本發(fā)明屬于深度學(xué)習(xí)領(lǐng)域,尤其涉及一種基于多層特征融合及遷移學(xué)習(xí)的pcb缺陷檢測(cè)方法。
背景技術(shù):
1、隨著電子芯片的快速發(fā)展,印刷電路板(printed?circuit?board,pcb)作為連接各種電子元件的樞紐,正成為現(xiàn)代制造業(yè)中關(guān)鍵的組成部分,為各類(lèi)設(shè)備提供硬件支持。隨著pcb需求的不斷增加和生產(chǎn)速度的提高,現(xiàn)代化生產(chǎn)設(shè)備正越來(lái)越緊密。pcb制造也更加精細(xì)化,使得構(gòu)成pcb的元器件尺寸不斷減小。這種趨勢(shì)導(dǎo)致pcb制造過(guò)程中出現(xiàn)缺孔、鼠咬、開(kāi)路、短路等微小缺陷越發(fā)的難以檢測(cè)。
2、傳統(tǒng)的pcb缺陷檢測(cè)主要依賴(lài)人工,準(zhǔn)確率較低,成本較高。深度學(xué)習(xí)技術(shù)的提出極大程度的提高了pcb缺陷檢測(cè)的準(zhǔn)確率,但是仍舊缺乏一種檢測(cè)速度和檢測(cè)精度雙高的方法。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、為解決上述技術(shù)問(wèn)題,本發(fā)明提出了一種基于多層特征融合及遷移學(xué)習(xí)的pcb缺陷檢測(cè)方法,本發(fā)明引入遷移學(xué)習(xí)來(lái)實(shí)現(xiàn)小樣本的模型訓(xùn)練,能夠提升pcb缺陷檢測(cè)準(zhǔn)確率和魯棒性。
2、為實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供了一種基于多層特征融合及遷移學(xué)習(xí)的pcb缺陷檢測(cè)方法,包括:
3、獲取待檢測(cè)pcb圖;
4、將待檢測(cè)pcb圖輸入至經(jīng)過(guò)遷移學(xué)習(xí)后的缺陷檢測(cè)模型,獲取檢測(cè)結(jié)果,其中,所述缺陷檢測(cè)模型包括:mobilenetv2模塊、fpn模塊和faster?r-cnn模塊和遷移學(xué)習(xí)模塊;
5、所述mobilenetv2模塊,用于對(duì)圖像特征進(jìn)行提取,獲取卷積特征圖;
6、所述fpn模塊,用于增強(qiáng)所述卷積特征圖,獲取多尺度特征圖;
7、所述faster?r-cnn模塊,用于對(duì)所述多尺度特征圖進(jìn)行分類(lèi)和邊界框回歸,獲取檢測(cè)結(jié)果;
8、所述遷移學(xué)習(xí)模塊,用于選擇neu-det數(shù)據(jù)集進(jìn)行預(yù)訓(xùn)練,獲取預(yù)訓(xùn)練模型的特征提取與分類(lèi)器的權(quán)重,所述特征提取用于提取pcb數(shù)據(jù)的特征,所述權(quán)重用于對(duì)其它模塊的權(quán)重進(jìn)行微調(diào)。
9、可選的,所述neu-det數(shù)據(jù)集包括:軋制氧化皮,斑塊,開(kāi)裂,點(diǎn)蝕表面,內(nèi)含物和劃痕。
10、可選的,獲取所述pcb缺陷檢測(cè)數(shù)據(jù)集包括:
11、獲取初始pcb缺陷圖;
12、對(duì)所述初始pcb缺陷圖依次進(jìn)行直方圖均衡化、雙邊濾波和數(shù)據(jù)增強(qiáng)處理,獲取所述pcb缺陷檢測(cè)數(shù)據(jù)集。
13、可選的,對(duì)所述初始pcb缺陷圖進(jìn)行直方圖均衡化處理包括:
14、基于所述初始pcb缺陷圖,將rgb顏色通道分開(kāi),分別調(diào)整所述rgb顏色通道的直方圖,將調(diào)整后的所述rgb顏色通道的直方圖進(jìn)行重合組合,并提取組合后的所述rgb顏色通道的平均直方圖。
15、可選的,對(duì)所述初始pcb缺陷圖進(jìn)行雙邊濾波處理的方法為:
16、
17、其中,i是輸入圖像,p和q是x和y當(dāng)前待過(guò)濾像素的坐標(biāo),是影響坐標(biāo)中像素距離的空間核,是用于平滑強(qiáng)度差異的范圍核,wp為歸一化之后的權(quán)重。
18、可選的,對(duì)所述初始pcb缺陷圖進(jìn)行數(shù)據(jù)增強(qiáng)處理包括:
19、采用隨機(jī)剪裁、水平翻轉(zhuǎn)、垂直翻轉(zhuǎn)、注入高斯噪聲和散斑噪聲的處理方法進(jìn)行數(shù)據(jù)增強(qiáng)。
20、可選的,所述mobilenetv2模塊包括:深度可分離卷積層、線(xiàn)性瓶頸層和倒殘差結(jié)構(gòu)層;
21、所述深度可分離卷積層,用于改變輸出通道的數(shù)量;
22、所述線(xiàn)性瓶頸層,用于減少特征提取時(shí)的信息損失;
23、所述倒殘差結(jié)構(gòu)層,輸出所述圖像特征。
24、可選的,所述fpn模塊包括:第一卷積層、上采樣層和第二卷積層;
25、所述第一卷積層,用于減小通道深度;
26、所述上采樣層,使用最近鄰上采樣算法,對(duì)特征圖進(jìn)行組合;
27、所述第二卷積層,用于減少合并特征圖和上采樣層組合時(shí)的混疊效應(yīng)。
28、可選的,所述fasterr-cnn模塊包括:區(qū)域生成網(wǎng)絡(luò)層和區(qū)域檢測(cè)器;
29、所述區(qū)域生成網(wǎng)絡(luò)層,用于利用滑動(dòng)窗口對(duì)所述多尺度特征圖進(jìn)行滑動(dòng),獲取目標(biāo)候選區(qū)域;
30、所述區(qū)域檢測(cè)器,用于對(duì)所述目標(biāo)候選區(qū)域進(jìn)行分類(lèi)和邊界框回歸,獲取檢測(cè)結(jié)果。
31、可選的,所述區(qū)域檢測(cè)器包括:roipooling層、全連接層和輸出層;
32、所述roipooling層,用于將所述目標(biāo)候選區(qū)域映射到特征圖上,并提取固定特征;
33、所述全連接層,用于將所述特征進(jìn)行分類(lèi)和精確回歸;
34、所述輸出層,用于輸出所述目標(biāo)候選區(qū)域的類(lèi)別標(biāo)簽和邊界框坐標(biāo)。
35、與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明具有如下優(yōu)點(diǎn)和技術(shù)效果:
36、1.本發(fā)明引入遷移學(xué)習(xí),減少了從頭開(kāi)始訓(xùn)練模型所需的時(shí)間和計(jì)算資源。通過(guò)在neu-det數(shù)據(jù)集上的訓(xùn)練,使得模型已經(jīng)學(xué)習(xí)到了缺陷特征提取能力,可以在pcb數(shù)據(jù)集較小的情況下仍有較高的精度。
37、2.本發(fā)明基于現(xiàn)有的pcb缺陷檢測(cè)數(shù)據(jù)集,進(jìn)行數(shù)據(jù)預(yù)處理豐富圖像樣本,取得豐富圖像處理樣本;基于mobilenetv2提取特征并與fpn連接,最后經(jīng)過(guò)faster?r-cnn進(jìn)行檢測(cè)和分類(lèi)。該模型自動(dòng)捕獲、檢測(cè)和分類(lèi),并分別錨定邊界框進(jìn)行檢測(cè)。本發(fā)明旨在改善對(duì)pcb的缺陷檢測(cè)方法,并加強(qiáng)工業(yè)質(zhì)量控制。該模型將顯著提高生產(chǎn)率和質(zhì)量檢測(cè),防止將有缺陷的材料加工給消費(fèi)者。
1.一種基于多層特征融合及遷移學(xué)習(xí)的pcb缺陷檢測(cè)方法,其特征在于,包括:
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于多層特征融合及遷移學(xué)習(xí)的pcb缺陷檢測(cè)方法,其特征在于,所述neu-det數(shù)據(jù)集包括:軋制氧化皮,斑塊,開(kāi)裂,點(diǎn)蝕表面,內(nèi)含物和劃痕。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種基于多層特征融合及遷移學(xué)習(xí)的pcb缺陷檢測(cè)方法,其特征在于,獲取所述pcb缺陷檢測(cè)數(shù)據(jù)集包括:
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種基于多層特征融合及遷移學(xué)習(xí)的pcb缺陷檢測(cè)方法,其特征在于,對(duì)所述初始pcb缺陷圖進(jìn)行直方圖均衡化處理包括:
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種基于多層特征融合及遷移學(xué)習(xí)的pcb缺陷檢測(cè)方法,其特征在于,對(duì)所述初始pcb缺陷圖進(jìn)行雙邊濾波處理的方法為:
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種基于多層特征融合及遷移學(xué)習(xí)的pcb缺陷檢測(cè)方法,其特征在于,對(duì)所述初始pcb缺陷圖進(jìn)行數(shù)據(jù)增強(qiáng)處理包括:
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于多層特征融合及遷移學(xué)習(xí)的pcb缺陷檢測(cè)方法,其特征在于,所述mobilenetv2模塊包括:深度可分離卷積層、線(xiàn)性瓶頸層和倒殘差結(jié)構(gòu)層;
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于多層特征融合及遷移學(xué)習(xí)的pcb缺陷檢測(cè)方法,其特征在于,所述fpn模塊包括:第一卷積層、上采樣層和第二卷積層;
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于多層特征融合及遷移學(xué)習(xí)的pcb缺陷檢測(cè)方法,其特征在于,所述faster?r-cnn模塊包括:區(qū)域生成網(wǎng)絡(luò)層和區(qū)域檢測(cè)器;
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種基于多層特征融合及遷移學(xué)習(xí)的pcb缺陷檢測(cè)方法,其特征在于,所述區(qū)域檢測(cè)器包括:roipooling層、全連接層和輸出層;