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一種晶體管的參數(shù)獲取方法、裝置、終端設(shè)備及介質(zhì)

文檔序號:40525856發(fā)布日期:2024-12-31 13:35閱讀:11來源:國知局
一種晶體管的參數(shù)獲取方法、裝置、終端設(shè)備及介質(zhì)

本技術(shù)屬于數(shù)據(jù)處理,尤其涉及一種晶體管的參數(shù)獲取方法、裝置、終端設(shè)備及介質(zhì)。


背景技術(shù):

1、高電子遷移率晶體管(high?electron?mobility?transistor,hemt)由于其高功率密度而被廣泛用于許多微波功率電子器件中。同時,其高功率密度引起的自熱效應(yīng)也會顯著影響hemt的許多特性,例如直流電流電壓和連續(xù)波s參數(shù)等。作為表征自熱效應(yīng)的關(guān)鍵參數(shù),耗散功率與溝道溫度之間的比值(rth)在hemt的熱分析及建模中發(fā)揮著重要作用,它的精度直接影響了hemt的模型的精度,因此,如何確定rth是本領(lǐng)域的重點之一。

2、現(xiàn)有技術(shù)通常是通過脈沖iv測試方法確定上述耗散功率與溝道溫度之間的比值。然而,脈沖iv測試方法會產(chǎn)生電流崩塌(cc)效應(yīng),造成漏源電流顯著降低,從而降低了上述比值的確定準確率。


技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本技術(shù)實施例提供了一種晶體管的參數(shù)獲取方法、裝置、終端設(shè)備及介質(zhì),提高了對耗散功率與溝道溫度之間的比值的確定準確率。

2、第一方面,本技術(shù)實施例提供了一種晶體管的參數(shù)獲取方法,包括:

3、獲取晶體管在多個不同耗散功率下分別進行脈沖iv測試得到的多個第一脈沖iv曲線圖,以及獲取所述晶體管在多個不同基板溫度下分別進行脈沖iv測試得到的多個第二脈沖iv曲線圖;所述基板溫度指用于承載所述晶體管進行加熱的結(jié)構(gòu)體的溫度;

4、根據(jù)所述多個第一脈沖iv曲線圖,確定每個所述耗散功率分別對應(yīng)的第一跨導(dǎo)最大值,并根據(jù)每個所述耗散功率分別對應(yīng)的第一跨導(dǎo)最大值,生成第一曲線,所述第一曲線用于表示耗散功率和跨導(dǎo)最大值之間的關(guān)系;

5、根據(jù)所述多個第二脈沖iv曲線圖,確定每個所述基板溫度分別對應(yīng)的第二跨導(dǎo)最大值,并根據(jù)每個所述基板溫度分別對應(yīng)的第二跨導(dǎo)最大值,生成第二曲線,所述第二曲線用于表示基板溫度和跨導(dǎo)最大值之間的關(guān)系;

6、根據(jù)所述第一曲線和所述第二曲線,計算得到所述晶體管的耗散功率與溝道溫度的比值。

7、可選的,所述獲取晶體管在多個不同耗散功率下分別進行脈沖iv測試得到的多個第一脈沖iv曲線圖,以及獲取所述晶體管在多個不同基板溫度下分別進行脈沖iv測試得到的多個第二脈沖iv曲線圖,包括:

8、當檢測到所述結(jié)構(gòu)體的溫度到達第一溫度后,獲取所述結(jié)構(gòu)體在設(shè)定時間段內(nèi)的溫度集合;

9、若所述溫度集合中的每個溫度值與所述第一溫度之間的差值均小于或等于第一閾值,則對所述晶體管進行脈沖iv測試,得到所述多個第一脈沖iv曲線圖和所述多個第二脈沖iv曲線圖。

10、可選的,所述獲取晶體管在多個不同耗散功率下分別進行脈沖iv測試得到的多個第一脈沖iv曲線圖,包括:

11、當檢測到所述基板溫度為第二溫度,且所述晶體管的當前漏源靜態(tài)偏置電壓為設(shè)定電壓時,對所述晶體管的柵源靜態(tài)偏置電壓進行調(diào)整;

12、根據(jù)調(diào)整后的所述柵源靜態(tài)偏置電壓,確定所述晶體管的當前耗散功率;

13、在所述當前耗散功率下,對所述晶體管進行脈沖iv測試,得到所述當前耗散功率下的第一脈沖iv曲線圖。

14、可選的,所述獲取所述晶體管在多個不同基板溫度下分別進行脈沖iv測試得到的多個第二脈沖iv曲線圖,包括:

15、獲取所述晶體管的關(guān)斷電壓;

16、根據(jù)所述關(guān)斷電壓對所述晶體管的柵源靜態(tài)偏置電壓進行調(diào)整,得到目標柵源電壓;所述目標柵源電壓小于所述關(guān)斷電壓;

17、當檢測到所述晶體管的當前漏源靜態(tài)偏置電壓為設(shè)定電壓時,在所述多個不同基板溫度下對所述晶體管進行脈沖iv測試,得到所述多個第二脈沖iv曲線圖。

18、可選的,所述根據(jù)所述多個第一脈沖iv曲線圖,確定每個所述耗散功率分別對應(yīng)的第一跨導(dǎo)最大值,包括:

19、獲取所述晶體管在所述多個不同耗散功率下進行脈沖iv測試的第一漏源靜態(tài)偏置電壓;

20、根據(jù)所述第一漏源靜態(tài)偏置電壓,確定所述多個第一脈沖iv曲線圖的第一漏源電壓;所述第一漏源電壓大于所述第一漏源靜態(tài)偏置電壓;

21、針對每個所述第一脈沖iv曲線圖,獲取所述第一脈沖iv曲線圖在所述第一漏源電壓下的第一跨導(dǎo)集合,并將所述第一跨導(dǎo)集合中的最大值確定為所述第一脈沖iv曲線圖對應(yīng)的耗散功率下的第一跨導(dǎo)最大值;其中,所述第一跨導(dǎo)集合包括在第一漏源電壓下的多個跨導(dǎo)值。

22、可選的,所述根據(jù)所述多個第二脈沖iv曲線圖,確定每個所述基板溫度分別對應(yīng)的第二跨導(dǎo)最大值,包括:

23、獲取所述晶體管在所述多個不同基板溫度下進行脈沖iv測試的第二漏源靜態(tài)偏置電壓;

24、根據(jù)所述第二漏源靜態(tài)偏置電壓,確定所述多個第二脈沖iv曲線圖的第二漏源電壓;所述第二漏源電壓大于所述第二漏源靜態(tài)偏置電壓;

25、針對每個所述第二脈沖iv曲線圖,獲取所述第二脈沖iv曲線圖在所述第二漏源電壓下的第二跨導(dǎo)集合,并將所述第二跨導(dǎo)集合中的最大值確定為所述第二脈沖iv曲線圖對應(yīng)的基板溫度下的第二跨導(dǎo)最大值;其中,所述第二跨導(dǎo)集合包括在第二漏源電壓下的多個跨導(dǎo)值。

26、可選的,所述根據(jù)所述第一曲線和所述第二曲線,計算得到所述晶體管的耗散功率與溝道溫度的比值,包括:

27、計算所述第一曲線的第一斜率和所述第二曲線的第二斜率;

28、根據(jù)所述第一斜率、所述第二斜率以及所述晶體管所處區(qū)域的環(huán)境溫度,計算得到所述比值。

29、第二方面,本技術(shù)實施例提供了一種晶體管的參數(shù)獲取裝置,包括:

30、第一獲取單元,用于獲取晶體管在多個不同耗散功率下分別進行脈沖iv測試得到的多個第一脈沖iv曲線圖,以及獲取所述晶體管在多個不同基板溫度下分別進行脈沖iv測試得到的多個第二脈沖iv曲線圖;所述基板溫度指用于承載所述晶體管進行加熱的結(jié)構(gòu)體的溫度;

31、第一生成單元,用于根據(jù)所述多個第一脈沖iv曲線圖,確定每個所述耗散功率分別對應(yīng)的第一跨導(dǎo)最大值,并根據(jù)每個所述耗散功率分別對應(yīng)的第一跨導(dǎo)最大值,生成第一曲線,所述第一曲線用于表示耗散功率和跨導(dǎo)最大值之間的關(guān)系;

32、第二生成單元,用于根據(jù)所述多個第二脈沖iv曲線圖,確定每個所述基板溫度分別對應(yīng)的第二跨導(dǎo)最大值,并根據(jù)每個所述基板溫度分別對應(yīng)的第二跨導(dǎo)最大值,生成第二曲線,所述第二曲線用于表示基板溫度和跨導(dǎo)最大值之間的關(guān)系;

33、第一計算單元,用于根據(jù)所述第一曲線和所述第二曲線,計算得到所述晶體管的耗散功率與溝道溫度的比值。

34、第三方面,本技術(shù)實施例提供了一種終端設(shè)備,包括:存儲器、處理器以及存儲在所述存儲器中并可在所述處理器上運行的計算機程序,上述處理器執(zhí)行所述計算機程序時實現(xiàn)如上述第一方面中任一項所述的晶體管的參數(shù)獲取方法。

35、第四方面,本技術(shù)實施例提供了一種計算機可讀存儲介質(zhì),所述計算機可讀存儲介質(zhì)存儲有計算機程序,所述計算機程序被處理器執(zhí)行時實現(xiàn)如上述第一方面中任一項所述的晶體管的參數(shù)獲取方法。

36、第五方面,本技術(shù)實施例提供了一種計算機程序產(chǎn)品,當計算機程序產(chǎn)品在終端設(shè)備上運行時,使得終端設(shè)備可執(zhí)行上述第一方面中任一項所述的晶體管的參數(shù)獲取方法。

37、本技術(shù)實施例與現(xiàn)有技術(shù)相比存在的有益效果是:

38、本技術(shù)實施例提供的一種晶體管的參數(shù)獲取方法,通過獲取晶體管在多個不同耗散功率下分別進行脈沖iv測試得到的多個第一脈沖iv曲線圖,以及獲取晶體管在多個不同基板溫度下分別進行脈沖iv測試得到的多個第二脈沖iv曲線圖;基板溫度指用于承載晶體管進行加熱的結(jié)構(gòu)體的溫度;根據(jù)多個第一脈沖iv曲線圖,確定每個耗散功率分別對應(yīng)的第一跨導(dǎo)最大值,并根據(jù)每個耗散功率分別對應(yīng)的第一跨導(dǎo)最大值,生成第一曲線,第一曲線用于表示耗散功率和跨導(dǎo)最大值之間的關(guān)系;根據(jù)多個第二脈沖iv曲線圖,確定每個基板溫度分別對應(yīng)的第二跨導(dǎo)最大值,并根據(jù)每個基板溫度分別對應(yīng)的第二跨導(dǎo)最大值,生成第二曲線,第二曲線用于表示基板溫度和跨導(dǎo)最大值之間的關(guān)系;根據(jù)第一曲線和第二曲線,計算得到晶體管的耗散功率與溝道溫度的比值。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本技術(shù)提供的方法在對晶體管進行脈沖iv測試后,可以根據(jù)多個第一脈沖iv曲線圖中提取的多個第一跨導(dǎo)最大值,構(gòu)建耗散功率與跨導(dǎo)最大值的第一曲線,根據(jù)多個第二脈沖iv曲線圖中提取的多個第二跨導(dǎo)最大值,構(gòu)建基板溫度與跨導(dǎo)最大值的第二曲線,由于跨導(dǎo)的大小反映了柵源電壓對漏源電流的控制作用,因此,上述第一曲線和第二曲線確定得到的耗散功率與溝道溫度的比值避免了電流崩塌效應(yīng),提高了對上述比值的確定準確率。

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