本發(fā)明涉及半導體制造，尤其涉及一種版圖修正方法、存儲介質(zhì)及終端。

背景技術(shù)：

1、集成電路制造技術(shù)是一個復雜的工藝，技術(shù)更新很快。表征集成電路制造技術(shù)的一個關(guān)鍵參數(shù)為最小特征尺寸，即關(guān)鍵尺寸(critical?dimension，cd)，隨著關(guān)鍵尺寸的縮小，甚至縮小至納米級，而正是由于關(guān)鍵尺寸的減小才使得每個芯片上設置百萬個器件成為可能。

2、光刻技術(shù)是集成電路制造工藝發(fā)展的驅(qū)動力，也是最為復雜的技術(shù)之一。相對與其它單個制造技術(shù)來說，光刻技術(shù)的提高對集成電路的發(fā)展具有重要意義。在光刻工藝開始之前，首先需要將圖案通過特定設備復制到掩模版上，然后通過光刻設備產(chǎn)生特定波長的光將掩模版上的圖案結(jié)構(gòu)復制到生產(chǎn)芯片的硅片上。但是由于半導體器件尺寸的縮小，在將圖案轉(zhuǎn)移到硅片的過程中會發(fā)生失真現(xiàn)象，如果不消除這種失真現(xiàn)象會導致整個制造技術(shù)的失敗。因此，為了解決所述問題可以對所述掩模版進行光學鄰近修正(opticalproximity?correction，opc)，所述光學鄰近修正方法即為對所述光刻掩模版進行光刻前預處理，進行預先修改，使得修改補償?shù)牧空媚軌蜓a償曝光系統(tǒng)造成的光學鄰近效應。

3、然而，現(xiàn)有技術(shù)中光學鄰近修正仍存在諸多問題。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明解決的技術(shù)問題是提供一種版圖修正方法、存儲介質(zhì)及終端，以降低光學鄰近修正的計算量，提升光學鄰近修正效率。

2、為解決上述問題，本發(fā)明的技術(shù)方案提供一種版圖修正方法，包括：提供初始版圖，所述初始版圖中具有若干初始圖形；設定工藝因子閾值范圍，基于所述工藝因子閾值范圍對所述初始版圖進行判斷處理，獲取工藝因子不位于所述工藝因子閾值范圍的所述初始圖形；對工藝因子不位于所述工藝因子閾值范圍的所述初始圖形進行一次或多次局部光學鄰近修正，直至每個所述初始圖形的工藝因子均位于所述工藝因子閾值范圍為止。

3、可選的，每次所述局部光學鄰近修正僅對工藝因子不位于所述工藝因子閾值范圍的所述初始圖形進行處理。

4、可選的，每次所述局部光學鄰近修正僅對工藝因子不位于所述工藝因子閾值范圍的所述初始圖形進行處理的方法包括：在每次所述局部光學鄰近修正之后，基于所述工藝因子閾值范圍對所述初始版圖進行判斷處理，獲取工藝因子不位于所述工藝因子閾值范圍的所述初始圖形；對工藝因子不位于所述工藝因子閾值范圍的所述初始圖形進行所述局部光學鄰近修正。

5、可選的，在每次所述局部光學鄰近修正之后，還包括：對工藝因子位于所述工藝因子閾值范圍的所述初始圖形進行合并處理，獲取掩模版圖。

6、可選的，所述初始圖形的工藝因子包括：所述初始版圖的放置邊緣誤差。

7、可選的，所述初始圖形的放置邊緣誤差的獲取方法包括：獲取所述初始圖形相對的曝光圖形；將所述曝光圖形與相對應的初始圖形進行對比，獲取所述初始圖形的放置邊緣誤差。

8、可選的，在進行第一次的所述局部光學鄰近修正之前，還包括：對對所述初始版圖進行整體光學鄰近修正。

9、可選的，所述整體光學鄰近修正包括：基于模型的光學鄰近修正。

10、可選的，所述局部光學鄰近修正包括：基于模型的光學鄰近修正。

11、相應的，本發(fā)明技術(shù)方案中還提供一種存儲介質(zhì)，其上存儲有計算機指令，所述計算機指令運行時執(zhí)行上述任意一項技術(shù)方案所述方法的步驟。

12、相應的，本發(fā)明技術(shù)方案中還提供一種終端，包括存儲器和處理器，所述存儲器上存儲有能夠在所述處理器上運行的計算機指令，其特征在于，所述處理器運行所述計算機指令時執(zhí)行上述任意一項技術(shù)方案所述方法的步驟。

13、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點：

14、本發(fā)明技術(shù)方案的版圖修正方法中，通過所述工藝因子閾值范圍對所述初始版圖進行判斷與分解，對工藝因子不位于所述工藝因子閾值范圍的所述初始圖形進行所述局部光學鄰近修正，有效降低光學鄰近修正的計算量，提高光學鄰近修正效率。

15、進一步，每次所述局部光學鄰近修正僅對工藝因子不位于所述工藝因子閾值范圍的所述初始圖形進行處理。即在每次所述局部光學鄰近修正之前繼續(xù)對若干所述初始圖形進行分解，使得后一次的所述局部光學鄰近修正的迭代計算量相較于前一次所述局部光學鄰近修正的迭代計算量不斷下降，進一步的降低光學鄰近修正的計算量，提高光學鄰近修正效率。

16、進一步，在進行第一次的所述局部光學鄰近修正之前，還包括：對對所述初始版圖進行整體光學鄰近修正。通過先對所述初始版圖進行整體光學鄰近修正，能夠初步的減少工藝因子不位于所述工藝因子閾值范圍的所述初始圖形的數(shù)量，進而使得后續(xù)的所述局部光學鄰近修正的迭代次數(shù)減少。

技術(shù)特征：

1.一種版圖修正方法，其特征在于，包括：

2.如權(quán)利要求1所述的版圖修正方法，其特征在于，每次所述局部光學鄰近修正僅對工藝因子不位于所述工藝因子閾值范圍的所述初始圖形進行處理。

3.如權(quán)利要求2所述的版圖修正方法，其特征在于，每次所述局部光學鄰近修正僅對工藝因子不位于所述工藝因子閾值范圍的所述初始圖形進行處理的方法包括：在每次所述局部光學鄰近修正之后，基于所述工藝因子閾值范圍對所述初始版圖進行判斷處理，獲取工藝因子不位于所述工藝因子閾值范圍的所述初始圖形；對工藝因子不位于所述工藝因子閾值范圍的所述初始圖形進行所述局部光學鄰近修正。

4.如權(quán)利要求1所述的版圖修正方法，其特征在于，在每次所述局部光學鄰近修正之后，還包括：對工藝因子位于所述工藝因子閾值范圍的所述初始圖形進行合并處理，獲取掩模版圖。

5.如權(quán)利要求1所述的版圖修正方法，其特征在于，所述初始圖形的工藝因子包括：所述初始版圖的放置邊緣誤差。

6.如權(quán)利要求5所述的版圖修正方法，其特征在于，所述初始圖形的放置邊緣誤差的獲取方法包括：獲取所述初始圖形相對的曝光圖形；將所述曝光圖形與相對應的初始圖形進行對比，獲取所述初始圖形的放置邊緣誤差。

7.如權(quán)利要求1所述的版圖修正方法，其特征在于，在進行第一次的所述局部光學鄰近修正之前，還包括：對對所述初始版圖進行整體光學鄰近修正。

8.如權(quán)利要求7所述的版圖修正方法，其特征在于，所述整體光學鄰近修正包括：基于模型的光學鄰近修正。

9.如權(quán)利要求1所述的版圖修正方法，其特征在于，所述局部光學鄰近修正包括：基于模型的光學鄰近修正。

10.一種存儲介質(zhì)，其上存儲有計算機指令，其特征在于，所述計算機指令運行時執(zhí)行權(quán)利要求1～9任一項所述方法的步驟。

11.一種終端，包括存儲器和處理器，所述存儲器上存儲有能夠在所述處理器上運行的計算機指令，其特征在于，所述處理器運行所述計算機指令時執(zhí)行權(quán)利要求1～9任一項所述方法的步驟。

技術(shù)總結(jié)
一種版圖修正方法、存儲介質(zhì)及終端，其中版圖修正方法，包括：提供初始版圖，初始版圖中具有若干初始圖形；設定工藝因子閾值范圍；基于工藝因子閾值范圍對初始版圖進行判斷處理，獲取工藝因子不位于工藝因子閾值范圍的初始圖形；對工藝因子不位于工藝因子閾值范圍的初始圖形進行一次或多次局部光學鄰近修正，直至每個初始圖形的工藝因子均位于工藝因子閾值范圍為止。通過工藝因子閾值范圍對經(jīng)過整體光學鄰近修正后的初始版圖進行判斷與分解，對工藝因子不位于工藝因子閾值范圍的初始圖形進行局部光學鄰近修正，有效降低光學鄰近修正的計算量，提高光學鄰近修正效率。

技術(shù)研發(fā)人員：李彥江,任堃,高大為,吳永玉
受保護的技術(shù)使用者：浙江創(chuàng)芯集成電路有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/6