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一種觸控傳感器及觸控傳感器的制備方法與流程

文檔序號(hào):12550168閱讀:來(lái)源:國(guó)知局

技術(shù)特征:

1.一種觸控傳感器,其特征在于,包括:下電容層和上電容層;

所述下電容層由多個(gè)電容模塊組成,各所述電容模塊包括多個(gè)電容單元;

所述電容單元包括基板、底電極、介電層和頂電極;所述底電極覆蓋于所述基板表面,所述介電層將所述底電極包圍,所述頂電極覆蓋于所述介電層表面;

所述上電容層包括柔性層和電極層,所述電極層覆蓋于所述柔性層表面;

所述基板與所述柔性層平行設(shè)置,且所述頂電極與所述電極層形成電容結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸控傳感器,其特征在于,各所述電容模塊包括M*M個(gè)所述電容單元,M為大于等于2的整數(shù)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的觸控傳感器,其特征在于,以所述電容模塊中的任一角上的所述電容單元為基準(zhǔn)電容單元,所述基準(zhǔn)電容單元為第1行第1列,處于第N行和第N列的各所述電容單元連線的交點(diǎn)為匯合電容單元,第1行第N個(gè)所述電容單元與所述匯合電容單元連線上的所述電容單元為第一連線電容單元,第1列第N個(gè)所述電容單元和所述匯合電容單元連線上的所述電容單元為第二連線電容單元,所述第一連線電容單元與所述第二連線電容單元中的各個(gè)電容單元的介電層的厚度相同,N為大于等于1且小于等于M的整數(shù)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸控傳感器,其特征在于,所述介電層與所述頂電極的接觸面為一平面,所述底電極的長(zhǎng)度大于所述頂電極的長(zhǎng)度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸控傳感器,其特征在于,所述頂電極與所述電極層平行,誤差小于10um。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸控傳感器,其特征在于,所述基板為硬質(zhì)材料,所述柔性層為柔性材料,所述介電層為絕緣材料,所述頂電極為金屬材料,所述底電極為金屬材料,所述電極層為透明導(dǎo)電材料。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的觸控傳感器,其特征在于,所述基板的材料為玻璃,所述柔性層的材料為聚酰亞胺,所述介電層的材料為氮化硅,所述頂電極的材料為鉬、鋁、銀、銅中的一種或多種,所述底電極的材料為鉬、鋁、銀、銅中的一種或多種。

8.一種觸控傳感器的制備方法,其特征在于,具體步驟為:

選擇一個(gè)潔凈的玻璃板作為基板;

在所述基板上采用濺射、光刻、刻蝕的圖案化工藝制作出底電極;

在所述底電極上采用PECVD沉積、光刻、干刻的圖案化工藝加工得到介電層;

在所述介電層上采用濺射、光刻、刻蝕的圖案化工藝制作出頂電極,得到下電容層;所述下電容層包括所述基板、所述底電極、所述介電層和所述頂電極;

在另一個(gè)潔凈的玻璃板上加工得到柔性層;

在所述柔性層上采用磁控濺射技術(shù)覆蓋一層金屬材料,形成電極層;

將所述柔性層從所述玻璃板上剝離,形成上電容層,所述上電容層包括所述柔性層和所述電極層;

將所述上電容層和所述下電容層進(jìn)行組裝,所述上電容層層與所述下電容層平行設(shè)置,且不接觸。

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