本揭示涉及一種制造半導體裝置的方法和半導體裝置，具體涉及一種指紋傳感器裝置及其制造方法。

背景技術(shù)：

由于用戶裝置變得更小且更便于攜帶，讓有不軌企圖的人變得更容易竊取用戶裝置。當這些裝置攜帶用戶的敏感數(shù)據(jù)，除非已將阻障放置到用戶裝置中，否則竊賊可能能夠存取這些數(shù)據(jù)。一旦此種阻障是指紋傳感器，其可用以讀取試圖存取裝置者的指紋，如果所述指紋與用戶的指紋不相同，存取可能被拒絕。

然而，由于用戶裝置例如手機變得更小，對于在用戶裝置內(nèi)的個別組件的各者上也同時看到大小減小有壓力。因此，對于減少含有指紋傳感器的指紋封裝件的大小但沒有看到性能減少來說有壓力。因此，需要改善以看到想要的大小減少。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

根據(jù)一實施例，提供一種制造半導體裝置的方法，其包括：附接傳感器表面材料在傳感器芯片上方，其中傳感器芯片包括：半導體襯底；以及電極陣列，其在半導體襯底與傳感器表面材料之間；附接高電壓芯片與傳感器芯片電連接，其中高電壓芯片位于與傳感器表面材料相比的傳感器芯片的相對側(cè)上；以及附接傳感器芯片到襯底，其中在附接傳感器芯片到襯底之后，高電壓芯片位于襯底的開口內(nèi)。

根據(jù)另一實施例，提供一種制造半導體裝置的方法，其包括：形成貫穿通路貫穿傳感器襯底；形成電極陣列在傳感器襯底上方，其中電極陣列與在傳感器襯底的第一側(cè)上的有源裝置電連接；附接傳感器外蓋在傳感器襯底的第一側(cè)上方；附接高電壓芯片與有源裝置電連接，其中高電壓芯片位于與電極陣列相比的傳感器襯底的相對側(cè)上；以及放置高電壓芯片到位于第二襯底內(nèi)的開口中。

根據(jù)又一實施例，提供一種半導體裝置，其包括：傳感器芯片；貫穿通路，電連接傳感器芯片的第一側(cè)與位在傳感器芯片的第二側(cè)上的導電元件，第二側(cè)與第一側(cè)相對；高電壓芯片，與貫穿通路電連接；以及襯底，與貫穿通路電連接，其中高電壓芯片位于襯底的開口內(nèi)。

附圖說明

本揭示的方面將在與隨附圖式一同閱讀下列詳細說明下被最好地理解。請注意，根據(jù)業(yè)界標準作法，各種特征未依比例繪制。事實上，為了使討論內(nèi)容清楚，各種特征的尺寸可刻意放大或縮小。

圖1a至1f根據(jù)一些實施例說明指紋傳感器封裝件，其使用從傳感器側(cè)向移除的通孔。

圖2a至2b根據(jù)一些實施例說明使用延伸通過指紋傳感器與重布線層連接的通孔的實施例。

圖3a至3b根據(jù)一些實施例說明在沒有重布線層下使用延伸通過指紋傳感器的通孔的實施例。

圖4根據(jù)一些實施例說明將指紋傳感器封裝件并入到半導體裝置中。

圖5根據(jù)一些實施例說明將指紋傳感器封裝件并入到半導體裝置中。

具體實施方式

下列揭示提供許多用于實施本揭示的不同特征的不同實施例、或?qū)嵗?。為了簡化本揭示，在下文描述組件及配置的具體實例。當然這些僅為實例而非意圖為限制性。例如，在下面說明中，形成第一特征在第二特征上方或上可包含其中第一及第二特征是形成為直接接觸的實施例，以及也可包含其中額外特征可形成在第一與第二特征之間而使得第一及第二特征不可直接接觸的實施例。此外，本揭示在各種實例中可重復(fù)參考編號及/或字母于。此重復(fù)是出于簡單與清楚的目的且其本身并不決定所討論的各種實施例及/或構(gòu)形之間的關(guān)系。

再者，空間相關(guān)詞匯，例如“在...之下”、“下面”、“下”、“上面”、“上”和類似詞匯，可為了使說明書便于描述如圖式說明的一個元件或特征與另一個(或多個)元件或特征的相對關(guān)系而使用于本文中。除了圖式中所畫的方位外，這些空間相對詞匯也意圖用來涵蓋裝置在使用中或操作時的不同方位。所述設(shè)備可以其它方式定向(旋轉(zhuǎn)90度或于其它方位)，據(jù)此在本文中所使用的這些空間相關(guān)說明符可以類似方式加以解釋。

實施例現(xiàn)將關(guān)于在系統(tǒng)級封裝件(systeminpackage，sip)解決方案中，不然在集成扇出結(jié)構(gòu)(integratedfanout，info)中的指紋傳感器描述。然而，實施例可使用于任何合適的封裝件中。

現(xiàn)請參照圖1a，說明有利用載體襯底101、粘著層103、聚合物層105、第一重布線層107、第一襯底通孔(throughsubstratevia，tsv)109、及指紋傳感器104的實施例。在一實施例中，載體襯底101包括，例如硅系材料，例如玻璃或氧化硅；或其它材料，例如氧化鋁；這些材料的任一者的組合；或類似物。為了容置裝置例如指紋傳感器104的附接，載體襯底101為平坦的。

為了協(xié)助附接上覆結(jié)構(gòu)到載體襯底101，粘著層103可放置在載體襯底101上方。在一實施例中，粘著層103為管芯裸片附接膜(dieattachedfilm，daf)，例如環(huán)氧樹脂、酚樹脂、丙烯酸系橡膠、二氧化硅填料、或其組合，且使用層壓技術(shù)施加。然而，可利用任何其它合適的形成材料及方法。

聚合物層105初始形成在粘著層103上方。在一實施例中，聚合物層105可由一或多個合適的介電材料制成，例如氧化硅、氮化硅、低k介電質(zhì)例如碳摻雜氧化物、極低k介電質(zhì)例如多孔碳摻雜二氧化硅、這些的組合、或類似物。聚合物層105可透過工藝(例如，化學氣相沉積(chemicalvapordeposition，cvd))形成，雖然可利用任何合適的工藝，且可具有在約0.5μm與約5μm之間的厚度，例如約

一旦聚合物層105已形成，凸塊下金屬化層137及第一重布線層107可形成于聚合物層105上方。在一實施例中，凸塊下金屬化層137可包括三層導電材料，例如一層鈦、一層銅、及一層鎳。然而，所屬領(lǐng)域的一般技術(shù)人員將認識到，有許多合適的材料及層的配置，例如適合凸塊下金屬化層137形成的鉻/鉻-銅合金/銅/金配置、鈦/鈦鎢/銅配置、或銅/鎳/金配置。可用于凸塊下金屬化層137的任何合適的材料或材料層意圖完全包含在實施例的范圍內(nèi)。

在一實施例中，凸塊下金屬化層137通過是通過在聚合物層105上方形成各層而產(chǎn)生。各層的形成可使用鍍敷工藝實施，例如電化學電鍍，雖然取決于想要的材料可替代地使用其它形成工藝，例如濺鍍、蒸發(fā)、或等離子增強化學氣相沉積(plasma-enhancedcvd，pecvd)工藝。凸塊下金屬化層137可經(jīng)形成以具有在約0.7μm與約10μm之間(例如約5μm)的厚度。

在一實施例中，第一重布線層107包括埋置在一系列介電層135(例如三個介電層)內(nèi)的一系列導電層133(例如兩個導電層)。在一實施例中，一系列介電層135的第一者形成在聚合物層105上方，且一系列介電層135的第一者可以是例如聚苯并惡唑(polybenzoxazole，pbo)的材料，雖然可利用任何合適的材料，例如聚酰亞胺或聚酰亞胺衍生物。一系列介電層135的第一者可使用如旋轉(zhuǎn)涂布工藝放置，雖然可使用任何合適的方法。

在一系列介電層135的第一者已形成之后，可通過移除一系列介電層135的第一者的部分制作開口通過一系列介電層135的第一者。開口可使用合適的光刻掩模及蝕刻工藝形成，雖然任何合適的一或多個工藝可用以圖案化一系列介電層135的第一者。

一旦一系列介電層135的第一者已形成且圖案化之后，一系列導電層133的第一者形成在一系列介電層135的第一者上方且通過形成在一系列介電層135的第一者內(nèi)的開口。在一實施例中，一系列導電層133的第一者可通過下列形成，透過合適的形成工藝(例如cvd或濺鍍)初始形成鈦銅合金的晶種層(未顯示)。接著可形成光致抗蝕劑(也未顯示)，以覆蓋晶種層，且接著可圖案化光致抗蝕劑以暴露位于一系列導電層133的第一者想要坐落處的晶種層的那些部分。

一旦光致抗蝕劑已形成且圖案化，導電材料例如銅可透過沉積工藝(例如，鍍敷)形成在晶種層上。導電材料可被形成以具有在約1μm與約10μm之間的厚度，例如約5μm。然而，在所討論材料及方法適于形成導電材料之際，這些材料僅為示范性的。任何其它合適的材料例如alcu或au，及任何其它合適的形成工藝(例如，cvd或物理氣相沉積(physicalvapordeposition，pvd))可用以形成一系列導電層133的第一者。一旦導電材料已形成，光致抗蝕劑可透過合適的移除工藝(例如，灰化)移除。另外，在光致抗蝕劑的移除之后，被光致抗蝕劑覆蓋的晶種層的那些部分可透過例如，使用導電材料作為遮罩的合適的蝕刻工藝移除。

一旦一系列導電層133的第一者已形成，一系列介電層135的第二者及一系列導電層133的第二者可通過重復(fù)與一系列介電層135的第一者及一系列導電層133的第一者相似的步驟形成。為了將一系列導電層133的各者電連接到一系列導電層133的下方者，這些步驟可依想要者重復(fù)，且可依想要者經(jīng)常重復(fù)直到一系列導電層133的最上者及一系列介電層135的最上者已形成。在一實施例中，可持續(xù)一系列導電層133及一系列介電層135的沉積及圖案化直到第一重布線層107具有想要數(shù)目的層，例如兩個層，雖然可利用任何合適數(shù)目的個別層。

一旦第一重布線層107已形成在載體襯底101上方，即形成第一tsv109與第一重布線層107電連接。在一實施例中，第一tsv109可通過下列形成，起始形成晶種層(未分開說明在圖1a中)。在一實施例中，晶種層是薄層導電材料，其有助于后續(xù)加工步驟期間較厚層的形成。晶種層可包括約厚的一層鈦接著約厚的一層銅。取決于想要的材料，晶種層可使用工藝例如濺鍍、蒸發(fā)、或pecvd工藝的工藝產(chǎn)生。晶種層可經(jīng)形成以具有在約0.3μm與約1μm之間(例如約0.5μm)的厚度。

一旦晶種層已形成，光致抗蝕劑(也未說明在圖1a中)放置在晶種層上方。在一實施例中，光致抗蝕劑可使用如旋轉(zhuǎn)涂布技術(shù)放置在晶種層上，到高度在約50μm與約250μm之間，例如約120μm。一旦就位，光致抗蝕劑接著可通過使光致抗蝕劑暴露于經(jīng)圖案化能量源(如，經(jīng)圖案化光源)以便引起化學反應(yīng)，進而在曝光于經(jīng)圖案化光源的光致抗蝕劑的那些部分中引起物理變化而圖案化。接著將顯影劑施加于曝光的光致抗蝕劑以利用物理變化并取決于想要的圖案選擇性移除光致抗蝕劑的曝光部分或光致抗蝕劑的未曝光部分。在一實施例中，形成于光致抗蝕劑中的圖案是用于第一tsv109的圖案。第一tsv109以這樣的布局形成而位于后續(xù)附接裝置例如指紋傳感器104的不同側(cè)。然而，可利用任何合適的用于第一tsv109的圖案的配置。

在一實施例中，第一tsv109由一或多個導電材料形成于光致抗蝕劑內(nèi)，例如銅、鎢、其它導電金屬、或類似物，且可通過例如電鍍、無電式電鍍、或類似物形成。例如，使用電鍍工藝，其中晶種層及光致抗蝕劑浸入或浸沒在電鍍?nèi)芤褐?。晶種層表面電連接到外部直流電(directcurrent，dc)電源的負極側(cè)而使得晶種層在電鍍工藝中作為陰極。固體導電陽極，例如銅陽極也浸沒在溶液中且附接到電源的正極側(cè)。來自陽極的原子溶解于溶液中，陰極如晶種層從所述溶液中獲取溶解的原子，進而鍍敷在光致抗蝕劑的開口內(nèi)的晶種層的暴露的導電區(qū)。

一旦第一tsv109已使用光致抗蝕劑及晶種層形成，光致抗蝕劑可使用合適的移除工藝來移除。在一實施例中，等離子灰化工藝可用以移除光致抗蝕劑，借此光致抗蝕劑的溫度可增加直到光致抗蝕劑經(jīng)驗熱分解且可被移除。然而，可利用任何其它合適的工藝，例如濕剝除。光致抗蝕劑的移除可暴露晶種層的下方部分。

一旦暴露，可實施晶種層的暴露的部分的移除。在一實施例中，晶種層的暴露的部分(如，未被第一tsv109覆蓋的那些部分)可通過，例如濕式或干式蝕刻工藝移除。例如，在干式蝕刻工藝中，可使用第一tsv109作為掩模將反應(yīng)物導向晶種層。在另一實施例中，為了移除晶種層的暴露的部分，蝕刻劑可被噴灑或以其它方式使之接觸晶種層。在晶種層的暴露的部分已蝕刻掉之后，第一重布線層107的一部分暴露在第一tsv109之間。

一旦第一tsv109已形成，指紋傳感器104可放置在第一重布線層107上。在一實施例中，指紋傳感器104包括具有前側(cè)113及背側(cè)115的半導體襯底111，及位于相鄰于前側(cè)113的電極陣列120。在一實施例中，半導體襯底111可包括經(jīng)摻雜或未經(jīng)摻雜的主體硅、或絕緣體上硅(silicon-on-insulator，soi)襯底的有源層。一般來說，soi襯底包括層半導體材料，例如硅、鍺、硅鍺、soi、絕緣體上硅鍺(silicongermaniumoninsulator，sgoi)、或其組合。可使用的其它襯底包含多層襯底、梯度襯底、或雜合方位向襯底。

另外，在未分開說明在圖1a中之際，為了控制及接收來自電極陣列120的信號輸入不然為了以其它方式控制指紋傳感器104的功能性及最終輸出，指紋傳感器104也可包括有源裝置及金屬化層。在一實施例中，指紋傳感器104的有源裝置包括廣泛種類的有源裝置及無源裝置例如電容器、電阻器、電感及類似物，其可用以產(chǎn)生用于指紋傳感器104設(shè)計的想要的結(jié)構(gòu)及功能要求。有源裝置可使用任何合適的方法形成在半導體襯底111內(nèi)不然在半導體襯底111上。

金屬化層形成在半導體襯底111及指紋傳感器104的有源裝置上方且經(jīng)設(shè)計用以連接各種有源裝置以形成功能電路。在一實施例中，金屬化層由介電及導電材料的交替層形成且可透過任何合適的工藝(例如沉積、鑲嵌、雙鑲嵌、等)形成。在一實施例中，可能有四個金屬化層，其與第二半導體襯底被至少一個層間介電層(interlayerdielectriclayer，ild)分開，但金屬化層的精確數(shù)目取決于指紋傳感器104的設(shè)計。

為了測量指紋，電極陣列120電連接到指紋傳感器104的金屬化層且用以測量在上覆手指的不同區(qū)之間的差異。在一實施例中，電極陣列120包括導電材料例如鋁或銅，且使用如沉積及圖案化工藝形成，借此導電材料的整片層使用工藝例如cvd、pvd、原子層沉積(atomiclayerdeposition，ald)、或類似物沉積，且導電材料的整片層接著使用光刻掩模及蝕刻工藝圖案化。然而，可利用任何合適的制造的材料或方法以形成電極陣列120。

另外，在已通過使用整片沉積接著后續(xù)圖案化及保護描述電極陣列120的形成之際，此工藝僅意圖為例示而不是意圖為限制性。相反地，也可使用任何合適的制造電極陣列120的工藝，例如使用鑲嵌或雙鑲嵌工藝。所有這些工藝意圖完全包含在實施例的范圍內(nèi)。

接觸墊119經(jīng)形成以將電連接提供給后續(xù)形成的第二重布線層121(未說明在圖1a中但在下面關(guān)于圖1b說明并描述)。在一實施例中，接觸墊119由導電材料例如鋁形成，雖然可利用其它合適的材料，例如銅、鎢、或類似物。接觸墊119可使用例如cvd或pvd的工藝形成，雖然可利用其它合適的材料及方法。一旦用于接觸墊119的材料已沉積，可使用如光刻掩模及蝕刻工藝將材料塑形成接觸墊119。

一旦接觸墊119已形成，可放置及圖案化第一保護層122。在一實施例中，第一保護層122可以是保護材料，例如聚苯并惡唑(pbo)、或聚酰亞胺(polyimide，pi)、氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、苯并環(huán)丁烷(benzocyclobutene，bcb)、或任何其它合適的保護材料。第一保護層122可基于所選材料使用方法，例如旋涂工藝、沉積工藝(如，化學氣相沉積)、或其它合適的工藝形成，且可被形成以具有在約1μm與約100μm之間(例如約20μm)的厚度。

一旦形成，第一保護層122經(jīng)圖案化以形成開口并暴露接觸墊119。在一實施例中，第一保護層122可使用如光刻掩模及蝕刻工藝圖案化。在這些工藝中，將光致抗蝕劑(未個別說明在圖1b中)施加于第一保護層122且接著曝光于經(jīng)圖案化光源。光源將撞擊在光致抗蝕劑上并引起光致抗蝕劑極性的改變，所述改變接著被利用以選擇性地移除曝光部分或未曝光部分并暴露第一保護層122。接著利用光致抗蝕劑作為在如蝕刻工藝期間的掩模，所述蝕刻工藝移除第一保護層122的部分以暴露接觸墊119。一旦第一保護層122已圖案化，光致抗蝕劑可使用如灰化工藝移除。

在另一實施例中，為了暴露接觸墊119，可薄化第一保護層122。在此實施例中，可利用平坦化工藝例如化學機械拋光工藝，借此將化學品及研磨劑施加于第一保護層122而拋光墊研磨掉材料，以移除來自在接觸墊119上方的第一保護層122的材料，進而暴露接觸墊119而也與接觸墊119一起平坦化第一保護層122。可使用任何合適的形成接觸墊119及第一保護層122的方法。

使用如第二粘著層112將指紋傳感器104放置在第一重布線層107上且在第一tsv109之間。在一實施例中，第二粘著層112可以是與粘著層103相似的材料并以相似的方式施加，雖然可使用任何合適的材料。將指紋傳感器104面朝上放置而使得前側(cè)113背對載體襯底101。另外，將接觸墊119連接到電極陣列120及在指紋傳感器104的前側(cè)113上的指紋傳感器104的金屬化層。

圖1b說明以封裝劑125將指紋傳感器104及第一tsv109封裝。在一實施例中，封裝劑125可以是模塑料且可使用成型裝置(未說明在圖1b中)放置。例如，指紋傳感器104可放置在成型裝置的空腔內(nèi)且空腔可以是氣密密封。封裝劑125可在空腔氣密密封之前放置在空腔內(nèi)不然可透過注入口注入到空腔中。在一實施例中，封裝劑125可以是模塑料樹脂，例如聚酰亞胺、聚苯硫醚(polyphenylenesulfide，pps)、聚醚醚酮(polyetheretherketone，peek)、聚醚砜(polyethersulfone，pes)、抗熱結(jié)晶樹脂、這些的組合、或類似物。

一旦封裝劑125已放置到空腔中而使得封裝劑125封裝圍繞指紋傳感器104及第一tsv109的區(qū)域，為了硬化封裝劑125以供最優(yōu)保護，封裝劑125可被固化。在確切固化工藝是至少部分取決于為封裝劑125所選的具體材料之際，在其中將模塑料選作封裝劑125的一實施例中，固化可透過例如將封裝劑125加熱到約100℃與約130℃之間(例如,約125℃)歷時約60秒到約3000秒(例如，600秒)的工藝發(fā)生。另外，起始劑及/或催化劑可包含在封裝劑125內(nèi)以更優(yōu)化固化工藝。

然而，所屬領(lǐng)域的一般技術(shù)人員將認知到，上述固化工藝僅為示范性工藝且不意味限制當前實施例?？墒褂闷渌袒に嚕巛椛浠蛏踔猎试S封裝劑125在環(huán)境溫度硬化?？墒褂萌魏魏线m的固化工藝，且所有這些工藝意圖完全包含在本文所討論實施例的范圍內(nèi)。

圖1b另外說明為了暴露指紋傳感器104的接觸墊119的封裝劑125的薄化。在一實施例中，可實施薄化，如使用機械研磨或化學機械研磨(cmp)工藝，借此利用蝕刻劑及研磨劑來反應(yīng)并研磨掉封裝劑125。可薄化封裝劑125直到接觸墊119暴露。

然而，在上述cmp工藝是以一個說明性實施例呈現(xiàn)之際，其不意圖限制實施例?？墒褂萌魏纹渌线m的移除工藝來封裝指紋傳感器104同時暴露接觸墊119。例如，可利用化學蝕刻或一系列化學蝕刻，或可利用不會覆蓋接觸墊119的封裝工藝?？衫眠@些工藝及任何其它合適的工藝來施加封裝劑125，且所有這些工藝意圖完全包含在本文所討論實施例的范圍內(nèi)。

圖1b也說明為了電互連第一tsv109與指紋傳感器104的接觸墊119的第二重布線層121的形成。在一實施例中，第二重布線層121可以是與上面關(guān)于圖1a描述的第一重布線層107相似。在一具體實施例中，可能有一系列導電層133的單一者被夾在一系列介電層135的兩者之間。然而，可利用導電層與介電層的任何合適的組合以互連指紋傳感器104的接觸墊119與第一tsv109。

一旦第二重布線層121已形成，傳感器表面材料123可使用如界面層136，例如膠層或色膜層附接到第二重布線層121。在一實施例中，傳感器表面材料123可通過下列附接：初始施加界面層136到第二重布線層121及接著施加傳感器表面材料123到界面層136。界面層136可以是與上面關(guān)于圖1a描述的粘著層103相似，雖然可使用任何合適的材料。

在一實施例中，傳感器表面材料123是例如藍寶石或玻璃的材料，其允許指紋傳感器104與上覆手指之間的電容式改變的測量以判定手指上指紋的輪廓。在一實施例中，傳感器表面材料123可使用物理放置工藝放置。另外，傳感器表面材料123可具有在約50μm與約1000μm之間(例如約100μm)的第一厚度t1。然而，可利用任何合適的材料及厚度。

在其中界面層136是色膜層的另一實施例中，可省略傳感器表面材料。例如，在一具體實施例中，界面層136可借其本身放置在第二重布線層121上方，而不需要接著將傳感器表面材料放置到界面層136上。可利用任何合適的材料組合。

圖1c說明為了暴露凸塊下金屬化層137的載體襯底101的去接合及聚合物層105的圖案化。在一實施例中，載體襯底101可通過初始接合傳感器表面材料123到如環(huán)結(jié)構(gòu)152而去接合。環(huán)結(jié)構(gòu)152可以是意圖在去接合工藝期間及之后為結(jié)構(gòu)提供支撐及安定性的金屬環(huán)。在一實施例中，傳感器表面材料123可使用如紫外光膠帶154附接到環(huán)結(jié)構(gòu)152，雖然可使用任何其它合適的粘著劑或附接。

一旦附接，載體襯底101可使用如熱工藝以改變粘著層103的粘著劑性質(zhì)而從結(jié)構(gòu)去接合。在一具體實施例中，利用能量源(例如，紫外光(ultraviolet，uv)雷射；二氧化碳(co2)雷射、或紅外光(infrared，ir)雷射)來輻射并加熱粘著層103直到粘著層103喪失至少一些它的粘著劑性質(zhì)。一旦實施，載體襯底101及粘著層103可從包括指紋傳感器104及傳感器表面材料123的結(jié)構(gòu)實體分開并移除。

一旦去接合，為了暴露下方凸塊下金屬化層137，圖案化聚合物層105。在一實施例中，聚合物層105可使用如雷射鉆孔方法圖案化。在這一方法中，保護層(例如，光熱轉(zhuǎn)換(light-to-heatconversion，lthc)層或水溶性保護膜(hogomax)層(未分開說明在圖1c中))先沉積在聚合物層105上方。一旦被保護，為了暴露下方凸塊下金屬化層137，將雷射導向想要被移除的聚合物層105的那些部分。在雷射鉆孔工藝期間，鉆孔能量可以是在從0.1mj到約30mj的范圍中，且鉆孔與聚合物層105的法線夾角為約0度(垂直于聚合物層105)到約85度。在一實施例中，圖案化可經(jīng)形成以在凸塊下金屬化層137上方形成開口，以具有在約100μm與300μm約之間(例如200μm)的寬度。

在另一實施例中，聚合物層105可通過下列圖案化：初始施加光致抗蝕劑(未個別說明在圖1c中)到聚合物層105及接著使光致抗蝕劑暴露于經(jīng)圖案化能量源(如，經(jīng)圖案化光源)以便引起化學反應(yīng)，進而在曝光于經(jīng)圖案化光源的光致抗蝕劑的那些部分中引起物理變化。接著將顯影劑施加到曝光的光致抗蝕劑以利用物理變化并取決于想要的圖案選擇性移除光致抗蝕劑的曝光部分或光致抗蝕劑的未曝光部分，且下方聚合物層105的暴露的部分以如干式蝕刻工藝移除。然而，可利用任何其它合適的用于圖案化聚合物層105的方法。

圖1d說明，一旦聚合物層105已圖案化而暴露凸塊下金屬化層137，高電壓芯片141可透過聚合物層105接合到凸塊下金屬化層137透以形成第一傳感器封裝件149。在一實施例中，為了放大傳感器的靈敏度，高電壓芯片141經(jīng)設(shè)計與連接以供給高電壓(例如,在約5伏特(v)與約50v之間(例如約33v))給指紋傳感器104。例如，通過將高電壓芯片141與指紋傳感器104集成而使得高電壓可供給到指紋傳感器104，指紋傳感器104的靈敏度可通過將輸入電壓從如3.3v提高到33v增加十倍。

在一實施例中，高電壓芯片141可包括第二半導體襯底(未分開說明)、有源裝置(未分開說明)、用以互連高電壓芯片141的有源裝置的金屬化層(未分開說明)、及為了互連高電壓芯片141到指紋傳感器104的第一外部連接143。第二半導體襯底可包括經(jīng)摻雜或未經(jīng)摻雜的主體硅、或絕緣體上硅(soi)襯底的有源層。一般來說，soi襯底包括層半導體材料，例如硅、鍺、硅鍺、soi、絕緣體上硅鍺(sgoi)、或其組合?？墒褂玫钠渌r底包含多層襯底、梯度襯底、或雜合方位向襯底。

用于高電壓芯片141的有源裝置包括廣泛種類的有源裝置及無源裝置例如電容器、電阻器、電感及類似物，其可用以產(chǎn)生用于高電壓芯片141設(shè)計的想要的結(jié)構(gòu)及功能要求。有源裝置可使用任何合適的方法形成在第二半導體襯底內(nèi)不然在第二半導體襯底上。

用于高電壓芯片141的金屬化層形成在第二半導體襯底及高電壓芯片141的有源裝置上方且經(jīng)設(shè)計用以連接各種有源裝置以形成功能電路。在一實施例中，金屬化層由介電及導電材料的交替層形成且可透過任何合適的工藝(例如沉積、鑲嵌、雙鑲嵌、等)形成。在一實施例中，可能有四個金屬化層，其與第二半導體襯底被至少一個層間介電層(ild)分開，但金屬化層的精確數(shù)目取決于高電壓芯片141的設(shè)計。

第一外部連接143可經(jīng)形成以互連高電壓芯片141到指紋傳感器104且可以是(例如)接觸凸塊，雖然可利用任何合適的連接。在其中第一外部連接143是接觸凸塊的實施例中，第一外部連接143可包括例如錫的材料、或其它合適的材料(例如，銀、無鉛錫、或銅)。在其中第一外部連接143是錫焊料凸塊的實施例中，第一外部連接143可通過下列形成，透過這些常用方法，例如蒸發(fā)、電鍍、印刷、焊料轉(zhuǎn)移、植球、等，初始形成厚度如在約30μm與約100μm之間的一層錫。一旦一層焊料已形成在結(jié)構(gòu)上，可實施回焊以將材料塑形成想要的凸塊形狀。

高電壓芯片141可經(jīng)形成以具有在約1mm與約5mm之間(例如約1.5mm)的第一寬度w1，且也可經(jīng)形成以具有在約70μm與約150μm之間(例如約100μm)的第二厚度t2。另外，在因為它可能延伸進入且超出圖而未顯示于圖1d中之際，高電壓芯片141也可經(jīng)形成以具有在約1mm與約5mm之間(例如約2mm)的第一長度。然而，任何合適的尺寸可用于高電壓芯片141。

高電壓芯片141可連接到凸塊下金屬化層137，例如通過初始施加焊料糊到暴露的凸塊下金屬化層137且接著覆晶接合高電壓芯片141到凸塊下金屬化層137。在一實施例中，高電壓芯片141可通過依序浸漬高電壓芯片141的第一外部連接143到助焊劑中，且接著為了將高電壓芯片141的第一外部連接143與凸塊下金屬化層137的個別者實體對準使用拾取和放置工具而接合。在其中第一外部連接143是焊球的一實施例中，一旦高電壓芯片141已放置，為了接合高電壓芯片141與下方凸塊下金屬化層137，可實施回焊工藝且可不實施助焊劑清潔。然而，可利用任何其它合適的連接件或連接工藝，例如金屬到金屬接合或類似物。

一旦高電壓芯片141已接合到凸塊下金屬化層137，為了幫助保護及隔離裝置，底膠材料147可放置在高電壓芯片141與指紋傳感器104之間。在一實施例中，底膠材料147是保護材料，其用以緩沖及支撐高電壓芯片141免于操作及環(huán)境劣化。例如操作期間熱的產(chǎn)生所造成的應(yīng)力。底膠材料147可包括，例如液體環(huán)氧化物或其它保護材料，且接著被固化到硬化，及可通過如注入分注。

另外，在第一聚合物層105已圖案化之后，第二外部連接139可被利用以提供用于電連接到第一重布線層107的外部連接點且可以是，例如作為球柵陣列(ballgridarray，bga)的部分的接觸凸塊，雖然可利用任何合適的連接。在其中第二外部連接139是接觸凸塊的一實施例中，第二外部連接139可包括例如錫的材料或其它合適的材料(例如，銀、無鉛錫、或銅)。在其中第二外部連接139是錫焊料凸塊的一實施例中，第二外部連接139可通過下列形成，透過這些常用方法，例如蒸發(fā)、電鍍、印刷、焊料轉(zhuǎn)移、植球、等，初始形成厚度如約250μm的一層錫。一旦一層焊料已形成在結(jié)構(gòu)上，可實施回焊以將材料塑形成想要的凸塊形狀。

圖1e說明結(jié)構(gòu)接合到襯底150。在一實施例中，為了提供想要的功能性給用戶，襯底150可以是，如印刷電路板，其工作以將各種電氣組件彼此互連。替代地，襯底150可以是柔性襯底或包括可蝕刻成微量的各種寬度及長度且透過層間通路連接的多個導電層(未個別說明)。線及通路可一起形成電網(wǎng)絡(luò)以從襯底150的一側(cè)到另一側(cè)路由dc功率、接地、及信號。所屬領(lǐng)域的一般技術(shù)人員將認知到，襯底150可由有機(層壓體)材料例如雙馬來酰亞胺三嗪(bismaleimide-triazine，bt)、聚合物由材料例如液晶聚合物(liquid-crystalpolymer，lcp)、陶瓷材料例如低溫共燒制陶瓷(low-temperatureco-firedceramic，ltcc)、硅或玻璃插置件或類似物制造。所屬領(lǐng)域的一般技術(shù)人員也將認識到，導電層及通路可由任何合適的導電材料形成，例如銅、鋁、銀、金、其它金屬、合金、其組合、及/或類似物，且通過任何合適的技術(shù)形成，例如電化學電鍍(electro-chemicalplating，ecp)、無電式電鍍、其它沉積方法例如濺鍍、印刷、及化學氣相沉積(cvd)方法、或類似物。襯底150可經(jīng)形成或獲取以具有在約100μm與約1000μm之間(例如約200μm)的第三厚度t3，雖然可利用任何合適的厚度。

在一些實施例中，襯底150也可包含電氣元件，例如電阻器、電容器、信號分布電路、這些的組合、或類似物。這些電氣元件可以是有源的、無源的、或其組合。在其它實施例中，襯底150不含有源及無源電氣元件二者于其中。所有這些組合意圖完全包含在實施例的范圍內(nèi)。

另外，為了容置高電壓芯片141的存在，襯底150可經(jīng)形成以具有或已于其中形成有第一開口151。在一實施例中，為了容置高電壓芯片141，第一開口151被尺寸化，且因此第一開口151的尺寸至少取決于高電壓芯片141的尺寸。然而，在其中高電壓芯片141具有第一寬度w1、第一長度、及第二厚度t2的一實施例中，第一開口151可經(jīng)形成以具有在約2mm與約6mm之間(例如約2.5mm)的第二寬度w2。另外，第一開口151可具有在約2mm與約6mm之間(例如約3.5mm)的第二長度(由于第二長度將延伸進入且超出圖而未分開顯示于圖1e中)。然而，可利用容置高電壓芯片141的任何合適的尺寸。

另外，在一些實施例中，且如圖1e所說明，第一開口151將一路延伸通過襯底150。因此，第一開口151將具有襯底150的第三厚度t3，例如在約0.1mm與約1mm之間，例如約0.2mm。然而，可使用任何合適的尺寸。

在另一實施例中(通過虛線說明在圖1e中)，第一開口151可經(jīng)形成以部分但不完全延伸通過襯底150。在此實施例中，第一開口151可經(jīng)形成以延伸進入襯底150第一距離d1(在約50μm與約500μm之間，例如約100μm)。然而，可利用任何合適的深度以容置高電壓芯片141。

襯底150可進一步包括允許與第二外部連接139電連接的第二接觸墊153。在一實施例中，第二接觸墊153可由與上面關(guān)于圖1a描述的接觸墊119相似的材料并使用相似的工藝形成。例如，第二接觸墊153可以是使用例如cvd或pvd的工藝形成的鋁接觸墊。然而，可使用任何合適的制造第二接觸墊153的材料或方法。

為了接合第二接觸墊153與第二外部連接139，第二接觸墊153與第二外部連接139先彼此對準。舉例來說，在一實施例中，第二外部連接139可對準并放置成與第二接觸墊153物理接觸。一旦就位且對準，為了物理接合及電接合第二外部連接139到襯底150，可回焊第二外部連接139。

通過附接指紋傳感器104到襯底150而使得高電壓芯片141位于第一開口151內(nèi)，結(jié)構(gòu)的整體高度可減少。例如，在一實施例中，襯底150連同附接指紋傳感器104的整體高度可以是在約0.4mm與約1.5mm之間(例如約0.5mm)的第一高度h1。然而，可利用任何高度。

圖1f說明另一實施例，其中替代于在指紋傳感器104下面置中，高電壓芯片141可依想要者相對于指紋傳感器104坐落。例如，在圖1f所說明的實施例中，高電壓芯片141可位于距指紋傳感器104的第一側(cè)(在此俯視圖中)第二距離d2處，d2在約80μm與約4000μm之間，例如約1000μm，且也位于距指紋傳感器104的第二側(cè)第三距離d3處，d3在約80μm與約4000μm之間，例如約1500μm。然而，可利用任何合適的相對于指紋傳感器104的高電壓芯片141的布局。

通過如上所描述形成第一傳感器封裝件149，不僅指紋傳感器104的靈敏度可通過最小化電極陣列120與手指之間的感測間隙而增進，也使用扇入及通孔來集成高電壓芯片141并增加電荷(q＝cxv)。此增加允許傳感器靈敏度的增加。

圖2a說明另一實施例，其說明第二傳感器封裝件200，為了連接電極陣列120與第三重布線層203，第二傳感器封裝件200使用延伸通過半導體襯底111的襯底通孔201。然而，在此實施例中，襯底通孔201被利用以將電極陣列120與位于指紋傳感器104的前側(cè)113上的金屬化層電連接到指紋傳感器104的背側(cè)115。襯底通孔201可通過下列形成，在金屬化層的形成之前，初始施加合適的光致抗蝕劑到半導體襯底111及顯影光致抗蝕劑且接著蝕刻半導體襯底111以產(chǎn)生tsv開口。在此階段，用于襯底通孔201的開口可經(jīng)形成以便延伸進入半導體襯底111中到至少大于完成的半導體襯底111的最終想要的高度的深度。

一旦用于襯底通孔201的開口已形成，用于襯底通孔201的開口可填充有如，阻障層及導電材料。阻障層可包括導電材料例如氮化鈦，雖然可利用其它材料，例如氮化鉭、鈦、介電質(zhì)、或類似物?？墒褂胏vd工藝例如pecvd形成阻障層。然而，可使用其它工藝，例如濺鍍或金屬有機化學氣相沉積(metalorganicchemicalvapordeposition，mocvd)。阻障層可經(jīng)形成以便仿照下方用于襯底通孔201的開口形狀的輪廓。

導電材料可包括銅，雖然可利用其它合適的材料，例如鋁、合金、摻雜多晶硅、其組合、及類似物。導電材料可通過沉積晶種層且接著電鍍銅到晶種層上、填充及上填用于襯底通孔201的開口而形成。一旦用于襯底通孔201的開口已填充，在用于襯底通孔201的開口外的過量阻障層及過量導電材料可透過研磨工藝例如化學機械研磨(cmp)移除，雖然可利用任何合適的移除工藝。

一旦導電材料在用于襯底通孔201的開口內(nèi)，為了暴露用于襯底通孔201的開口及從延伸通過半導體襯底111的導電材料形成襯底通孔201，可實施半導體襯底111的薄化。在一實施例中，半導體襯底111的薄化可通過平坦化工藝例如cmp或蝕刻實施，使襯底通孔201與半導體襯底111共平面。

然而，所屬領(lǐng)域的一般技術(shù)人員將認知到，上述用于形成襯底通孔201的工藝僅為形成襯底通孔201的一個方法，且其它方法也意圖完全包含在實施例的范圍內(nèi)。例如，也使用形成用于襯底通孔201的開口、以介電材料填充用于襯底通孔201的開口、薄化半導體襯底111以暴露介電材料、移除介電材料、及以導體填充用于襯底通孔201的開口。此及所有其它合適的用于形成襯底通孔201到半導體襯底111中的方法意圖完全包含在實施例的范圍內(nèi)。

一旦襯底通孔201已形成(且有源裝置及金屬化層也已如想要者完成)，為了提供襯底通孔201與如高電壓芯片141及第二外部連接139之間的互連性，可形成第三重布線層203與襯底通孔201電連接。在一實施例中，第三重布線層203可用與上面關(guān)于第一重布線層107描述相似的材料并使用相似的工藝形成。例如，第三重布線層203可由使用沉積及光刻掩模與蝕刻工藝形成的多層導電及介電材料形成。然而，可利用任何合適的形成材料或方法來形成第三重布線層203。

一旦第三重布線層203已形成，高電壓芯片141可接合到第三重布線層203，且第二外部連接139可放置成與第三重布線層203電連接。在一實施例中，高電壓芯片141及第二外部連接139可如上面關(guān)于圖1d描述般形成或放置。例如，高電壓芯片141可接合到第三重布線層203，且可放置并回焊第一外部連接143。

另外，在高電壓芯片141與第一外部連接143已形成或放置之前或之后，傳感器表面材料123可使用如界面層136附接到指紋傳感器104。在一實施例中，傳感器表面材料123可如上面關(guān)于圖1b描述般以界面層136附接。例如，界面層136可物理接觸傳感器表面材料123與指紋傳感器104二者。然而，可利用任何合適的附接傳感器表面材料123的方法。

圖2b說明襯底150到第二傳感器封裝件200的附接。在一實施例中，第二傳感器封裝件200如上面關(guān)于圖1e描述般接合到襯底150。例如，第二外部連接139對準第二接觸墊153，且實施回焊工藝以電接合及實體接合第二外部連接139到第二接觸墊153。然而，可利用任何合適的接合第二傳感器封裝件200與襯底150的方法。

另外，在接合工藝期間，高電壓芯片141對準并插入在位于襯底150內(nèi)(或通過襯底150)的第一開口151中。在一實施例中，第一開口151被形成或坐落以便接受高電壓芯片141并允許組合的襯底150與第二傳感器封裝件200的整體高度被減少。例如，在此實施例中，結(jié)構(gòu)的整體高度可減少到第二高度h2，h2在約370μm與約1500μm之間，例如約400μm。然而，可利用任何合適的高度。

通過如所描述形成第三重布線層203連同襯底通孔201，襯底通孔201及第三重布線層203可用以將來自指紋傳感器104的信號輸出成重布信號。另外，具有襯底150及在襯底150內(nèi)的第一開口151的納入，可達成具有在第一開口151內(nèi)部的高電壓芯片141的彈性表面安裝技術(shù)(surfacemounttechnology，smt)工藝。

圖3a至3b說明另一實施例，其中在沒有使用第三重布線層203下，形成襯底通孔201與第二外部連接139及高電壓芯片141電連接以形成第三感應(yīng)器封裝件300。在此實施例中，替代于形成第三重布線層203在半導體襯底111的背側(cè)115上，第三接觸墊301直接形成在襯底通孔201上方且與襯底通孔201物理連接及/或電連接。在一實施例中，第三接觸墊301可使用與上面關(guān)于接觸墊119描述相似的材料及工藝形成。例如，第三接觸墊301可使用沉積及圖案化工藝由鋁形成。然而，可利用任何合適的用于形成第三接觸墊301的工藝。

一旦第三接觸墊301已形成，第二保護層303可形成在第三接觸墊301上方。在一實施例中，第二保護層303可以是保護材料，例如聚苯并惡唑(pbo)或聚酰亞胺(pi)、氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、苯并環(huán)丁烷(bcb)、或任何其它合適的保護材料。第二保護層303可基于所選材料使用方法，例如旋涂工藝、沉積工藝(如，化學氣相沉積)、或其它合適的工藝形成，且可經(jīng)形成以具有在約1μm與約100μm之間(例如約20μm)的厚度。一旦就位，為了暴露第三接觸墊301，可圖案化第二保護層303。

一旦第三接觸墊301已形成，傳感器表面材料123可放置在指紋傳感器104上方，高電壓芯片141可接合到第三接觸墊301，且第二外部連接139可放置成與第三接觸墊301電連接。在一實施例中，傳感器表面材料123、高電壓芯片141及第二外部連接139可如上面關(guān)于圖1b至1d描述般形成或放置。例如，傳感器表面材料123可用第二膠層126粘附，高電壓芯片141可接合置第三接觸墊301，且可放置并回焊第二外部連接139。

圖3b說明襯底150到第三傳感器封裝件300的附接。在一實施例中，第三傳感器封裝件300如上面關(guān)于圖1e描述般接合到襯底150。例如，第二外部連接139對準第二接觸墊153，且實施回焊工藝以電接合及物理接合第二外部連接139到第二接觸墊153。然而，可利用任何合適的接合第三傳感器封裝件300與襯底150的方法。

另外，在接合工藝期間，高電壓芯片141對準并插入在位于襯底150內(nèi)(或通過襯底150)的第一開口151中。在一實施例中，第一開口151被形成或坐落以便接受高電壓芯片141并允許組合的襯底150與第三傳感器封裝件300的整體高度減少。

通過直接接合高電壓芯片141在襯底通孔201上方，可避免用于形成第三重布線層203的工藝步驟，允許更簡單且較不復(fù)雜的制造工藝。另外，通過不制造第三重布線層203，沒有第三重布線層203的結(jié)構(gòu)的整體高度可減少。例如，在一實施例中，整體結(jié)構(gòu)可具有第三高度h3，h3在約360μm與約1500μm之間，例如約390μm。然而，可利用任何合適的高度。

圖4說明一實施例，其中襯底150及第一傳感器封裝件149并入到，如半導體裝置結(jié)構(gòu)400中，具有位于半導體裝置結(jié)構(gòu)400的第一側(cè)的第一傳感器封裝件149及位于與第一側(cè)相對的第二側(cè)的顯示器裝置409。在一實施例中，半導體裝置結(jié)構(gòu)400包含多芯片封裝件系統(tǒng)(multi-chippackagesystem，mcps)413，具有透過襯底150附接到mcps413的指紋傳感器104，具有襯底150透過如連接件417例如焊料凸塊接合到mcps413，雖然可利用任何合適的連接件。

在一些實施例中，除了mcps413之外，其它電氣組件415a及415b也通過連接件417附接到襯底150。電氣組件415a及415b可彼此相似或不同。作為一實例，電氣組件415a可以是半導體管芯或半導體封裝件，及電氣組件415b可以是離散電氣組件，如無源或有源裝置例如電容器、電感、電阻器、電晶體、二極體、或類似物。所屬領(lǐng)域的一般技術(shù)人員將理解，圖4僅為例示說明，因為不同數(shù)目的mcps413及電氣組件415a/415b可搭配指紋傳感器104使用而不會脫離如當前揭示的精神。

如圖4中所說明，電池411通過電纜419電耦合到襯底150，具有mcps413設(shè)置在電池411與襯底150之間。在一些實施例中，電纜419柔性電纜，例如柔性印刷電路(flexibleprintedcircuit，fpc)電纜。顯示器裝置409，例如液晶顯示器(liquidcrystaldisplay，lcd)設(shè)置在電池411旁邊，以電池411設(shè)置在mcps413與顯示器裝置409之間。在一些實施例中，顯示器裝置409通過電纜421例如fpc電纜電耦合到襯底150。

另外，根據(jù)一些實施例，半導體裝置結(jié)構(gòu)400具有殼401。在一些實施例中，半導體裝置結(jié)構(gòu)400包括可穿戴裝置，例如智能手表、健身裝置、或健康監(jiān)測裝置。

通過如所描述附接第一傳感器封裝件149到襯底150，及并入所述結(jié)構(gòu)到半導體裝置結(jié)構(gòu)400中，可減少個別組件的厚度，允許使用更大大小的電池411。例如，在一實施例中，電池411的高度可增加以具有在約3mm與約7mm之間(例如約5mm)的第四高度h4。通過增加電池411的大小但不增加結(jié)構(gòu)的大小，在充電之間，半導體裝置可運行更長一段時間。

圖5說明一替代實施例，其中大小所省下者可能不是用于并入較大電池，而是可能用于減少半導體裝置結(jié)構(gòu)400的整體大小。在此實施例中，半導體裝置結(jié)構(gòu)400可減少以具有在約8mm與約15mm之間(例如約10mm)的整體第五高度h5。然而，可利用合適的大小。通過減少大小，可達成更小的整體結(jié)構(gòu)。

另外，在圖4及5所描述實施例是關(guān)于上面關(guān)于圖1a至1f描述的第一傳感器封裝件149描述之際，實施例不限于第一傳感器封裝件149。相反地，也可利用任何合適的傳感器封裝件，例如第二傳感器封裝件200或傳感器封裝件300。所有合適的組合意圖完全包含在實施例的范圍內(nèi)。

根據(jù)一實施例，提供一種制造指紋掃描器的方法，包括附接指紋傳感器表面材料在一指紋傳感器上方。所述指紋傳感器包括半導體襯底；及電極陣列，其在所述半導體襯底與所述指紋傳感器表面材料之間。附接高電壓芯片與所述指紋傳感器電連接，其中所述高電壓芯片位于與所述指紋傳感器表面材料相比的所述指紋傳感器的相對側(cè)上。附接所述指紋傳感器到襯底，其中在所述附接所述指紋傳感器到所述襯底之后，所述高電壓芯片位于所述襯底的開口內(nèi)。

根據(jù)另一實施例，提供一種制造指紋掃描器的方法，所述方法包括形成通孔貫穿指紋傳感器襯底。形成電極陣列在所述指紋傳感器襯底上方，其中所述電極陣列與在所述指紋傳感器襯底的第一側(cè)上的有源裝置電連接，以及附接指紋傳感器外蓋在所述指紋傳感器襯底的所述第一側(cè)上方。附接一高電壓芯片與所述有源裝置電連接，其中所述高電壓芯片位于與所述電極陣列相比的所述指紋傳感器襯底的相對側(cè)上，及放置所述高電壓芯片到位于第二襯底內(nèi)的開口中。

根據(jù)又一實施例，提供一種半導體裝置，包括指紋傳感器。通孔，電連接所述指紋傳感器的第一側(cè)與位于所述指紋傳感器的第二側(cè)上的導電元件，所述第二側(cè)與所述第一側(cè)相對。高電壓芯片，與所述通孔電連接；及襯底，與所述通孔電連接，其中所述高電壓芯片位于所述襯底的開口內(nèi)。

前面列述了數(shù)個實施例的特征以便所屬領(lǐng)域的一般技術(shù)人員可更好地理解本揭示的方面。所屬領(lǐng)域的一般技術(shù)人員應(yīng)了解，其可輕易地使用本揭示作為用以設(shè)計或修改其它工藝及結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)以實現(xiàn)本文中所介紹實施例的相同目的及/或達成本文中所介紹實施例的相同優(yōu)點。所屬領(lǐng)域的一般技術(shù)人員也應(yīng)認識到，這些均等構(gòu)造不會脫離本揭示的精神及范圍，以及它們可在不脫離本揭示的精神及范圍下做出各種改變、取代、或替代。

元件符號

101載體襯底

103粘著層

104指紋傳感器

105聚合物層

107第一重布線層

109第一襯底通孔

111半導體襯底

112第二粘著層

113前側(cè)

115背側(cè)

119接觸墊

120電極陣列

121第二重布線層

122第一保護層

123傳感器表面材料

125封裝劑

126第二膠層

133一系列導電層

135一系列介電層

136界面層

137凸塊下金屬化層

139第二外部連接

141高電壓芯片

143第一外部連接

147底膠材料

149第一傳感器封裝件

150襯底

151第一開口

152環(huán)結(jié)構(gòu)

153第二接觸墊

154紫外光膠帶

200第二傳感器封裝件

201襯底通孔

203第三重布線層

300第三感應(yīng)器封裝件

301第三接觸墊

303第二保護層

400半導體裝置結(jié)構(gòu)

401殼

409顯示器裝置

411電池

413多芯片封裝件結(jié)構(gòu)

415a電氣組件

415b電氣組件

417連接件

419電纜

421電纜

w1第一寬度

w2第二寬度

t1第一厚度

t2第二厚度

t3第三厚度

d1第一距離

d2第二距離

d3第三距離

h1第一高度

h2第二高度

h3第三高度

h4第四高度

h5整體第五高度