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一種電磁暫態(tài)仿真用負荷模型參數(shù)辨識方法及系統(tǒng)與流程

文檔序號:40575886發(fā)布日期:2025-01-07 20:15閱讀:來源:國知局

技術特征:

1.一種電磁暫態(tài)仿真用負荷模型參數(shù)辨識方法,所述方法包括:

2.根據(jù)權利要求1所述的方法,所述方法還包括:

3.根據(jù)權利要求1所述的方法,所述方法還包括:

4.根據(jù)權利要求1所述的方法,所述對元件參數(shù)進行配置,包括確定判斷數(shù)據(jù)集方差,所述判斷數(shù)據(jù)集方差包括:電流i方差、有功p方差以及無功q方差;

5.根據(jù)權利要求1所述的方法,所述對元件參數(shù)進行配置,包括:元件類型、元件名稱、參數(shù)名稱、參數(shù)類型、參數(shù)修改位置、參數(shù)初值、參數(shù)值傷上限以及步長。

6.根據(jù)權利要求2所述的方法,所述將配置后的元件參數(shù)作為二維空間中的坐標點,還包括:

7.根據(jù)權利要求6所述的方法,所述基于方差基準值以及配置元件參數(shù)的參數(shù)預設步長,調整元件參數(shù)的參數(shù)值,并計算二維空間中各坐標點的判斷數(shù)據(jù)集方差,包括:

8.根據(jù)權利要求2所述的方法,基于方差基準值以及配置元件參數(shù)的參數(shù)預設步長,調整元件參數(shù)的參數(shù)值,并計算二維空間中各坐標點的判斷數(shù)據(jù)集方差,當判斷數(shù)據(jù)集方差為有功p方差、和無功q方差時,使用的算法為:

9.根據(jù)權利要求1所述的方法,當未能獲取元件參數(shù)的最優(yōu)解時,減少參數(shù)的步長,重新進行參數(shù)值的尋優(yōu)計算。

10.一種電磁暫態(tài)仿真用負荷模型參數(shù)辨識系統(tǒng),所述系統(tǒng)包括:

11.根據(jù)權利要求10所述的系統(tǒng),其中:

12.根據(jù)權利要求10所述的系統(tǒng),所述結果單元還用于:

13.根據(jù)權利要求10所述的系統(tǒng),所述初始單元,用于對元件參數(shù)進行配置,包括確定判斷數(shù)據(jù)集方差,所述判斷數(shù)據(jù)集方差包括:電流i方差、有功p方差以及無功q方差;

14.根據(jù)權利要求10所述的系統(tǒng),所述初始單元,用于對元件參數(shù)進行配置,包括:元件類型、元件名稱、參數(shù)名稱、參數(shù)類型、參數(shù)修改位置、參數(shù)初值、參數(shù)值傷上限以及步長。

15.根據(jù)權利要求11所述的系統(tǒng),所述計算單元,用于將配置后的元件參數(shù)作為二維空間中的坐標點,還用于:

16.根據(jù)權利要求15所述的系統(tǒng),所述結果單元,用于基于方差基準值以及配置元件參數(shù)的參數(shù)預設步長,調整元件參數(shù)的參數(shù)值,并計算二維空間中各坐標點的判斷數(shù)據(jù)集方差,還用于:

17.根據(jù)權利要求11所述的系統(tǒng),所述結果單元,用于基于方差基準值以及配置元件參數(shù)的參數(shù)預設步長,調整元件參數(shù)的參數(shù)值,并計算二維空間中各坐標點的判斷數(shù)據(jù)集方差,當判斷數(shù)據(jù)集方差為有功p方差、和無功q方差時,使用的算法為:

18.根據(jù)權利要求10所述的系統(tǒng),所述結果單元,還用于當未能獲取元件參數(shù)的最優(yōu)解時,減少參數(shù)的步長,重新進行參數(shù)值的尋優(yōu)計算。

19.一種計算機可讀存儲介質,其特征在于,所述計算機可讀存儲介質存儲有計算機程序,所述計算機程序用于執(zhí)行權利要求1-9中任一項所述的方法。

20.一種電子設備,其特征在于,所述電子設備包括:處理器和存儲器;其中,


技術總結
本發(fā)明公開了一種電磁暫態(tài)仿真用負荷模型參數(shù)辨識方法及系統(tǒng),方法包括:對元件參數(shù)進行配置,確定數(shù)據(jù)集方差限值;通過隨機撒點計算元件參數(shù)的各數(shù)據(jù)值的判斷數(shù)據(jù)集方差,并將計算出的最小判斷數(shù)據(jù)集方差作為方差基準值;基于預設的元件參數(shù)的步長以及方差基準值,進行參數(shù)值的尋優(yōu)計算,當計算出的參數(shù)值的判斷數(shù)據(jù)集方差小于所述數(shù)據(jù)集方差限值時,確定所述參數(shù)值為元件參數(shù)的最優(yōu)解。

技術研發(fā)人員:黃威博,朱藝穎,楊立敏,賀郁文,孫佳安,欒軻棟,劉翀,李躍婷,雷霄,李新年,劉琳,龐廣恒,吳婭妮,林少伯,王薇薇,胡濤,謝國平,王晶芳,劉世成,張曉麗,楊尚瑾,付小倍,王志鑫
受保護的技術使用者:中國電力科學研究院有限公司
技術研發(fā)日:
技術公布日:2025/1/6
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