本申請(qǐng)要求于2016年4月8日提交的韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)no.10-2016-0043581和2016年6月24日提交的韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)no.10-2016-0079521的優(yōu)先權(quán)，所述兩個(gè)韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)的公開(kāi)內(nèi)容通過(guò)引用全部包含于此。

在這里描述的發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例涉及動(dòng)態(tài)電源管理，更具體地，涉及通過(guò)動(dòng)態(tài)地改變供電電壓來(lái)對(duì)存儲(chǔ)器裝置進(jìn)行電源管理。

背景技術(shù)：

電子移動(dòng)設(shè)備通常包括半導(dǎo)體集成電路，半導(dǎo)體集成電路越來(lái)越需要具有高集成度、高性能和低功耗?？梢砸愿鞣N方式實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體集成電路的低功耗，通常通過(guò)降低半導(dǎo)體集成電路的驅(qū)動(dòng)電壓來(lái)實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體集成電路的低功耗。

降低電子設(shè)備的功耗的另一種方法是通過(guò)使用動(dòng)態(tài)電壓頻率縮放(dvfs)技術(shù)。dvfs是根據(jù)集成電路的工作負(fù)荷通過(guò)改變半導(dǎo)體集成電路的工作速度和驅(qū)動(dòng)電壓來(lái)減小功耗的技術(shù)。半導(dǎo)體集成電路可以通過(guò)dvfs操作來(lái)改變邏輯電路和接口電路的驅(qū)動(dòng)電壓。

當(dāng)通過(guò)dvfs操作改變驅(qū)動(dòng)電壓時(shí)，邏輯電路和接口電路的操作特性會(huì)改變。另外，當(dāng)驅(qū)動(dòng)電壓改變時(shí)，驅(qū)動(dòng)電壓會(huì)保持不穩(wěn)定達(dá)至少微單位(例如微秒)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

在一個(gè)方面，本發(fā)明構(gòu)思涉及一種電子設(shè)備，所述電子設(shè)備包括電源管理裝置和存儲(chǔ)器裝置，存儲(chǔ)器裝置包括被配置為響應(yīng)于控制命令將第一電壓和第二電壓中的一者提供至內(nèi)部電路的電源開(kāi)關(guān)。電源管理裝置被配置為產(chǎn)生第一電壓、第二電壓和控制命令，并且將第一電壓、第二電壓和控制命令提供至存儲(chǔ)器裝置。電源開(kāi)關(guān)在第一電壓的電平變化時(shí)將第二電壓提供至內(nèi)部電路并且在第一電壓的電平變化完成之后將第一電壓提供至內(nèi)部電路。

在另一方面，本發(fā)明構(gòu)思涉及一種改變電子設(shè)備的供電電壓的方法，所述方法包括：將第一電壓提供至包括在電子設(shè)備中的存儲(chǔ)器裝置的內(nèi)部電路；通過(guò)包括在電子設(shè)備中的電源管理裝置改變第二電壓的電平，電源管理裝置產(chǎn)生第一電壓和第二電壓，存儲(chǔ)器裝置接收第一電壓和第二電壓；在第二電壓的電平改變完成之后，響應(yīng)于電源管理裝置的控制命令，將提供至內(nèi)部電路的電壓從第一電壓切換至第二電壓。

在另一方面，本發(fā)明構(gòu)思涉及一種用于改變存儲(chǔ)器裝置的內(nèi)部電壓的方法，所述方法包括：通過(guò)包括在主機(jī)中的電源管理裝置產(chǎn)生第一電壓和第二電壓；在包括在存儲(chǔ)器裝置中的模式寄存器中存儲(chǔ)從主機(jī)接收的命令；響應(yīng)于模式寄存器中的命令，將內(nèi)部電壓供應(yīng)至存儲(chǔ)器裝置中的內(nèi)部電路，內(nèi)部電壓是由包括在存儲(chǔ)器裝置中的電源開(kāi)關(guān)供應(yīng)的第一電壓和第二電壓中的一者；通過(guò)將內(nèi)部電路的電力降低第一持續(xù)時(shí)間來(lái)改變第一電壓和第二電壓中的所述一者，并在第一持續(xù)時(shí)間之后開(kāi)始的第二持續(xù)時(shí)間內(nèi)以第一電壓和第二電壓中的另一者供應(yīng)內(nèi)部電壓以使第一電壓和第二電壓中的所述一者穩(wěn)定。

附圖說(shuō)明

通過(guò)結(jié)合附圖對(duì)實(shí)施例的以下描述，本發(fā)明總體構(gòu)思的這些和/或其他方面和優(yōu)點(diǎn)將變得清楚且更容易理解，在附圖中：

圖1是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的包括存儲(chǔ)器裝置的電子系統(tǒng)的示意圖。

圖2是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的圖1的存儲(chǔ)器裝置的示意圖。

圖3是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的圖1的電子系統(tǒng)的操作的流程圖。

圖4是示出根據(jù)圖2的存儲(chǔ)器裝置的操作的內(nèi)部電壓的改變的時(shí)序圖。

圖5是圖2的電源開(kāi)關(guān)的實(shí)施例的示意圖。

圖6是圖2的模式寄存器的實(shí)施例的示意圖。

圖7是圖2的存儲(chǔ)器裝置接收控制信號(hào)以切換供電電壓的過(guò)程的時(shí)序圖。

圖8是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的包括存儲(chǔ)器裝置的電子系統(tǒng)的示意圖。

圖9是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的圖8的電子系統(tǒng)的操作的流程圖。

圖10是根據(jù)圖8的存儲(chǔ)器裝置的操作的內(nèi)部電壓的改變的時(shí)序圖。

圖11和圖12是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的存儲(chǔ)器模塊的示意圖。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)在將詳細(xì)參照本發(fā)明總體構(gòu)思的實(shí)施例，其示例在附圖中示出，其中，同樣的附圖標(biāo)記始終表示同樣的元件。下面描述實(shí)施例以通過(guò)參照附圖解釋本發(fā)明總體構(gòu)思。

圖1是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的包括存儲(chǔ)器裝置的電子系統(tǒng)的示意圖。參照?qǐng)D1，電子系統(tǒng)1可以包括主機(jī)10和存儲(chǔ)器裝置100。電子系統(tǒng)1可以是諸如家用電器、計(jì)算機(jī)、筆記本電腦、平板電腦、智能電話或可穿戴設(shè)備的各種電子設(shè)備中的一種。例如，電子系統(tǒng)1可以是包括主機(jī)10和存儲(chǔ)器裝置100的單一系統(tǒng)。在另一實(shí)施例中，主機(jī)10和存儲(chǔ)器裝置100可以被實(shí)施為單獨(dú)的裝置。

主機(jī)10可以包括電源管理裝置。主機(jī)10可以包括電源管理集成芯片(pmic)11和電源控制器12。pmic11和電源控制器12可以包括在電源管理裝置中。pmic11可以是電壓產(chǎn)生單元。pmic11向存儲(chǔ)器裝置100提供根據(jù)主機(jī)10的控制確定的電壓電平的固定電壓(vdd_fix)和可變電壓(vdd_var)。電源控制器12可以監(jiān)測(cè)存儲(chǔ)器裝置100的工作負(fù)荷。電源控制器12可以基于工作負(fù)荷來(lái)執(zhí)行動(dòng)態(tài)電壓頻率縮放(dvfs)操作。工作負(fù)荷可以是存儲(chǔ)器裝置100的操作帶寬。例如，電源控制器12可以監(jiān)測(cè)存儲(chǔ)器裝置100的操作帶寬，并且可以因此改變提供至存儲(chǔ)器裝置100的可變電壓(vdd_var)的電壓電平。在一個(gè)實(shí)施例中，隨著操作帶寬(例如，每單位時(shí)間的操作次數(shù))增加，存儲(chǔ)器裝置100消耗更多的電力，因此必須由pmic11通過(guò)增大供應(yīng)至存儲(chǔ)器裝置100的電壓來(lái)供應(yīng)更多的電力。

當(dāng)存儲(chǔ)器裝置100的操作帶寬低時(shí)，為了降低存儲(chǔ)器裝置100的功耗，主機(jī)10可以將改變?yōu)榈碗妷弘娖降目勺冸妷?vdd_var)提供至存儲(chǔ)器裝置100。相反，當(dāng)存儲(chǔ)器裝置100的操作帶寬高時(shí)，為了改善存儲(chǔ)器裝置100的操作性能，主機(jī)10可以將改變?yōu)楦唠妷弘娖降目勺冸妷?vdd_var)提供至存儲(chǔ)器裝置100。主機(jī)10可以將固定電壓(vdd_fix)提供至存儲(chǔ)器裝置100以在存儲(chǔ)器裝置100的操作期間保持恒定的電壓電平。

在各種實(shí)施例中，主機(jī)10是通用處理器、應(yīng)用處理器或電子設(shè)備。主機(jī)10還可以是包括一個(gè)或更多個(gè)處理器的計(jì)算設(shè)備(例如，個(gè)人計(jì)算機(jī))、外圍設(shè)備、數(shù)碼相機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理(pda)、便攜式媒體播放器(pmp)、智能電話、平板電腦或可穿戴設(shè)備，然而本發(fā)明構(gòu)思不限于此。

存儲(chǔ)器裝置100可以存儲(chǔ)從主機(jī)10提供的數(shù)據(jù)data或存儲(chǔ)要提供至主機(jī)10的數(shù)據(jù)data。存儲(chǔ)器裝置100可以從主機(jī)10接收命令和地址以執(zhí)行讀操作、寫(xiě)操作或刷新操作。存儲(chǔ)器裝置100可以是包括易失性存儲(chǔ)器或非易失性存儲(chǔ)器的任何存儲(chǔ)介質(zhì)。

當(dāng)存儲(chǔ)器裝置100包括易失性存儲(chǔ)器時(shí)，存儲(chǔ)器裝置100可以包括動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(dram)、靜態(tài)ram(sram)、晶閘管ram(thyristorram，tram)、零電容器ram(zerocapacitorram，z-ram)或雙晶體管ram(twintransistorram，ttram)。

當(dāng)存儲(chǔ)器裝置100包括非易失性存儲(chǔ)器時(shí)，存儲(chǔ)器裝置100可以是電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器(eeprom)、閃存存儲(chǔ)器、磁性ram(mram)、自旋轉(zhuǎn)移力矩(spin-transfertorque)mram、導(dǎo)電橋接ram(conductivebridgingram，cbram)、鐵電ram(feram)、相變r(jià)am(pram)、電阻ram(rram)、納米管rram、聚合物ram(poram)、納米管浮柵存儲(chǔ)器(nfgm)、全息存儲(chǔ)器(holographicmemory)、分子電子存儲(chǔ)器裝置或絕緣體電阻變化存儲(chǔ)器。一位(bit)或更多位可以存儲(chǔ)在非易失性存儲(chǔ)器的單位單元中。

在一些實(shí)施例中，存儲(chǔ)器裝置100可以包括無(wú)緩沖的雙列直插存儲(chǔ)器模塊(unbuffereddualin-linememorymodule，udimm)、負(fù)載減小dimm(loadreduceddimm，lrdimm)或非易失性dimm(nvdimm)。這些示例不限制發(fā)明構(gòu)思。

存儲(chǔ)器裝置100可以基于各種有線通信協(xié)議中的至少一種與主機(jī)10進(jìn)行通信，所述有線通信協(xié)議包括例如usb(通用串行總線)、scsi(小型計(jì)算機(jī)系統(tǒng)接口)、pcie、m-pcie(移動(dòng)pcie)、ata(高級(jí)技術(shù)附件)、并行-ata、串行ata、sas(串行連接scsi)、ide(電子集成驅(qū)動(dòng)器)、火線(firewire)、ufs(通用閃存存儲(chǔ))或tcp/ip(傳輸控制協(xié)議/因特網(wǎng)協(xié)議)。存儲(chǔ)器裝置100可以基于各種無(wú)線通信協(xié)議中的至少一種與主機(jī)10進(jìn)行通信，所述無(wú)線通信協(xié)議包括例如lte(長(zhǎng)期演進(jìn))、wimax、gsm(全球移動(dòng)通信系統(tǒng))、cdma(碼分多址)、hspa(高速分組接入)、藍(lán)牙、nfc(近場(chǎng)通信)、wifi或rfid(射頻識(shí)別)。包括有線協(xié)議和無(wú)線協(xié)議的組合的有線協(xié)議或無(wú)線協(xié)議的其他示例被認(rèn)為在發(fā)明構(gòu)思的范圍內(nèi)，因此不限于此。

存儲(chǔ)器裝置100可以包括內(nèi)部電路110、電源開(kāi)關(guān)140和模式寄存器150。電源開(kāi)關(guān)140可以從主機(jī)10接收固定電壓(vdd_fix)和可變電壓(vdd_var)，并根據(jù)存儲(chǔ)在模式寄存器150中的控制命令，將固定電壓(vdd_fix)和可變電壓(vdd_var)中的一者提供到內(nèi)部電路110。如上所述，可變電壓(vdd_var)的電壓電平根據(jù)工作負(fù)荷在主機(jī)10的控制下改變，固定電壓(vdd_fix)的電壓電平在存儲(chǔ)器裝置100的操作期間不改變。模式寄存器150從主機(jī)10接收并存儲(chǔ)控制電源開(kāi)關(guān)140的切換的控制命令。

電子系統(tǒng)1可以根據(jù)存儲(chǔ)器裝置100的工作負(fù)荷來(lái)改變可變電壓(vdd_var)的電壓電平。主機(jī)10控制電源開(kāi)關(guān)140以在可變電壓(vdd_var)的電壓電平改變時(shí)向存儲(chǔ)器裝置100供應(yīng)固定電壓(vdd_fix)。在可變供電電壓改變之后需要相對(duì)長(zhǎng)的一段時(shí)間來(lái)穩(wěn)定可變供電電壓。相反，電源開(kāi)關(guān)140在固定電壓(vdd_fix)和可變電壓(vdd_var)之間切換需要相對(duì)短的一段時(shí)間，在該段時(shí)間期間，存儲(chǔ)器裝置100停止其操作。

存儲(chǔ)器裝置100通過(guò)供應(yīng)固定電壓(vdd_fix)而連續(xù)地供應(yīng)穩(wěn)定的電壓，直到可變電壓(vdd_var)的變化的電壓電平穩(wěn)定為止。存儲(chǔ)器裝置100可以使改變電壓所需的時(shí)間最小化，并且可以在電壓改變期間向內(nèi)部電路110連續(xù)地供應(yīng)穩(wěn)定的電壓。將參照?qǐng)D3描述包括存儲(chǔ)器裝置100的電子系統(tǒng)1的詳細(xì)操作。為了描述的簡(jiǎn)潔，將描述單個(gè)存儲(chǔ)器裝置作為圖1的存儲(chǔ)器裝置100的示例。如上所述，發(fā)明構(gòu)思可以應(yīng)用于包括多個(gè)存儲(chǔ)器裝置的各種存儲(chǔ)裝置。

圖2是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的圖1的存儲(chǔ)器裝置的示意圖。參照?qǐng)D2，存儲(chǔ)器裝置100可以包括內(nèi)部電路110、核心電路120、接口電路130、電源開(kāi)關(guān)140和模式寄存器150。

內(nèi)部電路110可以包括時(shí)鐘緩沖器111、延遲鎖定環(huán)(dll)112、命令解碼器113和地址鎖存器114。內(nèi)部電路110可以由內(nèi)部電壓(vdd_int)來(lái)驅(qū)動(dòng)。內(nèi)部電壓(vdd_int)可以通過(guò)電壓改變操作由電源開(kāi)關(guān)140以固定電壓(vdd_fix)或可變電壓(vdd_var)提供。

時(shí)鐘緩沖器111可以從焊盤(pán)(ck_t，ck_c)接收時(shí)鐘信號(hào)以產(chǎn)生輸入時(shí)鐘信號(hào)clk_i。dll112可以被設(shè)計(jì)為對(duì)來(lái)自于在存儲(chǔ)器裝置100內(nèi)存在于輸入時(shí)鐘信號(hào)clk_i的傳輸路徑上的時(shí)鐘緩沖器111和數(shù)據(jù)輸出驅(qū)動(dòng)器132的延遲進(jìn)行補(bǔ)償。在補(bǔ)償之后，dll112可以將輸出時(shí)鐘信號(hào)clk_o輸出至數(shù)據(jù)輸出驅(qū)動(dòng)器132。

命令解碼器113通過(guò)命令焊盤(pán)cmd接收各種命令。命令解碼器113向諸如行解碼器123、列解碼器124或模式寄存器150的電路塊提供命令。

地址鎖存器114通過(guò)地址焊盤(pán)addr接收要被訪問(wèn)的存儲(chǔ)器單元的地址。當(dāng)在存儲(chǔ)器單元中存儲(chǔ)數(shù)據(jù)或者從存儲(chǔ)器單元讀出數(shù)據(jù)時(shí)，可以通過(guò)地址鎖存器114、列解碼器124和行解碼器123提供對(duì)存儲(chǔ)器單元進(jìn)行選擇的地址addr。

核心電路120可以包括存儲(chǔ)器單元陣列121、感測(cè)放大器122、行解碼器123和列解碼器124。核心電路120可以由核心電壓(vdd_core)驅(qū)動(dòng)。存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器單元陣列121中的數(shù)據(jù)的電壓電平對(duì)于制造工藝、電壓和溫度(“pvt”)敏感。因此，存儲(chǔ)器單元陣列121的正常操作需要大于某一值的vdd_core值。因此，由固定電壓(vdd_fix)對(duì)核心電壓(vdd_core)提供電壓。雖然未示出，但是可以直接以固定電壓(vdd_fix)來(lái)提供核心電壓(vdd_core)。在各種實(shí)施例中，核心電壓(vdd_core)可以通過(guò)電壓調(diào)節(jié)器或使用固定電壓(vdd_fix)的電壓發(fā)生器提供電壓。

存儲(chǔ)器單元陣列121可以通過(guò)感測(cè)放大器122將存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)提供至數(shù)據(jù)輸出驅(qū)動(dòng)器132。存儲(chǔ)器單元陣列121可以在確定的地址處存儲(chǔ)通過(guò)感測(cè)放大器122從數(shù)據(jù)輸入驅(qū)動(dòng)器131接收的數(shù)據(jù)。因此，列解碼器124和行解碼器123可以針對(duì)將要輸入到存儲(chǔ)器單元陣列121的數(shù)據(jù)和將要從存儲(chǔ)器單元陣列121輸出的數(shù)據(jù)提供存儲(chǔ)器單元的地址。除了核心電壓(vdd_core)之外，存儲(chǔ)器單元陣列121和感測(cè)放大器122還可以被各種電壓驅(qū)動(dòng)，諸如泵電壓vpp、柵電壓和字電壓?？梢酝ㄟ^(guò)各種電壓來(lái)驅(qū)動(dòng)列解碼器124和行解碼器123以產(chǎn)生具有上述電壓電平的信號(hào)。

接口電路130可以包括數(shù)據(jù)輸入驅(qū)動(dòng)器131和數(shù)據(jù)輸出驅(qū)動(dòng)器132。為了管理接口電路130的特性，可以由與內(nèi)部電路110的vdd_int和核心電路120的vdd_core分開(kāi)的接口電壓vddq來(lái)驅(qū)動(dòng)接口電路130。

數(shù)據(jù)輸入驅(qū)動(dòng)器131可以接收通過(guò)數(shù)據(jù)焊盤(pán)dq提供的數(shù)據(jù)以將接收的數(shù)據(jù)提供至感測(cè)放大器122。數(shù)據(jù)輸出驅(qū)動(dòng)器132可以通過(guò)數(shù)據(jù)焊盤(pán)dq輸出存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器單元陣列121中的數(shù)據(jù)。當(dāng)接收數(shù)據(jù)時(shí)，數(shù)據(jù)輸入驅(qū)動(dòng)器131可以通過(guò)數(shù)據(jù)選通焊盤(pán)(datastrobepad)dqs接收數(shù)據(jù)選通信號(hào)。當(dāng)輸出數(shù)據(jù)時(shí)，數(shù)據(jù)輸出驅(qū)動(dòng)器132可以通過(guò)數(shù)據(jù)選通焊盤(pán)dqs輸出數(shù)據(jù)選通信號(hào)。

由于減小的半導(dǎo)體制造幾何和增大的功率密度(通過(guò)在給定區(qū)域中集成更多的存儲(chǔ)器單元)，用于存儲(chǔ)器裝置100的電源電壓已經(jīng)隨著連續(xù)的存儲(chǔ)器世代而穩(wěn)定地減小。另外，存儲(chǔ)器裝置100必須通過(guò)用于減少功耗的dvfs操作來(lái)支持具有高電壓或低電壓的各種電壓電平的驅(qū)動(dòng)電壓。

存儲(chǔ)器裝置100可以包括在多個(gè)驅(qū)動(dòng)電壓之間執(zhí)行電壓切換的電源開(kāi)關(guān)140和存儲(chǔ)用于控制驅(qū)動(dòng)電壓的選擇的控制命令的模式寄存器150。

電源開(kāi)關(guān)140接收固定電壓(vdd_fix)和可變電壓(vdd_var)，并將(由控制信號(hào)ctrl選擇的)電壓作為內(nèi)部電壓(vdd_int)提供至內(nèi)部電路110。在圖5中示出了電源開(kāi)關(guān)140的示例實(shí)施例。模式寄存器150接收并存儲(chǔ)來(lái)自圖1的主機(jī)10的控制命令cmd，并將所存儲(chǔ)的控制命令作為控制信號(hào)ctrl提供至電源開(kāi)關(guān)140。在圖6中示出了模式寄存器150的示例構(gòu)成。

存儲(chǔ)器裝置100可以包括分別用于接收固定電壓(vdd_fix)和可變電壓(vdd_var)的焊盤(pán)。盡管未示出，但在另一實(shí)施例中，存儲(chǔ)器裝置100可以包括分別用于將固定電壓(vdd_fix)和可變電壓(vdd_var)直接提供到內(nèi)部電路110的多條電源線。

圖3是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的圖1的電子系統(tǒng)的操作的流程圖。將參照?qǐng)D1和圖2描述圖3。參照?qǐng)D3，即使在可變電壓(vdd_var)的電壓電平改變時(shí)，電子系統(tǒng)1也可以向包括在存儲(chǔ)器裝置100中的內(nèi)部電路110提供穩(wěn)定的電壓。

在操作s110，存儲(chǔ)器裝置100通過(guò)電源開(kāi)關(guān)140將可變電壓(vdd_var)提供到內(nèi)部電路110。如上所述，通過(guò)存儲(chǔ)在模式寄存器150中的控制命令來(lái)控制電源開(kāi)關(guān)140。模式寄存器150存儲(chǔ)從主機(jī)10接收的控制命令以將所存儲(chǔ)的控制命令提供到電源開(kāi)關(guān)140。可變電壓(vdd_var)在內(nèi)部電路110的操作期間保持穩(wěn)定的電壓電平。

在存儲(chǔ)器裝置100的操作期間，主機(jī)10對(duì)存儲(chǔ)器裝置100的工作負(fù)荷進(jìn)行監(jiān)測(cè)。當(dāng)工作負(fù)荷超過(guò)參考值時(shí)，主機(jī)10改變存儲(chǔ)器裝置100的供電電壓。在另一實(shí)施例中，當(dāng)工作負(fù)荷超過(guò)參考值的一個(gè)百分比時(shí)，主機(jī)10改變供電電壓。主機(jī)10可以根據(jù)工作負(fù)荷確定正在改變的目標(biāo)電壓電平。

在操作s120，電源開(kāi)關(guān)140響應(yīng)于從主機(jī)10提供的控制命令將提供到內(nèi)部電路110的電壓從可變電壓(vdd_var)切換到固定電壓(vdd_fix)。在一個(gè)示例實(shí)施例中，可以在存儲(chǔ)器裝置100的省電模式下執(zhí)行由電源開(kāi)關(guān)140切換供電電壓，因?yàn)榉駝t在存儲(chǔ)器裝置100的操作期間改變供電電壓會(huì)不利地影響操作特性(例如，時(shí)序)。在各種實(shí)施例中，由jedec(聯(lián)合電子裝置工程委員會(huì))的標(biāo)準(zhǔn)參考來(lái)定義省電模式。在省電模式期間，存儲(chǔ)器裝置100被取消選擇，不接收諸如讀命令、寫(xiě)命令或刷新命令的命令。

在一個(gè)實(shí)施例中，在存儲(chǔ)器裝置100進(jìn)入省電模式之前，主機(jī)10可以向存儲(chǔ)器裝置100提供控制命令。該控制命令可以包括指示電源開(kāi)關(guān)140在進(jìn)入省電模式之后向內(nèi)部電路110提供固定電壓(vdd_fix)的命令。模式寄存器150存儲(chǔ)該控制命令。隨后，所存儲(chǔ)的控制命令指示電源開(kāi)關(guān)140切換到省電模式，使得固定電壓(vdd_fix)被提供到內(nèi)部電路110。在切換操作完成之后，存儲(chǔ)器裝置100可以退出省電模式。

在操作s130，在主機(jī)10的控制下，將可變電壓(vdd_var)改變?yōu)槟繕?biāo)電壓。在主機(jī)10執(zhí)行操作s130時(shí)，存儲(chǔ)器裝置100可以在vdd_var電壓改變的時(shí)間中的至少一部分時(shí)間內(nèi)由固定電壓(vdd_fix)驅(qū)動(dòng)。在各種實(shí)施例中，存儲(chǔ)器裝置100處于省電模式，并且在可變電壓(vdd_var)被修改時(shí)，在省電模式的一部分時(shí)間內(nèi)，通過(guò)固定電壓(vdd_fix)將電力提供到內(nèi)部電路110，存儲(chǔ)器裝置100將不會(huì)執(zhí)行正常的讀操作、寫(xiě)操作和刷新操作。在另一實(shí)施例中，存儲(chǔ)器裝置100退出省電模式，并且通過(guò)固定電壓(vdd_fix)將電力提供到內(nèi)部電路110，存儲(chǔ)器裝置100可以執(zhí)行正常的讀操作、寫(xiě)操作和刷新操作。在操作s130期間，將可變電壓(vdd_var)改變?yōu)槟繕?biāo)電壓電平并且使其穩(wěn)定。

在操作s140，在從主機(jī)10提供的命令的控制下，電源開(kāi)關(guān)140將提供到內(nèi)部電路110的電壓從固定電壓(vdd_fix)切換到可變電壓(vdd_var)。電源開(kāi)關(guān)140的電壓切換操作與對(duì)于操作s120描述的相同。因此，省略其描述。隨后，內(nèi)部電路110通過(guò)具有改變后的電壓電平的可變電壓(vdd_var)而操作。

因此，在vdd_var改變?yōu)槟繕?biāo)值時(shí)，存儲(chǔ)裝置100通過(guò)在固定電壓(vdd_fix)下操作至少一部分時(shí)間而影響對(duì)提供到內(nèi)部電路110的可變電源電壓電平(vdd_var)的改變，而不損害存儲(chǔ)器的操作特性。

圖4是示出依據(jù)根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的圖2的存儲(chǔ)器裝置的內(nèi)部電壓的變化的時(shí)序圖。將參照?qǐng)D1和圖2描述圖4。在圖4中，假設(shè)存儲(chǔ)器裝置100將內(nèi)部電壓(vdd_int)從1.1v降低到0.9v。如上所述，在t0-t4的每個(gè)時(shí)間點(diǎn)，在省電模式中通過(guò)控制信號(hào)ctrl執(zhí)行切換操作，并在完成切換操作之后，存儲(chǔ)器裝置100可以退出省電模式以進(jìn)行正常操作。時(shí)間段ts是切換時(shí)間，時(shí)間段tt是可變電壓(vdd_var)變化所需的時(shí)間?？勺冸妷?vdd_var)中的電壓變化可以表示為vdd+var。

從時(shí)間t0至t1，響應(yīng)于從模式寄存器150提供的控制信號(hào)ctrl，電源開(kāi)關(guān)140將可變電壓(vdd_var)提供至內(nèi)部電壓(vdd_int)。因此，內(nèi)部電壓(vdd_int)被提供有1.1v，內(nèi)部電路110在1.1v下工作。

從時(shí)間t1至t2，響應(yīng)于控制信號(hào)ctrl，電源開(kāi)關(guān)140將固定電壓(vdd_fix)提供至內(nèi)部電壓(vdd_int)。因此，內(nèi)部電壓(vdd_int)被提供有1.2v，內(nèi)部電路110在1.2v下工作?？勺冸妷?vdd_var)被改變?yōu)?.0v的電壓電平，并且在時(shí)間段tt之后，vdd_var穩(wěn)定。

從時(shí)間t2至t3，響應(yīng)于控制信號(hào)ctrl，電源開(kāi)關(guān)140將穩(wěn)定的可變電壓(vdd_var)提供至內(nèi)部電壓(vdd_int)。因此，內(nèi)部電壓(vdd_int)被提供有1.0v，內(nèi)部電路110在1.0v下工作。

從時(shí)間t3至t4，響應(yīng)于控制信號(hào)ctrl，電源開(kāi)關(guān)140將固定電壓(vdd_fix)提供至內(nèi)部電壓(vdd_int)。與時(shí)間段t1至t2相似，內(nèi)部電壓(vdd_int)被提供有1.2v并且內(nèi)部電路110在1.2v下操作?？勺冸妷?vdd_var)被改變至0.9v的電壓電平，并且在時(shí)間段tt之后，vdd_var穩(wěn)定。

在時(shí)間t4之后，存儲(chǔ)器裝置100執(zhí)行與時(shí)間段t2至t3相同的操作。具體地，內(nèi)部電路110被提供有來(lái)自可變電壓(vdd_var)的0.9v的電壓電平以操作。因此，存儲(chǔ)器裝置100經(jīng)歷了對(duì)內(nèi)部電路110從1.1v到0.9v的電壓變化，而不會(huì)不利地影響存儲(chǔ)器工作特性(例如，時(shí)序)。

圖5是圖2的電源開(kāi)關(guān)的實(shí)施例的示意圖。參照?qǐng)D5，電源開(kāi)關(guān)140可以包括第一開(kāi)關(guān)141和第二開(kāi)關(guān)142?？刂菩盘?hào)ctrl可以包括第一控制信號(hào)ctrl1和第二控制信號(hào)ctrl2。

第一開(kāi)關(guān)141由第一控制信號(hào)ctrl1控制并且將可變電壓(vdd_var)提供至內(nèi)部電壓(vdd_int)。第二開(kāi)關(guān)142由第二控制信號(hào)ctrl2控制并且將固定電壓(vdd_fix)提供至內(nèi)部電壓(vdd_int)。

以不重疊的相位產(chǎn)生第一控制信號(hào)和第二控制信號(hào)(ctrl1，ctrl2)，使得第一開(kāi)關(guān)141和第二開(kāi)關(guān)142不同時(shí)導(dǎo)通。因?yàn)橥ㄟ^(guò)第一開(kāi)關(guān)141和第二開(kāi)關(guān)142傳輸?shù)碾妷弘娖奖舜瞬煌?，所以第一控制信?hào)和第二控制信號(hào)(ctrl1，ctrl2)可以作為各自不同的電壓電平被提供至第一開(kāi)關(guān)141和第二開(kāi)關(guān)142。

例如，第一開(kāi)關(guān)141和第二開(kāi)關(guān)142可以由諸如nmos晶體管、pmos晶體管或傳輸門(mén)的開(kāi)關(guān)電路來(lái)實(shí)施。電源開(kāi)關(guān)140可以由多路復(fù)用器實(shí)施。電源開(kāi)關(guān)140還可以包括用于向內(nèi)部電路110提供更穩(wěn)定的電壓的電壓調(diào)節(jié)器。然而，發(fā)明構(gòu)思的電源開(kāi)關(guān)140不限于此。

圖6是圖2中示出的模式寄存器的實(shí)施例的示意圖。將參照?qǐng)D2和圖5描述圖6。參照?qǐng)D6，模式寄存器150可以包括寄存器151、第一電平移位器152和第二電平移位器153?？刂菩盘?hào)ctrl可以包括第一控制信號(hào)和第二控制信號(hào)(ctrl1，ctrl2)。

寄存器151可以被提供有來(lái)自命令解碼器113的用于電壓變化的控制命令。雖然未示出，但是通過(guò)模式寄存器寫(xiě)入命令，寄存器151可以從圖2的數(shù)據(jù)輸入驅(qū)動(dòng)器131接收數(shù)據(jù)，以存儲(chǔ)用于電壓變化的控制命令。寄存器151基于存儲(chǔ)的控制命令產(chǎn)生用于控制電源開(kāi)關(guān)140的切換的第一信號(hào)和第二信號(hào)(sig1，sig2)。例如，當(dāng)電源開(kāi)關(guān)140包括如圖5所描繪的第一開(kāi)關(guān)141和第二開(kāi)關(guān)142時(shí)，產(chǎn)生的第一信號(hào)和第二信號(hào)(sig1，sig2)可以是具有相反邏輯電平的具有非重疊相位的信號(hào)。

第一電平移位器152接收第一信號(hào)sig1，并將接收的第一信號(hào)sig1改變?yōu)榭勺冸妷?vdd_var)的電壓電平，以將處于可變電壓(vdd_var)的電壓電平的ctrl1提供至圖5的第一開(kāi)關(guān)141。第二電平移位器153接收第二信號(hào)sig2，并將接收的第二信號(hào)sig2改變?yōu)楣潭妷?vdd_fix)的電壓電平，以將處于固定電壓(vdd_fix)的電壓電平的ctrl2提供至圖5的第二開(kāi)關(guān)142。第一信號(hào)和第二信號(hào)(sig1，sig2)的電壓電平被改變?yōu)榕c由第一開(kāi)關(guān)141和第二開(kāi)關(guān)142傳輸?shù)膶?duì)應(yīng)的可變電壓(vdd_var)和固定電壓(vdd_fix)匹配。具體地，在圖5的示例實(shí)施例中，第一開(kāi)關(guān)141和第二開(kāi)關(guān)142中的每個(gè)分別正常地傳輸可變電壓(vdd_var)和固定電壓(vdd_fix)。

在圖6的示例實(shí)施例中，模式寄存器150包括電平移位器。在另一示例實(shí)施例中，模式寄存器150包括電壓調(diào)節(jié)器或電壓發(fā)生器。當(dāng)寄存器151被配置為生成與可變電壓(vdd_var)和固定電壓(vdd_fix)相比具有足夠高或低的電壓電平的邏輯信號(hào)(ctrl1，ctrl2)時(shí)，模式寄存器150可以不包括以上描述的電平移位器、電壓調(diào)節(jié)器或電壓發(fā)生器。前述示例是說(shuō)明性的，模式寄存器150不限于此。雖然未示出，但是第一控制信號(hào)和第二控制信號(hào)(ctrl1，ctrl2)可以被控制以進(jìn)入省電模式，然后使圖5的相應(yīng)的第一開(kāi)關(guān)141和第二開(kāi)關(guān)142在一定時(shí)間段期間截止。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以容易理解的是，還可以增加用于此的邏輯電路。

圖7是圖2的存儲(chǔ)器裝置接收控制信號(hào)以切換供電電壓的過(guò)程的時(shí)序圖。將參照?qǐng)D1和圖2描述圖7。

在時(shí)間t0至t1，存儲(chǔ)器裝置100從主機(jī)10接收第一模式寄存器寫(xiě)入命令和第二模式寄存器寫(xiě)入命令(mrw1，mrw2)。響應(yīng)于第一模式寄存器寫(xiě)入命令和第二模式寄存器寫(xiě)入命令(mrw1，mrw2)，用于控制存儲(chǔ)器裝置100的電源開(kāi)關(guān)140的切換的控制命令被存儲(chǔ)在模式寄存器150中。在對(duì)應(yīng)的時(shí)間段中，電源開(kāi)關(guān)140響應(yīng)于基于之前存儲(chǔ)的模式寄存器150的控制命令而產(chǎn)生的第一控制信號(hào)和第二控制信號(hào)(ctrl1，ctrl2)而操作。具體地，電源開(kāi)關(guān)140將可變電壓(vdd_var)提供至內(nèi)部電路110。

在時(shí)間t1，存儲(chǔ)器裝置100從主機(jī)10接收省電進(jìn)入命令pde以進(jìn)入省電模式。如圖6描述的，在進(jìn)入省電模式之后，第一控制信號(hào)和第二控制信號(hào)(ctrl1，ctrl2)保持使圖5的第一開(kāi)關(guān)141和第二開(kāi)關(guān)142截止的邏輯電平一定的時(shí)間段。隨后，內(nèi)部電路110不被提供有供電電壓并進(jìn)入浮置狀態(tài)。主機(jī)10可以在時(shí)間t1開(kāi)始改變可變電壓(vdd_var)的電壓電平。

在時(shí)間t2，響應(yīng)于在時(shí)間t0接收然后存儲(chǔ)在模式寄存器150中的控制命令，存儲(chǔ)器裝置100的電源開(kāi)關(guān)140切換，使得固定電壓(vdd_fix)被提供至內(nèi)部電路110。從時(shí)間t1至t2，由于存儲(chǔ)器裝置100進(jìn)入省電模式，所以存儲(chǔ)器裝置100不與時(shí)鐘信號(hào)同步工作。

在時(shí)間t3，存儲(chǔ)器裝置100從主機(jī)10接收諸如讀、寫(xiě)或者刷新的有效命令valid以正常工作。隨后，主機(jī)10對(duì)可變電壓(vdd_var)的電壓電平的改變完成。從時(shí)間t3至t5，存儲(chǔ)器裝置100在固定電壓(vdd_fix)下工作。

從時(shí)間t4至t5，存儲(chǔ)器裝置100從主機(jī)10接收用于切換供電電壓的控制命令，然后進(jìn)入用于執(zhí)行電壓切換操作的省電模式。在時(shí)間t5之后，響應(yīng)于在時(shí)間t4接收并被存儲(chǔ)在模式寄存器150中的控制命令，存儲(chǔ)器裝置100的電源開(kāi)關(guān)140切換，使得可變電壓(vdd_var)被提供至內(nèi)部電路110。由于隨后的操作與時(shí)間t1至t3期間的操作相同，因此省略其描述。

圖8是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的包括存儲(chǔ)器裝置的電子系統(tǒng)的示意圖。參照?qǐng)D8，電子系統(tǒng)2可以包括主機(jī)20和存儲(chǔ)器裝置200。主機(jī)20可以包括與圖1的pmic11相似的電源管理集成芯片(pmic)21。

存儲(chǔ)器裝置200可以包括內(nèi)部電路210、電源開(kāi)關(guān)240以及模式寄存器250。內(nèi)部電路210通過(guò)經(jīng)由電源開(kāi)關(guān)240在第一可變電壓和第二可變電壓(vdd_var1，vdd_var2)之間選擇而被供應(yīng)以電力。另外，存儲(chǔ)器裝置200具有與圖1的存儲(chǔ)器裝置100相似的操作和組件，因此，為簡(jiǎn)潔而省略對(duì)相似元件的描述。雖然未示出，但是存儲(chǔ)器裝置200可以包括分別用于接收固定電壓(vdd_fix)以及第一可變電壓和第二可變電壓(vdd_var1，vdd_var2)的焊盤(pán)。

在內(nèi)部電路210由第一可變電壓(vdd_var1)驅(qū)動(dòng)時(shí)，電子系統(tǒng)2可以改變第二可變電壓(vdd_var2)的電壓電平。如上所述，可以將第二可變電壓(vdd_var2)改變?yōu)楦鶕?jù)存儲(chǔ)器裝置200的工作負(fù)荷確定的電壓電平。在完成第二可變電壓(vdd_var2)的電壓改變之后，電子系統(tǒng)2控制存儲(chǔ)器裝置200以將第二可變電壓(vdd_var2)提供到內(nèi)部電路210。與圖1的電子系統(tǒng)1相比，在第二可變電壓(vdd_var2)的電壓電平變化時(shí)，電子系統(tǒng)2可以省略切換到固定電壓(vdd_fix)的過(guò)程。因此，電子系統(tǒng)2可以消除在可變電壓改變?yōu)樘峁┲链鎯?chǔ)器裝置200的內(nèi)部電路210的目標(biāo)電壓時(shí)切換到vdd_fix電壓的浪費(fèi)的步驟。

圖9是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的圖8的電子系統(tǒng)的操作的流程圖。將參照?qǐng)D8描述圖9。參照?qǐng)D9，電子系統(tǒng)2可以通過(guò)一次切換操作將具有改變的電壓的第二可變電壓(vdd_var2)提供至內(nèi)部電路210。

在操作s210，存儲(chǔ)器裝置200通過(guò)電源開(kāi)關(guān)240將第一可變電壓(vdd_var1)提供至內(nèi)部電路210。此操作與圖3的操作s110相似，因此省略其描述。

在操作s220，在主機(jī)20的控制下，將第二可變電壓(vdd_var2)改變?yōu)槟繕?biāo)電壓。在內(nèi)部電路210工作期間，第一可變電壓(vdd_var1)保持穩(wěn)定的電壓電平。主機(jī)20監(jiān)測(cè)存儲(chǔ)器裝置200的工作負(fù)荷，從而執(zhí)行存儲(chǔ)器裝置200的供電電壓的改變操作。在主機(jī)20執(zhí)行操作s220時(shí)，存儲(chǔ)器裝置200由第一可變電壓(vdd_var1)驅(qū)動(dòng)，并且可以執(zhí)行正常的讀操作、寫(xiě)操作和刷新操作。通過(guò)操作s220，將第二可變電壓(vdd_var2)改變?yōu)槟繕?biāo)電壓電平并使其穩(wěn)定。

在操作s230，通過(guò)從主機(jī)20提供的控制命令，電源開(kāi)關(guān)240將提供至內(nèi)部電路210的電壓從第一可變電壓(vdd_var1)切換到第二可變電壓(vdd_var2)。由于在圖3的操作s120中描述了電源開(kāi)關(guān)240的電壓切換操作，因此省略其描述。如上所述，與圖7中的圖示類(lèi)似，在存儲(chǔ)器裝置200的省電模式期間執(zhí)行電源開(kāi)關(guān)240的供電電壓的切換。

圖10是根據(jù)圖8的存儲(chǔ)器裝置的操作的內(nèi)部電壓變化的時(shí)序圖。將參照?qǐng)D4和圖8描述圖10。在圖8中，與圖4相似，假設(shè)存儲(chǔ)器裝置200將內(nèi)部電壓(vdd_int)從1.1v降低到0.9v。這里，時(shí)間段ts和時(shí)間段tt的定義與圖4中描述的相同。

從時(shí)間t0至t1，響應(yīng)于從模式寄存器250提供的控制信號(hào)ctrl，電源開(kāi)關(guān)240將第一可變電壓(vdd_var1)提供至內(nèi)部電壓(vdd_int)。內(nèi)部電壓(vdd_int)被提供有1.1v，并且內(nèi)部電路210在1.1v下工作。第二可變電壓(vdd_var2)的電壓電平從1.2v變化為1.0v，并且在時(shí)間段tt之后穩(wěn)定。

從時(shí)間t1至t2，響應(yīng)于控制信號(hào)ctrl，電源開(kāi)關(guān)240將第二可變電壓(vdd_var2)提供至內(nèi)部電壓(vdd_int)。因此，內(nèi)部電壓(vdd_int)被提供有1.0v，并且內(nèi)部電路210在1.0v下操作。第一可變電壓(vdd_var1)從1.1v的電壓電平變化為0.9v的電壓電平，并且在時(shí)間段tt之后穩(wěn)定。

從時(shí)間t2至t3，響應(yīng)于控制信號(hào)ctrl，電源開(kāi)關(guān)240將穩(wěn)定的第一可變電壓(vdd_var1)提供至內(nèi)部電壓(vdd_int)。因此，內(nèi)部電路210被提供有第一可變電壓(vdd_var1)以在0.9v下操作。

在時(shí)間t3之后，存儲(chǔ)器裝置200執(zhí)行與在時(shí)間段t1至t3期間的操作相同的操作。因此，存儲(chǔ)器裝置200將從1.1v變化至0.9v的電壓提供至內(nèi)部電路210。與圖4相比，存儲(chǔ)器裝置200可以省略在需要使變化的可變電壓穩(wěn)定的時(shí)間中的一部分時(shí)間期間切換至固定電壓(vdd_fix)的過(guò)程。

圖11和圖12是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的存儲(chǔ)器模塊的示意圖。圖11和圖12中示出的存儲(chǔ)器模塊1000和2000具有雙列直插存儲(chǔ)器模塊(dimm)的結(jié)構(gòu)。存儲(chǔ)器模塊1000和2000可以分別包括存儲(chǔ)器裝置100和200，其中，存儲(chǔ)器裝置100和200包括分別關(guān)于圖1至圖10描述的電源開(kāi)關(guān)140和240。在圖11中，存儲(chǔ)器裝置100被分別示出為第一存儲(chǔ)器裝置1100和第二存儲(chǔ)器裝置1200。在圖12中，存儲(chǔ)器裝置200被分別示出為第一存儲(chǔ)器裝置2100和第二存儲(chǔ)器裝置2200。

參照?qǐng)D11，示出了具有寄存dimm(registereddimm，rdimm)形式的a型存儲(chǔ)器模塊1000。a型存儲(chǔ)器模塊1000可以包括第一存儲(chǔ)器裝置1100、第二存儲(chǔ)器裝置1200、命令/地址(ca)寄存器1300和傳輸路徑1400。第一存儲(chǔ)器裝置1100和第二存儲(chǔ)器裝置1200連接到命令/地址(ca)寄存器1300。命令/地址(ca)寄存器1300操作為從主機(jī)傳輸?shù)降谝淮鎯?chǔ)器裝置1100和第二存儲(chǔ)器裝置1200的地址或命令的緩沖器，以減少主機(jī)的輸出單元的負(fù)荷。

當(dāng)主機(jī)在rdimm結(jié)構(gòu)中訪問(wèn)第一存儲(chǔ)器裝置1100和第二存儲(chǔ)器裝置1200時(shí)，主機(jī)通過(guò)單獨(dú)的傳輸路徑(dq_g)直接與第一存儲(chǔ)器裝置1100和第二存儲(chǔ)器裝置1200中的每個(gè)交換數(shù)據(jù)?？蛇x擇地，主機(jī)通過(guò)ca寄存器1300將地址或命令分別提供至第一存儲(chǔ)器裝置1100和第二存儲(chǔ)器裝置1200。

第一存儲(chǔ)器裝置1100和第二存儲(chǔ)器裝置1200中的每個(gè)可以分別包括電源開(kāi)關(guān)1140和1240。電源開(kāi)關(guān)1140和1240由通過(guò)傳輸路徑1400從ca寄存器1300接收的控制命令控制。ca寄存器1300可以包括寄存器1350。寄存器1350可以是分別在圖1和圖8中示出的模式寄存器150和250。寄存器1350存儲(chǔ)從主機(jī)提供的關(guān)于電源開(kāi)關(guān)1140和1240的控制命令，并將所存儲(chǔ)的控制命令提供至電源開(kāi)關(guān)1140和1240。在圖1至圖10中描述了其操作，因此省略其描述。由于主機(jī)可以通過(guò)一個(gè)控制命令來(lái)處理關(guān)于第一存儲(chǔ)器裝置1100和第二存儲(chǔ)器裝置1200的電源供電電壓的控制，因此便于管理第一存儲(chǔ)器裝置1100和第二存儲(chǔ)器裝置1200的電壓改變操作。

參照?qǐng)D12，示出了具有負(fù)載減小dimm(lrdimm)形式的b型存儲(chǔ)器模塊2000。b型存儲(chǔ)器模塊2000可以包括第一存儲(chǔ)器裝置2100、第二存儲(chǔ)器裝置2200、存儲(chǔ)器緩沖器2300和傳輸路徑2400。第一存儲(chǔ)器裝置2100和第二存儲(chǔ)器裝置2200通過(guò)傳輸路徑2400連接到存儲(chǔ)器緩沖器2300。存儲(chǔ)器緩沖器2300執(zhí)行減小主機(jī)的輸出單元的負(fù)荷的功能。

當(dāng)主機(jī)訪問(wèn)lrdimm結(jié)構(gòu)中的第一存儲(chǔ)器裝置2100和第二存儲(chǔ)器裝置2200時(shí)，主機(jī)通過(guò)存儲(chǔ)器緩沖器2300和傳輸路徑2400與第一存儲(chǔ)器裝置2100和第二存儲(chǔ)器裝置2200間接地交換數(shù)據(jù)、命令和地址。

第一存儲(chǔ)器裝置2100和第二存儲(chǔ)器裝置2200中的每個(gè)可以分別包括電源開(kāi)關(guān)2140和2240。電源開(kāi)關(guān)2140和2240由通過(guò)傳輸路徑2400從存儲(chǔ)器緩沖器2300接收的控制命令控制。存儲(chǔ)器緩沖器2300可以包括寄存器2350。寄存器2350可以是分別在圖1和圖8中示出的模式寄存器150和250。寄存器2350的操作與圖11中描述的模式寄存器1350的操作相同，因此省略其描述。在b型存儲(chǔ)器模塊2000中，便于以與圖11的a型存儲(chǔ)器模塊1000相似的方式由主機(jī)管理對(duì)第一存儲(chǔ)器裝置2100和第二存儲(chǔ)器裝置2200的電壓改變操作。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的改變供電電壓的電子設(shè)備可以包括用于切換到穩(wěn)定的供電電壓的電源開(kāi)關(guān)和存儲(chǔ)控制命令的模式寄存器。根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的電子設(shè)備和改變供電電壓的方法即使在供電電壓的電壓電平改變時(shí)也總可以供應(yīng)穩(wěn)定的電壓。

雖然已經(jīng)示出并描述了本發(fā)明總體構(gòu)思的一些實(shí)施例，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解的是，在不脫離總體發(fā)明構(gòu)思的原理和精神的情況下，可以在這些實(shí)施例中做出改變，總體發(fā)明構(gòu)思的范圍在權(quán)利要求及其等同物中限定。