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一種超高頻抗金屬電子標(biāo)簽的制作方法

文檔序號:11179539閱讀:1317來源:國知局
一種超高頻抗金屬電子標(biāo)簽的制造方法與工藝

本實(shí)用新型涉及電子標(biāo)簽技術(shù)領(lǐng)域,尤其是一種超高頻抗金屬電子標(biāo)簽。



背景技術(shù):

電子標(biāo)簽是RFID(射頻識(shí)別系統(tǒng))的主要組成單元,是物聯(lián)網(wǎng)的信息載體。隨著射頻識(shí)別技術(shù)的發(fā)展,工作于UHF頻段(840MHz-960MHz)的各類型電子標(biāo)簽被越來越多地運(yùn)用于物流管理、倉儲(chǔ)管理、資產(chǎn)管理等領(lǐng)域。因一些電力資料如電力互感器,外殼是金屬材料做成,并且需要將標(biāo)簽安裝在金屬表面上,傳統(tǒng)超高頻電子標(biāo)簽在金屬表面無法正常工作,因此,需要一種超高頻抗金屬電子標(biāo)簽。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是針對現(xiàn)有技術(shù)的缺陷,提供一種高靈敏度、高增益、小型化的超高頻抗金屬電子標(biāo)簽。

為解決上述技術(shù)問題,本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案:一種超高頻抗金屬電子標(biāo)簽,包括陶瓷基板、標(biāo)簽天線和標(biāo)簽芯片,標(biāo)簽天線包覆于陶瓷基板的外周,通過過孔回流形成封閉回路,其中,標(biāo)簽天線包括第一天線和第二天線,在第一天線和第二天線任一面形成鏤空部,電流經(jīng)所述標(biāo)簽天線呈彎曲路徑流通。

所述第一天線位于陶瓷基板的上表面,第二天線位于陶瓷基板的下表面,其中,在陶瓷基板的側(cè)邊中間位置設(shè)有陶瓷基板固定孔。

進(jìn)一步地,所述標(biāo)簽天線采用平衡雙饋電結(jié)構(gòu);所述過孔開設(shè)于陶瓷基板兩端,第一天線和第二天線通過置于過孔的電鍍導(dǎo)電介質(zhì)相互構(gòu)成電氣連接。

進(jìn)一步地,所述鏤空部沿標(biāo)簽天線的四周邊緣開設(shè)。

進(jìn)一步地,所述鏤空部設(shè)有至少一個(gè),其向標(biāo)簽天線的中部相對交錯(cuò)伸出。

進(jìn)一步地,所述鏤空部長度為5mm-10mm;寬度為5mm-10mm。所述鏤空部尺寸為8mm寬×6.5mm高;所述陶瓷基板尺寸為76mm×20mm寬×3.0mm厚。陶瓷基板的長度、寬度以及厚度均可調(diào)。

進(jìn)一步地,所述陶瓷基板為方形體或長方體。

進(jìn)一步地,在陶瓷基板上表面中間位置設(shè)有標(biāo)簽芯片定位點(diǎn)。

當(dāng)解讀器遇上電子標(biāo)簽時(shí),解讀器發(fā)出電磁波,在周圍形成電磁場,標(biāo)簽從電磁場中獲得能量激活標(biāo)簽中的標(biāo)簽芯片電路,標(biāo)簽芯片將所述電磁波轉(zhuǎn)換,發(fā)送至解讀器,由解讀器將電磁波轉(zhuǎn)換為相關(guān)的數(shù)據(jù),控制計(jì)算機(jī)就可以根據(jù)相關(guān)的數(shù)據(jù)處理進(jìn)行管理控制。

本實(shí)用新型的有益效果是:在標(biāo)簽天線形成鏤空部,天線的輻射體表面的電流經(jīng)所述標(biāo)簽天線呈彎曲路徑流通,延長電流路徑,即增加天線的電長度,降低天線諧振頻率,實(shí)現(xiàn)超高頻抗金屬電子標(biāo)簽小型化目標(biāo);標(biāo)簽天線采用平衡雙饋電結(jié)構(gòu),增大標(biāo)簽頻帶寬度,提高標(biāo)簽的靈敏度,實(shí)現(xiàn)超高頻抗金屬標(biāo)簽小型化下具有卓越性能;另外,采用芯片表面貼片技術(shù)或COB(板上芯片綁定技術(shù)),提高標(biāo)簽性能一致性,提高標(biāo)簽生產(chǎn)自動(dòng)化,減少標(biāo)簽生產(chǎn)所需時(shí)間,降低生產(chǎn)成本;標(biāo)簽天線采用過孔回流設(shè)計(jì),超高頻抗金屬標(biāo)簽粘貼金屬物品時(shí),標(biāo)簽天線與金屬物品共地,可增加反射能量,標(biāo)簽粘貼金屬時(shí)識(shí)別距離可達(dá)5米以上。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型一種超高頻抗金屬電子標(biāo)簽立體結(jié)構(gòu)圖;

圖2為本實(shí)用新型一種超高頻抗金屬電子標(biāo)簽尺寸示意圖。

圖中,陶瓷基板1,過孔11,天線2,標(biāo)簽芯片3,鏤空部21。

具體實(shí)施方式

本實(shí)施例中,參照圖1和圖2,所述一種超高頻抗金屬電子標(biāo)簽,包括陶瓷基板1、標(biāo)簽天線2和標(biāo)簽芯片3,標(biāo)簽天線2包覆于陶瓷基板1的外周,通過過孔11回流形成封閉回路,其中,標(biāo)簽天線2包括分別設(shè)置于陶瓷基板1兩側(cè)面的第一天線和第二天線,在第一天線和第二天線任一面形成鏤空部21,電流經(jīng)所述標(biāo)簽天線2呈彎曲路徑流通。

在本實(shí)用新型中,所述鏤空部21設(shè)有至少一個(gè),其分別開設(shè)于標(biāo)簽天線2的四周或兩側(cè)邊緣,并向標(biāo)簽天線2的中部相對交錯(cuò)伸出,在所述標(biāo)簽天線2長度方向上兩側(cè)的鏤空部21相對錯(cuò)位設(shè)置,在所述標(biāo)簽天線2寬度方向上兩側(cè)的鏤空部21對稱設(shè)置。所述鏤空部形狀可為倒角三角形或U形。在本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例中,所述鏤空部21分別設(shè)置于標(biāo)簽天線2的四周,標(biāo)簽天線2的一側(cè)開設(shè)有兩個(gè)鏤空部21,相對的另一側(cè)開設(shè)有三個(gè)鏤空部21,兩組鏤空部21的相對交錯(cuò)伸出,在標(biāo)簽天線2的兩底邊開設(shè)有兩個(gè)鏤空部21,使得電流經(jīng)標(biāo)簽天線2繞開鏤空部21,當(dāng)電流流至鏤空部21,鏤空部21擋住其去向,電流只能改變原方向,繞開鏤空部21流通;此時(shí)電流的路徑增長,增加了標(biāo)簽天線2的電長度,呈彎曲路徑流通,相比直線流通軌跡而言,在有限的標(biāo)簽天線體積中,改變電流沿標(biāo)簽天線2直線流向的方向,曲線路徑大大增加了電流的流通路徑,從而使得電子標(biāo)簽在體積減少的前提下不影響其性能,達(dá)到小型化的目標(biāo)。

在陶瓷基板1的側(cè)邊設(shè)有陶瓷基板固定孔10,通過固定孔10將陶瓷基板安裝于電子設(shè)備上。第一天線位于陶瓷基板1的上表面,第二天線位于陶瓷基板1的下表面,標(biāo)簽天線采用平衡雙饋電結(jié)構(gòu),第一天線和第二天線通過過孔連接標(biāo)簽芯片射頻端口的正負(fù)極,構(gòu)成所述平衡雙饋電結(jié)構(gòu);所述過孔11開設(shè)于陶瓷基板1兩端,第一天線和第二天線通過置于過孔11的電鍍導(dǎo)電介質(zhì)相互構(gòu)成電氣連接。

標(biāo)簽天線2由金屬材料覆蓋在標(biāo)簽陶瓷基板1的上下表面構(gòu)成,其可通過蝕刻或印刷的方式粘貼在陶瓷基板1表面;所述的金屬材料可選用銅箔、鋁箔等金屬材料。蝕刻天線以銅箔或鋁箔作為導(dǎo)電材料,用覆有銅箔或鋁箔的基板經(jīng)蝕刻所成的圖形形成天線,同時(shí)是裝載芯片元件的電路載板;采用蝕刻方式具有較好的性能,其分辨率高,射頻性能好。

所述鏤空部21長度為5mm-10mm;寬度為5mm-10mm。所述鏤空部尺寸為8mm寬×6.5mm高;所述陶瓷基板尺寸為76mm×20mm寬×3.0mm厚。陶瓷基板1為方形體或長方體,陶瓷基板的長度、寬度以及厚度均可調(diào)。

陶瓷基板1可選擇PVC、塑料、FR4PCB板等材料;FR4PCB板作為陶瓷基板,既保證了產(chǎn)品具有極好的阻燃和耐高溫特性,又可以滿足200攝氏度的高溫下產(chǎn)品性能不衰減的要求。

超高頻抗金屬標(biāo)簽使用3mm超薄設(shè)計(jì),不僅減輕標(biāo)簽重量,而且擴(kuò)大對超高頻抗金屬標(biāo)簽安裝高度使用苛刻的應(yīng)用領(lǐng)域,陶瓷基板采用的基材厚度可在1mm-5mm范圍,可得到較寬的頻帶。

當(dāng)解讀器遇上電子標(biāo)簽時(shí),解讀器發(fā)出電磁波,在周圍形成電磁場,標(biāo)簽從電磁場中獲得能量激活標(biāo)簽中的標(biāo)簽芯片電路,標(biāo)簽芯片將所述電磁波轉(zhuǎn)換,發(fā)送至解讀器,由解讀器將電磁波轉(zhuǎn)換為相關(guān)的數(shù)據(jù),控制計(jì)算機(jī)就可以根據(jù)相關(guān)的數(shù)據(jù)處理進(jìn)行管理控制。在制作超高頻抗金屬電子標(biāo)簽時(shí)保持標(biāo)簽天線2的長度,以提高其增益性能,使得天線朝一特定的方向收發(fā)信號功能提高,在所述特定方向上增大網(wǎng)絡(luò)的覆蓋范圍。

通過鏤空部設(shè)計(jì)使得電流所經(jīng)過的路徑更為曲折,電流的路徑大大地增加,這樣在保持電子標(biāo)簽高性能、高效率的情況下將電子標(biāo)簽的體積大大縮小,制造出高性能而小型化的超高頻抗金屬電子標(biāo)簽。

以上已將本實(shí)用新型做一詳細(xì)說明,以上所述,僅為本實(shí)用新型之較佳實(shí)施例而已,當(dāng)不能限定本實(shí)用新型實(shí)施范圍,即凡依本申請范圍所作均等變化與修飾,皆應(yīng)仍屬本實(shí)用新型涵蓋范圍內(nèi)。

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