技術(shù)特征：

1.2.5d?chiplet結(jié)構(gòu)物理場(chǎng)耦合特性分析方法，其特征在于：具體包括如下步驟：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的2.5d?chiplet結(jié)構(gòu)物理場(chǎng)耦合特性分析方法，其特征在于：所述步驟1中，2.5d?chiplet結(jié)構(gòu)包括三層，頂層包括沿水平方向設(shè)置的兩個(gè)存儲(chǔ)芯片(2)和邏輯芯片(3)，邏輯芯片(3)位于兩個(gè)存儲(chǔ)芯片(2)之間；中間層包括從上到下依次設(shè)置的上二氧化硅層(10)、硅中間層(9)和下二氧化硅層(11)，硅中間層(9)內(nèi)設(shè)有tsv陣列；底層包括水平設(shè)置的基板(1)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的2.5d?chiplet結(jié)構(gòu)物理場(chǎng)耦合特性分析方法，其特征在于：所述存儲(chǔ)芯片(2)與上二氧化硅層(10)之間通過(guò)焊球a(6)連接；邏輯芯片(3)與上二氧化硅層(10)之間通過(guò)焊球b(7)連接，下二氧化硅層(11)與基板(1)之間通過(guò)焊球c(8)連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的2.5d?chiplet結(jié)構(gòu)物理場(chǎng)耦合特性分析方法，其特征在于：兩個(gè)所述存儲(chǔ)芯片(2)、邏輯芯片(3)所使用的材料為硅；基板(1)的材料為fr4；焊球a(6)、焊球b(7)、焊球c(8)的材料均為64sn-40pb；tsv的材料為銅。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的2.5d?chiplet結(jié)構(gòu)物理場(chǎng)耦合特性分析方法，其特征在于：所述步驟2的具體過(guò)程為：

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的2.5d?chiplet結(jié)構(gòu)物理場(chǎng)耦合特性分析方法，其特征在于：所述步驟3的具體過(guò)程為：

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的2.5d?chiplet結(jié)構(gòu)物理場(chǎng)耦合特性分析方法，其特征在于：所述步驟4的具體過(guò)程為：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)了2.5D?Chiplet結(jié)構(gòu)物理場(chǎng)耦合特性分析方法，具體包括如下步驟：步驟1，對(duì)2.5D?Chiplet結(jié)構(gòu)添加固體傳熱物理場(chǎng)接口、固體力學(xué)物理場(chǎng)接口和一個(gè)熱膨脹物理場(chǎng)接口；步驟2，對(duì)固體傳熱物理場(chǎng)接口添加邊界條件，獲取2.5D?Chiplet結(jié)構(gòu)的溫度分布情況；步驟3，求解2.5D?Chiplet結(jié)構(gòu)的形變和應(yīng)力分布情況；步驟4，通過(guò)膨脹物理場(chǎng)接口將固體傳熱物理場(chǎng)接口和固體力學(xué)物理場(chǎng)接口進(jìn)行耦合；步驟5，對(duì)2.5D?Chiplet結(jié)構(gòu)進(jìn)行網(wǎng)格劃分，獲取該結(jié)構(gòu)的溫度、應(yīng)力和形變分布情況。本發(fā)明能夠準(zhǔn)確預(yù)測(cè)封裝芯片上的溫度場(chǎng)和力場(chǎng)分布，便于封裝結(jié)構(gòu)的熱分析。

技術(shù)研發(fā)人員：王鳳娟,孫傳鴻,張研眉,劉江凡,楊媛,余寧梅,朱樟明,尹湘坤
受保護(hù)的技術(shù)使用者：西安理工大學(xué)
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/9