本實(shí)用新型實(shí)施例涉及內(nèi)存卡控制技術(shù)，尤其涉及一種內(nèi)存卡的控制電路。

背景技術(shù)：

在手機(jī)或相機(jī)等常見的電子設(shè)備中，或在工控板等工業(yè)領(lǐng)域的主控板中，內(nèi)存卡都是常用的外部存儲(chǔ)介質(zhì)，當(dāng)遇到內(nèi)存卡插上之后沒(méi)反應(yīng)的問(wèn)題時(shí)，經(jīng)常采用的方法是將內(nèi)存卡重新拔插一次，有的手機(jī)內(nèi)存卡的拔插過(guò)程還需要關(guān)機(jī)或者打開后蓋，很不便利，對(duì)用戶造成一定困擾。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種內(nèi)存卡的控制電路，以實(shí)現(xiàn)對(duì)內(nèi)存卡的電源和信號(hào)的控制。

本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種內(nèi)存卡的控制電路，應(yīng)用于電子設(shè)備，所述電子設(shè)備包括控制器，所述控制電路包括接口保護(hù)芯片和內(nèi)存卡卡座，所述控制器的各信號(hào)端通過(guò)所述接口保護(hù)芯片與內(nèi)存卡卡座的各管腳對(duì)應(yīng)連接，所述控制電路還包括電源控制電路，所述電源控制電路與所述內(nèi)存卡卡座的電源端連接，用于根據(jù)所述控制器的復(fù)位端信號(hào)控制所述電源端的斷電和上電，通過(guò)所述電源端的斷電和上電控制所述內(nèi)存卡卡座復(fù)位。

進(jìn)一步地，所述電源控制電路包括正或門器件、第一電阻、第二電阻、MOS管、第三電阻以及第一電容；

其中，所述正或門器件的第一輸入端通過(guò)第一電阻與所述控制器的復(fù)位端連接，所述第一電阻與所述復(fù)位端的公共端通過(guò)第二電阻接地；

所述正或門器件的第二輸入端與所述控制電路的內(nèi)存卡插入檢測(cè)信號(hào)端連接，用于在所述內(nèi)存卡插入內(nèi)存卡卡座之前，保持內(nèi)存卡卡座的電源端不上電；

所述正或門器件的輸出端與MOS管柵極連接，所述MOS管源級(jí)與第一電源連接，所述MOS管漏極與所述內(nèi)存卡卡座的電源端連接，第三電阻連接在所述MOS管柵極與源極之間；

所述正或門器件的電源端連接第一電源并通過(guò)第一電容接地；

所述正或門器件的接地端口接地。

進(jìn)一步地，所述電源控制電路還包括第二電容，第二電容與所述第三電阻并聯(lián)。

進(jìn)一步地，所述接口保護(hù)芯片的第一輸出端與內(nèi)存卡插入檢測(cè)信號(hào)端連接，并經(jīng)反向器與所述接口保護(hù)芯片的使能端連接，所述內(nèi)存卡插入檢測(cè)信號(hào)端通過(guò)第四電阻后與所述內(nèi)存卡卡座的第一輸入端連接，用于在所述內(nèi)存卡插入內(nèi)存卡卡座之前，保持內(nèi)存卡卡座各管腳不上電。

進(jìn)一步地，所述接口保護(hù)芯片的數(shù)據(jù)輸入端、命令輸入端口以及時(shí)鐘輸入端口與所述控制器連接；

所述接口保護(hù)芯片的數(shù)據(jù)輸出端、命令輸出端口以及時(shí)鐘輸出端口與所述內(nèi)存卡卡座連接；

所述接口保護(hù)芯片的第一電壓端口與第二電源連接，通過(guò)第五電容后接地；

所述接口保護(hù)芯片的第二電壓端口與第一電源串聯(lián)，通過(guò)第六電容后接地。

進(jìn)一步地，所述控制器包括微控制單元、現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列或高級(jí)精簡(jiǎn)指令集計(jì)算機(jī)中的任意一種。

進(jìn)一步地，所述內(nèi)存卡卡座的芯片電源端與第三電容串聯(lián)后接地，第四電容與所述第三電容并聯(lián)。

本實(shí)用新型實(shí)施例通過(guò)電源控制電路實(shí)現(xiàn)對(duì)內(nèi)存卡卡座上電和斷電的控制，實(shí)現(xiàn)對(duì)內(nèi)存卡的復(fù)位，解決了內(nèi)存卡無(wú)法識(shí)別時(shí)需要人工拔插內(nèi)存卡的問(wèn)題，提高了內(nèi)存卡使用的便利性。

附圖說(shuō)明

圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例一中的一種內(nèi)存卡的控制電路示意圖；

圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例一中的電源控制電路示意圖；

圖3是本實(shí)用新型實(shí)施例二中的一種內(nèi)存卡的控制電路示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明?？梢岳斫獾氖?，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用于解釋本實(shí)用新型，而非對(duì)本實(shí)用新型的限定。另外還需要說(shuō)明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本實(shí)用新型相關(guān)的部分而非全部結(jié)構(gòu)。

實(shí)施例一

圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例一中的一種內(nèi)存卡的控制電路示意圖，該電路應(yīng)用于電子設(shè)備，所述電子設(shè)備包括控制器，所述控制電路包括接口保護(hù)芯片10和內(nèi)存卡卡座20，控制器的各信號(hào)端通過(guò)接口保護(hù)芯片10與內(nèi)存卡卡座20的各管腳對(duì)應(yīng)連接，控制電路還包括電源控制電路30，電源控制電路30與內(nèi)存卡卡座20的電源端連接，用于根據(jù)控制器的復(fù)位端信號(hào)控制電源端的斷電和上電，通過(guò)電源端的斷電和上電控制內(nèi)存卡卡座20復(fù)位。

其中，接口保護(hù)芯片可用于與內(nèi)存卡卡座中插入的內(nèi)存卡進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸，可選用多種型號(hào)，例如可以是TXS0206，內(nèi)存卡卡座具體可以是SD卡卡座，可插入SD卡。電源控制電路用于控制內(nèi)存卡卡座電源端的斷電和上電，實(shí)現(xiàn)內(nèi)存卡卡座的復(fù)位，相當(dāng)于將內(nèi)存卡卡座重啟了一次，當(dāng)出現(xiàn)內(nèi)存卡在非損壞情況下無(wú)法識(shí)別時(shí)，達(dá)到復(fù)位的目的。

具體的，如圖2所示，電源控制電路30包括正或門器件U1、第一電阻R1、第二電阻R2、MOS管Q1、第三電阻R3以及第一電容C1；

其中，正或門器件U1的第一輸入端A通過(guò)第一電阻R1與控制器的復(fù)位端連接，第一電阻R1與復(fù)位端的公共端通過(guò)第二電阻R2接地；

正或門器件U1的第二輸入端B與控制電路的內(nèi)存卡插入檢測(cè)信號(hào)端連接，用于在內(nèi)存卡插入內(nèi)存卡卡座20之前，保持內(nèi)存卡卡座電源端不上電；

正或門器件U1的輸出端Y與MOS管Q1柵極連接，MOS管Q1源級(jí)與第一電源VCC_3V3連接，MOS管Q1漏極與內(nèi)存卡卡座電源端連接，第三電阻R3連接在MOS管Q1柵極與源極之間；

正或門器件U1的電源端VCC連接第一電源VCC_3V3并通過(guò)第一電容C1接地；

正或門器件U1的接地端口GND接地。

電源控制電路還包括第二電容C2，第二電容C2與第三電阻R3并聯(lián)。

本實(shí)用新型實(shí)施例的電源控制電路中，當(dāng)出現(xiàn)內(nèi)存卡在非損壞情況下無(wú)法識(shí)別時(shí)，控制器可通過(guò)上拉控制器的復(fù)位端信號(hào)對(duì)內(nèi)存卡進(jìn)行復(fù)位，當(dāng)控制器的復(fù)位端信號(hào)為高電平時(shí)，U1輸出Y為高電平，MOS管閉合，內(nèi)存卡失去供電，再將控制器的復(fù)位端信號(hào)拉低為低電平，將內(nèi)存卡重新上電，即可達(dá)到復(fù)位內(nèi)存卡的目的，從而實(shí)現(xiàn)了內(nèi)存卡的冷復(fù)位功能，避免了人為拔插內(nèi)存卡帶來(lái)的不便。

本實(shí)用新型實(shí)施例通過(guò)電源控制電路實(shí)現(xiàn)對(duì)內(nèi)存卡卡座上電和斷電的控制，實(shí)現(xiàn)對(duì)內(nèi)存卡的復(fù)位，解決了內(nèi)存卡無(wú)法識(shí)別時(shí)需要人工拔插內(nèi)存卡的問(wèn)題，提高了內(nèi)存卡使用的便利性。

實(shí)施例二

在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，圖3是本實(shí)用新型實(shí)施例二中的一種內(nèi)存卡的控制電路示意圖，在本實(shí)施例中，以內(nèi)存卡為SD卡為例進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。

如圖3所示，電源控制電路30包括正或門器件U1、第一電阻R1、第二電阻R2、MOS管Q1、第三電阻R3以及第一電容C1；

其中，正或門器件U1的第一輸入端A通過(guò)第一電阻R1與控制器的復(fù)位端SDIO_RET連接，第一電阻R1與復(fù)位端的公共端通過(guò)第二電阻R2接地；

其中，第一電阻R1和第二電阻R2的阻值以及第一電容的大小可根據(jù)實(shí)際需求進(jìn)行選擇，示例性地，第一電阻R1可選33歐，第二電阻R2可選10千歐，第一電容的大小可以是100nF/16V。

正或門器件U1的第二輸入端B與控制電路的內(nèi)存卡插入檢測(cè)信號(hào)端SDIO_CD連接，用于在內(nèi)存卡插入內(nèi)存卡卡座20之前，保持內(nèi)存卡卡座20的電源端VDD不上電；

正或門器件U1的輸出端Y與MOS管Q1柵極連接，MOS管Q1源級(jí)與第一電源VCC_3V3連接，MOS管Q1漏極與內(nèi)存卡卡座20的電源端VDD連接，第三電阻R3連接在MOS管Q1柵極與源極之間；

其中，第三電阻R3阻值可根據(jù)實(shí)際需求進(jìn)行選擇，示例性地，第三電阻R3可選10千歐。

正或門器件U1的電源端VCC連接第一電源VCC_3V3并通過(guò)第一電容C1接地；

正或門器件U1的接地端口GND接地。

其中，MOS管可以是PMOS管，示例性地，型號(hào)可以是NTA4151PT1G?，F(xiàn)有技術(shù)中，如果SD卡插入后由于系統(tǒng)不穩(wěn)定或其他原因?qū)е聼o(wú)法識(shí)別時(shí)，需要整個(gè)系統(tǒng)斷電重啟或者拔插SD卡才能解決，而再次拔插又會(huì)提升損壞SD卡的幾率。本實(shí)用新型實(shí)施例的電源控制電路中，當(dāng)出現(xiàn)SD卡在非損壞情況下無(wú)法識(shí)別時(shí)，控制器可通過(guò)上拉SDIO_RET信號(hào)對(duì)SD卡進(jìn)行復(fù)位，當(dāng)SDIO_RET信號(hào)為高電平時(shí)，U1輸出Y為高電平，MOS管閉合，SD卡失去供電，再將SDIO_RET信號(hào)拉低為低電平，將SD卡重新上電，即可達(dá)到復(fù)位SD卡的目的。實(shí)現(xiàn)了SD卡的冷復(fù)位功能，避免了人為拔插SD卡帶來(lái)的不便。

電源控制電路還包括第二電容C2，第二電容C2與第三電阻R3并聯(lián)。

其中，第二電容C2的作用是使MOS管Q1緩慢打開，因?yàn)樵贛OS管Q1打開的同時(shí)，由于后端SD卡的容性負(fù)載需要充電，會(huì)瞬間產(chǎn)生較大的電流尖峰，可能是工作電流的10倍以上，容易損壞SD卡和接口電路。在現(xiàn)有設(shè)計(jì)中也是如此，在SD卡插入瞬間也會(huì)產(chǎn)生電流尖峰。而加入電容C2之后，Q1在打開的過(guò)程中呈現(xiàn)出一定的阻抗，因?yàn)殡娫措妷菏遣蛔兊?，電阻變大可限制電流尖峰的大小，有利于保護(hù)SD卡和接口電路。C2的大小可根據(jù)實(shí)際需求進(jìn)行選取，示例性地，C2的大小為10μF/16V。

接口保護(hù)芯片10的第一輸出端CD與內(nèi)存卡插入檢測(cè)信號(hào)端SDIO_CD連接，并經(jīng)反向器U3與接口保護(hù)芯片的使能端EN連接，內(nèi)存卡插入檢測(cè)信號(hào)端SDIO_CD通過(guò)第四電阻R4后與內(nèi)存卡卡座20的第一輸入端CD連接，用于在內(nèi)存卡插入內(nèi)存卡卡座20之前，保持內(nèi)存卡卡座20各管腳不上電。

其中，現(xiàn)有技術(shù)中，內(nèi)存卡卡座20始終保持與電源相連，與接口保護(hù)芯片10也始終保持信號(hào)交互，雖然接口保護(hù)芯片10具備一定程度的靜電承受能力，但是在拔插過(guò)程中仍然可能損壞SD卡和接口保護(hù)芯片10。將內(nèi)存卡插入檢測(cè)信號(hào)端SDIO_CD經(jīng)反相器U3接入到接口保護(hù)芯片10的使能端EN和U1的B端，在插入SD卡之前，由于接口保護(hù)芯片10的CD管腳內(nèi)置上拉電阻，SDIO_CD會(huì)被CD管腳默認(rèn)上拉，表現(xiàn)為高電平，經(jīng)反相器后轉(zhuǎn)換為低電平，接口保護(hù)芯片10的使能端EN為高電平使能，此時(shí)內(nèi)存卡卡座20的管腳上不會(huì)接通信號(hào)，同時(shí)，由于U1是一個(gè)或門，當(dāng)B端輸入為高電平時(shí)，輸出Y必然是高電平，MOS管Q1不會(huì)導(dǎo)通，也就是說(shuō)內(nèi)存卡卡座20不會(huì)接通電源。當(dāng)插入SD卡之后，SDIO_CD會(huì)被內(nèi)存卡卡座20的CD端拉至低電平，U1的管腳A默認(rèn)是低電平，則輸出Y為低電平，MOS管會(huì)導(dǎo)通，SD卡通電，同時(shí)接口保護(hù)芯片10的使能端EN使能，所有的信號(hào)都會(huì)接通，此時(shí)SD卡正常工作，由于在插入過(guò)程中，接口無(wú)電源無(wú)信號(hào)，不會(huì)產(chǎn)生瞬間電火花，設(shè)備更加安全可靠。

接口保護(hù)芯片10的數(shù)據(jù)輸入端DAT0A、DAT1A、DAT3A和DAT4A，命令輸入端口CMDA以及時(shí)鐘輸入端口CLKA與所述控制器連接；

其中，接口保護(hù)芯片10的數(shù)據(jù)輸入端DAT0A、DAT1A、DAT3A、DAT4A、命令輸入端口CMDA以及時(shí)鐘輸入端口CLKA分別經(jīng)電阻R5、R7、R8、R11、R13和R15后與控制器的PS_SDIO_IO0、PS_SDIO_IO1、PS_SDIO_IO2、PS_SDIO_IO3、PS_SDIO_CMD和PS_SDIO_CLK依次連接。

接口保護(hù)芯片10的數(shù)據(jù)輸出端DAT0B0、DAT1B0、DAT3B0和DAT4B0，命令輸出端口CMDB0以及時(shí)鐘輸出端口CLKB0與所述內(nèi)存卡卡座20連接；

其中，接口保護(hù)芯片10的數(shù)據(jù)輸出端DAT0B0、DAT1B0、DAT3B0、DAT4B0、命令輸出端口CMDB0以及時(shí)鐘輸出端口CLKB0經(jīng)電阻R6、R9、R10、R12、R14和R16后與內(nèi)存卡卡座20的DAT0、DAT1、DAT2、DAT3、CMD和CLK依次連接。

其中，電阻R4-R16的阻值可根據(jù)實(shí)際需求進(jìn)行選取，示例性地，均可以選取為33歐。

接口保護(hù)芯片10的第一電壓端口VCCA與第二電源VCC_1V8連接，通過(guò)第五電容C5后接地；

接口保護(hù)芯片10的第二電壓端口VCCB0與第一電源VCC_3V3串聯(lián)，通過(guò)第六電容C6后接地。

其中，第五電容C5和第六電容C6的大小可根據(jù)實(shí)際需求進(jìn)行選擇，示例性地，第五電容C5和第六電容C6的大小可以是100nF/50V。

控制器包括微控制單元(Microcontroller Unit，MCU)、現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列(Field－Programmable Gate Array，F(xiàn)PGA)或高級(jí)精簡(jiǎn)指令集計(jì)算機(jī)ARM中的任意一種。

內(nèi)存卡卡座20的芯片電源端VDD與第三電容C3串聯(lián)后接地，第四電容C4與所述第三電容C3并聯(lián)。

其中，第三電容C3和第四電容C4的大小可根據(jù)實(shí)際需求進(jìn)行選擇，示例性地，第三電容C3的大小可以是100nF/50V，第四電容C4的大小可以是10μF/16V。

本實(shí)用新型實(shí)施例通過(guò)電源控制電路實(shí)現(xiàn)對(duì)內(nèi)存卡卡座上電和斷電的控制，實(shí)現(xiàn)對(duì)SD卡的復(fù)位，解決了SD卡無(wú)法識(shí)別時(shí)需要人工拔插SD卡的問(wèn)題，提高了SD卡使用的便利性。同時(shí)增加接口保護(hù)功能，保證完全插入SD卡之后才會(huì)打開SD卡的電源，同時(shí)接通讀寫SD卡的信號(hào)，避免在拔插過(guò)程中由于靜電或瞬間通電的電火花損壞SD卡和損壞控制板的問(wèn)題，提高了安全性。

注意，上述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例及所運(yùn)用技術(shù)原理。本領(lǐng)域技術(shù)人員會(huì)理解，本實(shí)用新型不限于這里所述的特定實(shí)施例，對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)能夠進(jìn)行各種明顯的變化、重新調(diào)整和替代而不會(huì)脫離本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。因此，雖然通過(guò)以上實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行了較為詳細(xì)的說(shuō)明，但是本實(shí)用新型不僅僅限于以上實(shí)施例，在不脫離本實(shí)用新型構(gòu)思的情況下，還可以包括更多其他等效實(shí)施例，而本實(shí)用新型的范圍由所附的權(quán)利要求范圍決定。