本發(fā)明涉及存儲(chǔ)器領(lǐng)域，尤其涉及一種基于數(shù)據(jù)更新頻率的寫入方法。

背景技術(shù)：

DRAM(Dynamic Random Access Memory)，即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，由于其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，是最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。它在數(shù)據(jù)中心(Data Center)、IMC(Intelligent Management Center，智能管理中心)中被大量使用，并且隨著大數(shù)據(jù)(Big Data)時(shí)代的到來(lái)，其容量將會(huì)變得更加巨大。然而DRAM也存在著一些缺點(diǎn)，由于其電荷存儲(chǔ)機(jī)理，DRAM只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間，所以為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM必須每隔一段時(shí)間刷新(refresh)一次，如果超出刷新周期存儲(chǔ)單元沒有被刷新，存儲(chǔ)的信息就會(huì)丟失。

為解決DRAM掉電數(shù)據(jù)即丟失的缺點(diǎn)，目前市面上解決的方法是使用NVDIMM(Non-volatile Dual-Inline-Memory-Modules，非易失性雙列直插式存儲(chǔ)模塊)。如附圖1所示，NVDIMM由DRAM、NVM(Non-volatile Memory，非易失性存儲(chǔ))和超級(jí)電容組成，可在系統(tǒng)突然掉電后利用超級(jí)電容，將DRAM中的數(shù)據(jù)備份到NVM中，防止由于意外掉電造成內(nèi)存中的數(shù)據(jù)丟失。然而傳統(tǒng)的NVDIMM也存在其缺點(diǎn)，比如為了完整備份DRAM中的所有數(shù)據(jù)，NVM的存儲(chǔ)容量必須大于或等于DRAM的容量，這樣成本將會(huì)變得很大，而且需要一個(gè)容量很大的超級(jí)電容來(lái)完成DRAM中數(shù)據(jù)的備份，這又將帶來(lái)很大的發(fā)熱量，使存儲(chǔ)器的性能大大降低。

在目前的計(jì)算機(jī)中，內(nèi)存作為硬盤的cache(緩存)，數(shù)據(jù)寫入內(nèi)存主要有兩種方式：

1)直寫模式(Write-through)：在數(shù)據(jù)更新時(shí)，將數(shù)據(jù)同時(shí)寫入內(nèi)存和后端存儲(chǔ)(比如磁盤或者固態(tài)硬盤)。此模式的優(yōu)點(diǎn)是操作簡(jiǎn)單；缺點(diǎn)是由于數(shù)據(jù)修改需要同時(shí)寫入數(shù)據(jù)至內(nèi)存和硬盤，因此寫入速度較慢。

2)回寫模式(Write-back)：在數(shù)據(jù)更新時(shí)，只將數(shù)據(jù)寫入內(nèi)存，只在數(shù)據(jù)被替換出內(nèi)存時(shí)，被修改的內(nèi)存數(shù)據(jù)才會(huì)被寫到后端存儲(chǔ)。此模式的優(yōu)點(diǎn)是數(shù)據(jù)寫入速度快；缺點(diǎn)是更新后的數(shù)據(jù)未被寫入后端存儲(chǔ)前一旦出現(xiàn)系統(tǒng)意外掉電的情況，這些數(shù)據(jù)將無(wú)法找回。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提出了一種基于數(shù)據(jù)更新頻率的寫入方法，應(yīng)用于包括一控制器和一動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器和一非易失存儲(chǔ)器的混合內(nèi)存；所述控制器中預(yù)設(shè)有一標(biāo)準(zhǔn)頻率；所述寫入方法包括：

步驟S1：通過所述控制器獲得所述動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器中的每個(gè)存取單元的數(shù)據(jù)更新頻率；

步驟S2：通過所述控制器將每個(gè)所述存取單元的所述數(shù)據(jù)更新頻率分別與所述標(biāo)準(zhǔn)頻率比較大小；

步驟S3：將所述數(shù)據(jù)更新頻率低于所述標(biāo)準(zhǔn)頻率的每個(gè)所述存取單元設(shè)為直寫模式，并且將所述數(shù)據(jù)更新頻率高于所述標(biāo)準(zhǔn)頻率的每個(gè)所述存取單元設(shè)為回寫模式；

步驟S4：返回所述步驟S1。

上述的基于數(shù)據(jù)更新頻率的寫入方法，其中，所述步驟S1包括：

步驟S11：于所述控制器中設(shè)置一第一時(shí)間；

步驟S12：通過所述控制器計(jì)算所述第一時(shí)間內(nèi)的每個(gè)存取單元的所述數(shù)據(jù)更新頻率。

上述的基于數(shù)據(jù)更新頻率的寫入方法，其中，所述步驟S1還包括：

步驟S13：于用戶針對(duì)任意所述存取單元的所述數(shù)據(jù)進(jìn)行重復(fù)性操作時(shí)，所述控制器將所述更新頻率存儲(chǔ)于所述非易失存儲(chǔ)器中。

上述的基于數(shù)據(jù)更新頻率的寫入方法，其中，所述步驟S4具體為：

判斷所述用戶是否再次進(jìn)行所述重復(fù)性操作；

若是，則將所述非易失存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)的所有所述數(shù)據(jù)更新頻率提取至所述控制器中，并返回所述步驟S3；

若否，則返回所述步驟S1。

上述的基于數(shù)據(jù)更新頻率的寫入方法，其中，所述步驟S4中，判斷所述用戶是否進(jìn)行所述重復(fù)性操作的方法為：

判斷所述用戶的當(dāng)前操作與先前操作相比，是否在相同的時(shí)間針對(duì)相同的所述存取單元進(jìn)行相同的讀寫操作；

若是，則判斷所述用戶的所述當(dāng)前操作為重復(fù)性操作；

若否，則判斷所述用戶的所述當(dāng)前操作不為重復(fù)性操作。

上述的基于數(shù)據(jù)更新頻率的寫入方法，其中，所述步驟S4中：

經(jīng)過一第二時(shí)間后返回所述步驟S1。

上述的基于數(shù)據(jù)更新頻率的寫入方法，其中，所述用戶根據(jù)所述數(shù)據(jù)更新頻率的變化快慢調(diào)整所述第二時(shí)間的時(shí)間長(zhǎng)度。

上述的基于數(shù)據(jù)更新頻率的寫入方法，所述混合內(nèi)存還包括一電容；其中，于所述混合內(nèi)存掉電時(shí)，所述電容提供電能將所述動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器中采用所述回寫模式的所述存取單元中的數(shù)據(jù)存入所述非易失存儲(chǔ)器中，以及不對(duì)采用所述直寫模式的所述存取單元中的數(shù)據(jù)進(jìn)行備份；

于所述混合內(nèi)存重新得電時(shí)，所述非易失存儲(chǔ)器將所述數(shù)據(jù)重新寫入所述動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器中。

上述的基于數(shù)據(jù)更新頻率的寫入方法，其中，所述標(biāo)準(zhǔn)頻率的大小與所需的所述非易失存儲(chǔ)器的容量呈正相關(guān)。

有益效果：本發(fā)明提出的基于數(shù)據(jù)更新頻率的寫入方法，使得備份數(shù)據(jù)所需要的非易失存儲(chǔ)器的容量遠(yuǎn)小于傳統(tǒng)的NVDIMM，這將大大降低NVDIMM的價(jià)格、超級(jí)電容的容量、超級(jí)電容的發(fā)熱量等，對(duì)于大量使用NVDIMM的數(shù)據(jù)中心等是一個(gè)很大的改善。

附圖說明

圖1：傳統(tǒng)非易失性雙列直插式存儲(chǔ)模塊的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2：本發(fā)明一實(shí)施例中的基于數(shù)據(jù)更新頻率的寫入方法的流程示意圖；

圖3：本發(fā)明一實(shí)施例中的混合內(nèi)存的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4：本發(fā)明一實(shí)施例中的非易失存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5：本發(fā)明一實(shí)施例中的混合內(nèi)存的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明具體實(shí)施方式作進(jìn)一步說明。

在一個(gè)較佳的實(shí)施例中，如圖2所示，提出了一種基于數(shù)據(jù)更新頻率的寫入方法，可以應(yīng)用于包括一控制器和一動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器和一非易失存儲(chǔ)器的混合內(nèi)存，混合內(nèi)存可以如圖3所示；控制器中可以預(yù)設(shè)有一標(biāo)準(zhǔn)頻率；該寫入方法可以包括：

步驟S1：通過控制器獲得動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器中的每個(gè)存取單元的數(shù)據(jù)更新頻率；

步驟S2：通過控制器將每個(gè)存取單元的數(shù)據(jù)更新頻率分別與標(biāo)準(zhǔn)頻率比較大小；

步驟S3：將數(shù)據(jù)更新頻率低于標(biāo)準(zhǔn)頻率的每個(gè)存取單元設(shè)為直寫模式，并且將數(shù)據(jù)更新頻率高于標(biāo)準(zhǔn)頻率的每個(gè)存取單元設(shè)為回寫模式；

步驟S4：返回步驟S1。

上述實(shí)施例中，優(yōu)選地，步驟S1可以包括：

步驟S11：于控制器中設(shè)置一第一時(shí)間；

步驟S12：通過控制器計(jì)算第一時(shí)間內(nèi)的每個(gè)存取單元的數(shù)據(jù)更新頻率。

上述實(shí)施例中，優(yōu)選地，步驟S1還可以包括：

步驟S13：于用戶針對(duì)任意存取單元的數(shù)據(jù)進(jìn)行重復(fù)性操作時(shí)，控制器可以將更新頻率存儲(chǔ)于非易失存儲(chǔ)器中。

上述實(shí)施例中，優(yōu)選地，步驟S4具體可以為：

判斷用戶是否再次進(jìn)行重復(fù)性操作；

若是，則可以將非易失存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)的所有數(shù)據(jù)更新頻率提取至控制器中，并返回步驟S3；

若否，則返回步驟S1。

上述實(shí)施例中，優(yōu)選地，步驟S4中，判斷用戶是否進(jìn)行重復(fù)性操作的方法可以為：

判斷用戶的當(dāng)前操作與先前操作相比，是否在相同時(shí)間針對(duì)相同的存取單元進(jìn)行相同的讀寫操作；

若是，則判斷用戶的當(dāng)前操作為重復(fù)性操作；

若否，則判斷用戶的當(dāng)前操作不為重復(fù)性操作。

其中，通過在相同時(shí)間對(duì)相同的存取單元進(jìn)行相同的讀寫操作的判斷方法來(lái)判斷用戶是否進(jìn)行重復(fù)性操作僅為一種優(yōu)選的情況，不應(yīng)作為對(duì)本發(fā)明的限制，其他判斷方式也應(yīng)視為包含在本發(fā)明中；在相同的時(shí)間可以理解為一天中相同的時(shí)間，或固定時(shí)間周期中相同的時(shí)間等。

在一個(gè)較佳的實(shí)施例中，步驟S4中：

經(jīng)過一第二時(shí)間后返回步驟S1。

上述實(shí)施例中，優(yōu)選地，用戶根據(jù)數(shù)據(jù)更新頻率的變化快慢調(diào)整第二時(shí)間的時(shí)間長(zhǎng)度。

在一個(gè)較佳的實(shí)施例中，混合內(nèi)存還包括一電容；于混合內(nèi)存掉電時(shí)，電容提供電能將動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器中采用回寫模式的存取單元中的數(shù)據(jù)存入非易失存儲(chǔ)器中，以及不對(duì)采用直寫模式的存取單元中的數(shù)據(jù)進(jìn)行備份；

于混合內(nèi)存重新得電時(shí)，非易失存儲(chǔ)器將數(shù)據(jù)重新寫入動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器中。

在一個(gè)較佳的實(shí)施例中，標(biāo)準(zhǔn)頻率的大小與所需的非易失存儲(chǔ)器的容量呈正相關(guān)。

本發(fā)明與傳統(tǒng)的NVIDIMM相比，優(yōu)勢(shì)明顯：

優(yōu)選地，在計(jì)算機(jī)開啟，應(yīng)用、軟件開始運(yùn)行的情況下，系統(tǒng)先采取直寫模式進(jìn)行數(shù)據(jù)更新，即將數(shù)據(jù)同時(shí)寫入緩存和后端存儲(chǔ)。

在系統(tǒng)進(jìn)行數(shù)據(jù)更新的過程中，CPU(Central Processing Unit，中央處理器)開始分析計(jì)算第一時(shí)間(例如為T0時(shí)間)內(nèi)每個(gè)內(nèi)存存取單元的數(shù)據(jù)更新頻率。每個(gè)內(nèi)存存取單元可以是一個(gè)緩存行(cache line)，即cpu利用自身cache和內(nèi)存之間交換數(shù)據(jù)的最小粒度，一般為32Byte或者64Byte，也可為幾個(gè)緩存行。如附圖4所示，即為n個(gè)內(nèi)存存取單元組成的內(nèi)存。假設(shè)內(nèi)存有n個(gè)內(nèi)存存取單元，則由此可得到每個(gè)內(nèi)存存取單元的更新頻率F0₁到F0_n。其中時(shí)間T0可以是一個(gè)與系統(tǒng)參數(shù)有關(guān)的預(yù)設(shè)值。

T0時(shí)間后，分別比較F0₁到F0_n與標(biāo)準(zhǔn)頻率F1的大小。若得到的F0小于F1，說明此內(nèi)存存取單元的數(shù)據(jù)更新頻率較小，即使同時(shí)更新此內(nèi)存存取單元與后端存儲(chǔ)中的數(shù)據(jù)也不會(huì)太影響數(shù)據(jù)的寫入速度，因此當(dāng)需要再次對(duì)此內(nèi)存存取單元進(jìn)行數(shù)據(jù)更新時(shí)，繼續(xù)采用直寫模式更新數(shù)據(jù)；若得到的F0大于F1，說明此內(nèi)存存取單元的數(shù)據(jù)更新頻率較快，若繼續(xù)使用直寫模式將拖慢此內(nèi)存存取單元的寫入速度，因此當(dāng)需要再次對(duì)此內(nèi)存存取單元進(jìn)行數(shù)據(jù)更新時(shí)，變?yōu)椴捎没貙懩Ｊ礁聰?shù)據(jù)。其中頻率F1可以是一個(gè)與系統(tǒng)參數(shù)有關(guān)的預(yù)設(shè)值，它將決定NVM的容量大小。如果F1相對(duì)較大，則系統(tǒng)更多地采用直寫模式更新數(shù)據(jù)，系統(tǒng)所需要的NVM容量就要大些；如果F1相對(duì)較小，則系統(tǒng)更多地采用回寫模式更新數(shù)據(jù)，系統(tǒng)所需要的NVM容量就要小些。當(dāng)系統(tǒng)掉電后，采用回寫模式的內(nèi)存存取單元需要利用超級(jí)電容將其中未寫入后端存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)寫入NVM中進(jìn)行備份。當(dāng)電源恢復(fù)后，再將NVM中備份的數(shù)據(jù)重新寫入到對(duì)應(yīng)的內(nèi)存存取單元中，系統(tǒng)開始繼續(xù)之前的工作。由于系統(tǒng)僅需對(duì)數(shù)據(jù)更新頻率較高的一些內(nèi)存存取單元采用回寫模式更新數(shù)據(jù)，因此當(dāng)系統(tǒng)掉電后，備份數(shù)據(jù)所需要的NVM容量將會(huì)小于緩存。

一段時(shí)間后，或者緊接著上一次數(shù)據(jù)更新模式變換之后，重復(fù)上述步驟，重新得到每個(gè)內(nèi)存存取單元的F0₁到F0_n，比較F0與F1的大小，重新選擇該內(nèi)存存取單元的數(shù)據(jù)更新模式。

更優(yōu)地，系統(tǒng)可以對(duì)每次分析得到F0進(jìn)行記錄、分析，例如若每次分析得到的F0變化得很快，則每次對(duì)內(nèi)存存取單元進(jìn)行分析的時(shí)間間隔就要變短一些；若每次分析得到的F0變化得很慢，則每次對(duì)內(nèi)存存取單元進(jìn)行分析的時(shí)間間隔就可以變長(zhǎng)一些。若對(duì)計(jì)算機(jī)用戶的使用習(xí)慣進(jìn)行記錄，分析在哪些時(shí)間段里內(nèi)存存取單元數(shù)據(jù)更新的F0幾乎不變，則可將其保存在NVM中。當(dāng)再到這些時(shí)間段時(shí)，可無(wú)需等待T0時(shí)間，直接使用存儲(chǔ)在NVM中的F0，來(lái)決定該內(nèi)存存取單元的數(shù)據(jù)更新模式。

如附圖5所示為根據(jù)本發(fā)明制作的混合內(nèi)存。它由一個(gè)64Mb的DRAM(可以是8MB)、一個(gè)32Mb的PCM(Phase Change Memory，相變存儲(chǔ)器)(可以是4MB)、一個(gè)超級(jí)電容和一個(gè)控制模塊組成，其中DRAM為內(nèi)存，PCM用來(lái)備份掉電后未來(lái)得及保存到后端存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)，其容量小于DRAM，超級(jí)電容用于維持掉電后瞬時(shí)的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移過程的電力，控制模塊用于切換直寫和回寫兩種不同的數(shù)據(jù)寫入模式。該混合內(nèi)存基于更新頻率的寫入步驟具體如下：

在計(jì)算機(jī)開啟，應(yīng)用、軟件開始運(yùn)行的情況下，系統(tǒng)先采取直寫模式進(jìn)行數(shù)據(jù)更新，即將數(shù)據(jù)同時(shí)寫入DRAM和后端存儲(chǔ)HDD(Hard Disk Drive，硬盤驅(qū)動(dòng)器)。

在系統(tǒng)進(jìn)行數(shù)據(jù)更新的過程中，CPU開始分析T0時(shí)間內(nèi)每個(gè)內(nèi)存存取單元的更新次數(shù)。假設(shè)每個(gè)內(nèi)存存取單元占64Byte，則整個(gè)內(nèi)存共有128個(gè)內(nèi)存存取單元，則由此可得到每個(gè)內(nèi)存存取單元的更新頻率F0₁到F0₁₂₈。其中時(shí)間T0是一個(gè)與系統(tǒng)參數(shù)有關(guān)的預(yù)設(shè)值。同時(shí)，對(duì)計(jì)算機(jī)用戶的使用習(xí)慣進(jìn)行記錄，分析在哪些時(shí)間段里內(nèi)存數(shù)據(jù)更新的F0幾乎不變，并將這組F0₁到F0₁₂₈保存在PCM中。

T0時(shí)間后，分別比較F0₁到F0₁₂₈與F1的大小。若得到的F0小于F1，說明此內(nèi)存存取單元的數(shù)據(jù)更新頻率較慢，即使同時(shí)更新此內(nèi)存存取單元與HDD中的數(shù)據(jù)也不會(huì)影響寫入速度，因此當(dāng)需要再次對(duì)此內(nèi)存存取單元進(jìn)行數(shù)據(jù)更新時(shí)，繼續(xù)采用直寫模式更新數(shù)據(jù)；若得到的F0大于F1，說明此內(nèi)存存取單元的數(shù)據(jù)更新頻率較快，若繼續(xù)使用直寫模式將拖慢此內(nèi)存存取單元的寫入速度，因此當(dāng)需要再次對(duì)此內(nèi)存存取單元進(jìn)行數(shù)據(jù)更新時(shí)，變?yōu)椴捎没貙懩Ｊ礁聰?shù)據(jù)。其中頻率F1可以是一個(gè)與系統(tǒng)參數(shù)有關(guān)的預(yù)設(shè)值，它將決定PCM的容量大小。如果F1相對(duì)較大，則系統(tǒng)更多地采用直寫模式更新數(shù)據(jù)，系統(tǒng)所需要的PCM容量就要大些；如果F1相對(duì)較小，則系統(tǒng)更多地采用回寫模式更新數(shù)據(jù)，系統(tǒng)所需要的PCM容量就要小些。在本例中假設(shè)預(yù)設(shè)的F1能使大約一半內(nèi)存存取單元采用直寫模式，一半內(nèi)存存取單元采用回寫模式。若PCM的容量不夠或者太多，也可調(diào)整F1的大小。當(dāng)系統(tǒng)掉電后，采用回寫模式的內(nèi)存存取單元需要利用超級(jí)電容將其中未寫入HDD中的數(shù)據(jù)寫入PCM中進(jìn)行備份。當(dāng)電源恢復(fù)后，再將PCM中備份的數(shù)據(jù)重新寫入到對(duì)應(yīng)的內(nèi)存存取單元中，系統(tǒng)開始繼續(xù)之前的工作。由于系統(tǒng)僅需對(duì)數(shù)據(jù)更新頻率較高的一些內(nèi)存存取單元采用回寫模式更新數(shù)據(jù)，因此當(dāng)系統(tǒng)掉電后，備份數(shù)據(jù)所需要的PCM容量將會(huì)小于DRAM。

一段時(shí)間后，或者緊接著上一次數(shù)據(jù)更新模式變換之后(取決于F0的變化快慢)，判斷下一時(shí)刻要進(jìn)行的是否為用戶的習(xí)慣操作，若不是，則重復(fù)上述的步驟，重新得到每個(gè)緩存單元的F0₁到F0₁₂₈，比較F0與F1的大小，重新選擇對(duì)應(yīng)內(nèi)存存取單元的數(shù)據(jù)更新模式；若是，則無(wú)需等待T0時(shí)間，直接使用存儲(chǔ)在PCM中對(duì)應(yīng)的F0₁到F0₁₂₈，來(lái)決定對(duì)應(yīng)內(nèi)存存取單元的數(shù)據(jù)更新模式。

綜上所述，本發(fā)明提出的一種基于數(shù)據(jù)更新頻率的寫入方法，應(yīng)用于包括一控制器和一動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器和一非易失存儲(chǔ)器的混合內(nèi)存，控制器中預(yù)設(shè)有一標(biāo)準(zhǔn)頻率，包括：步驟S1，通過控制器獲得動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器中的每個(gè)存取單元的數(shù)據(jù)更新頻率；步驟S2，通過控制器將每個(gè)存取單元的數(shù)據(jù)更新頻率分別與標(biāo)準(zhǔn)頻率比較大??；步驟S3，將數(shù)據(jù)更新頻率低于標(biāo)準(zhǔn)頻率的每個(gè)存取單元設(shè)為直寫模式，并且將數(shù)據(jù)更新頻率高于標(biāo)準(zhǔn)頻率的每個(gè)存取單元設(shè)為回寫模式；步驟S4，返回步驟S1；這使得備份數(shù)據(jù)所需要的非易失存儲(chǔ)器的容量遠(yuǎn)小于傳統(tǒng)的NVDIMM，這將大大降低NVDIMM的價(jià)格、超級(jí)電容的容量、超級(jí)電容的發(fā)熱量等，對(duì)于大量使用NVDIMM的數(shù)據(jù)中心等是一個(gè)很大的改善。

通過說明和附圖，給出了具體實(shí)施方式的典型實(shí)施例，基于本發(fā)明精神，還可作其他的轉(zhuǎn)換。盡管上述發(fā)明提供了一個(gè)實(shí)施例，然而，這些內(nèi)容并不作為局限。

對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言，閱讀上述說明后，各種變化和修正無(wú)疑將顯而易見。因此，所附的權(quán)利要求書應(yīng)看作是涵蓋本發(fā)明的真實(shí)意圖和范圍的全部變化和修正。在權(quán)利要求書范圍內(nèi)任何和所有等價(jià)的范圍與內(nèi)容，都應(yīng)認(rèn)為仍屬本發(fā)明的意圖和范圍內(nèi)。