1.一種超寬帶氮化鎵器件小信號模型，其特征在于，該小信號模型在柵、源、漏端分別采用三個互聯(lián)電容和級聯(lián)電感網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)形式，包括18個寄生參數(shù)和10個本征參數(shù)；
所述寄生參數(shù)包括第一至第九外層寄生電容Cpgi1、Cpdi1、Cgdi1、Cpgi2、Cpdi2、Cgdi2、Cpga、Cpda、Cgda，第一至第六寄生電感Lgi1、Ldi1、Lsi1、Lgi2、Ldi2、Lsi2，第一至第三寄生電阻Rg、Rd、Rs；
所述本征參數(shù)包括第一至第三本征電容Cgd、Cgs、Cds，第一至第三本征電阻Rgs、Rgd、Rds，本征電流源Ids＝ViGme-jωta中的參量Gm及ta，其中Vi為Cgs兩端的電壓；
第一外層寄生電容Cpgi1和第四外層寄生電容Cpgi2用于描述柵極金屬與金屬基板之間的寄生電容效應(yīng)；
第二外層寄生電容Cpdi1和第五外層寄生電容Cpdi2用于描述漏極金屬與金屬基板之間的寄生電容效應(yīng)；
第三外層寄生電容Cgdi1和第六外層寄生電容Cgdi2用于描述柵極金屬與漏極金屬之間的寄生電容效應(yīng)；
第七外層寄生電容Cpga用于描述柵極PAD與金屬基板之間的寄生電容效應(yīng)，第八外層寄生電容Cpda用于描述柵極PAD與金屬基板之間的寄生電容效應(yīng)，第九外層寄生電容Cgda用于描述柵極PAD與漏極金屬PAD之間的寄生電容效應(yīng)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超寬帶氮化鎵器件小信號模型，其特征在于：
第一寄生電感Lgi1和第四寄生電感Lgi2用于描述柵極金屬自身寄生電感效應(yīng)，第二寄生電感Ldi1和第五寄生電感Ldi2用于描述漏極金屬自身寄生電感效應(yīng)，第三寄生電感Lsi1和第六寄生電感Lsi2用于描述源極金屬自身寄生電感效應(yīng)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的超寬帶氮化鎵器件小信號模型，其特征在于：
第二寄生電阻Rd和第三寄生電阻Rs分別用于描述漏極金屬和源極金屬與半導(dǎo)體之間的金屬歐姆接觸寄生電阻、接入溝道電阻和金屬電極寄生電阻之和；
第一寄生電阻Rg用于描述金屬肖特基勢壘電阻和柵極金屬寄生電阻之和。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的超寬帶氮化鎵器件小信號模型，其特征在于：
第一本征電容Cgd、第二本征電容Cgs和第三本征電容Cds分別用于描述在射頻信號下有源層中柵漏電容、柵源電容、漏源電容；
第一本征電阻Rgs用于描述在射頻信號下有源層中柵源電阻，第二本征電阻Rgd用于描述在射頻信號下有源層中柵漏電阻，第三本征電阻Rds用于描述在有源層中溝道電阻；
Gm用于描述漏源之間的跨導(dǎo)，ta用于描述溝道延遲。
5.一種超寬帶氮化鎵器件小信號模型參數(shù)提取方法，其特征在于，針對如權(quán)利要求1-4任一項所述的超寬帶氮化鎵器件小信號模型進(jìn)行提取，包括步驟：
步驟A，判斷“冷管”是處于夾斷偏置條件下還是前向偏置條件下，夾斷偏置則執(zhí)行步驟B，前向偏置條件下則執(zhí)行步驟C；
步驟B，在低頻頻段提取出電容參數(shù)；結(jié)合低頻頻段提取出的電容參數(shù)，確定電感參數(shù)；
步驟C，依次去除外層電容電感參量，進(jìn)而確定電阻參數(shù)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種超寬帶氮化鎵器件小信號模型參數(shù)提取方法，其特征在于，所述步驟B包括步驟：
步驟B1，對寄生電容進(jìn)行估值，并設(shè)置初值；
步驟B2，去除外層金屬PAD電容，依次分層提取出各層寄生電感和寄生電容，確定該偏置條件下寄生電阻；
步驟B3，計算仿真S參數(shù)與實測S參數(shù)的誤差，并建立誤差數(shù)據(jù)向量；
步驟B4，掃描當(dāng)前電容值，并判斷電容值是否掃描完成，是則進(jìn)入步驟B5，否，則返回步驟B2；
步驟B5，輸出誤差最小的寄生電感值和寄生電容值的初值。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種超寬帶氮化鎵器件小信號模型參數(shù)提取方法，其特征在于，所述步驟C包括步驟：
步驟C1，根據(jù)所述誤差最小的寄生電感值和寄生電容值的初值，去除寄生電感值和寄生電容值，確定寄生電阻值；
步驟C2，輸出所有寄生參數(shù)值。