技術(shù)特征：

1.一種微半球諧振陀螺超薄導(dǎo)電層設(shè)計與制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微半球諧振陀螺超薄導(dǎo)電層設(shè)計與制備方法，其特征在于，步驟1具體為：

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微半球諧振陀螺超薄導(dǎo)電層設(shè)計與制備方法，其特征在于，步驟3中，所述計算微半球諧振子各區(qū)域變形能的大小具體為：

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述的微半球諧振陀螺超薄導(dǎo)電層設(shè)計與制備方法，其特征在于，步驟5中，所述性能檢測為微半球諧振陀螺儀電路噪聲測試。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的微半球諧振陀螺超薄導(dǎo)電層設(shè)計與制備方法，其特征在于，所述對rb進行迭代直至通過性能檢測具體為：

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述的微半球諧振陀螺超薄導(dǎo)電層設(shè)計與制備方法，其特征在于，步驟5中，采用磁控濺射的方式在微半球諧振子內(nèi)表面鍍膜。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種微半球諧振陀螺超薄導(dǎo)電層設(shè)計與制備方法，包括：得到微半球諧振子內(nèi)表面的薄膜厚度分布數(shù)據(jù)；計算微半球諧振子各區(qū)域變形能，令微半球諧振子上變形能與整體占比小于第一閾值的區(qū)域為區(qū)域A，其它為區(qū)域B；基于電阻率與薄膜厚度的關(guān)系曲線，得到電阻率的拐點對應(yīng)的薄膜厚度r；令區(qū)域A、區(qū)域B的薄膜厚度為r<subgt;A</subgt;=a·r、r<subgt;B</subgt;=b·r，a、b為平面區(qū)域與區(qū)域A、區(qū)域B薄膜厚度比的最大值；基于r<subgt;A</subgt;、r<subgt;B</subgt;在微半球諧振子內(nèi)表面鍍膜后進行性能檢測，并迭代r<subgt;B</subgt;直至通過性能檢測。本發(fā)明應(yīng)用于微機電技術(shù)領(lǐng)域，能夠在保證金屬薄膜電導(dǎo)率的前提下，減小微半球諧振子變形能占比更大的區(qū)域的薄膜厚度，進而達到提升性能的目的。

技術(shù)研發(fā)人員：石巖,席翔,朱峰,肖定邦,吳學(xué)忠,劉佳,廖琛
受保護的技術(shù)使用者：中國人民解放軍國防科技大學(xué)
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/9