技術(shù)特征：

1.一種fdsoi器件交流小信號(hào)與nbti效應(yīng)聯(lián)合仿真方法，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的fdsoi器件交流小信號(hào)與nbti效應(yīng)聯(lián)合仿真方法，其特征在于，建立的二維器件結(jié)構(gòu)初始模型，包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的fdsoi器件交流小信號(hào)與nbti效應(yīng)聯(lián)合仿真方法，其特征在于，對(duì)所述二維器件結(jié)構(gòu)初始模型進(jìn)行模型參數(shù)修正，得到二維器件結(jié)構(gòu)校準(zhǔn)模型，包括：

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的fdsoi器件交流小信號(hào)與nbti效應(yīng)聯(lián)合仿真方法，其特征在于，所述模型參數(shù)包括：柵極功函數(shù)、源漏摻雜濃度、溝道摻雜濃度和ldd摻雜濃度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的fdsoi器件交流小信號(hào)與nbti效應(yīng)聯(lián)合仿真方法，其特征在于，在sdevice中對(duì)所述二維器件結(jié)構(gòu)校準(zhǔn)模型進(jìn)行交流小信號(hào)仿真，得到第一特性曲線，包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的fdsoi器件交流小信號(hào)與nbti效應(yīng)聯(lián)合仿真方法，其特征在于，所述coupled部分包括：所述二維器件結(jié)構(gòu)校準(zhǔn)模型的柵極掃描電壓和漏極電壓；

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的fdsoi器件交流小信號(hào)與nbti效應(yīng)聯(lián)合仿真方法，其特征在于，利用陷阱物理模型對(duì)所述二維器件結(jié)構(gòu)校準(zhǔn)模型進(jìn)行nbti效應(yīng)設(shè)置，通過(guò)對(duì)所述陷阱物理模型的退化參數(shù)的修正，得到與器件真實(shí)nbti退化情況相同的校準(zhǔn)nbti退化模型，包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的fdsoi器件交流小信號(hào)與nbti效應(yīng)聯(lián)合仿真方法，其特征在于，所述退化參數(shù)包括：氫在氧化層中的擴(kuò)散系數(shù)，h擴(kuò)散激活能，界面處的氫的初始濃度，去鈍化常數(shù)，初始si-h鍵的濃度，si-h鍵斷裂的激活能，界面處所有未斷裂的si-h鍵的濃度。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的fdsoi器件交流小信號(hào)與nbti效應(yīng)聯(lián)合仿真方法，其特征在于，基于所述校準(zhǔn)nbti退化模型的器件瞬時(shí)仿真狀態(tài)，在sdevice中對(duì)所述二維器件結(jié)構(gòu)校準(zhǔn)模型進(jìn)行交流小信號(hào)與nbti效應(yīng)聯(lián)合仿真，得到第二特性曲線，包括：

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的fdsoi器件交流小信號(hào)與nbti效應(yīng)聯(lián)合仿真方法，其特征在于，根據(jù)所述第一特性曲線和所述第二特性曲線，確定nbti效應(yīng)對(duì)器件的交流小信號(hào)特性的影響，包括：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種FDSOI器件交流小信號(hào)與NBTI效應(yīng)聯(lián)合仿真方法，涉及半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域，該方法包括：建模得到二維器件結(jié)構(gòu)初始模型，對(duì)所建立的模型進(jìn)行校準(zhǔn)；對(duì)校準(zhǔn)后的模型進(jìn)行混合模式下的交流小信號(hào)仿真，得到反應(yīng)交流小信號(hào)特性的第一特性曲線；對(duì)校準(zhǔn)后的模型設(shè)置陷阱退化參數(shù)，得到器件真實(shí)情況下NBTI的退化情況；進(jìn)行NBTI效應(yīng)和交流小信號(hào)的聯(lián)合仿真，得到NBTI效應(yīng)作用后的交流小信號(hào)特性的第二特性曲線，通過(guò)對(duì)比兩條特性曲線，明確NBTI效應(yīng)對(duì)交流小信號(hào)特性的影響。本發(fā)明通過(guò)聯(lián)合仿真方法，提高了收斂性，同時(shí)通過(guò)校準(zhǔn)的器件結(jié)構(gòu)和退化參數(shù)，可準(zhǔn)確地反應(yīng)NBTI效應(yīng)對(duì)交流小信號(hào)特性的影響。

技術(shù)研發(fā)人員：劉紅俠,于浩,王樹龍,陳樹鵬
受保護(hù)的技術(shù)使用者：西安電子科技大學(xué)
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/6