位控制模塊，過程簡單，方便實(shí)施。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

如圖1所示為本發(fā)明的一種復(fù)位控制模塊集成于芯片中的示意圖。

如圖2所示為所述復(fù)位控制模塊的復(fù)位狀態(tài)機(jī)的示意圖。

如圖3所示為本發(fā)明的一種復(fù)位方法的流程示意圖。

具體實(shí)施方式

如圖1所示，本發(fā)明的一種復(fù)位控制模塊11集成于一芯片10內(nèi)，所述芯片10還集成了至少一個(gè)功能模塊12，所述復(fù)位控制模塊11與各個(gè)所述功能模塊12之間分別存在信息傳遞。所述復(fù)位控制模塊11收集所有所述功能模塊12的復(fù)位信息，并且所述復(fù)位控制模塊11根據(jù)收集到的信息判斷所述功能模塊12所需要的復(fù)位方式，并控制所述功能模塊12進(jìn)行復(fù)位。所述復(fù)位控制模塊11將復(fù)位方式分為長復(fù)位和短復(fù)位兩種方式。當(dāng)所述功能模塊12為例如閃存模塊等復(fù)雜的模擬模塊時(shí)，對其進(jìn)行長復(fù)位需要對其進(jìn)行初始化，耗時(shí)較長，當(dāng)僅需對所述功能模塊12部分邏輯進(jìn)行復(fù)位時(shí)，所述復(fù)位控制模塊11控制其進(jìn)行短復(fù)位，省略所述功能模塊12的初始化過程，縮短復(fù)位時(shí)間，提高了所述芯片10的工作效率。

如圖2所示為所述復(fù)位控制模塊11的復(fù)位狀態(tài)機(jī)示意圖，具有5個(gè)狀態(tài)，分別為狀態(tài)0(PHASE0)、狀態(tài)1(PHASE1)、狀態(tài)2(PHASE2)、狀態(tài)3(PHASE3)和空閑狀態(tài)(IDLE)。所述復(fù)位控制模塊11按照狀態(tài)機(jī)來判斷和控制復(fù)位方式。上述狀態(tài)均具有一進(jìn)入條件和一退出條件，所述復(fù)位控制模塊11在不同的條件下進(jìn)入或退出特定狀態(tài)。下面以所述功能模塊12為閃存模塊時(shí)的情況對所述復(fù)位狀態(tài)機(jī)進(jìn)行說明。所述復(fù)位狀態(tài)機(jī)中狀態(tài)0的進(jìn)入條件為：發(fā)生上電復(fù)位或不可恢復(fù)的復(fù)位事件。其中上電復(fù)位為所述芯片10剛接通電源后的復(fù)位，此時(shí)所述芯片10的所有邏輯都會(huì)進(jìn)行復(fù)位，閃存模塊會(huì)進(jìn)行recall，然后進(jìn)行初始化過程。不可恢復(fù)的復(fù)位事件指的是會(huì)造成關(guān)鍵寄存器和存儲(chǔ)單元內(nèi)容丟失的時(shí)間，這種情況下復(fù)位處理方式與上電復(fù)位相同，所述芯片10的所有邏輯均會(huì)進(jìn)行復(fù)位，閃存模塊會(huì)進(jìn)行recall，然后進(jìn)行初始化過程。所述復(fù)位狀態(tài)機(jī)中狀態(tài)0的退出條件為：上電結(jié)束；不可恢復(fù)的復(fù)位事件結(jié)束；內(nèi)部快速晶振已經(jīng)運(yùn)行10個(gè)周期以上；電壓穩(wěn)壓器能夠穩(wěn)定提供電壓給所述芯片10的內(nèi)部邏輯。所述狀態(tài)1的進(jìn)入條件為：發(fā)生有效的長復(fù)位事件或者滿足狀態(tài)0的退出條件。所述狀態(tài)1的退出條件為：有效的長復(fù)位事件結(jié)束并且內(nèi)部快速晶振在狀態(tài)1下運(yùn)行時(shí)間超過閃存模塊要求的recall時(shí)間。所述狀態(tài)2的進(jìn)入條件為：滿足狀態(tài)1的退出條件。所述狀態(tài)2的退出條件為：閃存模塊初始化結(jié)束。所述狀態(tài)3的進(jìn)入條件為：發(fā)生有效的短復(fù)位事件或者滿足狀態(tài)2的退出條件。所述狀態(tài)3的退出條件為：有效的短復(fù)位事件結(jié)束并且復(fù)位端口已被釋放。其中復(fù)位端口在任何復(fù)位發(fā)生時(shí)，都會(huì)被所述芯片10拉至低電平來向外界指示所述芯片10內(nèi)部發(fā)生了復(fù)位。所述空閑狀態(tài)的進(jìn)入條件為：滿足狀態(tài)3的退出條件。所述空閑狀態(tài)的退出條件為：發(fā)生上電復(fù)位、不可恢復(fù)的復(fù)位事件、有效的長復(fù)位事件或者有效的短復(fù)位事件。退出所述空閑狀態(tài)后，根據(jù)不同的退出條件，所述復(fù)位狀態(tài)機(jī)進(jìn)入其他不同的狀態(tài)，例如，當(dāng)發(fā)生上電復(fù)位或不可恢復(fù)的復(fù)位事件，所述復(fù)位控制模塊即由所述空閑狀態(tài)進(jìn)入所述狀態(tài)0；當(dāng)發(fā)生有效的長復(fù)位事件時(shí)，所述復(fù)位控制模塊即由所述空閑狀態(tài)進(jìn)入所述狀態(tài)1，這一過程即為一長復(fù)位過程；當(dāng)發(fā)生有效的短復(fù)位事件時(shí)，所述復(fù)位控制模塊即由所述空閑狀態(tài)進(jìn)入所述狀態(tài)3，這一過程即為一短復(fù)位過程。所述長復(fù)位過程后所述閃存模塊需要再次初始化，所述短復(fù)位過程后所述閃存模塊無需初始化。所述復(fù)位控制模塊11對復(fù)位方式進(jìn)行了區(qū)分，當(dāng)無需進(jìn)行長復(fù)位時(shí)，通過短復(fù)位完成復(fù)位過程能夠省略閃存模塊初始化過程，減少復(fù)位花費(fèi)時(shí)間。

如圖3所示為本發(fā)明的一種復(fù)位方法的流程示意圖，所述復(fù)位方法基于所述復(fù)位控制模塊11，包括步驟：

(A)復(fù)位控制模塊檢測并判斷功能模塊所需復(fù)位方式；

(B)復(fù)位控制模塊控制功能模塊進(jìn)行長復(fù)位或短復(fù)位。

對所公開的實(shí)施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。對這些實(shí)施例的多種修改對本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會(huì)被限制于本文所示的這些實(shí)施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。