本發(fā)明涉及NAND FLASH控制器和IC設(shè)計(jì)技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種NAND FLASH陣列二級(jí)地址映射表的實(shí)現(xiàn)方法。
背景技術(shù)：
NAND-FLASH內(nèi)存是flash內(nèi)存的一種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。NAND-FLASH存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫速度快等優(yōu)點(diǎn)，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
當(dāng)前NAND FLASH陣列控制大多使用一級(jí)page地址映射，每個(gè)芯片的每個(gè)page都需要頂層模塊分別進(jìn)行控制，頂層模塊地址管理復(fù)雜且效率低。由于地址映射沒有層次，為支持文件隨機(jī)刪除，需要NAND FLASH控制器設(shè)計(jì)磨損均衡和垃圾回收模塊，設(shè)計(jì)難度大。
針對(duì)存儲(chǔ)芯片陣列的一級(jí)page地址映射，本發(fā)明提出了一種NAND FLASH陣列二級(jí)地址映射表的實(shí)現(xiàn)方法。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明為了彌補(bǔ)現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供了一種簡(jiǎn)單高效的NAND FLASH陣列二級(jí)地址映射表的實(shí)現(xiàn)方法。
本發(fā)明是通過如下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的：
一種NAND FLASH陣列二級(jí)地址映射表的實(shí)現(xiàn)方法，其特征在于，包括以下步驟：
（1）根據(jù)NAND FLASH陣列規(guī)格確定二級(jí)地址映射，確定block地址映射表規(guī)格和page地址映射表規(guī)格；
（2）NAND FLASH陣列控制器接收上級(jí)命令并解析；
（3）根據(jù)解析出的命令，執(zhí)行解析出的讀命令、擦除命令或者寫命令；
若為讀命令或擦除命令，則查詢block地址映射表，找出文件對(duì)應(yīng)的blcok地址，從低block地址向高block地址循環(huán)，向存儲(chǔ)芯片陣列發(fā)送讀或擦除命令；
若為寫入命令，則判斷當(dāng)前文件是否為新文件，查詢當(dāng)前block地址是否為可寫入，根據(jù)多種條件，向存儲(chǔ)芯片陣列發(fā)送不同block地址寫入數(shù)據(jù)命令；
（4）根據(jù)上級(jí)發(fā)送來的block地址和操作命令和數(shù)據(jù)，查詢?cè)揵lock對(duì)應(yīng)的page地址映射表，執(zhí)行操作；
（5）循環(huán)執(zhí)行上述流程，直到完成整個(gè)文件讀取、擦除或?qū)懭氩僮鳌?/p>
所述步驟（1）中，NAND FLASH陣列規(guī)格為16x4時(shí)，為16片NAND FLASH芯片并行，4級(jí)流水的存儲(chǔ)陣列，每片NAND FLASH芯片有32000個(gè)block，每個(gè)block有256個(gè)page；
一級(jí)block地址映射表規(guī)格為32000個(gè)地址條目和一個(gè)當(dāng)前操作block地址指針條目，每個(gè)地址條目?jī)?nèi)有兩部分，文件名和block地址映射及當(dāng)前block是否可寫入標(biāo)志位，當(dāng)前操作block地址指針條目存儲(chǔ)當(dāng)前正在操作的block地址；
二級(jí)page地址映射表有32000x64個(gè)部分，即每個(gè)芯片的每個(gè)block一個(gè)page地址映射表，每個(gè)page地址映射表單元有256個(gè)地址條目和一個(gè)當(dāng)前操作page地址指針條目，每個(gè)地址條目包含頁(yè)地址和物理地址映射信息，當(dāng)?shù)刂分羔樦赶蜃詈笠粋€(gè)page時(shí)，向上級(jí)block地址映射表發(fā)送信息，將當(dāng)前block標(biāo)記為不可寫入。
所述步驟（3）中，若為寫入命令，判斷當(dāng)前文件是否為新文件，查詢當(dāng)前block地址是否為可寫入，若為新文件或當(dāng)前block為不可寫入，向下一個(gè)block寫入，若為舊文件且當(dāng)前block為可寫入，向個(gè)芯片當(dāng)前block地址發(fā)送寫入命令。
本發(fā)明的有益效果是：該NAND FLASH陣列二級(jí)地址映射表的實(shí)現(xiàn)方法，地址映射分為兩層，不同文件不混用block，且支持block地址的動(dòng)態(tài)排隊(duì)，在NAND FLASH控制器不設(shè)計(jì)磨損均衡和垃圾回收的情況下，支持隨機(jī)刪除功能，不僅地址管理簡(jiǎn)單，而且兼容性強(qiáng)，執(zhí)行效率高，具有廣闊的應(yīng)用前景。
附圖說明
附圖1為本發(fā)明NAND FLASH陣列二級(jí)地址映射表的實(shí)現(xiàn)方法示意圖。
具體實(shí)施方式
為了使本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案及有益效果更加清楚明白，以下結(jié)合附圖和實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)的說明。應(yīng)當(dāng)說明的是，此處所描述的具體實(shí)施例僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
該NAND FLASH陣列二級(jí)地址映射表的實(shí)現(xiàn)方法，包括以下步驟：
（1）根據(jù)NAND FLASH陣列規(guī)格確定二級(jí)地址映射，確定block地址映射表規(guī)格和page地址映射表規(guī)格；
（2）NAND FLASH陣列控制器接收上級(jí)命令并解析；
（3）根據(jù)解析出的命令，執(zhí)行解析出的讀命令、擦除命令或者寫命令；
若為讀命令或擦除命令，則查詢block地址映射表，找出文件對(duì)應(yīng)的blcok地址，從低block地址向高block地址循環(huán)，向存儲(chǔ)芯片陣列發(fā)送讀或擦除命令；
若為寫入命令，則判斷當(dāng)前文件是否為新文件，查詢當(dāng)前block地址是否為可寫入，根據(jù)多種條件，向存儲(chǔ)芯片陣列發(fā)送不同block地址寫入數(shù)據(jù)命令；
（4）根據(jù)上級(jí)發(fā)送來的block地址和操作命令和數(shù)據(jù)，查詢?cè)揵lock對(duì)應(yīng)的page地址映射表，執(zhí)行操作；
（5）循環(huán)執(zhí)行上述流程，直到完成整個(gè)文件讀取、擦除或?qū)懭氩僮鳌?/p>
NAND FLASH陣列規(guī)格為16x4時(shí)，為16片NAND FLASH芯片并行，4級(jí)流水的存儲(chǔ)陣列，每片NAND FLASH芯片有32000個(gè)block，每個(gè)block有256個(gè)page；
所述步驟（1）中，一級(jí)block地址映射表規(guī)格為32000個(gè)地址條目和一個(gè)當(dāng)前操作block地址指針條目，每個(gè)地址條目?jī)?nèi)有兩部分，文件名和block地址映射及當(dāng)前block是否可寫入標(biāo)志位，當(dāng)前操作block地址指針條目存儲(chǔ)當(dāng)前正在操作的block地址；
二級(jí)page地址映射表有32000x64個(gè)部分，即每個(gè)芯片的每個(gè)block一個(gè)page地址映射表，每個(gè)page地址映射表單元有256個(gè)地址條目和一個(gè)當(dāng)前操作page地址指針條目，每個(gè)地址條目包含頁(yè)地址和物理地址映射信息，當(dāng)?shù)刂分羔樦赶蜃詈笠粋€(gè)page時(shí)，向上級(jí)block地址映射表發(fā)送信息，將當(dāng)前block標(biāo)記為不可寫入。
所述步驟（3）中，若為寫入命令，判斷當(dāng)前文件是否為新文件，查詢當(dāng)前block地址是否為可寫入，若為新文件或當(dāng)前block為不可寫入，向下一個(gè)block寫入，若為舊文件且當(dāng)前block為可寫入，向個(gè)芯片當(dāng)前block地址發(fā)送寫入命令。
該NAND FLASH陣列二級(jí)地址映射表的實(shí)現(xiàn)方法，地址映射分為兩層，不論芯片陣列規(guī)格為什么，頂層模塊看到的block地址映射表規(guī)格為單片NAND FLASH芯片中的block數(shù)目，地址管理簡(jiǎn)單；不同文件不混用block，且支持block地址的動(dòng)態(tài)排隊(duì)，在NAND FLASH控制器不設(shè)計(jì)磨損均衡和垃圾回收的情況下，支持隨機(jī)刪除功能。