專利名稱：磁卡處理裝置及磁卡處理方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及處理磁卡的磁卡處理裝置及磁卡處理方法。
通常，在處理站務(wù)用途、流通用途所使用的磁卡的磁信息的磁卡處理機中，與可以簡單且穩(wěn)定地處理磁卡的要求較高相反，為使第三者不能簡單地讀取、解讀、篡改所記錄的信息，人們期望能有一種具有足夠的保護能力的磁卡處理方式。
為此，很早以前就有人考慮通過用具有不同記錄磁性層性質(zhì)的磁特性的材料的多層化，實現(xiàn)第三者不容易讀取、解讀、篡改的磁卡處理方式，但是，由于不能大幅地改變該方式下所使用的磁性體的性質(zhì)，所以，不具有足夠的保護能力。
亦即，迄今為止所考慮的方式，例如，雖然可以以高保持力材料和低保持力材料2層構(gòu)成來涂布磁卡，從而形成在高保持層(3000<Oe>奧斯特)和低保持層(300<Oe>)上記錄不同的信息的磁卡，但要穩(wěn)定地在高保持記錄磁性體和低保持記錄磁性體記錄獨立的信息，目前，還存在該保持力的差小、或相互產(chǎn)生干涉、或可能有本質(zhì)的更改的缺點。
因此，過去的磁卡還存在可以被偽造、篡改的可能性。
本發(fā)明是鑒于上述各點而形成的，如上述那樣，消除了過去的磁卡存在被偽造、篡改的可能性的缺點，其目的是提供一種可以防止磁卡的偽造、篡改的磁卡處理裝置及磁卡處理方法。
根據(jù)本發(fā)明，為解決上述課題(1)提供了一種磁卡處理裝置，用于處理層疊有磁介質(zhì)層的磁卡，具有傳送層疊有磁介質(zhì)層的磁卡的傳送裝置，其中磁介質(zhì)層包括通過施加磁場可以可逆地重復(fù)改變狀態(tài)的第1磁性體，和與加磁場前相比，一旦施加磁場則其保持力發(fā)生很大變化，磁性體變化成大致為非可逆狀態(tài)的第2磁性體；第1磁記錄裝置，該裝置設(shè)置在上述傳送裝置上，用于為改變上述磁介質(zhì)層中的上述第1及第2磁性體的狀態(tài)，通過施加磁場對上述磁卡的磁介質(zhì)層按第1方位角記錄數(shù)據(jù)以記錄第1數(shù)據(jù)；第2磁記錄裝置，該裝置設(shè)置在上述傳送裝置上，并且相對于上述磁卡的傳送方向設(shè)置在上述第1磁記錄裝置的后段，用于為改變用上述第1磁記錄裝置所記錄的上述磁卡上的同一磁介質(zhì)層中的上述第1磁性體的狀態(tài)，通過施加磁場按與第1方位角不同的第2方位角記錄數(shù)據(jù)以記錄第2數(shù)據(jù)；檢驗裝置，該裝置設(shè)置在上述傳送裝置上，且相對于上述磁卡的傳送方向設(shè)置在上述第2磁記錄裝置的后段，并相對于上述磁卡，讀取利用上述第1磁記錄裝置按第1方位角記錄的第1數(shù)據(jù)和利用上述第2磁記錄裝置按第2方位角記錄的第2數(shù)據(jù)；判斷裝置，該裝置根據(jù)利用上述檢驗裝置讀取的數(shù)據(jù)，判斷由上述第1及第2磁記錄裝置所記錄的第1及第2數(shù)據(jù)是否被正確地記錄下來。
另外，根據(jù)本發(fā)明，為解決上述課題(2)提供了(1)中所記載的磁卡處理裝置，其中上述第2磁記錄裝置具有按與上述第1磁記錄裝置大致相同水平的電流值施加磁場的裝置。
另外，根據(jù)本發(fā)明，為解決上述課題(3)提供了一種磁卡處理裝置，用于處理層疊有磁介質(zhì)層的磁卡，具有傳送層疊有磁介質(zhì)層的磁卡的傳送裝置，其中磁介質(zhì)層包括通過施加磁場可以可逆地重復(fù)改變狀態(tài)的第1磁性體，和與施加磁場前相比，一旦施加磁場則其保持力發(fā)生很大變化，磁性體變化成大致為非可逆狀態(tài)的第2磁性體；第1磁記錄裝置，該裝置設(shè)置在上述傳送裝置上，用于為改變上述磁介質(zhì)層一部分區(qū)域上的上述第1及第2磁性體的狀態(tài)，按第1方位角對上述磁卡的磁介質(zhì)層施加磁場；第2磁記錄裝置，該裝置設(shè)置在上述傳送裝置上，且相對于上述磁卡的傳送方向設(shè)置在上述第1磁記錄裝置的后段，用于對用上述第1磁記錄裝置施加磁場的上述磁卡的磁介質(zhì)層一部分區(qū)域以外的其他區(qū)域，通過施加磁場按第2方位角記錄數(shù)據(jù)來記錄第1數(shù)據(jù)；第3磁記錄裝置，該裝置設(shè)置在上述傳送裝置上，且相對于上述磁卡的傳送方向設(shè)置在上述第2磁記錄裝置的后段，用于為改變上述第1磁性體的狀態(tài)，通過施加磁場按與上述第2方位角不同的第3方位角對由上述第1及第2磁記錄裝置所記錄的磁介質(zhì)層的區(qū)域記錄數(shù)據(jù)以記錄第2數(shù)據(jù)；檢驗裝置，該裝置設(shè)置在上述傳送裝置上，且相對于上述磁卡的傳送方向設(shè)置在上述第3磁記錄裝置的后段，用于相對于上述磁卡讀取利用上述第2磁記錄裝置記錄的第1數(shù)據(jù)和利用上述第3磁記錄裝置記錄的第2數(shù)據(jù)；判斷裝置，該裝置根據(jù)利用上述檢驗裝置讀取的數(shù)據(jù)，判斷由上述第2及第3磁記錄裝置記錄的第1及第2數(shù)據(jù)是否被正確地記錄。
根據(jù)本發(fā)明，為解決上述課題(4)提供了(3)中所記載的磁卡處理裝置，其中上述第2磁記錄裝置包括對上述磁卡施加按與上述第1方位角相同的角度記錄第1數(shù)據(jù)的磁場的裝置。
根據(jù)本發(fā)明，為解決上述課題(5)提供了(3)中所記載的磁卡處理裝置，其中上述第2磁記錄裝置包括對上述磁卡施加用與上述第1方位角不同的角度記錄第1數(shù)據(jù)的磁場的裝置。
根據(jù)本發(fā)明，為解決上述課題(6)提供了一種磁卡處理裝置，用于處理層疊有磁介質(zhì)層的磁卡，具有傳送記錄有利用磁記錄的關(guān)于磁卡的使用信息的磁卡的傳送裝置，其中磁卡是層疊有磁介質(zhì)層的磁卡，其磁介質(zhì)層包括通過施加磁場可以可逆地重復(fù)改變狀態(tài)的第1磁性體，和與施加磁場前相比，一旦施加磁場則其保持力發(fā)生很大變化且磁性體變化成大致為非可逆狀態(tài)的第2磁性體；設(shè)置在上述傳送裝置上并從上述磁卡讀取關(guān)于磁卡的使用信息的讀取裝置；根據(jù)利用上述讀取裝置讀取的信息，對上述磁卡施加磁場以擴大上述磁卡的磁介質(zhì)層中的上述第2磁性體的變化區(qū)域的磁記錄裝置。
根據(jù)本發(fā)明，為解決上述課題(7)提供了(6)中所記載的磁卡處理裝置，其中上述磁記錄裝置包括能夠使上述第2磁性體的變化區(qū)域擴大，使其相對于上述傳送裝置的傳送方向在長度變長的裝置。
再有，根據(jù)本發(fā)明，為解決上述課題(8)提供一種磁卡處理方法，用于處理層疊有磁介質(zhì)層的磁卡的磁卡，具有步驟傳送層疊有通過施加磁場可以可逆地重復(fù)改變狀態(tài)的第1磁性體，和與施加磁場前相比，一旦施加磁場則其保持力發(fā)生很大變化且磁性體變化成大致為非可逆狀態(tài)的第2磁性體的磁卡的步驟；為了改變上述磁介質(zhì)層中的上述第1磁性體及第2磁性體的狀態(tài)，通過施加磁場以相對于上述磁卡的磁介質(zhì)層按第1方位角記錄數(shù)據(jù)的磁場來記錄第1數(shù)據(jù)以記錄第1數(shù)據(jù)的步驟；為改變記錄有上述第1數(shù)據(jù)的上述磁卡上的同一磁介質(zhì)層中的上述第1磁性體的狀態(tài)，通過施加磁場以按與第1方位角不同的第2方位角記錄數(shù)據(jù)來記錄第2數(shù)據(jù)的步驟；相對于上述磁卡，讀取按第1方位角記錄的第1數(shù)據(jù)和按第2方位角記錄的第2數(shù)據(jù)的步驟；根據(jù)上述讀取的數(shù)據(jù)，判斷記錄在上述磁卡上的上述第1及第2數(shù)據(jù)是否被正確地記錄的步驟。
下面，參照圖面對本發(fā)明的實施形態(tài)進行說明。
圖1是表示用于說明本發(fā)明之概要的磁卡的概略構(gòu)成的斷面圖。
圖2是表示為說明本發(fā)明之概要而用于說明磁卡的磁道構(gòu)成的斜視圖。
圖3是表示為說明本發(fā)明之概要而用于說明磁卡發(fā)行機主要部分的構(gòu)成的斷面圖。
圖4是表示為說明本發(fā)明之概要而用于說明磁卡發(fā)行機的控制電路的構(gòu)成的方框圖。
圖5是表示為說明本發(fā)明之概要而用于說明磁卡的發(fā)行處理的流程圖。
圖6所示是用于說明本發(fā)明之主要部分的構(gòu)成之圖。
圖7所示是用于說明本發(fā)明之主要部分的記錄狀態(tài)之圖。
圖8所示是用于說明本發(fā)明之主要部分的方位角損失之圖。
圖9所示是用于說明本發(fā)明之主要部分的再生系統(tǒng)的構(gòu)成之圖。
圖10所示是用于說明本發(fā)明之主要部分的記錄狀態(tài)之圖。
圖11所示是用于說明本發(fā)明之主要部分的發(fā)行機及處理機的構(gòu)成和磁卡的磁道構(gòu)成之圖。
圖12所示是用于說明本發(fā)明之主要部分的發(fā)行機及處理機的處理狀態(tài)之圖。
首先對本發(fā)明所適用的磁卡處理裝置及磁卡處理方法的概要進行說明。
圖1、圖2所示的是在交通機構(gòu)、流通機構(gòu)等所使用的月票、票卷、預(yù)付貨款卡等涂布了磁性體的磁卡。
這里，以作為具有金額等價功能的磁卡的預(yù)付貨款卡為例進行敘述。
即，如圖1所示那樣，在磁卡1的基層2上設(shè)置有混合了高保持記錄磁性體和其他磁性體的磁介質(zhì)層3。
該基層2由PET(聚對苯二甲酸乙二(醇)脂)或紙構(gòu)成。
此外，磁介質(zhì)層3主要由鋇鐵氧體構(gòu)成，是混合了保持力約為3000<Oe>的高保持記錄磁性體和M磁性體(例如，象錳鉍<MuBi>磁粉那樣的在初始狀態(tài)和施加磁場后其保持力大幅變化的材料)的磁性體，其被涂布在基層2上。其中，M磁性體具有如下特性即，在施加磁場前利用特殊的處理使其達到高保持記錄磁性體程度，但卻將其保持力設(shè)定為低值，過后一旦暴露在磁場中，則與施加磁場前或者高保持記錄磁性體相比其保持力顯著升高(難于用傳統(tǒng)的磁頭進行數(shù)據(jù)的更改)。
磁卡1的磁介質(zhì)層3如圖2所示，具有發(fā)行信息磁道4和使用履歷磁道5兩個磁道。
發(fā)行時，即在初始狀態(tài)下，在發(fā)行信息磁道4上利用磁頭記錄發(fā)行信息。
這樣，M磁性體4a能夠顯著地以高保持力記錄發(fā)行信息。
此外，高保持記錄磁性體4b是不但可以高保持存儲記錄內(nèi)容，而且還可以更改記錄的內(nèi)容的磁性介質(zhì)。
在讀取時可以讀取記錄在磁性體4a、4b兩個磁性體上的記錄數(shù)據(jù)。
發(fā)行信息磁道4一旦暴露于施加磁場，則其M磁性體4a將顯著地變化成高保持力，對M磁性體4將不可能再次進行記錄。
因此，發(fā)行信息磁道4只在磁卡1的基本發(fā)行信息等的發(fā)行時進行記錄，并且適合于對不能更改的信息(發(fā)行時一經(jīng)記錄便不能更改的信息)、或者密碼關(guān)鍵字等保護信息進行記錄。
即在該發(fā)行信息磁道4上，因不能進行數(shù)據(jù)的更改，所以，可進行難于篡改等的記錄。
上述的發(fā)行信息是表示發(fā)行時的票面金額、發(fā)行機構(gòu)、適用系統(tǒng)范圍(公司名或者交通機構(gòu)名等)的信息，并包括作為磁卡的ID的發(fā)行序號的信息。
此時，發(fā)行機構(gòu)名、發(fā)行序號等信息可以與有助于辨別偽造磁卡的信息一齊記錄在例如圖2所示的A部(磁卡1的發(fā)行信息磁道4的后半部)上。
利用有助于估測偽造磁卡的信息，可以取出與偽造磁卡所攻擊的內(nèi)容有關(guān)的信息。
即，在偽造磁卡是非法復(fù)制品時，根據(jù)利用再生該部分所獲得的再生信息，可以估測出記錄在復(fù)制源磁卡1上的發(fā)行機構(gòu)名、發(fā)行序號等信息。
此時，由于在原來的磁卡上的有助于估測偽造磁卡的信息是記錄在不能更改數(shù)據(jù)的M磁性體4a上，所以，即便是利用后述那樣的直流磁場進行擦除也不可能擦除。
但是，在偽造磁卡上，因利用直流磁場進行擦除能夠?qū)⒅脸?，可以很容易地進行是否是偽造磁卡的判定。
另外，匯集和記錄有助于估測偽造磁卡的信息的部分是任意的，同時，也可以遍及磁卡整體進行記錄。
在發(fā)行時，即在初始狀態(tài)，使用履歷磁道5首先通過進行利用直流磁場的擦除(施加磁場)，使M磁性體5a比高保持記錄磁性體5b具有顯著的高保持力并且不能進行數(shù)據(jù)的更改。
另外，在發(fā)行時，即初始狀態(tài)時，高保持記錄磁性體5b首先通過進行利用直流磁場的擦除(施加磁場)，擦除高保持記錄信息，但不進行信息記錄。
進而，通過利用與上述直流磁場進行擦除的相同水平的電流值對使用履歷磁道5進行高保持記錄，此時，M磁性體5a因已顯著變化為高保持力將不受記錄的影響，但高保持記錄磁性體5b則可以象過去那樣進行數(shù)據(jù)的記錄、更改。
因此，象過去那樣，上述使用履歷磁道5被當(dāng)作記錄磁卡每次使用(等價交易)的實績、余額更新(收款信息)等的記錄區(qū)域而使用。
即，在上述使用履歷磁道5上，作為磁卡每次使用所產(chǎn)生的信息，可以按照使用次數(shù)重復(fù)讀取、記錄表示使用金額、購入物品的信息、處理的日期時間、處理的場所等使用實績記錄和購入(使用)后的余額信息。
這樣，通過對具有同一磁性體構(gòu)造的磁卡1進行初步處理，將各個磁道設(shè)定為不同性質(zhì)的用途，由此來防止篡改。
圖3所示是磁卡發(fā)行機的主要結(jié)構(gòu)的斷面圖。
即，在本機11內(nèi)的圖示左側(cè)，設(shè)置有存放著待發(fā)行的多張磁卡的疊卡箱(stacker)12。
存放在該疊卡箱12上的磁卡1被取出輥13一張張地取出、并沿傳送通道14送出。
在該傳送通道14上，設(shè)置有傳送磁卡1的傳送輥15、15、…，利用它們傳送磁卡。
另外，在傳送通道14上，順序地設(shè)置有在被取出輥13取出的磁卡1上記錄信息或利用直流磁場進行擦除的寫入頭16、17，以及讀取記錄在磁卡1上的信息的讀取頭18。
經(jīng)過讀取頭18讀取過的磁卡1經(jīng)由設(shè)置在傳送通道14的終端部的發(fā)行口19發(fā)行出去。
磁卡1可以在如圖3所示的傳送方向a上經(jīng)由傳送通道14傳送。
寫入頭16、17沿著直行于磁卡傳送方向的方向配置有多個記錄元件，這些元件可以分別對發(fā)行信息磁道4和使用履歷磁道5施加用于進行記錄用或擦除用的磁場。
讀取頭18也和寫入頭16、17一樣配備有多個記錄元件，利用它們可以分別對發(fā)行信息磁道4和使用履歷磁道5進行讀取。
圖4是表示磁卡發(fā)行機的控制電路的結(jié)構(gòu)的方框圖。
即，控制部21是控制磁卡發(fā)行機整體的部件，內(nèi)部具有保存數(shù)據(jù)的存儲器。
在該控制部21上，連接有輸入包括票面金額等信息的發(fā)行內(nèi)容等的操作面板22，驅(qū)動由取出輥13或傳送輥15、等所構(gòu)成的傳送機構(gòu)23的驅(qū)動器24、驅(qū)動寫入頭16的驅(qū)動器25、驅(qū)動寫入頭17的驅(qū)動器26、以及由讀取頭18讀取并判斷內(nèi)容的讀取電路27。
另外，驅(qū)動器25、26是用大致相同的電流值驅(qū)動寫入頭16、17的裝置。
下面，參照圖5所示的流程圖對由上述這樣的磁卡發(fā)行機所發(fā)行的磁卡1的發(fā)行處理進行說明。
即，利用操作面板22指定作為磁卡發(fā)行條件的發(fā)行時的票面金額、發(fā)行機構(gòu)、適用的系統(tǒng)范圍或發(fā)行序號等，同時，打開開始鍵(步驟ST1)。
于是，控制部21通過控制驅(qū)動器24驅(qū)動傳送機構(gòu)23，使取出輥13及傳送輥15、15、等轉(zhuǎn)動。
由此，存放在疊卡箱12上的磁卡1被取出輥13取出，并沿傳送通道14傳送(步驟ST2)。
接著，控制部21通過驅(qū)動器25把表示用操作面板22指定的、作為對應(yīng)磁卡發(fā)行條件的發(fā)行信息，即發(fā)行時的票面金額、發(fā)行機構(gòu)名稱、適用系統(tǒng)范圍等的信息和作為磁卡ID的發(fā)行序號的編碼信息，以及不記錄信息的直流擦除信號提供給寫入頭16(步驟ST3)。
由此，利用寫入頭16在發(fā)行信息磁道4上，即M磁性體4a和高保持記錄磁性體4b上，記錄作為發(fā)行信息的表示發(fā)行時的票面金額、發(fā)行機構(gòu)名稱、適用系統(tǒng)的范圍等信息，并記錄作為磁卡ID的發(fā)行序號。
此外，在使用履歷磁道5上，通過施加直流擦除磁場，可遍及磁道全體擦除數(shù)據(jù)(步驟ST4)。
結(jié)果，可以在發(fā)行信息磁道4的M磁性體4a上用比高保持記錄磁性體4b顯著地高的保持力記錄發(fā)行信息。
另外，使用履歷磁道5的M磁性體5a成為被比高保持記錄磁性體5b顯著高的保持力擦除數(shù)據(jù)的狀態(tài)。
此時，作為發(fā)行機構(gòu)名、發(fā)行序號等獨特信息并有助于估測出偽造磁卡的信息被匯集并記錄在例如圖2所示的A部(磁卡1的發(fā)行信息磁道4的后半部)上。
同時，控制部21把上述發(fā)行信息保存在內(nèi)部存儲器中。
然后，控制部21通過驅(qū)動器26把直流擦除信號和作為初始值的格式化數(shù)據(jù)的編碼信息提供給寫入頭17(步驟ST5)。
由此，寫入磁頭17對發(fā)行信息磁道4施加直流擦除磁場，擦除記錄在高保持記錄磁性體4b上的發(fā)行信息。
此外，在使用履歷磁道5上加上基于初始值信息如格式化數(shù)據(jù)的磁場，盡管M磁性體5a沒有變化，但高保持記錄磁性體5b發(fā)生變化，并記錄數(shù)據(jù)(步驟ST6)。
結(jié)果，在發(fā)行信息磁道4的M磁性體4a上，用比高保持記錄磁性體4b顯著地高的保持力記錄發(fā)行信息，高保持記錄磁性體4b為被擦除狀態(tài)。
另外，使用履歷磁道5的M磁性體5a成為用比高保持記錄磁性體5b顯著地高的保持力擦除的狀態(tài)，在高保持記錄磁性體5b上可記錄格式化數(shù)據(jù)。
進而，利用讀取頭18對記錄在發(fā)行信息磁道4和使用履歷磁道5上的數(shù)據(jù)進行讀取，通過讀取電路27把該讀取內(nèi)容傳送給控制部21(步驟ST7)。
由此，在控制部21，比較從發(fā)行信息磁道4讀取的讀取內(nèi)容和在上述內(nèi)部存儲器保存的記錄的發(fā)行信息是否一致。
此外，在控制部21還根據(jù)從使用履歷磁道5讀取的讀取內(nèi)容判斷格式化數(shù)據(jù)是否被正確地記錄，確認磁卡1的合法性(步驟ST8)。
結(jié)果，在確認磁卡1的合法性時，控制部21利用操作面板22引導(dǎo)正確的磁卡的發(fā)行，同時，由發(fā)行口19發(fā)行該磁卡1(步驟ST9)。
另外，在步驟ST8不認可磁卡1的合法性時，控制部21利用操作面板22，在引導(dǎo)顯示磁卡的發(fā)行異常的同時，從發(fā)行口19排出該磁卡1(ST10)。
當(dāng)然，也可以在裝置內(nèi)設(shè)置回收庫，把出現(xiàn)該發(fā)行異常的磁卡1回收到該回收庫。
在該發(fā)行處理時，記錄在發(fā)行信息磁道4的M磁性體4a上的信息的讀取輸出和記錄在使用履歷磁道5的高保持記錄磁性體5b上的信息的讀取輸出大致為同一水平。
通過用使各個磁道的高保持記錄磁性體與M磁性體的輸出為同一條件的成分比涂布磁介質(zhì)層3，這是能夠達到的。
下面，對基于上述這樣的概要的本發(fā)明的具體事例進行說明。
即，本發(fā)明涉及在磁卡類的生成裝置中，如在圖1及圖2所示的磁卡1那樣，使用在最初用特殊的處理設(shè)定成低保持力，但一經(jīng)施加磁場則具有與高保持力記錄磁性體(以下稱為B磁性體)相比保持力顯著提高的特性(用現(xiàn)有的磁頭難于記錄)的上述那樣的M磁性體制成的磁卡類的結(jié)構(gòu)及其處理，其主要部分在于下述各點。
(1)本發(fā)明提供了一種通過使用混合高保持記錄磁性體(鋇鐵氧體)那樣的B磁性體和M磁性體所涂布的磁卡、及改變由其產(chǎn)生的磁記錄處理方法，利用因方位角的不同而不同的信號處理方法，進行記錄、處理磁卡的識別和密碼隱蔽信息的磁卡處理裝置(讀寫器)及磁卡處理方法。
作為在該磁卡上的涂布的組合，有(a)用2層結(jié)構(gòu)涂布(在各層分別涂布作為高保持記錄磁性體的B磁性體和M磁性體)；(b)在一層中混合B磁性體和M磁性體這2種磁性體涂布。
另外，作為方位角和記錄磁性體的組合，有(a)用0度方位角在M磁性體上記錄普通再生信號，同時，用X度方位角(0＜X＜90)在B磁性體上記錄多重化信號；(b)用0度方位角在B磁性體上記錄普通再生信號，同時，用X度方位角(0＜X＜90)在M磁性體上記錄多重化信號。
(2)本發(fā)明的另一目的在于提供一種磁卡處理裝置(讀寫器)，用于如對上述M磁性體的發(fā)行信息記錄中所述的那樣，通過應(yīng)用使M磁性體的磁反應(yīng)結(jié)束的處理產(chǎn)生的硬磁化的特征，即一經(jīng)記錄便不再變化的現(xiàn)象，對磁道的一部分進行硬磁化處理(數(shù)據(jù)的擦除處理)，在磁道的其它部位記錄特有的數(shù)據(jù)，或使方位角為X度在磁卡的傳送方向上非正交方向上記錄數(shù)據(jù)，把方位角的不同作為復(fù)合條件進行多重記錄。
(3)本發(fā)明的目的還在于如對上述M磁性體的發(fā)行信息記錄中所述的那樣，通過應(yīng)用使M磁性體的磁反應(yīng)結(jié)束的處理產(chǎn)生的硬磁化的特征，即一經(jīng)記錄便不再變化的現(xiàn)象，對磁道的一部分進行硬磁化處理(數(shù)據(jù)的擦除處理)，在磁道的其它部位記錄特有的數(shù)據(jù)，或者使方位角為X度且在磁卡的傳送方向上非正交方向上記錄數(shù)據(jù)，把方位角的不同作為復(fù)合條件，提供作為多重記錄的磁卡發(fā)行機的磁卡處理裝置(讀寫器)及作為處理由磁卡發(fā)行機發(fā)行的磁卡的磁卡處理機的磁卡處理裝置。
(4)另外，本發(fā)明的目的還在于提供一種磁卡處理裝置(讀寫器)，通過對上述磁道進行部分硬磁化處理，及在每次使用時逐次擴大該硬磁化處理區(qū)域來記錄使用實績，使該磁卡不能再生使用。
該情況下，硬磁化的處理方法不但可以用消磁處理，也可以進行打孔等機械性的破壞。
下面，對涉及上述那樣的本發(fā)明的各實施形態(tài)進行說明。
(第1實施形態(tài))對于如圖1及圖2所示的磁卡1那樣由2層構(gòu)成高保持記錄磁性體(B磁性體)和M磁性體或混合2種材料構(gòu)成一層磁性體的磁記錄介質(zhì)，可利用圖6所示那樣構(gòu)成的磁記錄傳送系統(tǒng)，進行多重信號記錄。
即，在如圖6所示那樣的磁記錄傳送系統(tǒng)中，按圖示的順序設(shè)置有第1寫入磁頭W1、第2寫入磁頭W2及復(fù)合方位角再生磁頭R。
這里，寫入磁頭W1、W2及再生磁頭R分別具有以下這樣的特征。
寫入磁頭W1:0度方位角(與磁卡傳送方向相正交的方向的磁間隙的方向，即正交于磁電流的流向的方向是同方向的情況)。
寫入磁頭W2:X度方位角(X具有大于0度小于90度的有限值)。
復(fù)合方位角再生磁頭R可以讀取0度方位角和X度方位角2個數(shù)據(jù)的雙磁頭(也可以使用可讀取0度方位角的第1再生磁頭R1及可讀取X度方位角的第2再生磁頭)。
進而，作為該磁記錄傳送系統(tǒng)的傳送功能，磁記錄介質(zhì)可在寫入磁頭W1側(cè)沿箭頭示出的方向傳送。
首先，用寫入磁頭W1在磁記錄介質(zhì)上根據(jù)通常的記錄信號(上述的發(fā)行信息的記錄)寫入數(shù)據(jù)。
此時，在磁記錄介質(zhì)上，可在M磁性體及B磁性體雙方上記錄數(shù)據(jù)。
然后，利用寫入磁頭W2在磁記錄介質(zhì)上按X度方位角記錄多重信號。
此時，由于在M磁性體上由寫入磁頭W1進行的記錄已經(jīng)結(jié)束，即磁反應(yīng)完了，所以，在此只有B磁性體變化并記錄數(shù)據(jù)。
由此進行的記錄過程如圖7的(a)、(b)所示那樣。
即，如圖7(a)所示那樣，在用寫入磁頭W1按0度方位角對(M磁性體及B磁性體)進行記錄(發(fā)行信息記錄)后，如圖7(b)所示那樣，在寫入磁頭W1的殘留記錄(M磁性體)上，用寫入磁頭W2按X度方位角對(B磁性體)進行記錄。
該記錄狀態(tài)的特征是多重化按0度方位角記錄的M磁性體的信號和按X度方位角記錄的B磁性體的信號。
這些信號的分離可以很容易地由磁頭如再生磁頭R的機構(gòu)進行。
即，如圖8(b)所示的方位角損失曲線特性那樣，記錄信號和再生磁頭的方位角的偏差在再生輸出的特性上，如圖示那樣起著很大作用。
因此，即便方位角的偏差僅僅是一點點，再生條件也會明顯受損，所以，方位角的偏差是需嚴格管理的參數(shù)。
但是，在該情況下，相反地，由于M磁性體信號和B磁性體信號的方位角不同，在與各自的方位角相當(dāng)?shù)脑偕蓬^R上，相互的磁信號如圖示的結(jié)果那樣，相互的干涉輸出明顯變少，故可以進行獨立的再生。
這樣，將可以在一個磁道上容易地記錄多重化的信號。
另外，因為由此產(chǎn)生的磁記錄狀態(tài)，即使在記錄磁道上物理地涂布微小磁性粉的情況也能夠多重化方位角不同的記錄，所以，具有對著磁部分的判別困難，及難于進行解讀等優(yōu)點。
采用上述這樣的做法，可以提供在記錄時容易多重信號化，且再生信號無需必須進行復(fù)雜的處理且容易實現(xiàn)的磁卡處理裝置及方法。
根據(jù)示于圖8的(a)的方位角損失的特性圖，可用如下關(guān)系式來表示，即損失L=sin{(πWtanθ)/λ}/{(πWtanθ)/λ}一般用dB表示為方位角損失=-20log10(損失L)dB圖9是使用該方法形成的再生系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)。
即，這是將0度方位角的再生磁頭H1及X度方位角的再生磁頭H2(或者復(fù)合方位角再生磁頭R)通過再生放大器A1、A2，信號抽出部E1、E2連接在控制部C1上的結(jié)構(gòu)。
上述的寫入磁頭W1和寫入磁頭W2的方位角的組合反過來也可以。
這主要取決于是重視對偽造再生的信號(通常的再生、記錄信號…發(fā)行信息信號)使其不能更改，還是重視對偽造的磁卡通過擦除防止非法使用的方法而不同，這兩種方法都可以。
但是，如果考慮對已有的系統(tǒng)追加本發(fā)明的處理作為新的功能的情況，則主要是希望發(fā)行信息信號的方位角為0度角，而在構(gòu)造新系統(tǒng)時，哪一種情況都可以。
為此，在主要是重視不能更改發(fā)行信息信號時，按如下方式進行寫入磁頭W1按0度方位角記錄發(fā)行信息等；寫入磁頭W2按X度方位角多重記錄保護信息。
而在主要是重視因非法使用而擦除發(fā)行信息信號時，按如下方進行寫入磁頭W1按X度方位角多重記錄保護信息；寫入磁頭W2按0度方位角記錄發(fā)行信息等。
進而，在相對信號反過來使用該組合時，則按如下方進行，即首先，在主要是重視不能更改發(fā)行信息信號時，按如下方進行寫入磁頭W1按X度方位角記錄發(fā)行信息等；寫入磁頭W2按0度方位角多重記錄保護信息。
而在主要是重視因非法使用而擦除發(fā)行信息信號時，按如下方進行寫入磁頭W1按0度方位角多重記錄保護信息；寫入磁頭W2按X度方位角記錄發(fā)行信息等。
因此，按照第1實施形態(tài)，提供了通過使用混合高保持記錄磁性體(鋇鐵氧體)的B磁性體和M磁性體涂布的磁卡，改變由此產(chǎn)生的磁記錄處理方法，利用因方位角的不同而產(chǎn)生的相異的信號處理方法，記錄并處理磁卡的識別和密碼隱蔽信息的磁卡處理裝置(讀寫器)及磁卡處理方法。
(第2實施形態(tài))
如上述那樣，把使M磁性體的磁反應(yīng)結(jié)束的處理稱之為硬磁化(參照上述發(fā)行信息記錄的說明)，通過先進行該硬磁化處理，且利用上述寫入磁頭W1、W2進行寫入，可如圖10的(a)所示那樣，用硬磁化模式部分地產(chǎn)生由寫入磁頭W1進行的記錄。
由此，進而如圖10的(b)、(c)所示的那樣，可以加入多重化信息。
此外，圖10的(d)給出了該情況下所使用的磁記錄及再生傳送系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)。
首先，如圖10的(a)所示那樣，對按箭頭方向傳送的磁記錄介質(zhì)，通過用圖10的(d)所示的寫入磁頭WE對磁道的一部分或若干個區(qū)域施加磁場，可部分地進行M磁性體的硬磁化(數(shù)據(jù)的擦除及不可更改處理)處理并產(chǎn)生未反應(yīng)部及反應(yīng)結(jié)束部。
然后，如圖10的(b)所示那樣，用圖10的(d)所示的寫入磁頭W1對圖10的(a)的未反應(yīng)部進行針對M磁性體的數(shù)據(jù)(多重化信號)的寫入(這里，例如為0度方位角)。
接著，如圖10的(c)所示那樣，在用圖10的(d)的寫入磁頭W2針對B磁性體進行寫入(發(fā)行信息等，這里方位角是X度)之后，再利用圖10的(d)所示的復(fù)合方位角再生磁頭R(或者，獨立的方位角再生磁頭R1、R2)進行再生。
在圖10的(d)，寫入磁頭WE和寫入磁頭W1分別獨自為一體，該情況下，相對于磁道的局部M磁性體的硬磁化處理區(qū)域的方位角，可以使M磁性體的記錄數(shù)據(jù)的方位角發(fā)生變化。
還有，寫入磁頭WE和寫入磁頭W1也可以作為一個磁頭(WE1)，該情況下，硬磁化處理和記錄數(shù)據(jù)的方位角為同一角度。
另外，在該情況下，由于取得了利用寫入磁頭WE進行的硬磁化處理和利用寫入磁頭W1進行的數(shù)據(jù)記錄的同步，所以，可進一步在相互的信號關(guān)系上使其具有含意。
由此，按照第2實施形態(tài)，提供了如對上述M磁性體的發(fā)行信息記錄中所述的那樣，通過應(yīng)用使M磁性體的磁反應(yīng)結(jié)束的處理產(chǎn)生的硬磁化的特征，即一經(jīng)記錄便不再變化的現(xiàn)象，對磁道的一部分進行硬磁化處理(數(shù)據(jù)的擦除)，在磁道的其它部位記錄特有的數(shù)據(jù)，或使方位角為X度且在磁卡的傳送方向上非正交方向地記錄數(shù)據(jù)，把方位角的不同作為復(fù)合條件，從而進行多重記錄的磁卡處理裝置(讀寫器)。
(第3實施形態(tài))下面，參照圖11及圖12對第3實施形態(tài)進行說明，第3實施形態(tài)是一個能夠提供包括通過應(yīng)用使M磁性體的磁反應(yīng)結(jié)束的處理產(chǎn)生的硬磁化的特征，即一經(jīng)記錄便不再變化的現(xiàn)象，對磁道的一部分進行硬磁化處理(數(shù)據(jù)的擦除)，并在磁道的其它部位記錄特有的數(shù)據(jù)，或使方位角為X度且在磁卡的傳送方向上非正交方向地記錄數(shù)據(jù)，把方位角的不同作為復(fù)合條件，進行多重記錄的磁卡發(fā)行機的磁卡處理裝置(讀寫器)及處理由磁卡發(fā)行機發(fā)行的磁卡的磁卡處理機的磁卡處理系統(tǒng)。
首先，在磁卡發(fā)行機側(cè)，如圖11的(a)所示的那樣，作為磁記錄傳送系統(tǒng)，按圖示的順序設(shè)置有寫入磁頭W1、寫入磁頭W2及再生磁頭R。
這里，寫入磁頭W1、寫入磁頭W2及再生磁頭R分別具有下述這樣的特征。
寫入磁頭W1:0度方位角(對于與磁卡傳送方向相正交的方向的磁間隙的方向，即與磁電流的流向相正交的方向是同方向的情況)。
寫入磁頭W2:X度方位角(X具有大于0度小于90度的有限值)。
再生磁頭R作為可以讀取0度方位角和X度方位角2個數(shù)據(jù)的雙磁頭的復(fù)合方位角再生磁頭(也可以使用可讀取0度方位角的第1再生磁頭R1及可讀取X度方位角的第2再生磁頭R2)。
進而，作為該磁記錄傳送系統(tǒng)的傳送功能，磁記錄介質(zhì)可在寫入磁頭W1側(cè)按如箭頭所示的方向傳送。
首先，用寫入磁頭W1在磁記錄介質(zhì)上根據(jù)通常的記錄信號(上述的發(fā)行信息的記錄)寫入數(shù)據(jù)。
此時，在磁記錄介質(zhì)上，可在M磁性體及B磁性體雙方上記錄數(shù)據(jù)。
然后，利用寫入磁頭W2在磁記錄介質(zhì)上用X度方位角記錄多重信號。
此時，由于M磁性體上由寫入磁頭W1進行的記錄已經(jīng)結(jié)束，即磁反應(yīng)結(jié)束，所以，這里只有B磁性體變化并記錄數(shù)據(jù)。
由此進行的記錄過程如圖11的(c)所示的那樣。
即，對于如圖1及圖2所示那樣的磁卡1的第1磁道4，如圖11的(c)的上部所示那樣，在寫入磁頭W1的記錄(發(fā)行信息記錄)按0度方位角在M磁性體(實際上是M磁性體及B磁性體，但為便于說明，與示于圖11的(c)的下部的B磁性體分開考慮)上進行記錄后，如圖11的(c)的下部所示那樣在寫入磁頭W1的殘留記錄(M磁性體)上，寫入磁頭W2的記錄(保護信息Ki記錄)按X度方位角(B磁性體)進行。
該記錄狀態(tài)的特征是多重化按0度方位角記錄的M磁性體的信號和按X度方位角記錄的B磁性體的信號。
而且，與此同時，對圖1及圖2所示的磁卡1的第2磁道5，在先進行了硬磁化處理后，將如圖11的(d)所示的那樣，重寫使用履歷信息。
即如上所述的那樣，使M磁性體的磁反應(yīng)結(jié)束的處理稱為硬磁化(參照對于上述發(fā)行信息的記錄的說明)，通過對磁卡1的第2磁道5先進行該硬磁化處理，且利用上述的寫入磁頭W1、W2進行寫入，可以產(chǎn)生按硬磁化模式由寫入磁頭W1進行的記錄(使用履歷信息)。
該情況下，在使用履歷信息中，因初次即為使用0，所以，發(fā)行信息原樣不動地被作為初次的使用履歷信息m0使用。
進而，如圖12的(a)所示那樣，用該初次使用履歷信息m0編碼磁卡1的第1磁道4的保護信息Ki并生成編碼信息α，同時，用寫入磁頭W2對磁卡1的第2磁道5進行該編碼信息α的記錄(編碼信息α的記錄)。
此后，復(fù)合方位角再生磁頭R再生如上述那樣記錄的磁卡1的第1及第2磁道4、5，并根據(jù)其再生信號，判定是否可以發(fā)布磁卡。
其次，在處理機側(cè)，如圖11的(b)所示那樣，作為磁記錄傳送系統(tǒng)，按圖示的順序設(shè)置有復(fù)合方位角再生磁頭R、寫入磁頭W、檢驗磁頭VR。
另外，該情況下，寫入磁頭W、檢驗磁頭VR是只對磁卡1的第2磁道5作用的裝置。
而且，作為該磁記錄傳送系統(tǒng)的傳送功能，磁記錄介質(zhì)在復(fù)合方位角再生磁頭R側(cè)按箭頭所示那樣的方向傳送。
首先，復(fù)合方位角再生磁頭R如圖12的(b)所示的那樣，從圖1及圖2所示那樣的磁卡1的第1磁道4再生圖11的(c)所示那樣的發(fā)行信息和保護信息，同時，從第2磁道5再生使用履歷信息m0。
接著，如圖12的(b)所示的那樣，根據(jù)由第1磁道4的保護信息獲得的關(guān)鍵信息Ki，編碼從第2磁道5獲得的使用履歷信息m0并生成編碼信息α，同時，用該編碼信息α和由檢驗磁頭VR讀出來的信息，由判定部CD判定其與先前用發(fā)行機記錄在磁卡1的第2磁道5上的編碼信息α是否一致。
即，利用這種做法，通過檢驗記錄在磁卡1的第2磁道5的編碼信息α的合法性，判斷允許或不允許進行用該磁卡1的交易處理。
按此做法，如果允許用該磁卡1進行交易處理，則通過運行規(guī)定的交易處理，利用寫入磁頭W對磁卡1的第2磁道5記錄新的使用履歷信息ml。
進而，如圖12的(c)所示的那樣，根據(jù)從先前的保護信息得到的關(guān)鍵信息Ki，編碼從磁卡1的第2磁道5的獲得的使用履歷信息ml并生成編碼信息β，同時，利用寫入磁頭W對磁卡1的第2磁道5記錄該編碼信息β。
這樣，在下一次使用時，同上述編碼信息α的合法性的檢驗一樣，進行編碼信息β的合法性的檢驗。
以下，用同樣做法，每次使用時，在利用寫入磁頭W在磁卡的第2磁道5更新記錄新的使用履歷信息m2、m3…的同時，根據(jù)基于從使用履歷信息m2、m3…和磁卡1的第1磁道4獲得的保護信息的關(guān)鍵信息Ki，順序生成編碼信息γ、δ…并更新記錄在磁卡1的第2磁道5上。
另外，在該例中，雖然使用的是雙磁頭構(gòu)造的復(fù)合方位角再生磁頭R，但也可以如圖11的(b)中用括號所示的那樣，使用可讀取按上述規(guī)定的方位角記錄的上述磁卡的發(fā)行信息的第1再生磁頭R1及可讀取用和上述規(guī)定的方位角不同的規(guī)定的方位角記錄的上述磁卡的保護信息的第2再生磁頭R2。
由此，提供了通過應(yīng)用使M磁性體的磁反應(yīng)結(jié)束的處理產(chǎn)生的硬磁化的特征，即一經(jīng)記錄便不再變化的現(xiàn)象，對磁道的一部分進行硬磁化處理(數(shù)據(jù)的擦除)，在磁道的其它部位記錄特有的數(shù)據(jù)，或設(shè)方位角為X度且在磁卡的傳送方向上非正交方向地記錄數(shù)據(jù)，把方位角的不同作為復(fù)合條件，進行多重記錄的磁卡發(fā)行機的磁卡處理裝置(讀寫器)及處理由磁卡發(fā)行機發(fā)行的磁卡的磁卡處理機的磁卡處理系統(tǒng)。
因此，按照第3實施形態(tài)，提供了一種能夠消除過去的磁卡存在被偽造、篡改的可能性這類缺點，并能夠防止磁卡的偽造、篡改的磁卡處理裝置。
(第4實施形態(tài))在本發(fā)明，在圖11的(b)所示的處理機中，也可以進行上述部分的硬磁化處理，且通過每使用一次(裝置的每一次處理)就擴大一次硬磁化處理區(qū)域(例如，每使用一次便加長磁卡的傳送方向的長度)，實現(xiàn)可以記錄使用實績并使其不能夠再生使用的方法。
要使每使用一次就使硬磁化處理區(qū)域擴大一次，可以讓其在磁卡的可更改的區(qū)域記錄關(guān)于使用履歷(次數(shù))的數(shù)據(jù)，并且每使用一次就更新記錄一次該數(shù)據(jù)。
該情況下，硬磁化的處理方法既可以是進行消磁處理，進行也可以是進行打孔等機械的破壞。
因此，按照第4實施形態(tài)，通過對上述磁道的部分進行硬磁化處理及每使用一次就擴大一次該硬磁化處理區(qū)域，可以提供記錄使用實績并不能再生使用的磁卡處理裝置(讀寫器)。
如上詳述，按照本發(fā)明，提供了一種能夠消除過去的磁卡存在被偽造、篡改的可能性這類缺點，并能夠防止磁卡的偽造、篡改的磁卡處理裝置及磁卡處理方法。
權(quán)利要求
1．一種磁卡處理裝置，用于處理層疊有磁介質(zhì)層的磁卡，其特征在于，具有傳送層疊有磁介質(zhì)層的磁卡的傳送裝置，其中磁介質(zhì)層包括通過施加磁場可以可逆地重復(fù)改變狀態(tài)的第1磁性體，和與加磁場前相比，一旦施加磁場則其保持力發(fā)生很大變化，磁性體變化成大致為非可逆狀態(tài)的第2磁性體；第1磁記錄裝置，該裝置設(shè)置在上述傳送裝置上，用于為改變上述磁介質(zhì)層中的上述第1及第2磁性體的狀態(tài)，通過施加磁場對上述磁卡的磁介質(zhì)層按第1方位角記錄數(shù)據(jù)以記錄第1數(shù)據(jù)；第2磁記錄裝置，該裝置設(shè)置在上述傳送裝置上，并且相對于上述磁卡的傳送方向設(shè)置在上述第1磁記錄裝置的后段，用于為改變用上述第1磁記錄裝置所記錄的上述磁卡上的同一磁介質(zhì)層中的上述第1磁性體的狀態(tài)，通過施加磁場按與第1方位角不同的第2方位角記錄數(shù)據(jù)以記錄第2數(shù)據(jù)；檢驗裝置，該裝置設(shè)置在上述傳送裝置上，且相對于上述磁卡的傳送方向設(shè)置在上述第2磁記錄裝置的后段，并相對于上述磁卡，讀取利用上述第1磁記錄裝置按第1方位角記錄的第1數(shù)據(jù)和利用上述第2磁記錄裝置按第2方位角記錄的第2數(shù)據(jù)；判斷裝置，該裝置根據(jù)利用上述檢驗裝置讀取的數(shù)據(jù)，判斷由上述第1及第2磁記錄裝置所記錄的第1及第2數(shù)據(jù)是否被正確地記錄下來。
2．權(quán)利要求1所記載的磁卡處理裝置，其特征在于上述第2磁記錄裝置具有按與上述第1磁記錄裝置大致相同水平的電流值施加磁場的裝置。
3．一種磁卡處理裝置，用于處理層疊有磁介質(zhì)層的磁卡，其特征在于，具有傳送層疊有磁介質(zhì)層的磁卡的傳送裝置，其中磁介質(zhì)層包括通過施加磁場可以可逆地重復(fù)改變狀態(tài)的第1磁性體，和與施加磁場前相比，一旦施加磁場則其保持力發(fā)生很大變化，磁性體變化成大致為非可逆狀態(tài)的第2磁性體；第1磁記錄裝置，該裝置設(shè)置在上述傳送裝置上，用于為改變上述磁介質(zhì)層一部分區(qū)域上的上述第1及第2磁性體的狀態(tài)，按第1方位角對上述磁卡的磁介質(zhì)層施加磁場；第2磁記錄裝置，該裝置設(shè)置在上述傳送裝置上，且相對于上述磁卡的傳送方向設(shè)置在上述第1磁記錄裝置的后段，用于對用上述第1磁記錄裝置施加磁場的上述磁卡的磁介質(zhì)層一部分區(qū)域以外的其他區(qū)域，通過施加磁場按第2方位角記錄數(shù)據(jù)來記錄第1數(shù)據(jù)；第3磁記錄裝置，該裝置設(shè)置在上述傳送裝置上，且相對于上述磁卡的傳送方向設(shè)置在上述第2磁記錄裝置的后段，用于為改變上述第1磁性體的狀態(tài)，通過施加磁場按與上述第2方位角不同的第3方位角對由上述第1及第2磁記錄裝置所記錄的磁介質(zhì)層的區(qū)域記錄數(shù)據(jù)以記錄第2數(shù)據(jù)；檢驗裝置，該裝置設(shè)置在上述傳送裝置上，且相對于上述磁卡的傳送方向設(shè)置在上述第3磁記錄裝置的后段，用于相對于上述磁卡讀取利用上述第2磁記錄裝置記錄的第1數(shù)據(jù)和利用上述第3磁記錄裝置記錄的第2數(shù)據(jù)；判斷裝置，該裝置根據(jù)利用上述檢驗裝置讀取的數(shù)據(jù)，判斷由上述第2及第3磁記錄裝置記錄的第1及第2數(shù)據(jù)是否被正確地記錄。
4．權(quán)利要求3所記載的磁卡處理裝置，其特征在于上述第2磁記錄裝置包括為按與上述第1方位角相同的角度記錄第1數(shù)據(jù)而對上述磁卡施加磁場的裝置。
5．權(quán)利要求3所記載的磁卡處理裝置，其特征在于上述第2磁記錄裝置包括為用與上述第1方位角不同的角度記錄第1數(shù)據(jù)而對上述磁卡施加磁場的裝置。
6．一種磁卡處理裝置，用于處理層疊有磁介質(zhì)層的磁卡，其特征在于，具有傳送記錄有利用磁記錄的關(guān)于磁卡的使用信息的磁卡的傳送裝置，其中磁卡是層疊有磁介質(zhì)層的磁卡，其磁介質(zhì)層包括通過施加磁場可以可逆地重復(fù)改變狀態(tài)的第1磁性體，和與施加磁場前相比，一旦施加磁場則其保持力發(fā)生很大變化且磁性體變化成大致為非可逆狀態(tài)的第2磁性體；設(shè)置在上述傳送裝置上并從上述磁卡讀取關(guān)于磁卡的使用信息的讀取裝置；根據(jù)利用上述讀取裝置讀取的信息，對上述磁卡施加磁場以擴大上述磁卡的磁介質(zhì)層中的上述第2磁性體的變化區(qū)域的磁記錄裝置。
7．權(quán)利要求6所記載的磁卡處理裝置，其特征在于，上述磁記錄裝置包括能夠擴大上述第2磁性體的變化區(qū)域，使其相對于上述傳送裝置的傳送方向在長度上變長的裝置。
8．一種磁卡的處理方法，用于處理層疊有磁介質(zhì)層的磁卡，其特征在于，包括步驟傳送層疊有通過施加磁場可以可逆地重復(fù)改變狀態(tài)的第1磁性體，和與施加磁場前相比，一旦施加磁場則其保持力發(fā)生很大變化且磁性體變化成大致為非可逆狀態(tài)的第2磁性體的磁卡的步驟；為了改變上述磁介質(zhì)層中的上述第1磁性體及第2磁性體的狀態(tài)，通過施加磁場以相對于上述磁卡的磁介質(zhì)層按第1方位角記錄數(shù)據(jù)的磁場來記錄第1數(shù)據(jù)以記錄第1數(shù)據(jù)的步驟；為改變記錄有上述第1數(shù)據(jù)的上述磁卡上的同一磁介質(zhì)層中的上述第1磁性體的狀態(tài)，通過施加磁場以按與第1方位角不同的第2方位角記錄數(shù)據(jù)來記錄第2數(shù)據(jù)的步驟；相對于上述磁卡，讀取按第1方位角記錄的第1數(shù)據(jù)和按第2方位角記錄的第2數(shù)據(jù)的步驟；根據(jù)上述讀取的數(shù)據(jù)，判斷記錄在上述磁卡上的上述第1及第2數(shù)據(jù)是否被正確地記錄的步驟。
全文摘要
本發(fā)明提供一種能夠防止磁卡的偽造、篡改的磁卡處理裝置及磁卡處理方法。傳送層疊有磁介質(zhì)層的傳送裝置上設(shè)置第1及第2磁記錄裝置和檢驗裝置,其中該磁介質(zhì)層包含有通過施加磁場可以可逆地改變狀態(tài)的第1磁性體和一旦施加磁場則其與施加磁場前相比保持力發(fā)生很大變化且磁性體變化成大致非可逆狀態(tài)的第2磁性體。
文檔編號G06K19/06GK1217516SQ9812423
公開日1999年5月26日 申請日期1998年11月13日 優(yōu)先權(quán)日1997年11月14日
發(fā)明者深澤一夫 申請人:株式會社東芝