本技術(shù)涉及存儲(chǔ)，尤其涉及一種應(yīng)對(duì)存儲(chǔ)介質(zhì)一致性的影響提升存儲(chǔ)設(shè)備qos的方法。

背景技術(shù)：

1、圖1a展示了存儲(chǔ)設(shè)備的框圖。存儲(chǔ)設(shè)備102同主機(jī)相耦合，用于為主機(jī)提供存儲(chǔ)能力。主機(jī)同存儲(chǔ)設(shè)備102之間可通過多種方式相耦合，耦合方式包括但不限于通過例如sata(serial?advanced?technology?attachment，串行高級(jí)技術(shù)附件)、scsi(small?computersystem?interface，小型計(jì)算機(jī)系統(tǒng)接口)、sas(serial?attached?scsi，串行連接scsi)、ide(integrated?drive?electronics，集成驅(qū)動(dòng)器電子)、usb(universal?serial?bus，通用串行總線)、pcie(peripheral?component?interconnect?express，pcie，高速外圍組件互聯(lián))、nvme(nvm?express，高速非易失存儲(chǔ))、以太網(wǎng)、光纖通道、無線通信網(wǎng)絡(luò)等多種存儲(chǔ)協(xié)議連接主機(jī)與存儲(chǔ)設(shè)備102。主機(jī)可以是能夠通過上述方式同存儲(chǔ)設(shè)備相通信的信息處理設(shè)備，例如，個(gè)人計(jì)算機(jī)、平板電腦、服務(wù)器、便攜式計(jì)算機(jī)、網(wǎng)絡(luò)交換機(jī)、路由器、蜂窩電話、個(gè)人數(shù)字助理等。存儲(chǔ)設(shè)備102包括接口103、控制部件104、一個(gè)或多個(gè)nvm芯片105以及dram(dynamic?random?access?memory，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)110。

2、nand閃存、相變存儲(chǔ)器、feram(ferroelectric?ram，鐵電存儲(chǔ)器)、mram(magneticrandom?access?memory，磁阻存儲(chǔ)器)、rram(resistive?random?access?memory，阻變存儲(chǔ)器)、xpoint存儲(chǔ)器等是常見的nvm。

3、接口103可適配于通過例如sata、ide、usb、pcie、nvme、sas、以太網(wǎng)、光纖通道等方式與主機(jī)交換數(shù)據(jù)。

4、控制部件104用于控制在接口103、nvm芯片105以及dram?110之間的數(shù)據(jù)傳輸，還用于存儲(chǔ)管理、主機(jī)邏輯地址到閃存物理地址映射、擦除均衡、壞塊管理等?？刂撇考?04可通過軟件、硬件、固件或其組合的多種方式實(shí)現(xiàn)，例如，控制部件104可以是fpga(field-programmable?gate?array，現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列)、asic(application?specificintegrated?circuit，應(yīng)用專用集成電路)或者其組合的形式。控制部件104也可以包括處理器或者控制器，在處理器或控制器中執(zhí)行軟件來操縱控制部件104的硬件來處理io(input/output)命令?？刂撇考?04還可以耦合到dram?110，并可訪問dram?110的數(shù)據(jù)。在dram可存儲(chǔ)ftl表和/或緩存的io命令的數(shù)據(jù)。

5、控制部件104包括閃存接口控制器(或稱為介質(zhì)接口控制器、閃存通道控制器)，閃存接口控制器耦合到nvm芯片105，并以遵循nvm芯片105的接口協(xié)議的方式向nvm芯片105發(fā)出命令，以操作nvm芯片105，并接收從nvm芯片105輸出的命令執(zhí)行結(jié)果。已知的nvm芯片接口協(xié)議包括“toggle”、“onfi”等。

6、圖1b展示了存儲(chǔ)設(shè)備的控制部件的詳細(xì)的框圖。

7、主機(jī)以遵循存儲(chǔ)協(xié)議的io命令訪問存儲(chǔ)設(shè)備。控制部件根據(jù)來自主機(jī)的io命令，生成一個(gè)或多個(gè)介質(zhì)接口命令并提供給介質(zhì)接口控制器。介質(zhì)接口控制器根據(jù)介質(zhì)接口命令生遵循nvm芯片的接口協(xié)議的存儲(chǔ)介質(zhì)訪問命令(例如，編程命令、讀命令、擦除命令)?？刂撇考€跟蹤從一個(gè)io命令生成的所有介質(zhì)接口命令都被執(zhí)行完成，并向主機(jī)指示io命令的處理結(jié)果。

8、參看圖1b，控制部件包括例如主機(jī)接口、主機(jī)命令處理單元、存儲(chǔ)命令處理單元、介質(zhì)接口控制器與存儲(chǔ)介質(zhì)管理單元。主機(jī)接口獲取主機(jī)提供的io命令，并生成存儲(chǔ)命令提供給存儲(chǔ)命令處理單元。存儲(chǔ)命令例如訪問相同大小的存儲(chǔ)空間，例如4kb。將nvm芯片中記錄的對(duì)應(yīng)一個(gè)存儲(chǔ)命令所訪問數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)單元稱為數(shù)據(jù)幀。物理頁(yè)記錄一個(gè)或多個(gè)數(shù)據(jù)幀。例如，物理頁(yè)的大小17664字節(jié)，而數(shù)據(jù)幀大小為4kb，則一個(gè)物理頁(yè)能存儲(chǔ)4個(gè)數(shù)據(jù)幀。

9、存儲(chǔ)介質(zhì)管理單元為每個(gè)存儲(chǔ)命令維護(hù)邏輯地址到物理地址的轉(zhuǎn)換。例如，存儲(chǔ)介質(zhì)管理單元包括ftl表。對(duì)于讀命令，存儲(chǔ)介質(zhì)管理單元輸出存儲(chǔ)命令所訪問的邏輯地址對(duì)應(yīng)的物理地址，對(duì)于寫命令，存儲(chǔ)介質(zhì)管理單元為其分配可用的物理地址，并記錄其訪問的邏輯地址與分配的物理地址的映射關(guān)系。存儲(chǔ)介質(zhì)管理單元還維護(hù)諸如垃圾回收、磨損均衡等管理nvm芯片所需的功能。

10、存儲(chǔ)命令處理單元根據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)管理單元提供的物理地址，操作介質(zhì)接口控制器向nvm芯片發(fā)出存儲(chǔ)介質(zhì)訪問命令。為了清楚的目的，將主機(jī)發(fā)送給存儲(chǔ)設(shè)備的命令稱為io命令，將主機(jī)命令處理單元發(fā)送給存儲(chǔ)命令處理單元的命令稱為存儲(chǔ)命令，將存儲(chǔ)命令處理單元發(fā)送給介質(zhì)接口控制器的命令稱為介質(zhì)接口命令，而將介質(zhì)接口控制器發(fā)送給nvm芯片的命令稱為存儲(chǔ)介質(zhì)訪問命令。存儲(chǔ)介質(zhì)訪問命令遵循nvm芯片的接口協(xié)議。ssd(solid?state?drives，固態(tài)硬盤)中包括多個(gè)nvm芯片。每個(gè)nvm芯片包括一個(gè)或多個(gè)lun(logical?unit，邏輯單元)，每個(gè)邏輯單元包括多個(gè)物理塊(block)。隨著存儲(chǔ)容量的增加，nvm芯片/lun/block數(shù)量的增加，存儲(chǔ)介質(zhì)出現(xiàn)故障的幾率也增加。為了確保向用戶交付所存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的可靠性，在企業(yè)級(jí)ssd中使用類似raid(redundant?arrays?of?independentdisks，磁盤陣列)的技術(shù)(簡(jiǎn)稱為raid技術(shù))來構(gòu)造跨nvm芯片/邏輯單元的數(shù)據(jù)保護(hù)單元，從而即使單個(gè)nvm芯片/邏輯單元出現(xiàn)故障，仍能確保數(shù)據(jù)不丟失。這樣也能應(yīng)對(duì)ssd工作中出現(xiàn)的偶發(fā)性數(shù)據(jù)錯(cuò)誤。

11、頁(yè)條帶是ssd內(nèi)的、基于raid技術(shù)構(gòu)造的數(shù)據(jù)保護(hù)單元，頁(yè)條帶在大塊中構(gòu)造。大塊包括來自多個(gè)邏輯單元的物理塊，為大塊提供物理塊的多個(gè)邏輯單元被稱為邏輯單元組。邏輯單元組中的每個(gè)邏輯單元可以為大塊提供一個(gè)物理塊。例如，在圖2a所示出的大塊的示意圖中，在n+1個(gè)邏輯單元上構(gòu)造大塊。每個(gè)大塊包括n+1個(gè)分別來自n+1個(gè)邏輯單元的物理塊。大塊存儲(chǔ)用戶數(shù)據(jù)與校驗(yàn)數(shù)據(jù)。根據(jù)大塊存儲(chǔ)的用戶數(shù)據(jù)計(jì)算得到大塊的校驗(yàn)數(shù)據(jù)。作為舉例，在大塊的最后一個(gè)物理塊中存儲(chǔ)校驗(yàn)數(shù)據(jù)。也可以選擇大塊的其他物理塊來存儲(chǔ)校驗(yàn)數(shù)據(jù)。還可以采用其他構(gòu)造方式構(gòu)造大塊，如參見圖2b所示，為在多平面的邏輯單元中構(gòu)造大塊的實(shí)現(xiàn)方式。

12、大塊，作為ssd對(duì)存儲(chǔ)介質(zhì)資源的分配和回收單元。在分配存儲(chǔ)介質(zhì)資源來承載寫入數(shù)據(jù)時(shí)，選擇空閑大塊。在所選擇的大塊內(nèi)部，按順序?qū)懭霐?shù)據(jù)。在回收存儲(chǔ)介質(zhì)資源時(shí)，對(duì)大塊整體回收，并在回收了有效數(shù)據(jù)后，對(duì)大塊的所有物理塊都進(jìn)行擦除(erase)。從而，在ssd內(nèi)，大塊內(nèi)的所有物理塊，通?？偸蔷哂邢嗤牟翆懘螖?shù)。

13、參見圖3a以及圖3b所示，大塊包括多個(gè)頁(yè)條帶，頁(yè)條帶包括多個(gè)物理頁(yè)，這些物理頁(yè)來自相同大塊的例如不同物理塊。例如，頁(yè)條帶的多個(gè)物理頁(yè)中有p個(gè)頁(yè)用來存放用戶數(shù)據(jù)，而q個(gè)頁(yè)用來存放校驗(yàn)數(shù)據(jù)(圖3a和圖3b中，q＝1)。將寫入頁(yè)i的數(shù)據(jù)記為d(i)。校驗(yàn)數(shù)據(jù)d(q)由p頁(yè)用戶數(shù)據(jù)根據(jù)指定的錯(cuò)誤校正算法生成。例如，基于異或運(yùn)算確定校驗(yàn)數(shù)據(jù)，則d(q)＝d(0)xor?d(1)xor…xor?d(p-1)。從而在向頁(yè)條帶寫入數(shù)據(jù)中，只有知道了d(0)到d(p-1)才能計(jì)算出d(q)。d(i)的大小典型是例如2kb、4kb、16kb等。

14、在tlc(triple-level?cell，三層式儲(chǔ)存)閃存中，通常使用one-shot(一次性)編程模式，要求對(duì)相同字線上的3個(gè)物理頁(yè)在一次onfi命令中編程，這使得單一編程命令要操作3個(gè)物理頁(yè)。相應(yīng)地，為提高寫性能，按3個(gè)物理頁(yè)為1組構(gòu)造頁(yè)條帶，使得d(q)的大小典型地為48kb。在多平面的tlb(translation?lookaside?buffer，轉(zhuǎn)換檢測(cè)緩沖區(qū))閃存中，為提高寫性能可使用多平面編程模式。這使得單一編程命令要操作例如12個(gè)物理頁(yè)(每邏輯單元包括4平面)。相應(yīng)地，d(q)的大小典型地為192kb。

15、為了使用raid技術(shù)，需要為寫入頁(yè)條帶的數(shù)據(jù)計(jì)算校驗(yàn)數(shù)據(jù)d(q)。計(jì)算校驗(yàn)數(shù)據(jù)涉及大量的xor操作，為了加速這一過程，通常使用專用的硬件單元(稱為xor計(jì)算單元)來完成d(q)＝d(0)xor?d(1)xor…xor?d(p-1)的計(jì)算。xor計(jì)算單元還包括xor緩存，用來緩存數(shù)據(jù)d(i)，以及每次xor計(jì)算的中間結(jié)果，例如d(0)xor?d(1)的結(jié)果，d(0)xor?d(1)xor?d(2)的結(jié)果，直到得到最終的d(q)，然后將d(q)寫入頁(yè)條帶。從而xor緩存的大小需要能容納整個(gè)d(i)，并且在分配了一個(gè)頁(yè)條帶，從開始向這個(gè)頁(yè)條帶寫入數(shù)據(jù)到這個(gè)頁(yè)條帶被寫滿之前，需要占用整個(gè)xor緩存來服務(wù)于向該頁(yè)條帶寫入數(shù)據(jù)的操作。

16、為了提高ssd的性能，可以同時(shí)向多個(gè)大塊的多個(gè)頁(yè)條帶寫入數(shù)據(jù)，相應(yīng)地需要為并發(fā)寫入的每個(gè)頁(yè)條帶分配其獨(dú)占的xor緩存。前文提到，d(q)的尺寸可達(dá)192kb(還包括一些帶外數(shù)據(jù))，從而單個(gè)xor緩存需要200kb左右的容量。而芯片內(nèi)部緩存資源是十分昂貴的，從而xor計(jì)算單元的xor緩存數(shù)量通常很少(例如1-4個(gè))。

17、在諸如201610861793.5、2016108365313、201720947480.1、2020106151782、2020106130343的中國(guó)專利申請(qǐng)，提供了介質(zhì)接口控制器?，F(xiàn)有技術(shù)中，xor計(jì)算單元位于介質(zhì)接口控制器中，參見圖4a和圖4b所示。通過操作xor計(jì)算單元，來適配具有不同數(shù)據(jù)保護(hù)能力的頁(yè)條帶。頁(yè)條帶的數(shù)據(jù)保護(hù)級(jí)別由校驗(yàn)數(shù)據(jù)與用戶數(shù)據(jù)的大小關(guān)系來確定，即p與q的取值代表了頁(yè)條帶的數(shù)據(jù)保護(hù)能力。并且，在介質(zhì)接口控制器通過(program)編程命令將數(shù)據(jù)(例如d(0))提供給nvm芯片(例如物理頁(yè)p0-0)的過程中，完成xor計(jì)算。例如，假設(shè)為頁(yè)條帶0分配了xor緩存0(初始化為全0)，在搬移d(0)到頁(yè)條帶0的物理頁(yè)p0-0的過程中，計(jì)算0xor?d(0)，結(jié)果為d(0)并且保存在xor緩存0中；接下來，將d(1)搬移到頁(yè)條帶0的物理頁(yè)p0-1，計(jì)算d(0)xor?d(1)，其中d(0)在xor緩存0內(nèi)部，d(1)在數(shù)據(jù)搬移中得到，隨后xor緩存0中記錄的是d(0)xor?d(1)的結(jié)果；接下來，將d(2)搬移到頁(yè)條帶0的物理頁(yè)p0-2，對(duì)xor緩存0中記錄的d(0)xor?d(1)的結(jié)果，與搬移的d(2)做xor，結(jié)果依然保存在xor緩存0中。以此類推，在將d(p-1)搬移到頁(yè)條帶0的物理頁(yè)p0-(p-1)后，xor緩存0中得到了d(q)，從而接下來將d(q)搬移到頁(yè)條帶0的物理頁(yè)p0-p。至此，頁(yè)條帶0被寫滿，xor緩存0被釋放。

18、作為一種優(yōu)化方式，介質(zhì)接口控制器收到的介質(zhì)接口命令中，可以僅包括將d(0)到d(p-1)寫入頁(yè)條帶的各頁(yè)的物理地址的指示，而不包括將d(q)寫入頁(yè)條帶的指示。由介質(zhì)接口控制器自動(dòng)地計(jì)算d(q)并寫入頁(yè)條帶。

19、針對(duì)介質(zhì)接口控制器而言，其需要管理多個(gè)邏輯單元(lun)，參見圖5。并為了例如性能的目的，需要充分發(fā)揮多個(gè)邏輯單元之間并行處理命令的能力，以及控制介質(zhì)接口控制器的成本，減少其電路規(guī)模?，F(xiàn)有技術(shù)中(如中國(guó)專利申請(qǐng)201610861793.5)，提供了包括多個(gè)線程的介質(zhì)接口控制器。線程作為可被調(diào)度的任務(wù)處理單元，可以同邏輯單元?jiǎng)討B(tài)綁定，通過線程來處理對(duì)與其綁定的邏輯單元的命令。申請(qǐng)?zhí)枮椤?022117373066”的中國(guó)專利申請(qǐng)中，將協(xié)程作為同邏輯單元對(duì)應(yīng)的任務(wù)處理單元，通過協(xié)程來執(zhí)行微指令序列以操作對(duì)邏輯單元的訪問，如，參見圖5。圖5中，主機(jī)接口獲取主機(jī)提供的io命令，并生成存儲(chǔ)命令提供給存儲(chǔ)命令處理單元。存儲(chǔ)命令例如訪問相同大小的存儲(chǔ)空間，例如4kb。現(xiàn)有技術(shù)中也存在為每個(gè)閃存通道或邏輯單元提供對(duì)應(yīng)的閃存控制器(flash?controller)，通過向閃存控制器提供命令來操作與其綁定的邏輯單元。

20、無論是基于軟件或固件的線程、協(xié)程，還是基于硬件的閃存控制器，均作為可操作訪問同其綁定的邏輯單元的任務(wù)處理單元。多個(gè)任務(wù)處理單元能夠并行工作，從而同時(shí)操作多個(gè)邏輯單元。為了清楚的目的，將其稱為lun控制器。其實(shí)現(xiàn)方式，包括現(xiàn)有技術(shù)的介質(zhì)接口控制器的線程、協(xié)程、閃存控制器以及其他具有類似功能的實(shí)施方式，也包括將來出現(xiàn)的介質(zhì)接口控制器中同邏輯單元綁定的用于操作對(duì)邏輯單元的訪問的實(shí)施方式。從而，在提供給介質(zhì)接口控制器的介質(zhì)接口命令中，通過描述要訪問的邏輯單元，來指定lun控制器處理介質(zhì)接口命令并訪問邏輯單元。

21、現(xiàn)有的方案中，除了在介質(zhì)接口控制器通過編程命令將數(shù)據(jù)(例如d(0))提供給nvm芯片的過程中，完成xor計(jì)算，還為介質(zhì)接口控制器增加了一項(xiàng)功能，如，申請(qǐng)?zhí)枮?01911367405.8的中國(guó)專利申請(qǐng)中所提供的介質(zhì)接口控制器，能夠?qū)ram中的指定數(shù)據(jù)執(zhí)行xor操作，但不必然將該指定數(shù)據(jù)寫入nvm芯片。從而，在操作p取值較大的頁(yè)條帶時(shí)，將d(q)的計(jì)算分為多段。例如在第1段中計(jì)算d(0)xor?d(1)xor(d2)...xor?d(m)(其結(jié)果為temp)，而在第2段中計(jì)算temp?xor?d(m+1)xor...xor?d(p-1)得到d(q)。其中，在第2段中向xor計(jì)算單元傳輸?shù)膖emp不被寫入nvm芯片中。

22、將xor計(jì)算單元對(duì)dram中的指定數(shù)據(jù)執(zhí)行xor計(jì)算，但不將該指定數(shù)據(jù)寫入nvm芯片的操作稱為校驗(yàn)數(shù)據(jù)計(jì)算操作(簡(jiǎn)記為r操作)。r操作中參與xor計(jì)算的兩個(gè)操作，一個(gè)來自xor緩存，一個(gè)來自dram，從而指示介質(zhì)接口控制器執(zhí)行r操作的介質(zhì)接口命令中需要描述dram地址，以及還需要在操作中指定使用的xor緩存。r操作中，xor計(jì)算的結(jié)果保留在xor緩存中。

23、而指示介質(zhì)接口控制器執(zhí)行編程操作的介質(zhì)接口命令，其含義在于，將dram中的指定數(shù)據(jù)通過program命令寫入nvm芯片的指定物理地址，以及附帶地將該指定數(shù)據(jù)與xor緩存中的數(shù)據(jù)執(zhí)行xor計(jì)算，計(jì)算結(jié)果保留在xor緩存中，將該操作簡(jiǎn)稱為p操作。

24、通常采用p操作和將xor緩存中的數(shù)據(jù)寫入nvm芯片中的操作相配合的方式，利用dram中的指定數(shù)據(jù)生成校驗(yàn)數(shù)據(jù)并寫入頁(yè)條帶。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、由于在對(duì)大塊內(nèi)的物理塊進(jìn)行擦除時(shí)，在前的擦除操作需要長(zhǎng)期占用nvm芯片，進(jìn)而導(dǎo)致該nvm芯片上在后的編程(program)命令被延遲處理，進(jìn)而導(dǎo)致與該編程命令所操作的物理頁(yè)所屬頁(yè)條帶對(duì)應(yīng)的xor緩存無法被及時(shí)釋放，使得xor緩存占用時(shí)間變大，xor緩存的利用率降低。

2、而且，由于在回收存儲(chǔ)介質(zhì)資源時(shí)，對(duì)大塊整體回收，并在回收了有效數(shù)據(jù)后，對(duì)大塊的所有物理塊都進(jìn)行擦除。nvm芯片執(zhí)行擦除操作時(shí)所需的功耗較大，對(duì)大塊的所有物理塊同時(shí)擦除進(jìn)一步使得存儲(chǔ)設(shè)備的瞬時(shí)功耗增加，甚至可能超出容納存儲(chǔ)設(shè)備的供電能力。功耗的波動(dòng)對(duì)數(shù)據(jù)中心的供電能力也構(gòu)成挑戰(zhàn)。因此希望能夠抑制存儲(chǔ)設(shè)備工作期間的功耗波動(dòng)。

3、另一方面，存儲(chǔ)設(shè)備內(nèi)的xor緩存資源有限，希望盡快完成利用xor緩存資源所進(jìn)行的處理來盡早釋放xor緩存以提高資源利用率。然而當(dāng)存在擦除操作時(shí)，執(zhí)行擦除操作的lun控制器也被占用，使得該lun控制器后續(xù)的編程操作和/或使用xor緩存的操作的處理被推遲。通過對(duì)lun控制器的調(diào)度能一定程度緩解該問題，然而當(dāng)大塊被回收，大塊的所有物理塊被擦除時(shí)，所有的lun控制器都被擦除操作占用，導(dǎo)致無法找到空閑的lun控制器來處理使用xor緩存的操作，進(jìn)而導(dǎo)致xor緩存的占用時(shí)間增加，利用效率降低，并導(dǎo)致存儲(chǔ)設(shè)備的讀/寫性能降低或波動(dòng)。

4、通過盡力將來自主機(jī)的io命令均勻分發(fā)到存儲(chǔ)設(shè)備的各nvm芯片或邏輯單元(lun)，以充分利用存儲(chǔ)設(shè)備的并行io命令處理能力，有助于提升存儲(chǔ)設(shè)備的性能。但是，隨著存儲(chǔ)設(shè)備上的nvm芯片的增加，也發(fā)現(xiàn)各nvm芯片、各lun和/或各物理塊存在一致性問題。除了由誤碼率所代表的數(shù)據(jù)可靠性指標(biāo)，對(duì)一些物理塊的訪問具有比其他物理塊更快或更慢的響應(yīng)速度。這種存儲(chǔ)介質(zhì)的性能不一致會(huì)被進(jìn)一步累積，從而導(dǎo)致某個(gè)或某些lun控制器的被堵塞或其處理的任務(wù)(介質(zhì)接口命令)被堆積，進(jìn)而導(dǎo)致主機(jī)可察覺到的io命令處理的qos問題(例如，不同io命令的處理延遲存在波動(dòng))，也會(huì)導(dǎo)致控制部件的一些內(nèi)部資源(例如xor緩存)被長(zhǎng)期占用而影響控制部件的性能(例如帶寬)。

5、本技術(shù)希望提供一種方法來解決上述技術(shù)問題的一個(gè)或多個(gè)。

6、第一方面，本技術(shù)實(shí)施例提供一種命令分配方法，包括：響應(yīng)于接收到的介質(zhì)接口命令，獲取所述介質(zhì)接口命令指示的操作類型；確定與所述介質(zhì)接口命令以及所述操作類型關(guān)聯(lián)的lun控制器，將所述介質(zhì)接口命令分配至所述lun控制器，由所述lun控制器處理所述介質(zhì)接口命令；其中，所述操作類型包括p1操作或者r操作，所述p1操作指示將存儲(chǔ)器中的指定數(shù)據(jù)搬移到nvm芯片，所述r操作指示對(duì)所述存儲(chǔ)器中的指定數(shù)據(jù)執(zhí)行xor計(jì)算、在xor緩存中保留計(jì)算結(jié)果。

7、可選地，所述操作類型還包括p2操作，所述p2操作指示將所述xor緩存中的數(shù)據(jù)搬移到所述nvm芯片。

8、可選地，所述獲取所述介質(zhì)接口命令指示的操作類型，包括：基于所述介質(zhì)接口命令所包括的操作類型字段，確定所述介質(zhì)接口命令對(duì)應(yīng)的操作類型。

9、可選地，在所述操作類型為p1操作或者p2操作的情況下，所述介質(zhì)接口命令包括指示要訪問的nvm芯片的物理地址的字段以及指示要被搬移的數(shù)據(jù)的字段；所述確定與所述介質(zhì)接口命令以及所述操作類型關(guān)聯(lián)的lun控制器，包括：基于所述介質(zhì)接口命令指示的物理地址確定所訪問的邏輯單元；基于邏輯單元與lun控制器之間的映射關(guān)系，確定與所訪問的邏輯單元對(duì)應(yīng)的lun控制器。

10、可選地，在所述操作類型為p1操作的情況下，響應(yīng)于所訪問的物理頁(yè)和所述存儲(chǔ)器中的指定數(shù)據(jù)，所述lun控制器生成存儲(chǔ)介質(zhì)訪問命令并發(fā)送至對(duì)應(yīng)的邏輯單元，以向?qū)?yīng)的物理頁(yè)寫入所述指定數(shù)據(jù)來執(zhí)行p1操作；其中，所訪問的物理頁(yè)基于所述介質(zhì)接口命令指示的物理地址確定，所述指定數(shù)據(jù)為所述介質(zhì)接口命令指示的、所述存儲(chǔ)器中要被搬移的數(shù)據(jù)。

11、可選地，在所述操作類型為p2操作的情況下，響應(yīng)于所訪問的物理頁(yè)和所述xor緩存中的校驗(yàn)數(shù)據(jù)，所述lun控制器生成存儲(chǔ)介質(zhì)訪問命令并發(fā)送至對(duì)應(yīng)的邏輯單元，以向?qū)?yīng)的物理頁(yè)寫入所述校驗(yàn)數(shù)據(jù)來執(zhí)行p2操作；其中，所訪問的物理頁(yè)基于所述介質(zhì)接口命令指示的物理地址確定，所述校驗(yàn)數(shù)據(jù)為所述介質(zhì)接口命令指示的、所述xor緩存中要被搬移的數(shù)據(jù)，且所述校驗(yàn)數(shù)據(jù)基于所述存儲(chǔ)器中要被搬移的多個(gè)指定數(shù)據(jù)確定，所述多個(gè)指定數(shù)據(jù)被寫入同一頁(yè)條帶。

12、可選地，在所述操作類型為r操作的情況下，所述確定與所述介質(zhì)接口命令以及所述操作類型關(guān)聯(lián)的lun控制器，包括：將從多個(gè)lun控制器中確定出的不存在未處理完成的擦除操作的lun控制器確定為與所述介質(zhì)接口命令以及所述操作類型關(guān)聯(lián)的lun控制器。

13、可選地，在所述介質(zhì)接口命令包括指示lun控制器的字段的情況下，將不存在未處理完成的擦除操作的lun控制器確定為與所述介質(zhì)接口命令以及所述操作類型關(guān)聯(lián)的lun控制器，包括：基于所述介質(zhì)接口命令指示的lun控制器，確定第一lun控制器；若所述第一lun控制器不存在未處理完成的擦除操作，將所述第一lun控制器確定為與所述介質(zhì)接口命令以及所述操作類型關(guān)聯(lián)的lun控制器；以及若所述第一lun控制器存在未處理完成的擦除操作，將從多個(gè)lun控制器中確定出的不存在未處理完成的擦除操作的第二lun控制器確定為與所述介質(zhì)接口命令以及所述操作類型關(guān)聯(lián)的lun控制器。

14、可選地，所述指示lun控制器的字段為指示要訪問的邏輯單元的字段。

15、可選地，所述介質(zhì)接口命令包括指示要被操作的數(shù)據(jù)的源地址字段以及目的地址字段；所述方法還包括：基于所述介質(zhì)接口命令指示的目的地址申請(qǐng)xor緩存；在申請(qǐng)成功的情況下，所確定的lun控制器、將所述源地址字段所指示的將要被操作的數(shù)據(jù)與所申請(qǐng)的xor緩存中的數(shù)據(jù)進(jìn)行xor運(yùn)算，在所述所申請(qǐng)的xor緩存中保留計(jì)算結(jié)果。

16、可選地，所述方法還包括：在申請(qǐng)失敗的情況下，重復(fù)基于所述介質(zhì)接口命令指示的目的地址申請(qǐng)xor緩存，直到申請(qǐng)成功。

17、可選地，所述方法還包括：響應(yīng)于所確定的lun控制器完成了所述r操作，釋放所述所申請(qǐng)的xor緩存。

18、可選地，若所述lun控制器存在未處理完成的擦除操作，所述lun控制器處理完所述擦除操作之后，再處理所述操作類型為p1操作或p2操作的所述介質(zhì)接口命令。

19、可選地，若所述操作類型指示擦除操作，獲取一個(gè)或多個(gè)lun控制器正在處理的擦除操作的數(shù)量；若一個(gè)或多個(gè)lun控制器正在處理的擦除操作的數(shù)量大于閾值，暫停處理所述操作類型為擦除操作的所述介質(zhì)接口命令；以及若所有l(wèi)un控制器正在處理的擦除操作的數(shù)量不大于閾值，基于所述介質(zhì)接口命令指示的物理地址確定所訪問的邏輯單元；基于邏輯單元與lun控制器之間的映射關(guān)系，確定與所訪問的邏輯單元對(duì)應(yīng)的lun控制器。

20、第二方面，本技術(shù)實(shí)施例提供一種介質(zhì)接口控制器，包括：命令分配單元和多個(gè)lun控制器；所述命令分配單元響應(yīng)于接收到的介質(zhì)接口命令，獲取所述介質(zhì)接口命令指示的操作類型，在所述多個(gè)lun控制器中確定與所述介質(zhì)接口命令以及所述操作類型關(guān)聯(lián)的lun控制器，將所述介質(zhì)接口命令分配至所述lun控制器，由所述lun控制器處理所述介質(zhì)接口命令；其中，所述操作類型為p1操作或者r操作，所述p1操作指示將存儲(chǔ)器中的指定數(shù)據(jù)搬移到nvm芯片，所述r操作指示對(duì)所述存儲(chǔ)器中的指定數(shù)據(jù)執(zhí)行xor計(jì)算、在xor緩存中保留計(jì)算結(jié)果。

21、可選地，所述操作類型還包括p2操作，所述p2操作指示將所述xor緩存中的數(shù)據(jù)搬移到所述nvm芯片。

22、可選地，所述命令分配單元基于所述介質(zhì)接口命令所包括的操作類型字段，確定所述介質(zhì)接口命令對(duì)應(yīng)的操作類型。

23、可選地，在所述操作類型為p1操作或者p2操作的情況下，所述介質(zhì)接口命令包括指示要訪問的nvm芯片的物理地址的字段以及指示要被搬移的數(shù)據(jù)的字段；所述命令分配單元基于所述介質(zhì)接口命令指示的物理地址確定所訪問的邏輯單元；基于邏輯單元與lun控制器之間的映射關(guān)系，確定與所訪問的邏輯單元對(duì)應(yīng)的lun控制器。

24、可選地，在所述操作類型為p1操作的情況下，響應(yīng)于所訪問的物理頁(yè)和所述存儲(chǔ)器中的指定數(shù)據(jù)，所述lun控制器生成存儲(chǔ)介質(zhì)訪問命令并發(fā)送至對(duì)應(yīng)的邏輯單元，以向?qū)?yīng)的物理頁(yè)寫入所述指定數(shù)據(jù)來執(zhí)行p1操作；其中，所訪問的物理頁(yè)基于所述介質(zhì)接口命令指示的物理地址確定，所述指定數(shù)據(jù)為所述介質(zhì)接口命令指示的、所述存儲(chǔ)器中要被搬移的數(shù)據(jù)。

25、可選地，在所述操作類型為p2操作的情況下，響應(yīng)于所訪問的物理頁(yè)和所述xor緩存中的校驗(yàn)數(shù)據(jù)，所述lun控制器生成存儲(chǔ)介質(zhì)訪問命令并發(fā)送至對(duì)應(yīng)的邏輯單元，以向?qū)?yīng)的物理頁(yè)寫入所述校驗(yàn)數(shù)據(jù)來執(zhí)行p2操作；其中，所訪問的物理頁(yè)基于所述介質(zhì)接口命令指示的物理地址確定，所述校驗(yàn)數(shù)據(jù)為所述介質(zhì)接口命令指示的、所述xor緩存中要被搬移的數(shù)據(jù)，且所述校驗(yàn)數(shù)據(jù)基于所述存儲(chǔ)器中要被搬移的多個(gè)指定數(shù)據(jù)確定，所述多個(gè)指定數(shù)據(jù)被寫入同一頁(yè)條帶。

26、可選地，在所述操作類型為r操作的情況下，所述命令分配單元將從多個(gè)lun控制器中確定出的不存在未處理完成的擦除操作的lun控制器確定為與所述介質(zhì)接口命令以及所述操作類型關(guān)聯(lián)的lun控制器。

27、可選地，在所述介質(zhì)接口命令包括指示lun控制器的字段的情況下，所述命令分配單元基于所述介質(zhì)接口命令指示的lun控制器，確定第一lun控制器；若所述第一lun控制器不存在未處理完成的擦除操作，所述命令分配單元將所述第一lun控制器確定為與所述介質(zhì)接口命令以及所述操作類型關(guān)聯(lián)的lun控制器；以及

28、若所述第一lun控制器存在未處理完成的擦除操作，所述命令分配單元將從多個(gè)lun控制器中確定出的不存在未處理完成的擦除操作的第二lun控制器確定為與所述介質(zhì)接口命令以及所述操作類型關(guān)聯(lián)的lun控制器。

29、可選地，所述指示lun控制器的字段為指示要訪問的邏輯單元的字段。

30、可選地，所述介質(zhì)接口命令包括指示要被操作的數(shù)據(jù)的源地址字段以及目的地址字段；所確定的lun控制器基于所述介質(zhì)接口命令指示的目的地址申請(qǐng)xor緩存；在申請(qǐng)成功的情況下，所確定的lun控制器、將所述源地址字段所指示的將要被操作的數(shù)據(jù)與所申請(qǐng)的xor緩存中的數(shù)據(jù)進(jìn)行xor運(yùn)算，在所述所申請(qǐng)的xor緩存中保留計(jì)算結(jié)果。

31、可選地，在申請(qǐng)失敗的情況下，重復(fù)基于所述介質(zhì)接口命令指示的目的地址申請(qǐng)xor緩存，直到申請(qǐng)成功。

32、可選地，響應(yīng)于所確定的lun控制器完成了所述r操作，釋放所述所申請(qǐng)的xor緩存。

33、可選地，若所述lun控制器存在未處理完成的擦除操作，所述lun控制器處理完所述擦除操作之后，再處理所述操作類型為p1操作或p2操作的所述介質(zhì)接口命令。

34、可選地，若所述操作類型指示擦除操作，所述命令分配單元獲取一個(gè)或多個(gè)lun控制器正在處理的擦除操作的數(shù)量；若一個(gè)或多個(gè)lun控制器正在處理的擦除操作的數(shù)量大于閾值，所述命令分配單元暫停處理所述操作類型為擦除操作的所述介質(zhì)接口命令；以及若所有l(wèi)un控制器正在處理的擦除操作的數(shù)量不大于閾值，所述命令分配單元基于所述介質(zhì)接口命令指示的物理地址確定所訪問的邏輯單元；基于邏輯單元與lun控制器之間的映射關(guān)系，確定與所訪問的邏輯單元對(duì)應(yīng)的lun控制器。

35、第三方面，本技術(shù)實(shí)施例提供一種數(shù)據(jù)訪問方法，包括：響應(yīng)于要向第一頁(yè)條帶的每個(gè)第一物理頁(yè)寫入指定數(shù)據(jù)，生成成對(duì)的p1操作和r操作，所述p1操作指示將存儲(chǔ)器中的指定數(shù)據(jù)搬移到nvm芯片，所述r操作指示對(duì)所述存儲(chǔ)器中的指定數(shù)據(jù)執(zhí)行xor計(jì)算，并在所述第一頁(yè)條帶對(duì)應(yīng)的第一xor緩存中保留計(jì)算結(jié)果；其中所述第一頁(yè)條帶包括第二物理頁(yè)與多個(gè)第一物理頁(yè)；響應(yīng)于要向所述第一頁(yè)條帶的第二物理頁(yè)寫入數(shù)據(jù)，生成p2操作，所述p2操作指示將所述第一xor緩存中的校驗(yàn)數(shù)據(jù)寫入所述第一頁(yè)條帶的第二物理頁(yè)。

36、可選地，在根據(jù)所述多個(gè)第一物理頁(yè)分別對(duì)應(yīng)的r操作確定所述第一頁(yè)條帶對(duì)應(yīng)的校驗(yàn)數(shù)據(jù)后，處理所述p2操作。

37、可選地，所述方法還包括：為待寫入所述存儲(chǔ)器中的指定數(shù)據(jù)的所述第一頁(yè)條帶分配所述第一xor緩存。

38、可選地，在處理所生成的所述p1操作和所述r操作時(shí)，包括：在處理每個(gè)所述p1操作時(shí)，根據(jù)所述p1操作所指示的第一物理頁(yè)歸屬的邏輯單元，確定對(duì)應(yīng)的第一lun控制器，通過所述第一lun控制器處理所述p1操作，以將所述p1操作指示的所述存儲(chǔ)器中的指定數(shù)據(jù)寫入所述p1操作所指示的第一物理頁(yè)；在處理每個(gè)所述r操作時(shí)，確定處理所述r操作的第二lun控制器，通過所述第二lun控制器處理所述r操作，以對(duì)所述r操作指示的指定數(shù)據(jù)進(jìn)行xor運(yùn)算、并將運(yùn)算結(jié)果存儲(chǔ)于所述第一xor緩存中。

39、可選地，所述確定處理所述r操作的第二lun控制器，包括：從多個(gè)lun控制器中將不存在未處理完成的擦除操作的lun控制器確定為所述第二lun控制器。

40、可選地，若所述第一lun控制器存在未處理完成的擦除操作，從多個(gè)lun控制器中確定出不存在未處理完成的擦除操作的lun控制器，將該lun控制器確定為所述第二lun控制器；若所述第一lun控制器不存在未處理完成的擦除操作，將所述第一lun控制器確定為所述第二lun控制器。

41、可選地，在通過所述第二lun控制器處理所述r操作之前，申請(qǐng)所述第一xor緩存；若申請(qǐng)到所述第一xor緩存，所述第二lun控制器將要被操作的指定數(shù)據(jù)搬移到所述第一xor緩存，以及與所述第一xor緩存中的數(shù)據(jù)進(jìn)行xor操作。

42、可選地，所述方法還包括：若未申請(qǐng)到所述第一xor緩存，重復(fù)申請(qǐng)所述第一xor緩存，直到申請(qǐng)成功。

43、可選地，所述方法還包括：在完成所述r操作的情況下，釋放所述第一xor緩存。

44、可選地，若所述第一lun控制器存在未處理完成的擦除操作，在所述第一lun控制器完成所述擦除操作之后，所述第一lun控制器處理所述p1操作。

45、可選地，若在所述第二lun控制器處理所述r操作的過程中、為所述第二lun控制器分配了所述p1操作，則在所述第二lun控制器在處理完成所述r操作之后、所述第二lun控制器再處理所述p1操作。

46、可選地，所述第一lun控制器和所述第二lun控制器的關(guān)系為以下情況之一：所述第一lun控制器和所述第二lun控制器對(duì)應(yīng)的邏輯單元?dú)w屬于同一邏輯單元組；所述第一lun控制器和所述第二lun控制器對(duì)應(yīng)的邏輯單元?dú)w屬于不同的邏輯單元組；其中，每個(gè)邏輯單元組包括多個(gè)邏輯單元，每個(gè)邏輯單元對(duì)應(yīng)于一lun控制器，歸屬于同一邏輯單元組的邏輯單元對(duì)應(yīng)于同一大塊。

47、可選地，在生成成對(duì)的所述p1操作與所述r操作時(shí)，所述方法還包括：獲取與所述p1操作對(duì)應(yīng)的第一lun控制器是否有未處理完的擦除操作；若所述第一lun控制器沒有未處理完的擦除操作，在生成的所述r操作中指示所述第一lun控制器；若所述第一lun控制器存在未處理完的擦除操作，在生成的所述r操作中指示區(qū)別于所述第一lun控制器的、沒有未處理完的擦除操作的lun控制器。

48、可選地，在生成所述p2操作之后，所述方法還包括：根據(jù)所述第二物理頁(yè)歸屬的邏輯單元，確定對(duì)應(yīng)的第三lun控制器，所述第三lun控制器處理所述p2操作，以將所述校驗(yàn)數(shù)據(jù)寫入所述第二物理頁(yè)。

49、可選地，在所述第三lun控制器存在正在被處理的擦除操作的情況下，所述方法還包括：將所述p2操作所指示的所述第一xor緩存中的校驗(yàn)數(shù)據(jù)搬移至外部存儲(chǔ)器，并釋放所述第一xor緩存；在所述第三lun控制器完成擦除操作的處理后，申請(qǐng)所述第一xor緩存，將所述校驗(yàn)數(shù)據(jù)搬移至所述第一xor緩存、并將所述第一xor緩存中的校驗(yàn)數(shù)據(jù)寫入所述第二物理頁(yè)。

50、可選地，多個(gè)lun控制器并行處理多個(gè)成對(duì)的p1操作、r操作以及1個(gè)p2操作。

51、可選地，在為所述p1操作分配lun控制器時(shí)，在基于所述p1操作對(duì)應(yīng)的邏輯單元確定第一lun控制器且所述第一lun控制器存在至少一個(gè)待處理的操作的情況下，繼續(xù)將所述p1操作分配至所述第一lun控制器；在為所述p2操作分配lun控制器時(shí)，在基于所述p2操作對(duì)應(yīng)的邏輯單元確定第三lun控制器且所述第三lun控制器存在至少一個(gè)待處理的操作的情況下，繼續(xù)將所述p2操作分配至所述第三lun控制器。

52、可選地，在為所述r操作分配lun控制器時(shí)，從多個(gè)lun控制器中確定不存在未處理完成的擦除操作的lun控制器為所述第二lun控制器，且所述第二lun控制器存在至少一個(gè)待處理的操作的情況下，繼續(xù)將所述r操作分配至所述第二lun控制器。

53、可選地，在向所述第一頁(yè)條帶的多個(gè)第一物理頁(yè)寫入指定數(shù)據(jù)時(shí)，多對(duì)p1操作與r操作均被生成并分配至對(duì)應(yīng)的lun控制器；其中，并行為多對(duì)p1操作與r操作分配lun控制器。

54、可選地，多個(gè)lun控制器各自獨(dú)立處理被分配的p1操作，而不論其他lun控制器的工作狀態(tài)；所述多個(gè)lun控制器各自在申請(qǐng)到所述第一xor緩存的情況下獨(dú)立處理被分配的r操作，而不論其他lun控制器的工作狀態(tài)。

55、可選地，若所述第一頁(yè)條帶未分配到所述第一xor緩存，暫停生成p1操作與r操作；在分配到所述第一xor緩存后，繼續(xù)生成p1操作與r操作。

56、可選地，在完成所述p2操作之后，將所述第一xor緩存設(shè)置為可分配狀態(tài)。

57、可選地，在向多個(gè)頁(yè)條帶寫入數(shù)據(jù)的情況下，多個(gè)頁(yè)條帶對(duì)應(yīng)的p1操作與r操作均被生成并分配，且被多個(gè)lun控制器并行處理；其中，所述lun控制器每次僅處理一個(gè)操作，多條頁(yè)條帶對(duì)應(yīng)于多個(gè)xor緩存，同一頁(yè)條帶對(duì)應(yīng)的r操作使用同一xor緩存。

58、第四方面，本技術(shù)實(shí)施例提供一種控制部件，包括存儲(chǔ)命令處理單元與介質(zhì)接口控制器；所述存儲(chǔ)命令處理單元響應(yīng)于要向第一頁(yè)條帶的每個(gè)第一物理頁(yè)寫入指定數(shù)據(jù)，生成指示成對(duì)的p1操作和r操作的介質(zhì)接口命令并提供給所述介質(zhì)接口控制器，所述p1操作指示將存儲(chǔ)器中的指定數(shù)據(jù)搬移到nvm芯片，所述r操作指示對(duì)所述存儲(chǔ)器中的指定數(shù)據(jù)執(zhí)行xor計(jì)算，并在所述第一頁(yè)條帶對(duì)應(yīng)的第一xor緩存中保留計(jì)算結(jié)果；其中所述第一頁(yè)條帶包括第二物理頁(yè)與多個(gè)第一物理頁(yè)；所述存儲(chǔ)命令處理單元響應(yīng)于要向所述第一頁(yè)條帶的第二物理頁(yè)寫入數(shù)據(jù)，生成指示p2操作的介質(zhì)接口命令并給提供給所述介質(zhì)接口控制器，所述p2操作指示將所述第一xor緩存中的校驗(yàn)數(shù)據(jù)寫入所述第一頁(yè)條帶的第二物理頁(yè)。

59、可選地，所述介質(zhì)接口控制器在根據(jù)所述多個(gè)第一物理頁(yè)分別對(duì)應(yīng)的r操作確定所述第一頁(yè)條帶對(duì)應(yīng)的校驗(yàn)數(shù)據(jù)后，處理所述p2操作。

60、可選地，所述存儲(chǔ)命令處理單元為待寫入所述存儲(chǔ)器中的指定數(shù)據(jù)的所述第一頁(yè)條帶分配所述第一xor緩存。

61、可選地，所述介質(zhì)接口控制器在處理所生成的所述p1操作和所述r操作時(shí)，包括：在處理每個(gè)所述p1操作時(shí)，所述介質(zhì)接口控制器根據(jù)所述p1操作所指示的第一物理頁(yè)歸屬的邏輯單元，確定對(duì)應(yīng)的第一lun控制器，通過所述第一lun控制器處理所述p1操作，以將所述p1操作指示的所述存儲(chǔ)器中的指定數(shù)據(jù)寫入所述p1操作所指示的第一物理頁(yè)；在處理每個(gè)所述r操作時(shí)，所述介質(zhì)接口控制器確定處理所述r操作的第二lun控制器，通過所述第二lun控制器處理所述r操作，以對(duì)所述r操作指示的指定數(shù)據(jù)進(jìn)行xor運(yùn)算、并將運(yùn)算結(jié)果存儲(chǔ)于所述第一xor緩存中。

62、可選地，所述介質(zhì)接口控制器從多個(gè)lun控制器中將不存在未處理完成的擦除操作的lun控制器確定為所述第二lun控制器。

63、可選地，若所述第一lun控制器存在未處理完成的擦除操作，所述介質(zhì)接口控制器從多個(gè)lun控制器中確定出不存在未處理完成的擦除操作的lun控制器，將該lun控制器確定為所述第二lun控制器；若所述第一lun控制器不存在未處理完成的擦除操作，所述介質(zhì)接口控制器將所述第一lun控制器確定為所述第二lun控制器。

64、可選地，在通過所述第二lun控制器處理所述r操作之前，所述介質(zhì)接口控制器申請(qǐng)所述第一xor緩存；若申請(qǐng)到所述第一xor緩存，所述第二lun控制器將要被操作的指定數(shù)據(jù)搬移到所述第一xor緩存，以及與所述第一xor緩存中的數(shù)據(jù)進(jìn)行xor操作。

65、可選地，若未申請(qǐng)到所述第一xor緩存，所述介質(zhì)接口控制器重復(fù)申請(qǐng)所述第一xor緩存，直到申請(qǐng)成功。

66、可選地，所述介質(zhì)接口控制器在完成所述r操作的情況下，釋放所述第一xor緩存。

67、可選地，若所述第一lun控制器存在未處理完成的擦除操作，在所述第一lun控制器完成所述擦除操作之后，所述第一lun控制器處理所述p1操作。

68、可選地，若在所述第二lun控制器處理所述r操作的過程中、所述介質(zhì)接口控制器為所述第二lun控制器分配了所述p1操作，則在所述第二lun控制器在處理完成所述r操作之后、所述第二lun控制器再處理所述p1操作。

69、可選地，所述第一lun控制器和所述第二lun控制器的關(guān)系為以下情況之一：所述第一lun控制器和所述第二lun控制器對(duì)應(yīng)的邏輯單元?dú)w屬于同一邏輯單元組；所述第一lun控制器和所述第二lun控制器對(duì)應(yīng)的邏輯單元?dú)w屬于不同的邏輯單元組；其中，每個(gè)邏輯單元組包括多個(gè)邏輯單元，每個(gè)邏輯單元對(duì)應(yīng)于一lun控制器，歸屬于同一邏輯單元組的邏輯單元對(duì)應(yīng)于同一大塊。

70、可選地，所述存儲(chǔ)命令處理單元在生成成對(duì)的所述p1操作與所述r操作時(shí)，獲取與所述p1操作對(duì)應(yīng)的第一lun控制器是否有未處理完的擦除操作；若所述第一lun控制器沒有未處理完的擦除操作，在生成的所述r操作中指示所述第一lun控制器；若所述第一lun控制器存在未處理完的擦除操作，在生成的所述r操作中指示區(qū)別于所述第一lun控制器的、沒有未處理完的擦除操作的lun控制器。

71、可選地，所述介質(zhì)接口控制器根據(jù)所述第二物理頁(yè)歸屬的邏輯單元，確定對(duì)應(yīng)的第三lun控制器，所述第三lun控制器處理所述p2操作，以將所述校驗(yàn)數(shù)據(jù)寫入所述第二物理頁(yè)。

72、可選地，在所述第三lun控制器存在正在被處理的擦除操作的情況下，所述介質(zhì)接口控制器將所述p2操作所指示的所述第一xor緩存中的校驗(yàn)數(shù)據(jù)搬移至外部存儲(chǔ)器，并釋放所述第一xor緩存；在所述第三lun控制器完成擦除操作的處理后，所述介質(zhì)接口控制器申請(qǐng)所述第一xor緩存，將所述校驗(yàn)數(shù)據(jù)搬移至所述第一xor緩存、并將所述第一xor緩存中的校驗(yàn)數(shù)據(jù)寫入所述第二物理頁(yè)。

73、可選地，多個(gè)lun控制器并行處理多個(gè)成對(duì)的p1操作、r操作以及1個(gè)p2操作。

74、可選地，所述介質(zhì)接口控制器在為所述p1操作分配lun控制器時(shí)，在基于所述p1操作對(duì)應(yīng)的邏輯單元確定第一lun控制器且所述第一lun控制器存在至少一個(gè)待處理的操作的情況下，繼續(xù)將所述p1操作分配至所述第一lun控制器；所述介質(zhì)接口控制器在為所述p2操作分配lun控制器時(shí)，在基于所述p2操作對(duì)應(yīng)的邏輯單元確定第三lun控制器且所述第三lun控制器存在至少一個(gè)待處理的操作的情況下，繼續(xù)將所述p2操作分配至所述第三lun控制器。

75、可選地，所述介質(zhì)接口控制器在為所述r操作分配lun控制器時(shí)，從多個(gè)lun控制器中確定不存在未處理完成的擦除操作的lun控制器為所述第二lun控制器，且所述第二lun控制器存在至少一個(gè)待處理的操作的情況下，繼續(xù)將所述r操作分配至所述第二lun控制器。

76、可選地，所述存儲(chǔ)命令處理單元在向所述第一頁(yè)條帶的多個(gè)第一物理頁(yè)寫入指定數(shù)據(jù)時(shí)，多對(duì)p1操作與r操作均被生成并分配至對(duì)應(yīng)的lun控制器；其中，并行為多對(duì)p1操作與r操作分配lun控制器。

77、可選地，多個(gè)lun控制器各自獨(dú)立處理被分配的p1操作，而不論其他lun控制器的工作狀態(tài)；所述多個(gè)lun控制器各自在申請(qǐng)到所述第一xor緩存的情況下獨(dú)立處理被分配的r操作，而不論其他lun控制器的工作狀態(tài)。

78、可選地，若所述第一頁(yè)條帶未分配到所述第一xor緩存，所述存儲(chǔ)命令處理單元暫停生成p1操作與r操作；在分配到所述第一xor緩存后，所述存儲(chǔ)命令處理單元繼續(xù)生成p1操作與r操作。

79、可選地，在完成所述p2操作之后，所述介質(zhì)接口控制器將所述第一xor緩存設(shè)置為可分配狀態(tài)。

80、可選地，在向多個(gè)頁(yè)條帶寫入數(shù)據(jù)的情況下，多個(gè)頁(yè)條帶對(duì)應(yīng)的p1操作與r操作均被生成并分配，且被多個(gè)lun控制器并行處理；其中，所述lun控制器每次僅處理一個(gè)操作，多條頁(yè)條帶對(duì)應(yīng)于多個(gè)xor緩存，同一頁(yè)條帶對(duì)應(yīng)的r操作使用同一xor緩存。

81、第五方面，本技術(shù)實(shí)施例提供一種擦除控制方法，包括：響應(yīng)于接收到的介質(zhì)接口命令，確定所述介質(zhì)接口命令指示擦除操作；確定與所述介質(zhì)接口命令以及所述擦除操作關(guān)聯(lián)的第一lun控制器；在未處理完成的擦除操作的數(shù)量滿足第一預(yù)設(shè)條件且所述第一lun控制器不存在未處理完成的擦除操作的情況下，向所述第一lun控制器分配所述介質(zhì)接口命令，由所述第一lun控制器基于所述介質(zhì)接口命令處理擦除操作。

82、可選地，所述響應(yīng)于接收到的介質(zhì)接口命令，確定所述介質(zhì)接口命令指示擦除操作，包括：基于所述介質(zhì)接口命令所包括的操作類型字段，確定所述介質(zhì)接口命令指示擦除操作。

83、可選地，所述介質(zhì)接口命令包括指示被擦除的物理塊地址的字段，所述確定與所述介質(zhì)接口命令以及所述擦除操作關(guān)聯(lián)的第一lun控制器，包括：基于所述介質(zhì)接口命令指示的物理塊地址，確定所述擦除操作對(duì)應(yīng)的邏輯單元；基于邏輯單元與lun控制器之間的映射關(guān)系，確定與所述擦除操作對(duì)應(yīng)的邏輯單元匹配的第一lun控制器。

84、可選地，所述方法還包括：在未處理完成的擦除操作的數(shù)量滿足第二預(yù)設(shè)條件的情況下，接收所述介質(zhì)接口命令。

85、可選地，所述在未處理完成的擦除操作的數(shù)量滿足第二預(yù)設(shè)條件的情況下，接收所述介質(zhì)接口命令，包括以下步驟其中之一：在不存在未處理完成的擦除操作的情況下，接收所述介質(zhì)接口命令；在未處理完成的擦除操作的數(shù)量小于或者等于第二閾值的情況下，接收所述介質(zhì)接口命令。

86、可選地，在確定所述第一lun控制器之前或者之后，所述方法還包括：獲取未處理完成的擦除操作的數(shù)量；若所獲取的未處理完成的擦除操作的數(shù)量不滿足所述第一預(yù)設(shè)條件，暫停處理所述介質(zhì)接口命令；若所獲取的未處理完成的擦除操作的數(shù)量滿足所述第一預(yù)設(shè)條件，繼續(xù)處理所述介質(zhì)接口命令。

87、可選地，所述若所獲取的未處理完成的擦除操作的數(shù)量不滿足所述第一預(yù)設(shè)條件，暫停處理所述介質(zhì)接口命令，包括：在所獲取的未處理完成的擦除操作的數(shù)量大于第一閾值的情況下，暫停處理所述介質(zhì)接口命令。

88、可選地，在暫停處理所述介質(zhì)接口命令之后，還包括：在監(jiān)測(cè)到未處理完成的擦除操作的數(shù)量小于或者等于第一閾值時(shí)，恢復(fù)處理所述介質(zhì)接口命令。

89、可選地，所述若所獲取的擦除操作的數(shù)量滿足所述第一預(yù)設(shè)條件，繼續(xù)處理所述介質(zhì)接口命令，包括以下步驟其中之一：在不存在未處理完成的擦除操作的情況下，繼續(xù)處理所述介質(zhì)接口命令；在所獲取的未處理完成的擦除操作的數(shù)量小于或者等于第一閾值的情況下，繼續(xù)處理所述介質(zhì)接口命令。

90、可選地，若在確定所述第一lun控制器之前、確定所獲取的擦除操作的數(shù)量滿足所述第一預(yù)設(shè)條件，則確定所述第一lun控制器，并在所述第一lun控制器不存在未處理完成的擦除操作的情況下，所述第一lun控制器處理所述介質(zhì)接口命令以完成擦除操作。

91、可選地，若在確定所述第一lun控制器之后、確定所獲取的擦除操作的數(shù)量滿足所述第一預(yù)設(shè)條件，則所述第一lun控制器在不存在未處理完成的擦除操作的情況下處理所述介質(zhì)接口命令以完成擦除操作。

92、可選地，在接收到多個(gè)指示擦除操作的介質(zhì)接口命令的情況下，所述方法還包括：確定多個(gè)介質(zhì)接口命令對(duì)應(yīng)的多個(gè)lun控制器所對(duì)應(yīng)的n個(gè)邏輯單元組，每個(gè)邏輯單元組對(duì)應(yīng)于一大塊，n為大于或者等于2的整數(shù)；控制同一時(shí)刻n個(gè)邏輯單元組對(duì)應(yīng)的擦除命令的數(shù)量滿足第三預(yù)設(shè)條件。

93、可選地，所述控制同一時(shí)刻n個(gè)邏輯單元組對(duì)應(yīng)的擦除命令的數(shù)量滿足第三預(yù)設(shè)條件，包括以下步驟至少之一：控制同一時(shí)刻n個(gè)邏輯單元組對(duì)應(yīng)的擦除命令的總數(shù)量小于或者等于第三閾值；控制同一時(shí)刻每個(gè)邏輯單元組對(duì)應(yīng)的擦除命令的數(shù)量小于或者等于第四閾值。

94、可選地，所述方法還包括：響應(yīng)于接收到指示p1操作的介質(zhì)接口命令，確定與所述p1操作關(guān)聯(lián)的第五lun控制器，將所述指示p1操作的介質(zhì)接口命令分配至所述第五lun控制器，由所述第五lun控制器處理所述指示p1操作的介質(zhì)接口命令；響應(yīng)于接收到指示r操作的介質(zhì)接口命令，獲取不存在未處理完成的擦除操作的第六lun控制器，將所述指示r操作的介質(zhì)接口命令分配至所述第六lun控制器，由所述第六lun控制器處理所述指示r操作的介質(zhì)接口命令；其中，所述p1操作指示將存儲(chǔ)器中的指定數(shù)據(jù)搬移到nvm芯片，所述r操作指示對(duì)所述存儲(chǔ)器中的指定數(shù)據(jù)執(zhí)行xor計(jì)算、在xor緩存中保留計(jì)算結(jié)果。

95、第六方面，本技術(shù)實(shí)施例還提供一種介質(zhì)接口控制器，包括命令分配單元和多個(gè)lun控制器；所述命令分配單元響應(yīng)于接收到的介質(zhì)接口命令，確定所述介質(zhì)接口命令指示擦除操作，在多個(gè)lun控制器中確定與所述介質(zhì)接口命令以及所述擦除操作關(guān)聯(lián)的第一lun控制器；在未處理完成的擦除操作的數(shù)量滿足第一預(yù)設(shè)條件且所述第一lun控制器不存在未處理完成的擦除操作的情況下，所述命令分配單元向所述第一lun控制器分配所述介質(zhì)接口命令，由所述第一lun控制器基于所述介質(zhì)接口命令處理擦除操作。

96、可選地，所述命令分配單元基于所述介質(zhì)接口命令所包括的操作類型字段，確定所述介質(zhì)接口命令指示擦除操作。

97、可選地，所述介質(zhì)接口命令包括指示被擦除的物理塊地址的字段，所述命令分配單元基于所述介質(zhì)接口命令指示的物理塊地址，確定所述擦除操作對(duì)應(yīng)的邏輯單元；基于邏輯單元與lun控制器之間的映射關(guān)系，確定與所述擦除操作對(duì)應(yīng)的邏輯單元匹配的第一lun控制器。

98、可選地，在未處理完成的擦除操作的數(shù)量滿足第二預(yù)設(shè)條件的情況下，所述命令分配單元接收存儲(chǔ)命令處理單元發(fā)送的所述介質(zhì)接口命令。

99、可選地，在不存在未處理完成的擦除操作的情況下，所述命令分配單元接收所述介質(zhì)接口命令；或者在未處理完成的擦除操作的數(shù)量小于或者等于第二閾值的情況下，所述命令分配單元接收所述介質(zhì)接口命令。

100、可選地，在確定所述第一lun控制器之前或者之后，所述命令分配單元獲取未處理完成的擦除操作的數(shù)量；若所獲取的未處理完成的擦除操作的數(shù)量不滿足所述第一預(yù)設(shè)條件，所述命令分配單元暫停處理所述介質(zhì)接口命令；若所獲取的未處理完成的擦除操作的數(shù)量滿足所述第一預(yù)設(shè)條件，所述命令分配單元繼續(xù)處理所述介質(zhì)接口命令。

101、可選地，在所獲取的未處理完成的擦除操作的數(shù)量大于第一閾值的情況下，所述命令分配單元暫停處理所述介質(zhì)接口命令。

102、可選地，在暫停處理所述介質(zhì)接口命令之后，還包括：在監(jiān)測(cè)到未處理完成的擦除操作的數(shù)量小于或者等于第一閾值時(shí)，所述命令分配單元恢復(fù)處理所述介質(zhì)接口命令。

103、可選地，在不存在未處理完成的擦除操作的情況下，所述命令分配單元繼續(xù)處理所述介質(zhì)接口命令；或者在所獲取的未處理完成的擦除操作的數(shù)量小于或者等于第一閾值的情況下，所述命令分配單元繼續(xù)處理所述介質(zhì)接口命令。

104、可選地，若在確定所述第一lun控制器之前、確定所獲取的擦除操作的數(shù)量滿足所述第一預(yù)設(shè)條件，則所述命令分配單元確定所述第一lun控制器，并在所述第一lun控制器不存在未處理完成的擦除操作的情況下，所述第一lun控制器處理所述介質(zhì)接口命令以完成擦除操作。

105、可選地，若在確定所述第一lun控制器之后、確定所獲取的擦除操作的數(shù)量滿足所述第一預(yù)設(shè)條件，則所述第一lun控制器在不存在未處理完成的擦除操作的情況下處理所述介質(zhì)接口命令以完成擦除操作。

106、可選地，在接收到多個(gè)指示擦除操作的介質(zhì)接口命令的情況下，所述命令分配單元確定多個(gè)介質(zhì)接口命令對(duì)應(yīng)的多個(gè)lun控制器所對(duì)應(yīng)的n個(gè)邏輯單元組，每個(gè)邏輯單元組對(duì)應(yīng)于一大塊，n為大于或者等于2的整數(shù)；所述命令分配單元控制同一時(shí)刻n個(gè)邏輯單元組對(duì)應(yīng)的擦除命令的數(shù)量滿足第三預(yù)設(shè)條件。

107、可選地，所述命令分配單元控制同一時(shí)刻n個(gè)邏輯單元組對(duì)應(yīng)的擦除命令的總數(shù)量小于或者等于第三閾值；或者所述命令分配單元控制同一時(shí)刻每個(gè)邏輯單元組對(duì)應(yīng)的擦除命令的數(shù)量小于或者等于第四閾值。

108、可選地，所述命令分配單元響應(yīng)于接收到指示p1操作的介質(zhì)接口命令，確定與所述p1操作關(guān)聯(lián)的第五lun控制器，將所述指示p1操作的介質(zhì)接口命令分配至所述第五lun控制器，由所述第五lun控制器處理所述指示p1操作的介質(zhì)接口命令；所述命令分配單元響應(yīng)于接收到指示r操作的介質(zhì)接口命令，獲取不存在未處理完成的擦除操作的第六lun控制器，將所述指示r操作的介質(zhì)接口命令分配至所述第六lun控制器，由所述第六lun控制器處理所述指示r操作的介質(zhì)接口命令；其中，所述p1操作指示將存儲(chǔ)器中的指定數(shù)據(jù)搬移到nvm芯片，所述r操作指示對(duì)所述存儲(chǔ)器中的指定數(shù)據(jù)執(zhí)行xor計(jì)算、在xor緩存中保留計(jì)算結(jié)果。

109、第七方面，本技術(shù)實(shí)施例提供一種存儲(chǔ)設(shè)備執(zhí)行的方法，包括：響應(yīng)于要擦除大塊，所述大塊包括來自多個(gè)邏輯單元的多個(gè)物理塊；若多個(gè)lun控制器對(duì)應(yīng)的未處理完成的擦除操作的數(shù)量小于指定閾值，向介質(zhì)接口控制器提供一個(gè)指示擦除操作的介質(zhì)接口命令；重復(fù)執(zhí)行所述若多個(gè)lun控制器對(duì)應(yīng)的未處理完成的擦除操作的數(shù)量小于指定閾值，向介質(zhì)接口控制器提供一個(gè)指示擦除操作的介質(zhì)接口命令的步驟，直到所述大塊的所有物理塊都被擦除。

110、可選地，所述方法還包括：響應(yīng)于要向第一頁(yè)條帶的每個(gè)第一物理頁(yè)寫入指定數(shù)據(jù)，生成成對(duì)的p1操作和r操作，所述p1操作指示將存儲(chǔ)器中的指定數(shù)據(jù)搬移到nvm芯片，所述r操作指示對(duì)所述存儲(chǔ)器中的指定數(shù)據(jù)執(zhí)行xor計(jì)算，并在所述第一頁(yè)條帶對(duì)應(yīng)的第一xor緩存中保留計(jì)算結(jié)果；其中所述第一頁(yè)條帶包括第二物理頁(yè)與多個(gè)第一物理頁(yè)；響應(yīng)于要向所述第一頁(yè)條帶的第二物理頁(yè)寫入數(shù)據(jù)，生成p2操作，所述p2操作指示將所述第一xor緩存中的校驗(yàn)數(shù)據(jù)寫入所述第一頁(yè)條帶的第二物理頁(yè)。

111、可選地，所述方法還包括：為處理所述p1操作，根據(jù)所述p1操作指示的邏輯單元確定第二lun控制器，通過所述第二lun控制器處理所述p1操作；為處理所述r操作，獲取不存在未處理完成的擦除操作的第三lun控制器，通過所述第三lun控制器處理所述r操作；為處理所述p2操作，根據(jù)所述p2操作指示的邏輯單元確定第四lun控制器，通過所述第四lun控制器處理所述p2操作。

112、可選地，所述方法還包括：為生成所述r操作，獲取不存在未處理完成的擦除操作的第三lun控制器，在所述r操作中指示使用所述第三lun控制器來處理所述r操作。

113、可選地，所述方法還包括：為生成所述成對(duì)的p1操作與r操作，根據(jù)所述p1操作要訪問的第一物理頁(yè)所屬的邏輯單元確定第二lun控制器；若所述第二lun控制器不存在未處理完成的擦除操作，在所述r操作中指示使用所述第二lun控制器來處理所述r操作；若所述第二lun控制器存在未處理完成的擦除操作，獲取不存在未處理完成的擦除操作的第三lun控制器，在所述r操作中指示使用所述第三lun控制器來處理所述r操作。

114、第八方面，本技術(shù)實(shí)施例還提供一種控制部件，包括存儲(chǔ)命令處理單元與介質(zhì)接口控制器；所述存儲(chǔ)命令處理單元響應(yīng)于要擦除大塊，所述大塊包括來自多個(gè)邏輯單元的多個(gè)物理塊；若多個(gè)lun控制器對(duì)應(yīng)的未處理完成的擦除操作的數(shù)量小于指定閾值，所述存儲(chǔ)命令處理單元向所述介質(zhì)接口控制器提供一個(gè)指示擦除操作的介質(zhì)接口命令；重復(fù)執(zhí)行所述若多個(gè)lun控制器對(duì)應(yīng)的未處理完成的擦除操作的數(shù)量小于指定閾值，所述存儲(chǔ)命令處理單元向所述介質(zhì)接口控制器提供一個(gè)指示擦除操作的介質(zhì)接口命令的步驟，直到所述大塊的所有物理塊都被擦除。

115、可選地，所述存儲(chǔ)命令處理單元響應(yīng)于要向第一頁(yè)條帶的每個(gè)第一物理頁(yè)寫入指定數(shù)據(jù)，生成成對(duì)的p1操作和r操作，所述p1操作指示將存儲(chǔ)器中的指定數(shù)據(jù)搬移到nvm芯片，所述r操作指示對(duì)所述存儲(chǔ)器中的指定數(shù)據(jù)執(zhí)行xor計(jì)算，并在所述第一頁(yè)條帶對(duì)應(yīng)的第一xor緩存中保留計(jì)算結(jié)果；其中所述第一頁(yè)條帶包括第二物理頁(yè)與多個(gè)第一物理頁(yè)；所述存儲(chǔ)命令處理單元響應(yīng)于要向所述第一頁(yè)條帶的第二物理頁(yè)寫入數(shù)據(jù)，生成p2操作，所述p2操作指示將所述第一xor緩存中的校驗(yàn)數(shù)據(jù)寫入所述第一頁(yè)條帶的第二物理頁(yè)。

116、可選地，為處理所述p1操作，所述介質(zhì)接口控制器根據(jù)所述p1操作指示的邏輯單元確定第二lun控制器，通過所述第二lun控制器處理所述p1操作；為處理所述r操作，所述介質(zhì)接口控制器獲取不存在未處理完成的擦除操作的第三lun控制器，通過所述第三lun控制器處理所述r操作；為處理所述p2操作，所述介質(zhì)接口控制器根據(jù)所述p2操作指示的邏輯單元確定第四lun控制器，通過所述第四lun控制器處理所述p2操作。

117、可選地，為生成所述r操作，所述存儲(chǔ)命令處理單元獲取不存在未處理完成的擦除操作的第三lun控制器，在所述r操作中指示使用所述第三lun控制器來處理所述r操作。

118、可選地，為生成所述成對(duì)的p1操作與r操作，所述存儲(chǔ)命令處理單元根據(jù)所述p1操作要訪問的第一物理頁(yè)所屬的邏輯單元確定第二lun控制器；若所述第二lun控制器不存在未處理完成的擦除操作，所述存儲(chǔ)命令處理單元在所述r操作中指示使用所述第二lun控制器來處理所述r操作；若所述第二lun控制器存在未處理完成的擦除操作，所述存儲(chǔ)命令處理單元獲取不存在未處理完成的擦除操作的第三lun控制器，在所述r操作中指示使用所述第三lun控制器來處理所述r操作。

119、第九方面，本技術(shù)實(shí)施例還提供一種命令分配方法，包括：響應(yīng)于接收到的介質(zhì)接口命令，獲取所述介質(zhì)接口命令指示的操作類型；確定與所述介質(zhì)接口命令以及所述操作類型關(guān)聯(lián)的lun控制器，將所述介質(zhì)接口命令分配至所述lun控制器，由所述lun控制器處理所述介質(zhì)接口命令；響應(yīng)于將所述介質(zhì)接口命令分配至所述lun控制器，在所述lun控制器的命令隊(duì)列中記錄所述介質(zhì)接口命令；其中，所述操作類型包括p1操作或者r操作，所述p1操作指示將存儲(chǔ)器中的指定數(shù)據(jù)搬移到nvm芯片，所述r操作指示對(duì)所述存儲(chǔ)器中的指定數(shù)據(jù)執(zhí)行xor計(jì)算、在xor緩存中保留計(jì)算結(jié)果。

120、可選地，響應(yīng)于所述操作類型為r操作，確定所述介質(zhì)接口命令要訪問的邏輯單元對(duì)應(yīng)的第一lun控制器或者介質(zhì)接口控制器的負(fù)載情況；基于所述第一lun控制器或所述介質(zhì)接口控制器的負(fù)載情況來為所述介質(zhì)接口命令分配lun控制器。

121、可選地，所述第一lun控制器或所述介質(zhì)接口控制器的負(fù)載情況，包括：lun控制器中命令隊(duì)列所存儲(chǔ)的未處理完成的介質(zhì)接口命令數(shù)量；或xor計(jì)算單元中被占用的xor緩存的比例。

122、可選地，基于所述第一lun控制器或所述介質(zhì)接口控制器的負(fù)載情況來確定第一lun控制器所處的狀態(tài)；或基于所述第一lun控制器或所述介質(zhì)接口控制器的負(fù)載情況來確定所述介質(zhì)接口控制器所處的狀態(tài)，其中，所述狀態(tài)包括第一狀態(tài)和第二狀態(tài)；響應(yīng)于所述第一lun控制器或所述介質(zhì)接口控制器處于所述第二狀態(tài)，將所述第一lun控制器作為與所述介質(zhì)接口命令以及所述操作類型關(guān)聯(lián)的lun控制器。

123、可選地，響應(yīng)于所述第一lun控制器或所述介質(zhì)接口控制器處于第一狀態(tài)，從多個(gè)lun控制器中選擇出第二lun控制器，將所述第二lun控制器作為與所述介質(zhì)接口命令以及所述操作類型關(guān)聯(lián)的lun控制器；其中，所述第二lun控制器處于所述第二狀態(tài)。

124、可選地，還包括：識(shí)別所述第一lun控制器是否存在未處理完成的擦除操作；若存在未處理完成的擦除操作，則從多個(gè)lun控制器中選擇出所述第二lun控制器，以及將所述第二lun控制器作為與所述介質(zhì)接口命令以及所述操作類型關(guān)聯(lián)的lun控制器。

125、可選地，若所述第一lun控制器不存在未處理完成的擦除操作，則確定所述介質(zhì)接口命令要訪問的邏輯單元對(duì)應(yīng)的第一lun控制器所處的狀態(tài)；以及基于所述第一lun控制器所處的狀態(tài)來為所述介質(zhì)接口命令分配lun控制器。

126、可選地，確定所述第一lun控制器的命令隊(duì)列中所記錄的一個(gè)或多個(gè)介質(zhì)接口命令的類型；基于所述介質(zhì)接口命令的類型來識(shí)別所述第一lun控制器是否存在未處理完成的擦除操作。

127、可選地，從多個(gè)lun控制器中選擇出不存在未處理完成的擦除操作的lun控制器，將該lun控制器作為所述第二lun控制器；或從多個(gè)lun控制器中選擇出狀態(tài)為第二狀態(tài)的lun控制器，將該lun控制器作為所述第二lun控制器。

128、可選地，處于所述第一狀態(tài)至少包括如下一種情況：lun控制器中命令隊(duì)列的深度大于第一閾值，其中，命令隊(duì)列的深度表征存在命令隊(duì)列中介質(zhì)接口命令的數(shù)量；lun控制器的命令隊(duì)列中所存儲(chǔ)的指定類型介質(zhì)接口命令的數(shù)目大于第二閾值；xor計(jì)算單元中被占用的xor緩存比例大于第三閾值。

129、可選地，響應(yīng)于收到指示p1操作的多個(gè)第一介質(zhì)接口命令，確定每個(gè)第一介質(zhì)接口命令要訪問的邏輯單元，其中每個(gè)第一介質(zhì)接口命令要訪問相同的邏輯單元；，將所述多個(gè)第一介質(zhì)接口命令都分配給該邏輯單元對(duì)應(yīng)的第三lun控制器；其中，所述多個(gè)第一介質(zhì)接口命令所指示的物理地址對(duì)應(yīng)的物理頁(yè)屬于不同頁(yè)條帶。

130、可選地，還包括：響應(yīng)于收到指示r操作的多個(gè)第二介質(zhì)接口命令，確定每個(gè)第二介質(zhì)接口命令要訪問的邏輯單元；其中，第二介質(zhì)接口命令與第一介質(zhì)接口命令一一對(duì)應(yīng)；基于所述第三lun控制器或所述介質(zhì)接口控制器的負(fù)載情況來為各個(gè)第二介質(zhì)接口命令分配lun控制器。

131、第十方面，本技術(shù)實(shí)施例還提供一種介質(zhì)接口控制器，包括：命令分配單元和多個(gè)lun控制器；所述命令分配單元響應(yīng)于接收到的介質(zhì)接口命令，獲取所述介質(zhì)接口命令指示的操作類型，在所述多個(gè)lun控制器中確定與所述介質(zhì)接口命令以及所述操作類型關(guān)聯(lián)的lun控制器，將所述介質(zhì)接口命令分配至所述lun控制器，由所述lun控制器處理所述介質(zhì)接口命令；lun控制器響應(yīng)于將所述介質(zhì)接口命令分配至所述lun控制器，在所述lun控制器的命令隊(duì)列中記錄所述介質(zhì)接口命令；其中，所述操作類型為p1操作或者r操作，所述p1操作指示將存儲(chǔ)器中的指定數(shù)據(jù)搬移到nvm芯片，所述r操作指示對(duì)所述存儲(chǔ)器中的指定數(shù)據(jù)執(zhí)行xor計(jì)算、在xor緩存中保留計(jì)算結(jié)果。

132、可選地，所述命令分配單元響應(yīng)于所述操作類型為r操作，確定所述介質(zhì)接口命令要訪問的邏輯單元對(duì)應(yīng)的第一lun控制器或者介質(zhì)接口控制器的負(fù)載情況；以及基于所述第一lun控制器或所述介質(zhì)接口控制器的負(fù)載情況來為所述介質(zhì)接口命令分配lun控制器。

133、可選地，所述命令分配單元響應(yīng)于所述操作類型為r操作，確定所述介質(zhì)接口命令要訪問的邏輯單元對(duì)應(yīng)的第一lun控制器或者介質(zhì)接口控制器的負(fù)載情況；以及基于所述第一lun控制器或所述介質(zhì)接口控制器的負(fù)載情況來為所述介質(zhì)接口命令分配lun控制器。

134、可選地，所述第一lun控制器或所述介質(zhì)接口控制器的負(fù)載情況，包括：lun控制器中命令隊(duì)列所存儲(chǔ)的未處理完成的介質(zhì)接口命令數(shù)量；或xor計(jì)算單元中被占用的xor緩存的比例。

135、可選地，所述命令分配單元基于所述第一lun控制器或所述介質(zhì)接口控制器的負(fù)載情況來確定第一lun控制器所處的狀態(tài)；或基于所述第一lun控制器或所述介質(zhì)接口控制器的負(fù)載情況來確定所述介質(zhì)接口控制器所處的狀態(tài)，其中，所述狀態(tài)包括第一狀態(tài)和第二狀態(tài)；以及響應(yīng)于所述第一lun控制器或所述介質(zhì)接口控制器處于所述第二狀態(tài)，將所述第一lun控制器作為與所述介質(zhì)接口命令以及所述操作類型關(guān)聯(lián)的lun控制器。

136、可選地，所述命令分配單元響應(yīng)于所述第一lun控制器或所述介質(zhì)接口控制器處于第一狀態(tài)，從多個(gè)lun控制器中選擇出第二lun控制器，將所述第二lun控制器作為與所述介質(zhì)接口命令以及所述操作類型關(guān)聯(lián)的lun控制器；其中，所述第二lun控制器處于所述第二狀態(tài)。

137、可選地，還包括：所述命令分配單元識(shí)別所述第一lun控制器是否存在未處理完成的擦除操作；以及若存在未處理完成的擦除操作，則從多個(gè)lun控制器中選擇出所述第二lun控制器，以及將所述第二lun控制器作為與所述介質(zhì)接口命令以及所述操作類型關(guān)聯(lián)的lun控制器。

138、可選地，若所述第一lun控制器不存在未處理完成的擦除操作，則所述命令分配單元確定所述介質(zhì)接口命令要訪問的邏輯單元對(duì)應(yīng)的第一lun控制器所處的狀態(tài)；以及基于所述第一lun控制器所處的狀態(tài)來為所述介質(zhì)接口命令分配lun控制器。

139、可選地，所述命令分配單元確定所述第一lun控制器的命令隊(duì)列中所記錄的一個(gè)或多個(gè)介質(zhì)接口命令的類型；以及基于所述介質(zhì)接口命令的類型來識(shí)別所述第一lun控制器是否存在未處理完成的擦除操作。

140、可選地，所述命令分配單元從多個(gè)lun控制器中選擇出不存在未處理完成的擦除操作的lun控制器，將該lun控制器作為所述第二lun控制器；或所述命令分配單元從多個(gè)lun控制器中選擇出狀態(tài)為第二狀態(tài)的lun控制器，將該lun控制器作為所述第二lun控制器。

141、可選地，處于所述第一狀態(tài)至少包括如下一種情況：lun控制器中命令隊(duì)列的深度大于第一閾值，其中，命令隊(duì)列的深度表征存在命令隊(duì)列中介質(zhì)接口命令的數(shù)量；lun控制器的命令隊(duì)列中所存儲(chǔ)的指定類型介質(zhì)接口命令的數(shù)目大于第二閾值；xor計(jì)算單元中被占用的xor緩存比例大于第三閾值。

142、根據(jù)本技術(shù)的實(shí)施例，引入了指示將存儲(chǔ)器中的指定數(shù)據(jù)搬移到nvm芯片但不進(jìn)行xor操作的p1操作、指示將xor緩存中的數(shù)據(jù)搬移到nvm芯片的p2操作，在支持對(duì)存儲(chǔ)器中的指定數(shù)據(jù)執(zhí)行xor計(jì)算并將結(jié)果保留在xor緩存中的r操作的同時(shí)，可以基于p1操作、p2操作與r操作的配合，通過三個(gè)階段完成將存儲(chǔ)器中的指定數(shù)據(jù)和對(duì)應(yīng)的校驗(yàn)數(shù)據(jù)寫入nvm芯片，三個(gè)階段的操作相互獨(dú)立，互不影響，在完成xor計(jì)算、將xor緩存中的數(shù)據(jù)搬移之后，即可及時(shí)釋放xor緩存，實(shí)現(xiàn)減少對(duì)xor緩存的占用時(shí)間，提高xor緩存的利用效率。且本技術(shù)可限制同時(shí)被處理的擦除操作的數(shù)量，避免了大塊回收產(chǎn)生的擦除操作所引起的存儲(chǔ)設(shè)備功耗波動(dòng)，和/或，擦除操作占用多個(gè)或全部lun控制器而導(dǎo)致r操作無法被及時(shí)調(diào)度所導(dǎo)致的xor緩存不能被及時(shí)釋放的問題。