專利名稱：用于半導(dǎo)體集成電路的設(shè)置及布線方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于半導(dǎo)體器件的設(shè)置及布線方法，且尤其是涉及一種使用計算機(jī)輔助設(shè)計(簡寫為CAD)的半導(dǎo)體集成電路的設(shè)置及布線方法。
在使用CAD進(jìn)行布局設(shè)計時，需要對包含反相器、與非(電路)、或非(電路)的各個不同種類的基本單元進(jìn)行設(shè)計。在此情況下，一般講在同一基本單元中，組成基本單元的多個晶體管彼此間的尺寸是不同的，這是由單個基本單元的電路特性決定的。因此在現(xiàn)有技術(shù)中，已經(jīng)采用了這樣一種設(shè)計方法，即首先準(zhǔn)備所需種類數(shù)目的基本單元也即參數(shù)化單元，以便當(dāng)輸入設(shè)計規(guī)則、晶體管尺寸及其它條件時來自動產(chǎn)生所需的單元。
現(xiàn)有技術(shù)的用于實現(xiàn)上面提到的參數(shù)化單元的設(shè)置及布線方法包括下面兩個方法在第一種設(shè)置及布線方法中，只將晶體管設(shè)定為目標(biāo)，而將布線導(dǎo)體及連接用關(guān)系表達(dá)式進(jìn)行描述；在第二種設(shè)置及布線方法中，晶體管被描述為目標(biāo)，且僅表示出晶體管目標(biāo)間的相關(guān)位置，而目標(biāo)間的布線根據(jù)連接信息自動進(jìn)行。
首先，結(jié)合示意地描述晶體管目標(biāo)的

圖1來解釋晶體管目標(biāo)的概念。晶體管目標(biāo)是通過描述不考慮晶體管尺寸作為一個器件的晶體管圖案形式，以及包含柵極，源極及漏極的虛端點(diǎn)位置、TG、TS、及TD門、晶體管尺寸L(長度)及W(寬度)以及起始位置(點(diǎn))OXY來進(jìn)行表達(dá)的。
現(xiàn)在，參考圖2的流程圖來描述第一現(xiàn)有技術(shù)的設(shè)置及布線方法。首先，在步驟p1中，晶體管尺寸的參數(shù)被作為晶體管目標(biāo)進(jìn)行設(shè)定，然后，描述晶體管目標(biāo)和布線導(dǎo)體及接點(diǎn)間的關(guān)系表達(dá)式。在根據(jù)已經(jīng)定位的圖案形成及設(shè)計規(guī)則來確定定位位置及布線位置的情況下來準(zhǔn)備相關(guān)的表達(dá)式。此外，布線描述包括與所確定的布線導(dǎo)體層相關(guān)的信息，而接點(diǎn)描述包括將被定位的連接單元名。
在步驟P2中，來確定第一晶體管日標(biāo)的起始位置，并根據(jù)相關(guān)的表達(dá)式來在步驟P4中產(chǎn)生并定位晶體定的位置，或者在步驟P5中確定布線導(dǎo)體的位置及在步驟P6中確定連接點(diǎn)的位置。在步驟P3中，來檢查位置目標(biāo)是否為晶體管目標(biāo)，如果位置目標(biāo)是晶體管目標(biāo)，程序進(jìn)入到步驟P4，在步驟P4中根據(jù)所給出的參數(shù)來產(chǎn)生晶體管，并在相關(guān)表達(dá)式的基礎(chǔ)上來確定所產(chǎn)生的晶體管的設(shè)置位置。另一方面，如果位置目標(biāo)是布線導(dǎo)體，程序進(jìn)入到步驟p5，在步驟p5中根據(jù)相關(guān)表達(dá)式來計算布線導(dǎo)體的起始點(diǎn)及終端點(diǎn)，并通過使用所指定的布線導(dǎo)體層來進(jìn)行布線。此外，如果位置目標(biāo)為接點(diǎn)，程序進(jìn)入到步驟p6，在步驟p6中根據(jù)相關(guān)表達(dá)式來計算定位位置，并定位所指定的接點(diǎn)單元。此程序處理相關(guān)表達(dá)式中描述的全部內(nèi)容。
現(xiàn)在，參考圖3A來描述此工藝的具體實施例，圖3A示出了定位/布線目標(biāo)單元的布線圖而圖3B示出了通過晶體管目標(biāo)相關(guān)表達(dá)式的相同情形。圖3A中所示的晶體管Q1及Q2分別用圖3B中所示的晶體管目標(biāo)Q01及Q02來表示。圖3A中所示的布線導(dǎo)體W1、W2、W3、W4及W5分別用圖3B中所示的布線導(dǎo)體W01、W02、W03、W04及W05表示，其表示了路徑的中心線。圖3A所示的接點(diǎn)TH1及TH2分別用圖3B中所示的接點(diǎn)TH01及TH02表示。
例如，在定位布線導(dǎo)體W02的情況下，有必要確定端點(diǎn)P21及P22。如果定位了晶體管目標(biāo)Q01，根據(jù)設(shè)計規(guī)則的分開間隔，將端點(diǎn)P22的x坐標(biāo)定位布線導(dǎo)體W01與晶體管目標(biāo)Q01分隔開位置處，而端點(diǎn)p22的Y坐標(biāo)按設(shè)計規(guī)則的間隔被定位在按設(shè)計規(guī)則的間隔將布線導(dǎo)體W02與晶體管目標(biāo)Q01分開的位置處。端點(diǎn)P21的Y坐標(biāo)是與端點(diǎn)P22的Y坐標(biāo)相同，端點(diǎn)p22的X坐標(biāo)是與晶體管目標(biāo)Q02的端點(diǎn)T26的X坐標(biāo)相同。
因此，在處理完布線導(dǎo)體W04、接點(diǎn)TH2及晶體管目標(biāo)Q02和決定了晶體管目標(biāo)Q02的端點(diǎn)T26后就可獲得了端點(diǎn)P22這x坐標(biāo)及Y坐標(biāo)，最后，用指定的布線導(dǎo)體層及指定的布線導(dǎo)體寬度來將端點(diǎn)P21和P22互連。
在此第一現(xiàn)有技術(shù)的設(shè)置及布線方法中，在確定布線導(dǎo)體W02的情況中，必須考慮不直接與布線導(dǎo)體W02相連的晶體管目標(biāo)Q02的端點(diǎn)位置，換句話說，針對不直接與晶體管目標(biāo)的端點(diǎn)相連的布線導(dǎo)體，必需考慮對所有端點(diǎn)位置的影響，并確定布線順序及晶體管目標(biāo)的位置順序，以便將它們引入相關(guān)的表達(dá)式中。這就完成了相關(guān)的表達(dá)式，并當(dāng)晶體管數(shù)目很大時，很容易忽視布線導(dǎo)體所受的影響。
此外，為了實現(xiàn)第一現(xiàn)有技術(shù)的設(shè)置及布線方法，通常的作法是對每個單元都描述一單元生成程序，因此，不可能保存每個單元的數(shù)據(jù)，并進(jìn)而很難改變單元的組成元件。
現(xiàn)在參考圖4的流程圖來描述第二現(xiàn)有技術(shù)的設(shè)置及布線方法。首先，在步驟R1中，晶體管尺寸的參數(shù)被作為晶體管目標(biāo)進(jìn)行設(shè)定，然后，指定晶體管目標(biāo)間的相對位置。然后，在步驟R2中，根據(jù)在相關(guān)位置信息中描述的晶體管的參數(shù)來來生成晶體管。此后，在步驟R3中，確定第一晶體管目標(biāo)的定位位置(原始位置)，并在步驟R4中，根據(jù)在相關(guān)位置信息中描述的相關(guān)位置來定位所生成的晶體管。此時，進(jìn)行調(diào)節(jié)以避免晶體管的相互重疊。然后，在步驟R5中，根據(jù)連接信息，通過使用擴(kuò)散層、多晶硅層及鋁布線層來進(jìn)行被定了位的晶體管之間的連接布線。
這種布線是首先根據(jù)使用擴(kuò)散層的共用化晶體管進(jìn)行的，然后，通過使用多晶硅布線層和鋁布線層進(jìn)行連接。此時，當(dāng)需要連接不同平面的布線層時，就需設(shè)置一個接點(diǎn)以滿足設(shè)計規(guī)則。此外，如果在晶體不存在對于布線導(dǎo)體的所需的間隔，則進(jìn)行晶體管間隔擴(kuò)展的處理。
現(xiàn)在參照圖5A來描述此自理過程的具體實例，圖5A示出了將要定位/布線目標(biāo)單元的布線圖而圖5B示出了根據(jù)晶體管目標(biāo)的相關(guān)表達(dá)式的單元的相關(guān)位置。圖5A中所示的晶體管Q3、Q4和Q5分別用圖5B中的晶體管目標(biāo)Q03、Q04及Q05進(jìn)行表示，而圖5B示出了這些晶體管的相對位置關(guān)系。
首先，根據(jù)各晶體管目標(biāo)Q03、Q04及Q05的尺寸L及W來生成晶體管，而所生成的晶體管目標(biāo)被以這樣一種方法定位，即晶體管間彼此不相互重疊。然后，根據(jù)連接信息，晶體管目標(biāo)Q03、Q04及Q05的擴(kuò)散層被公有化到可能的程度，然后，通過使用多晶硅布線層及鋁布線層來進(jìn)行晶體管端子間的連接。此時，當(dāng)在不同的平面對布線層彼此連接時，則設(shè)置一個連接接點(diǎn)。
如果在生成布線導(dǎo)體W15及W14和接點(diǎn)TH3及TH4的步驟中布線空間不夠，則將晶體管目標(biāo)Q05及晶體管目標(biāo)Q03和Q04間的間隔擴(kuò)大到所需的程度。最后，獲得圖5A中所示的布線。
然而在此第二技術(shù)的定位及布線方法中，例如，當(dāng)晶體管Q5的溝道長度L被擴(kuò)大時，有可能會通過環(huán)繞或圓形線路以避過晶體管Q3和Q4來生成布線導(dǎo)體W14及W13，在用圖5C中所示的布線導(dǎo)體W14A和W13A，W13B及W13C和接點(diǎn)TH23及TH24所表示的布線圖形時，其結(jié)果是會產(chǎn)生將不同平面的布線導(dǎo)體互連的必要。這在自動布線工藝中的布線路徑的成本計算的過程中是值得考慮的。如果產(chǎn)生了環(huán)狀線路的布線導(dǎo)體，電路面積變大，并增大了額外的布線電容。
此外，為了實現(xiàn)第二現(xiàn)有技術(shù)的定位及布線方法，則需要大尺寸的自動布線工具及所謂的壓縮程序。
如上所述，第一種現(xiàn)有技術(shù)的定位及布線方法的缺點(diǎn)在于，它需要考慮對于包括不直接與晶體管目標(biāo)的端點(diǎn)相連的布線導(dǎo)體的所有布線導(dǎo)體的晶體管目標(biāo)的端點(diǎn)位置的影響，如果需要的話，為了將它們引入相關(guān)的表達(dá)式中還要確定晶體管目標(biāo)的布線順序及定位順序。因此，當(dāng)晶體管數(shù)目很大時，相關(guān)的表達(dá)式變得很復(fù)雜，且其很容易忽略布線導(dǎo)體所受的影響。
此外，必需描述對每個單元的單元生成程序，且因而，不可能保留每個單元的原有數(shù)據(jù)。其結(jié)果，很難限定單元的組成元素，例如無法改變一些晶體管的尺寸。
另一方面，第二種現(xiàn)有技術(shù)的定位及布線方法的缺點(diǎn)在于，由于自動布線，當(dāng)晶體管尺寸改變時，就會產(chǎn)生環(huán)形的線路布線，這會增大電路面積及布線電容。
此外，為了實現(xiàn)第二種現(xiàn)有技術(shù)的定位及布線方法，就需要大尺寸的自動布線工具及所謂的壓縮程序。
相應(yīng)地，在發(fā)明的一個目的是提供一種用于半導(dǎo)體集成電路的設(shè)置及布線方法，其可克服上面提到的傳統(tǒng)方法中的缺陷。
本發(fā)明的另一個目的是提供一種用于半導(dǎo)體集成電路的設(shè)置及布線方法，其能夠減少布線設(shè)計步驟的數(shù)目，同時保持組成構(gòu)件的相對位置。
本發(fā)明的上述及其它目的是根據(jù)本發(fā)明的用于半導(dǎo)體集成電路的設(shè)置及布線方法來實現(xiàn)的，該半導(dǎo)體集成電路具有包括在半導(dǎo)體芯片上的晶體管的電路元件或電路功能塊，用于自動生成所需參數(shù)化單元，設(shè)置及布線方法是通過給出設(shè)計規(guī)則及一包含晶體管尺寸的設(shè)計信息來實現(xiàn)的，該方法包括
用于準(zhǔn)備描述作為晶體管目標(biāo)的每個晶體管及作為布線目標(biāo)的每個布線導(dǎo)體的目標(biāo)描述的目標(biāo)描述步驟，其包括每個目標(biāo)與其相鄰目標(biāo)的關(guān)系的相對位置信息及表示每個目標(biāo)的連接終點(diǎn)的連接信息。
晶體管目標(biāo)處理步驟，其用于根據(jù)目標(biāo)描述來生成晶體管并考慮相關(guān)的位置信息來定位所生成的晶體管；布線目標(biāo)處理步驟，其通過考慮相關(guān)的位置信息確定每個布線目標(biāo)在平面方向及在豎直方向的位置；目標(biāo)終點(diǎn)確定步驟，其用于確定每個晶體管目標(biāo)的最后位置及每個布線目標(biāo)的最終起始點(diǎn)及最后終止點(diǎn)；及布線后一處理步驟，其用于按所指定的布線層來對每個布線目標(biāo)進(jìn)行布線。
通過下面結(jié)合相應(yīng)附圖對本發(fā)明最佳實施例的描述會對本發(fā)明的以上及其它的目的、特點(diǎn)及優(yōu)點(diǎn)有更清楚的了解。
圖1為描述晶體管目標(biāo)的概念的示意圖；圖2為描述第一種現(xiàn)有技術(shù)的設(shè)置及布線方法的一個實例的流程圖；圖3A為將要被定位和布線的單元的布線圖；圖3B為根據(jù)第一種現(xiàn)有技術(shù)的設(shè)置及布線方法的晶體管目標(biāo)的相關(guān)表達(dá)式；圖4為描述第二種現(xiàn)有技術(shù)的設(shè)置及布線方法的一個實例的流程圖；圖5A示出將要被定位和布線的單元的布線圖；圖5B描述了根據(jù)第二種現(xiàn)有技術(shù)的設(shè)置及布線方法的晶體管目標(biāo)的相關(guān)表達(dá)式；圖5C為第二種現(xiàn)有技術(shù)的設(shè)置及布線方法的處理結(jié)果的布線圖；圖6為根據(jù)本發(fā)明的設(shè)置及布線方法的第一實施例的流程圖；圖7A及7B描述了根據(jù)本發(fā)明的布線目標(biāo)設(shè)置的概念及布線方法；圖8描述了根據(jù)本發(fā)明的設(shè)置中的布線目標(biāo)間的關(guān)系和布線方法；圖9A到9E描述了根據(jù)本發(fā)明的設(shè)置和布線方法中的相接各步的目標(biāo)處理流程；圖10A到10B示出了布線目標(biāo)的概念，用于描述根據(jù)本發(fā)明的設(shè)置及布線方法的第二實施例的操作。
參考圖6，其示出了根據(jù)本發(fā)明設(shè)置及布線方法的第一實施例的流程圖根據(jù)按照本發(fā)明的設(shè)置及布線方法的第一實施例，在目標(biāo)描述步驟S1中用晶體管目標(biāo)及布線目標(biāo)來描述所要產(chǎn)生的全部基本單元。在每個晶體管目標(biāo)中，指定了晶體管尺寸、表示相關(guān)晶體管目標(biāo)的連接終點(diǎn)的連接信息以及與相關(guān)晶體管目標(biāo)上、下或左、右相鄰目標(biāo)的參數(shù)。
然后，參考圖7A及7B來對布線目標(biāo)的概念進(jìn)行描述，其示意地描述了布線目標(biāo)。布線目標(biāo)包括如圖7A中所示的表示平面布線導(dǎo)體的平面布線目標(biāo)，及如圖7B中所示的表示豎直布線導(dǎo)體的豎直布線目標(biāo)。每個布線目標(biāo)由具有兩相對端點(diǎn)的線部分組成并具有關(guān)于關(guān)于布線層兩端點(diǎn)的連接信息及關(guān)于ST及SB或SL及SR的上與下或左和右的相鄰狀況的信息。并在目標(biāo)端點(diǎn)確定步驟S6中來確定這些端點(diǎn)。
如圖7A中所示的平面布線目標(biāo)表示一個布線層、在布線層上具有兩個相對的端P11及P12的線部分1，用向上方向的相鄰狀態(tài)ST及與向下方向相鄰的狀態(tài)SB表示的方向上與平面布線目標(biāo)相鄰的相鄰目標(biāo)11及12及端點(diǎn)P11及P12的各自連接信息CN11及CN12。
另一方面，如圖7B中所示的豎直布線目標(biāo)指定了布線層，在布線層上具有兩個相對端點(diǎn)P21及P22的線部分2、用左邊方向相鄰的狀態(tài)SL及右向相鄰狀態(tài)SR表示的方向上與豎直布線目標(biāo)相鄰的相鄰目標(biāo)21及22，及端點(diǎn)P21及P22的各連接信息CN21及CN22。
在每個平面及豎直的布線目標(biāo)中，當(dāng)未指定一個相鄰目標(biāo)時，則認(rèn)為布線導(dǎo)體坐標(biāo)延伸到連接終點(diǎn)位置。
如果布線目標(biāo)的布線層不同于連接終點(diǎn)的布線層，當(dāng)設(shè)置了一個用于不同的布線層間連接的通孔型接點(diǎn)時，則確定了一個不需要考慮相鄰關(guān)系的目標(biāo)。例如，圖7B中示出了一個用于不同的布線層間以及接點(diǎn)TH21的上、下、左、右相鄰狀態(tài)CT、CB、CL、CR間連接的接點(diǎn)TH21。
現(xiàn)在參考圖8來描述具體的目標(biāo)關(guān)系，其以目標(biāo)關(guān)系圖的形式描述了圖3A中的布線結(jié)構(gòu)。在圖8中，與圖3B中所示的那些相類似或相對應(yīng)的元件用相同的參考符號或數(shù)碼表示，且相鄰關(guān)系用箭頭曲線表示。
所示出的布線包括晶體管目標(biāo)Q01及Q02，平面布線目標(biāo)W02、W04和W05以及豎直布線目標(biāo)W01及W03。
在向下的方向上晶體管目標(biāo)Q02與平面布線目標(biāo)W04相鄰并與平面布線目標(biāo)W04及豎直布線目標(biāo)W03相連。此外，設(shè)定了晶體管目標(biāo)Q02的晶體管尺寸L及W。
在向下的方向上平面布線目標(biāo)W02與晶體管目標(biāo)Q01相鄰，并與豎直布線目標(biāo)W01及W03相連。此外，并確定平面布線目標(biāo)W02的布線層為第一層鋁層。
回到圖6，在步驟2中，確定首先設(shè)置的晶體管的原始位置，而在步驟3中，目標(biāo)的種類以如圖8中所示的目標(biāo)數(shù)的順序來區(qū)分。作為區(qū)分的結(jié)果，程序進(jìn)入到或者晶體管目標(biāo)處理步驟S4或者布線目標(biāo)處理步驟S5，或者當(dāng)無目標(biāo)存在時進(jìn)入到布線后一處理步驟S7。
在晶體管目標(biāo)處理步驟S4中，根據(jù)所指定的晶體管尺寸來產(chǎn)生晶體管，如果確定無相鄰的位置，則所生成的晶體管被置于最初的原始位置。如果確定有相鄰的狀態(tài)，則在與上或下指定目標(biāo)分開的位置按設(shè)計原則(設(shè)計規(guī)則間隔)所確定的所需間隔確定Y一坐標(biāo)，而在與左或右指定目標(biāo)分開的一位置按設(shè)計原則確定X一坐標(biāo)，此后，將所生成的晶體管設(shè)置在由此確定的Y一坐標(biāo)和X一坐標(biāo)所指示的位置上。然而，如果確定公有的所涉及的晶體管的擴(kuò)散層，則晶體管被與已經(jīng)定位的晶體管相鄰設(shè)置，該已經(jīng)定位的晶體管具有被指定與所涉及的晶體管的擴(kuò)散層公有的擴(kuò)散層。
在布線目標(biāo)處理步驟S5中，如果未指定上/下相鄰的位置狀態(tài)則根據(jù)連接信息將所確定的平面布線目標(biāo)的Y一坐標(biāo)作為已經(jīng)定位的目標(biāo)的終端位置的Y一坐標(biāo)。如果指定有上/下的相鄰位置，通過處理一與晶體管目標(biāo)的相鄰狀態(tài)處理相似的處理過程在按設(shè)計原則間隔將上/下相鄰目標(biāo)分開的一位置處來確定平面布線目標(biāo)的Y一坐標(biāo)。
在豎直布線目標(biāo)的情況下，當(dāng)指定了無左/右相鄰狀態(tài)時，則根據(jù)連接信息與平面布線目標(biāo)相近似的來確定豎直布線目標(biāo)的X一坐標(biāo)。如果指定存在左/右相鄰的狀態(tài)，則在與上/下相鄰目標(biāo)按設(shè)計規(guī)則間隔分開的一位置處來確定豎直布線目標(biāo)的X一坐標(biāo)。
在每次完成目標(biāo)處理過程后，在目標(biāo)端點(diǎn)確定步驟S6中來確定目標(biāo)的端點(diǎn)位置。由于晶體管的最初位置與晶體管的三個端子的終端位置的距離是預(yù)先知道的，可通過晶體管的定位位置來計算晶體管目標(biāo)的端子位置。當(dāng)要與晶體管目標(biāo)相連的布線目標(biāo)已經(jīng)被定位時，在平面布線目標(biāo)的情況下，平面布線目標(biāo)的連接端點(diǎn)的X一坐標(biāo)變?yōu)榫w管目標(biāo)的連接端點(diǎn)的X一坐標(biāo)。在豎直布線目標(biāo)的情況下，豎直布線目標(biāo)的連接端點(diǎn)的Y一坐標(biāo)變?yōu)榫w管目標(biāo)的連接端點(diǎn)的Y一坐標(biāo)。
此外，由于在布線目標(biāo)處理步驟S5中已經(jīng)確定了平面布線目標(biāo)的連接端點(diǎn)的Y一坐標(biāo)位置，當(dāng)要被連接的目標(biāo)已被定位時，平面布線目標(biāo)的連接端點(diǎn)的X一坐標(biāo)變?yōu)橐呀?jīng)定位的目標(biāo)的連接端點(diǎn)的X一坐標(biāo)。類似地，由于已經(jīng)確定了豎直布線目標(biāo)的連接端點(diǎn)的位置，當(dāng)將要連接的目標(biāo)已經(jīng)定位時，豎直布線目標(biāo)的連接端點(diǎn)的Y一坐標(biāo)變?yōu)橐呀?jīng)定位的目標(biāo)的連接端點(diǎn)的Y一坐標(biāo)。
此外，與另一布線目標(biāo)相連的布線目標(biāo)的連接端點(diǎn)的位置是按照與對于和晶體管相連的布線目標(biāo)的處理過程相類似的方式進(jìn)行的。
當(dāng)每個目標(biāo)的終端層的平面與連接終點(diǎn)的終端層的平面不同時，從在設(shè)計規(guī)則中所描述的接點(diǎn)中選出一個最優(yōu)的接點(diǎn)，并在考慮接點(diǎn)位置的相鄰狀態(tài)的情況下來定位所選擇的接點(diǎn)。
在全部的目標(biāo)處理都完成后的布線后一處理步驟S7中，根據(jù)所確定的布線位置通過確定布線層來進(jìn)行布線從而生成最后的布線。
下面，參照圖9A到9E來描述晶體管目標(biāo)得理步驟S4、布線目標(biāo)處理步驟S5、目標(biāo)端點(diǎn)處理步驟S6及布線后一處理步驟S7的具體實例，圖9A到9E按步描述了當(dāng)根據(jù)本發(fā)明的設(shè)置及布線方法被應(yīng)用到由圖8的目標(biāo)圖所表示的單元時對于目標(biāo)的處理流程。
首先，如圖9A中所示，根據(jù)晶體管尺寸來生成晶體管目標(biāo)Q01，并定位在在步驟S2中所確定的原始位置。圖9B描述了在平面布線目標(biāo)W02已被處理后的情況。由于在向下的方向上平面布線目標(biāo)W02與晶體管目標(biāo)Q01相鄰，在與晶體管目標(biāo)Q01分開一設(shè)計規(guī)則間隔的位置處來確定平面布線目標(biāo)W02的Y一坐標(biāo)。平面布線目標(biāo)W02與豎直布線目標(biāo)W01及W03相連。這里，由于豎直布線目標(biāo)W02已經(jīng)被定位，豎直布線目標(biāo)W01的X一坐標(biāo)已經(jīng)被確定。因此，最終確定了平面布線目標(biāo)W02的端點(diǎn)P21。然而，由于豎直布線目標(biāo)W03還沒被定位，因此無法確定平面布線目標(biāo)W02的端點(diǎn)P22。
類似地，當(dāng)平面布線目標(biāo)W04被處理時，由于晶體管目標(biāo)Q02也還沒被定位，因此無法確定平面布線目標(biāo)W04的端點(diǎn)P41。圖9C中示出了此種情況。
圖9D描述了在晶體管目標(biāo)Q02已被定位后的情況。由于在向下的方向上晶體管目標(biāo)Q02與布線目標(biāo)W04相鄰，晶體管目標(biāo)Q02的Y一坐標(biāo)被確定與布線目標(biāo)W04分開所需的設(shè)計規(guī)則間隔。另一方面，由于對于晶體管目標(biāo)Q02來指定左/右相鄰狀態(tài)，初始位置的X一坐標(biāo)被選擇作為晶體管Q02的X一坐標(biāo)。當(dāng)晶體管目標(biāo)Q02已經(jīng)被定位時，確定端點(diǎn)P41的X一坐標(biāo)。此外，由于布線目標(biāo)W04的平面不同于晶體管目標(biāo)Q02的連接端點(diǎn)的平面，因此設(shè)置接點(diǎn)TH2。
圖9E描述了在豎直布線目標(biāo)W03及平面布線目標(biāo)W05已被處理后的狀況。由于豎直布線目標(biāo)W03無所指定的相鄰狀態(tài)，因此晶體管目標(biāo)Q02的端點(diǎn)位置被確定作為豎直布線目標(biāo)W03的X一坐標(biāo)。此外，由于豎直布線目標(biāo)W03與平面布線目標(biāo)W02相連，在此步驟中最終確定豎直布線目標(biāo)W02的端點(diǎn)P22。
圖9F描述了通過分別用晶體管Q1及Q2來替代晶體管目標(biāo)Q01及P02，以及通過將所確定的布線層及設(shè)計規(guī)則的布線導(dǎo)體寬度加到布線目標(biāo)W01、W02、W03、W04及W05以便得到布線導(dǎo)體W1、W2、W3、W4及W5而獲得的布線圖。
現(xiàn)在，參考圖10A來描述根據(jù)本發(fā)明的設(shè)置及布線方法的第二實施例，在圖10A中與圖5A中所示對應(yīng)的元件通過在相同的符號及數(shù)碼中插入“O”來給出。圖10A通過晶體管目標(biāo)Q03、Q04及Q05和布線目標(biāo)W011、W013、W014、W015、W016、W017及W019并同樣加入用箭頭曲線表示的相鄰的關(guān)系來示出了圖5A的布線圖。在向下的方向上布線目標(biāo)W014與晶體管目標(biāo)Q03相鄰，而在左邊的方向上布線目標(biāo)W013與布線目標(biāo)W012相鄰。
圖10B示出了當(dāng)晶體管目標(biāo)Q05的晶體管尺寸L(長度)被擴(kuò)大時所獲得的布線圖。由于對于布線目標(biāo)W014、W013的相鄰關(guān)系已確定，即使布線目標(biāo)W014的的位置在平面方向上(左-右方向)移動，布線目標(biāo)W013也位于布線目標(biāo)W012的右側(cè)，從而永遠(yuǎn)保持了其相對的位置關(guān)系。
從上面可以看出，根據(jù)本發(fā)明的用于半導(dǎo)休集成電路的設(shè)置及布線方法其特征在于其包含如下步驟，一個目標(biāo)描述步驟，其用于準(zhǔn)備一個目標(biāo)描述，該目標(biāo)描述描述每個作為晶體管目標(biāo)的晶體管及每個作為布線目標(biāo)的布線目標(biāo)的布線導(dǎo)體，且該目標(biāo)描述中還包括每個目標(biāo)與其相鄰目標(biāo)的相關(guān)位置信息及每個目標(biāo)的連接信息；晶體管目標(biāo)處理步驟，其用于根據(jù)目標(biāo)描述生成每個晶體管并根據(jù)相關(guān)位置信息來定位所生成的晶體管；一布線目標(biāo)處理步驟，其用于在平面方向上及在豎直方向上來確定每個布線的位置；及一目標(biāo)端點(diǎn)確定步驟，用于確定每個晶體管目標(biāo)的最終位置及每個布線目標(biāo)的最終起點(diǎn)及最終終點(diǎn)。因此，即使在定位不直接與晶體管相連的布線導(dǎo)體時，由于考慮了晶體管的位置，因此描述量可減到現(xiàn)有技術(shù)實例的大約一半到五分之一。另一方面，除非布線導(dǎo)體不直接與晶體管相連，否則不必考慮晶體管的終端位置。此外，由于是簡單的按順序描述目標(biāo)，因此可以減少忽視的可能性，并且還減少了設(shè)計步驟的數(shù)目。
此外，與自動步線相比，布線目標(biāo)的表示法使其有可能產(chǎn)生所希望的布線圖形，因此，既不會附加額外的布線電容也不會增加額外的布線電阻，其結(jié)果可產(chǎn)生出具有優(yōu)良性能的布線。
此外，與自動布線相比，布線目標(biāo)的表示法可減少程序的尺寸。由于每個基本單元的信息可被作為數(shù)據(jù)保存，因此可以很容易地改變單元的構(gòu)成元件。
這里已結(jié)合具體實施例對本發(fā)明進(jìn)行了描述，然而，需注意的是，本發(fā)明不僅限于所述結(jié)構(gòu)的具體內(nèi)容上，而在所附權(quán)利要求范圍內(nèi)的改變及修改都為本發(fā)明的范圍。
權(quán)利要求
1.一種用于在半導(dǎo)體芯片上對具有電路元件及電路功能塊的半導(dǎo)體集成電路的設(shè)置及布線方法，該設(shè)置及布線方法通過給出設(shè)計規(guī)則及包括所述晶體管的尺寸的設(shè)計信息來自動生成所需的參數(shù)化單元，其特征在于該方法包括目標(biāo)描述步驟，用于準(zhǔn)備一個目標(biāo)描述，該目標(biāo)描述了每個作為晶體管目標(biāo)的所述晶體管及每個作為布線目標(biāo)的布線導(dǎo)體，該目標(biāo)描述還包括每個目標(biāo)與其相鄰目標(biāo)的相關(guān)位置信息及表示每個目標(biāo)的連接終點(diǎn)的連接信息；晶體管目標(biāo)處理步驟，用于根據(jù)目標(biāo)描述產(chǎn)生所述的晶體管并通過考慮所述的相關(guān)位置信息來定位所生成的晶體管；布線目標(biāo)處理步驟，用于通過針對所述的相關(guān)位置信息來確定所述每個布線目標(biāo)在平面方向及在豎直方向的位置；目標(biāo)端點(diǎn)確定步驟，用于確定每個晶體管目標(biāo)的最終位置及每個步線目標(biāo)的最終起始點(diǎn)及最終終端點(diǎn)；及布線后一處理步驟，用于按所指定的布線層為每個布線目標(biāo)布線。
2.根據(jù)權(quán)制要求1所述的設(shè)置及布線方法，其特征在于還包括，在所述目標(biāo)描述步驟后，還有一區(qū)分步驟，其用于區(qū)分哪個晶體管目標(biāo)及哪個布線目標(biāo)是所描述的目標(biāo)。
全文摘要
一種用于半導(dǎo)體集成電路的設(shè)置及布線方法,其包括一目標(biāo)描述步驟,用于準(zhǔn)備一個目標(biāo)描述,還包括晶體管目標(biāo)處理步驟,用于按目標(biāo)描述生成每個晶體管并針對相鄰信息定位所生成的晶體管,布線目標(biāo)處理步驟,用于在平面方向及在豎直方向確定每個布線的位置,一目標(biāo)端點(diǎn)確定步驟,用于確定每個晶體管目標(biāo)的最后位置及每個布線目標(biāo)的最后起點(diǎn)及終點(diǎn),及一布線后處理步驟,用于通過所確定的布線層來布線每個布線目標(biāo)。
文檔編號G06F17/50GK1184980SQ9712200
公開日1998年6月17日 申請日期1997年12月12日 優(yōu)先權(quán)日1996年12月12日
發(fā)明者村越昌博 申請人:日本電氣株式會社