本發(fā)明涉及存儲技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種nand閃存的映射表管理方法及其系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

nand閃存由于其體積小、質(zhì)量輕、抗震性強(qiáng)、噪聲小、耐高溫和低功耗等優(yōu)點，已經(jīng)廣泛地應(yīng)用在常見的電子產(chǎn)品中。nand閃存中的ftl(flashtranslationlayer，閃存轉(zhuǎn)換層)是一種與操作系統(tǒng)間對話的介質(zhì)，由于存在ftl，因此操作系統(tǒng)可將閃存等產(chǎn)品作為一個磁盤驅(qū)動器，在閃存等產(chǎn)品上建立多個虛擬的數(shù)據(jù)塊或者扇區(qū)用以存儲及管理數(shù)據(jù)。

目前，由于傳統(tǒng)的單層或者雙層映射表太大，而電子產(chǎn)品的單芯片的內(nèi)存大小有限，所以有必要減小映射表在單芯片的內(nèi)存中所占的空間。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是：提供一種nand閃存的映射表管理方法及其系統(tǒng)，可以減少占用電子產(chǎn)品的單芯片的內(nèi)存空間。

為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的技術(shù)方案為：

一種nand閃存的映射表管理方法，包括：

當(dāng)將數(shù)據(jù)寫入nand閃存時，建立至少一個的一級映射表、二級映射表和三級映射表，所述一級映射表對應(yīng)至少一個的所述二級映射表的存放位置，所述二級映射表對應(yīng)至少一個的所述三級映射表的存放位置，所述三級映射表對應(yīng)所述數(shù)據(jù)在nand閃存上的實際位置；

判斷所述一級映射表、二級映射表和三級映射表的個數(shù)是否超過預(yù)設(shè)個數(shù)；

若是，則將預(yù)設(shè)個數(shù)的一級映射表、二級映射表和三級映射表存放至單芯片的內(nèi)存中，將未存放在單芯片的內(nèi)存中的一級映射表、二級映射表和三級映射表存放至nand閃存中。

本發(fā)明采用的另一技術(shù)方案為：

一種nand閃存的映射表管理系統(tǒng)，包括：

建立模塊，用于當(dāng)將數(shù)據(jù)寫入nand閃存時，建立至少一個的一級映射表、二級映射表和三級映射表，所述一級映射表對應(yīng)至少一個的所述二級映射表的存放位置，所述二級映射表對應(yīng)至少一個的所述三級映射表的存放位置，所述三級映射表對應(yīng)所述數(shù)據(jù)在nand閃存上的實際位置；

判斷模塊，用于判斷所述一級映射表、二級映射表和三級映射表的個數(shù)是否超過預(yù)設(shè)個數(shù)；

存放模塊，用于若是，則將預(yù)設(shè)個數(shù)的一級映射表、二級映射表和三級映射表存放至單芯片的內(nèi)存中，將未存放在單芯片的內(nèi)存中的一級映射表、二級映射表和三級映射表存放至nand閃存中。

本發(fā)明的有益效果在于：當(dāng)將數(shù)據(jù)寫入nand閃存時，建立具有三級映射關(guān)系的映射表，并且只將一定個數(shù)的一級映射表、二級映射表和三級映射表存放在單芯片的內(nèi)存中，其余的則存放在nand閃存中，可以減少映射表在單芯片的內(nèi)存中的占用空間，降低單芯片的制作成本，并且本發(fā)明采用三級映射的方式，可以提高查詢效率。

附圖說明

圖1為本發(fā)明的nand閃存的映射表管理方法的流程圖；

圖2為本發(fā)明的nand閃存的映射表管理系統(tǒng)的示意圖。

標(biāo)號說明：

1、建立模塊；2、判斷模塊；3、存放模塊。

具體實施方式

為詳細(xì)說明本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容、所實現(xiàn)目的及效果，以下結(jié)合實施方式并配合附圖予以說明。

本發(fā)明最關(guān)鍵的構(gòu)思在于：只將一定個數(shù)的一級映射表、二級映射表和三級映射表存放在單芯片的內(nèi)存中，其余的則存放在nand閃存中，可以減少映射表在單芯片的內(nèi)存中的占用空間，降低單芯片的制作成本。

請參照圖1，一種nand閃存的映射表管理方法，包括：

當(dāng)將數(shù)據(jù)寫入nand閃存時，建立至少一個的一級映射表、二級映射表和三級映射表，所述一級映射表對應(yīng)至少一個的所述二級映射表的存放位置，所述二級映射表對應(yīng)至少一個的所述三級映射表的存放位置，所述三級映射表對應(yīng)所述數(shù)據(jù)在nand閃存上的實際位置；

判斷所述一級映射表、二級映射表和三級映射表的個數(shù)是否超過預(yù)設(shè)個數(shù)；

若是，則將預(yù)設(shè)個數(shù)的一級映射表、二級映射表和三級映射表存放至單芯片的內(nèi)存中，將未存放在單芯片的內(nèi)存中的一級映射表、二級映射表和三級映射表存放至nand閃存中。

從上述描述可知，本發(fā)明的有益效果在于：當(dāng)將數(shù)據(jù)寫入nand閃存時，建立具有三級映射關(guān)系的映射表，并且只將一定個數(shù)的一級映射表、二級映射表和三級映射表存放在單芯片的內(nèi)存中，其余的則存放在nand閃存中，可以減少映射表在單芯片的內(nèi)存中的占用空間，降低單芯片的制作成本，并且本發(fā)明采用三級映射的方式，可以提高查詢效率。存放在單芯片的內(nèi)存中的映射表的數(shù)目可以根據(jù)內(nèi)存大小進(jìn)行設(shè)置，例如可以存放兩個一級映射表，兩個二級映射表和十六個三級映射表。

進(jìn)一步的，當(dāng)需要建立新的三級映射表，并且單芯片的內(nèi)存中的三級映射表的個數(shù)達(dá)到預(yù)設(shè)個數(shù)時，將訪問次數(shù)最少的三級映射表存放至nand閃存中，并同步更新對應(yīng)的二級映射表。

由上述描述可知，可以根據(jù)需要將訪問次數(shù)最少的，即將最不常用的三級映射表存放至nand閃存中，對存放在單芯片的內(nèi)存中的映射表進(jìn)行實時調(diào)整，可以提高查詢效率。

進(jìn)一步的，當(dāng)需要建立新的二級映射表，并且單芯片的內(nèi)存中的二級映射表的個數(shù)達(dá)到預(yù)設(shè)個數(shù)時，將訪問次數(shù)最少的二級映射表存放至nand閃存中，并同步更新對應(yīng)的一級映射表。

由上述描述可知，可以將使用較少的二級映射表存至nand閃存中，對二級映射表進(jìn)行實時調(diào)整。

進(jìn)一步的，當(dāng)存放于nand閃存上的一三級映射表的訪問次數(shù)超過預(yù)設(shè)次數(shù)時，將單芯片的內(nèi)存中訪問次數(shù)最少的三級映射表存放至nand閃存中，并將所述一三級映射表存放至單芯片的內(nèi)存中，同步更新對應(yīng)的二級映射表。

進(jìn)一步的，當(dāng)存放于nand閃存上的一二級映射表的訪問次數(shù)超過預(yù)設(shè)次數(shù)時，將單芯片的內(nèi)存中訪問次數(shù)最少的二級映射表存放至nand閃存中，并將所述一二級映射表存放至單芯片的內(nèi)存中，同步更新對應(yīng)的一級映射表。

進(jìn)一步的，當(dāng)存放于nand閃存上的一一級映射表的訪問次數(shù)超過預(yù)設(shè)次數(shù)時，將單芯片的內(nèi)存中訪問次數(shù)最少的一級映射表存放至nand閃存中，并將所述一一級映射表存放至單芯片的內(nèi)存中。

由上述描述可知，當(dāng)nand閃存上的映射表訪問次數(shù)較多時，將其與單芯片的內(nèi)存中訪問次數(shù)最少的映射表互換存放位置，可以更加有效地管理相關(guān)數(shù)據(jù)。

請參照圖2，本發(fā)明的另一技術(shù)方案為：

一種nand閃存的映射表管理系統(tǒng)，包括：

建立模塊，用于當(dāng)將數(shù)據(jù)寫入nand閃存時，建立至少一個的一級映射表、二級映射表和三級映射表，所述一級映射表對應(yīng)至少一個的所述二級映射表的存放位置，所述二級映射表對應(yīng)至少一個的所述三級映射表的存放位置，所述三級映射表對應(yīng)所述數(shù)據(jù)在nand閃存上的實際位置；

判斷模塊，用于判斷所述一級映射表、二級映射表和三級映射表的個數(shù)是否超過預(yù)設(shè)個數(shù)；

存放模塊，用于若是，則將預(yù)設(shè)個數(shù)的一級映射表、二級映射表和三級映射表存放至單芯片的內(nèi)存中，將未存放在單芯片的內(nèi)存中的一級映射表、二級映射表和三級映射表存放至nand閃存中。

進(jìn)一步的，還包括第一更新模塊，用于當(dāng)需要建立新的三級映射表，并且單芯片的內(nèi)存中的三級映射表的個數(shù)達(dá)到預(yù)設(shè)個數(shù)時，將訪問次數(shù)最少的三級映射表存放至nand閃存中，并同步更新對應(yīng)的二級映射表。

進(jìn)一步的，還包括第二更新模塊，用于當(dāng)需要建立新的二級映射表，并且單芯片的內(nèi)存中的二級映射表的個數(shù)達(dá)到預(yù)設(shè)個數(shù)時，將訪問次數(shù)最少的二級映射表存放至nand閃存中，并同步更新對應(yīng)的一級映射表。

進(jìn)一步的，還包括第三更新模塊，用于當(dāng)存放于nand閃存上的一三級映射表的訪問次數(shù)超過預(yù)設(shè)次數(shù)時，將單芯片的內(nèi)存中訪問次數(shù)最少的三級映射表存放至nand閃存中，并將所述一三級映射表存放至單芯片的內(nèi)存中，同步更新對應(yīng)的二級映射表。

進(jìn)一步，還包括第四更新模塊，用于當(dāng)存放于nand閃存上的一二級映射表的訪問次數(shù)超過預(yù)設(shè)次數(shù)時，將單芯片的內(nèi)存中訪問次數(shù)最少的二級映射表存放至nand閃存中，并將所述一二級映射表存放至單芯片的內(nèi)存中，同步更新對應(yīng)的一級映射表。

進(jìn)一步的，還包括第五更新模塊，用于當(dāng)存放于nand閃存上的一一級映射表的訪問次數(shù)超過預(yù)設(shè)次數(shù)時，將單芯片的內(nèi)存中訪問次數(shù)最少的一級映射表存放至nand閃存中，并將所述一一級映射表存放至單芯片的內(nèi)存中。

實施例一

請參照圖1，本發(fā)明的實施例一為：

一種nand閃存的映射表管理方法，可以減少占用電子產(chǎn)品的單芯片的內(nèi)存空間，包括：

s1、當(dāng)將數(shù)據(jù)寫入nand閃存時，建立至少一個的一級映射表、二級映射表和三級映射表，所述一級映射表對應(yīng)至少一個的所述二級映射表的存放位置，所述二級映射表對應(yīng)至少一個的所述三級映射表的存放位置，所述三級映射表對應(yīng)所述數(shù)據(jù)在nand閃存上的實際位置。本實施例中，一個一級映射表對應(yīng)的二級映射表的存放位置的數(shù)量可以根據(jù)需要進(jìn)行設(shè)置，一個二級映射表對應(yīng)的三級映射表的存放位置的數(shù)量也可以根據(jù)需要進(jìn)行設(shè)置，一個三級映射表對應(yīng)的實際位置也可以根據(jù)需要進(jìn)行設(shè)置，一個存放位置的大小可以是2字節(jié)、4字節(jié)或者8字節(jié)。在建立映射表時，可以根據(jù)數(shù)據(jù)大小來建立相應(yīng)大小的映射表，當(dāng)存入新的數(shù)據(jù)時，根據(jù)需要增加映射表的數(shù)量。

s2、判斷所述一級映射表、二級映射表和三級映射表的個數(shù)是否超過預(yù)設(shè)個數(shù)；若是，則進(jìn)行步驟s3，若否，則將一級映射表、二級映射表和三級映射表全部存放至單芯片的內(nèi)存中。在單芯片的內(nèi)存中存放的一級映射表、二級映射表和三級映射表的個數(shù)可以根據(jù)單芯片的內(nèi)存大小來定，各級映射表的預(yù)設(shè)個數(shù)可以相同，也可以不同。例如，可以存放兩個一級映射表，兩個二級映射表和16個三級映射表，若每一個映射表的大小均為4096bytes，那么存放在單芯片的內(nèi)存中的映射表的總大小為80kbytes，占用的單芯片的內(nèi)存空間很小。

s3、將預(yù)設(shè)個數(shù)的一級映射表、二級映射表和三級映射表存放至單芯片的內(nèi)存中，將未存放在單芯片的內(nèi)存中的一級映射表、二級映射表和三級映射表存放至nand閃存中。本實施例中，可以將映射表存放至nand閃存的slc塊中。

本實施例中，當(dāng)需要建立新的三級映射表，并且單芯片的內(nèi)存中的三級映射表的個數(shù)達(dá)到預(yù)設(shè)個數(shù)時，將訪問次數(shù)最少的三級映射表存放至nand閃存中，并同步更新對應(yīng)的二級映射表。當(dāng)需要建立新的二級映射表，并且單芯片的內(nèi)存中的二級映射表的個數(shù)達(dá)到預(yù)設(shè)個數(shù)時，將訪問次數(shù)最少的二級映射表存放至nand閃存中，并同步更新對應(yīng)的一級映射表。

本實施例中，當(dāng)存放于nand閃存上的一三級映射表的訪問次數(shù)超過預(yù)設(shè)次數(shù)時，將單芯片的內(nèi)存中訪問次數(shù)最少的三級映射表存放至nand閃存中，并將所述一三級映射表存放至單芯片的內(nèi)存中，同步更新對應(yīng)的二級映射表。當(dāng)存放于nand閃存上的一二級映射表的訪問次數(shù)超過預(yù)設(shè)次數(shù)時，將單芯片的內(nèi)存中訪問次數(shù)最少的二級映射表存放至nand閃存中，并將所述一二級映射表存放至單芯片的內(nèi)存中，同步更新對應(yīng)的一級映射表。當(dāng)存放于nand閃存上的一一級映射表的訪問次數(shù)超過預(yù)設(shè)次數(shù)時，將單芯片的內(nèi)存中訪問次數(shù)最少的一級映射表存放至nand閃存中，并將所述一一級映射表存放至單芯片的內(nèi)存中。預(yù)設(shè)次數(shù)可以根據(jù)需要進(jìn)行設(shè)置，對于不同級的映射表，預(yù)設(shè)次數(shù)可以設(shè)置為相同，也可以設(shè)置為不同。

實施例二

請參照圖2，本發(fā)明的實施例二為：一種nand閃存的映射表管理系統(tǒng)，與實施例一的方法相對應(yīng)，包括：

建立模塊1，用于當(dāng)將數(shù)據(jù)寫入nand閃存時，建立至少一個的一級映射表、二級映射表和三級映射表，所述一級映射表對應(yīng)至少一個的所述二級映射表的存放位置，所述二級映射表對應(yīng)至少一個的所述三級映射表的存放位置，所述三級映射表對應(yīng)所述數(shù)據(jù)在nand閃存上的實際位置；

判斷模塊2，用于判斷所述一級映射表、二級映射表和三級映射表的個數(shù)是否超過預(yù)設(shè)個數(shù)；

存放模塊3，用于若是，則將預(yù)設(shè)個數(shù)的一級映射表、二級映射表和三級映射表存放至單芯片的內(nèi)存中，將未存放在單芯片的內(nèi)存中的一級映射表、二級映射表和三級映射表存放至nand閃存中。

進(jìn)一步的，還包括第一更新模塊，用于當(dāng)需要建立新的三級映射表，并且單芯片的內(nèi)存中的三級映射表的個數(shù)達(dá)到預(yù)設(shè)個數(shù)時，將訪問次數(shù)最少的三級映射表存放至nand閃存中，并同步更新對應(yīng)的二級映射表。

進(jìn)一步的，還包括第二更新模塊，用于當(dāng)需要建立新的二級映射表，并且單芯片的內(nèi)存中的二級映射表的個數(shù)達(dá)到預(yù)設(shè)個數(shù)時，將訪問次數(shù)最少的二級映射表存放至nand閃存中，并同步更新對應(yīng)的一級映射表。

進(jìn)一步的，還包括第三更新模塊，用于當(dāng)存放于nand閃存上的一三級映射表的訪問次數(shù)超過預(yù)設(shè)次數(shù)時，將單芯片的內(nèi)存中訪問次數(shù)最少的三級映射表存放至nand閃存中，并將所述一三級映射表存放至單芯片的內(nèi)存中，同步更新對應(yīng)的二級映射表。

進(jìn)一步，還包括第四更新模塊，用于當(dāng)存放于nand閃存上的一二級映射表的訪問次數(shù)超過預(yù)設(shè)次數(shù)時，將單芯片的內(nèi)存中訪問次數(shù)最少的二級映射表存放至nand閃存中，并將所述一二級映射表存放至單芯片的內(nèi)存中，同步更新對應(yīng)的一級映射表。

進(jìn)一步的，還包括第五更新模塊，用于當(dāng)存放于nand閃存上的一一級映射表的訪問次數(shù)超過預(yù)設(shè)次數(shù)時，將單芯片的內(nèi)存中訪問次數(shù)最少的一級映射表存放至nand閃存中，并將所述一一級映射表存放至單芯片的內(nèi)存中。

綜上所述，本發(fā)明提供的一種nand閃存的映射表管理方法及其系統(tǒng)，只將一定個數(shù)的一級映射表、二級映射表和三級映射表存放在單芯片的內(nèi)存中，其余的則存放在nand閃存中，可以減少映射表在單芯片的內(nèi)存中的占用空間，降低單芯片的制作成本，并且實時對單芯片的內(nèi)存中的映射表進(jìn)行調(diào)整，可以有效地對相關(guān)數(shù)據(jù)進(jìn)行管理。

以上所述僅為本發(fā)明的實施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等同變換，或直接或間接運(yùn)用在相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。