專利名稱：智能模塊和智能卡的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種在智能(IC)卡等中使用的IC卡構(gòu)成部件的IC模塊以及包括該模塊的IC卡。
作為具有信息存儲(chǔ)功能的卡，其中一種是包含IC存儲(chǔ)器的IC卡。目前具有雪道纜車(chē)等用計(jì)次票功能的非接觸型IC卡已經(jīng)實(shí)用化。該IC卡是將IC芯片嵌入合成樹(shù)脂制的卡狀部件內(nèi)所構(gòu)成。具體講，該IC卡是通過(guò)在具有一定厚度的合成樹(shù)脂制成的卡片狀板材上，嵌入由包含IC存儲(chǔ)器的電路和天線線圈組合構(gòu)成的IC模塊所構(gòu)成。
上述天線線圈除了可以用來(lái)接收和發(fā)射電磁波這一天線本身的功能以外，而且在接收電磁波時(shí)產(chǎn)生感應(yīng)電流，可以用來(lái)給IC芯片提供驅(qū)動(dòng)電源。因此，具有天線線圈的IC卡可以不需要電源。這樣的IC卡今后越來(lái)越要求薄型化。
但是，現(xiàn)有的天線線圈常采用由金屬線材形成的繞線線圈。該繞線線圈如果采用金屬線材假如繞50圈左右形成的話，其厚度將太大。為了減少繞線線圈的厚度，必須減少繞線圈數(shù)，這樣的話有可能會(huì)降低天線的特性。因比上述繞線線圈成膨脹狀，一定程度上限制了IC卡的薄型化。此外，在制造上述IC卡時(shí)，必須將分別形成的繞線線圈和IC芯片調(diào)整好位置后，讓上述繞線線圈的端部對(duì)準(zhǔn)IC芯片的電極而不要錯(cuò)位，方能正確連接。因此，這一系列作業(yè)變得非常復(fù)雜，存在著制造效率低下的問(wèn)題。而且，在發(fā)生如象IC卡彎曲變形時(shí)，還存在著上述繞線線圈容易斷線的問(wèn)題。
本發(fā)明的目的是為了提供一種消除或者減輕上述問(wèn)題的IC模塊以及IC卡。
依據(jù)本發(fā)明的第1側(cè)面，提供一種IC模塊。該IC模塊的特征包括基板、搭載在該基板上的IC芯片、與該IC芯片電連接的天線線圈，并且該天線線圈是在上述基板的一面上模樣形成導(dǎo)體膜的構(gòu)成。
優(yōu)選上述IC芯片的主面上設(shè)置有與天線連接用的一對(duì)電極，同時(shí)上述述天線線圈具有形成渦卷狀的多條導(dǎo)體線的渦卷線部，并且在上述基板的上述渦卷線部的內(nèi)方部處設(shè)置有分別與上述天線線圈的始端和終端導(dǎo)通的一對(duì)端子，通過(guò)在這些一對(duì)端子上連接上述一對(duì)電極將上述IC芯片搭載在上述基板上。
優(yōu)選上述天線線圈具有上述多條導(dǎo)體線的各條的一部分向上述渦卷線部的內(nèi)方部折曲延伸的折曲延伸部，同時(shí)通過(guò)在該折曲延伸部處配置上述天線線圈的始端和終端，在上述渦卷線部的內(nèi)方部處配置一對(duì)端子。
優(yōu)選上述天線線圈的始端和終端象要夾住上述折曲延伸部的內(nèi)方端部那樣配置。
優(yōu)選上述IC芯片的主面為俯視圖的矩形狀，同時(shí)連接上述天線用的一對(duì)電極設(shè)置在上述主面的同一對(duì)角線上的角部。
優(yōu)選在上述IC芯片的主面上至少設(shè)置有一個(gè)以上的偽電極，同時(shí)在上述基板上形成有上述偽電極對(duì)應(yīng)的偽端子，上述偽電極和上述偽端子連接。
優(yōu)選上述基板是以樹(shù)脂薄片為基材的可撓性基板。
優(yōu)選具有與上述天線線圈的模樣對(duì)稱或者略對(duì)稱的導(dǎo)體模樣在其一面形成的薄片材，并且上述基板和上述薄片材粘接成讓上述天線線圈的導(dǎo)體膜的模樣和上述薄片材的導(dǎo)體模樣相互重合并導(dǎo)通。
優(yōu)選在上述薄片材上設(shè)置有為避免該薄片材和上述IC芯片干涉的孔。
優(yōu)選上述基板和上述薄片材通過(guò)在絕緣樹(shù)脂內(nèi)分散了導(dǎo)電粒子的各向異性導(dǎo)電膜粘接。
優(yōu)選具有與上述基板和上述IC芯片相互粘接的粘接層，并且在上述基板的上述粘接層粘接的部分附著了由對(duì)上述粘接層的粘接性比上述基板的粘接性要高的材質(zhì)形成的粘接輔助層。
優(yōu)選上述粘接輔助層由構(gòu)成上述天線線圈的導(dǎo)體膜形成。
優(yōu)選上述天線線圈的一部分作為上述粘接輔助層。
優(yōu)選上述粘接層是絕緣樹(shù)脂內(nèi)分散了導(dǎo)電粒子的各向異性導(dǎo)電膜。
優(yōu)選在上述基板的上述IC芯片的周?chē)O(shè)置有脆弱部。
優(yōu)選在上述脆弱部設(shè)置有多個(gè)，并且這些多個(gè)的脆弱部是圍繞上述IC芯片穿通上述基板而設(shè)置多個(gè)孔。
優(yōu)選具有封止上述IC芯片的封止部件。
優(yōu)選上述封止部件設(shè)置有脆弱部。
優(yōu)選上述脆弱部是在其厚度方向穿通上述封止部件的通孔。
優(yōu)選上述脆弱部是設(shè)置在上述封止部件的表面上的凹入部。
優(yōu)選上述脆弱部設(shè)置有多個(gè)，并且這些多個(gè)的脆弱部在俯視圖中配置成圍繞上述IC芯片。
優(yōu)選上述IC芯片搭載在上述基板的中央部，并且在上述基板的外周緣設(shè)置從該外周緣向上述中央部延伸的多個(gè)槽。
優(yōu)選上述IC芯片搭載在上述基板的中央部，并且上述基板形成為具有從上述IC芯片的搭載位置成放射狀延伸的多個(gè)凸?fàn)畈康母┮晥D為齒輪狀或者海星狀。
優(yōu)選上述天線線圈形成為與上述基板的形狀對(duì)應(yīng)的俯視圖為齒輪狀或者海星狀。
優(yōu)選上述封止部件形成為與上述基板的俯視圖為齒輪狀或者海星狀。
優(yōu)選具有覆蓋上述IC芯片的姿勢(shì)接合在上述基板上的覆蓋部件和介裝在該覆蓋部件和IC芯片之間的彈性部件，并且上述IC芯片由上述彈性部件壓附在上述基板上。
優(yōu)選上述覆蓋部件具有凹部，并且在該凹部?jī)?nèi)收容放置上述IC芯片。
優(yōu)選上述覆蓋部件包括具有穿通孔的第1片材和閉塞上述穿通孔的一端開(kāi)口部的粘接在第1片材的第2片材。
依據(jù)本發(fā)明的第2側(cè)面，提供一種IC卡，該IC卡的特征是具有由基板、搭載在該基板上的IC芯片、與該IC芯片電連接并且在上述基板的一面上模樣形成導(dǎo)體膜的天線線圈構(gòu)成的IC模塊，并且該IC模塊組裝在卡狀部件內(nèi)。
優(yōu)選作為上述卡狀部件，包括有收容上述IC模塊的收容部的卡體和閉塞上述收容部的開(kāi)口部粘接在上述卡體上至少1各以上的蓋板。
優(yōu)選上述IC模塊具有封止上述IC芯片的封止部件，同時(shí)該封止部件比上述卡體的彈性率要小。
優(yōu)選上述基板是以有可撓性的樹(shù)脂薄片為基材的可撓性基板。
優(yōu)選上述IC模塊具有封止上述IC芯片的封止部件，同時(shí)上述IC模塊和上述蓋板通過(guò)比上述封止部件的彈性率要小的可撓性部件相互粘接。
優(yōu)選上述可撓性部件為熱硬化性樹(shù)脂制成的薄片。
優(yōu)選上述IC芯片配置在上述卡狀部件的周緣部。
優(yōu)選上述卡狀部件為矩形狀，并且上述IC芯片配置在上述卡上部件的角部或者其附近。
優(yōu)選上述IC芯片在保持在蓋板的狀態(tài)下被收容到上述卡體的收容部，并且在上述IC芯片和上述收容部的內(nèi)壁面之間設(shè)置有間隙。
本發(fā)明的各種特征和比點(diǎn)，根據(jù)以下的


實(shí)施方案可以更加明確。
以下是附圖的簡(jiǎn)要說(shuō)明。
圖1為表示有關(guān)本發(fā)明的IC模塊的一例以透視狀態(tài)表示的立體圖。
圖2為表示圖1的X1-X1截面圖。
圖3為表示圖1所示IC模塊的基板和天線線圈的俯視圖。
圖4為表示圖1所示IC模塊的要部放大截面圖。
圖5為表示一例IC芯片的立體圖。
圖6為表示有關(guān)本發(fā)明的一例IC芯片的立體圖。
圖7為表示圖6的X2-X2截面圖。
圖8為表示圖6所示IC卡的分解截面圖。
圖9為表示有關(guān)本發(fā)明的另一例IC卡的分解截面圖。
圖10為表示有關(guān)本發(fā)明的另一例IC模塊的基和天線線圈的立體圖。
圖11為表示圖10的X3-X3截面圖。
圖12為表示有關(guān)本發(fā)明的另一例IC模塊的截面圖。
圖13為表示圖12所示IC模塊的主要部件的分解截面圖。
圖14為表示圖12中符號(hào)N1所示部分的放大圖。
圖15為表示有關(guān)本發(fā)明的另一例IC模塊的以透視狀態(tài)表示的立體圖。
圖16為表示圖15的X4-X4截面圖。
圖17為表示有關(guān)本發(fā)明的另一例IC橫塊的以透視狀態(tài)表示的立體圖。
圖18為表示有關(guān)本發(fā)明的另一例IC模塊的的俯視圖。
圖19為表示有關(guān)本發(fā)明的另一例IC模塊的以透視狀態(tài)表示的立體圖。
圖20為表示有關(guān)本發(fā)明的另一例IC模塊的俯視圖。
圖21為表示有關(guān)本發(fā)明的另一例IC模塊的俯視圖。
圖22為表示有關(guān)本發(fā)明的另一例IC模塊的截面圖。
圖23為表示圖22所示IC模塊的基板和天線線圈的俯視圖。
圖24為表示圖22所示IC模塊的要部的放大截面圖。
圖25為表示有關(guān)本發(fā)明的另一例IC模塊的俯視圖。
圖26為表示有關(guān)本發(fā)明的另一例IC模塊的俯視圖。
圖27為表示有關(guān)本發(fā)明的另一例IC模塊的截面圖。
圖28為表示圖27所示IC模塊的要部的放大截面圖。
圖29為表示有關(guān)本發(fā)明的另一例IC卡要部的截面圖。
圖30為表示圖29所示IC卡的分解截面圖。
圖31為表示圖29所示IC卡處于彎曲狀態(tài)的要部截面圖。
圖32為表示有關(guān)本發(fā)明的另一例IC卡的立體圖。
圖33為表示圖32所示IC卡的分解截面圖。
圖34為表示圖32的X5-X5截面圖。
圖35為表示圖32所示IC卡的分解截面圖。
圖36為表示圖32所示IC卡的IC模塊的說(shuō)明圖。
圖37為表示圖32所示IC卡處于彎曲狀態(tài)的截面圖。
圖38為表示有關(guān)本發(fā)明的另一例IC卡的分解立體圖。
圖39為表示圖38所示IC卡的分解截面圖。
圖40為表示圖38所示IC卡的IC模塊的說(shuō)明圖。
以下參照

本發(fā)明的實(shí)施方案。
在圖1和圖2中，本實(shí)施方案的IC模塊A包括可撓性基板1、IC芯片2、天線線圈3、以及封止對(duì)脂4，整體成圓柱狀。
上述可撓性基板1是以薄型可撓的合成樹(shù)脂薄片為基材，其一例可以采用聚酰亞胺薄片。該可撓性基板1的俯視圖形狀為圓形，其厚度例如在0.1mm的程度。
上述天線線圈3是在上述可撓性基板1的表面上用導(dǎo)電膜30腹膜形成。上述導(dǎo)電膜30例如是銅箔。如圖3所示，上述天線線圈3包括由渦卷狀的多條導(dǎo)電線31a所形成的渦卷線部31、和將上述多條導(dǎo)電線31a的每條的一部在上述渦卷線部31的半徑方向朝內(nèi)方部折曲延進(jìn)的折曲延進(jìn)部32。在上述可撓性基板1的表面位于上述渦卷線部31的內(nèi)方部，相互接近設(shè)置有一對(duì)端子10a、10b讓其處于上述折曲延進(jìn)部32的內(nèi)方端部32a的兩邊。這一對(duì)端子10a、10b是向上述可撓性基板1的上方凸出的凸柱。上述天線線圈3的始端繞接在上述端子10a上。對(duì)比，上述折曲延進(jìn)部32包含成為上述天線線圈3的后端部的引線32b，該引線32b并不與上述多條導(dǎo)電線31a導(dǎo)通，而從上述渦線部31的影外周向上述端子10b方向延伸。為比，上述線線圈3的終端連接在上述端子10b上而不讓該天線線圈3短路。上述天線線圈3除了作為與指定的收發(fā)機(jī)之間收發(fā)電磁波的功能以外，在接收指定的電磁波時(shí)由電磁感應(yīng)效應(yīng)產(chǎn)生感應(yīng)電勢(shì)，為上述IC芯片2提供電源。
上述IC芯片2例如由EEPROM等存儲(chǔ)器和電容等一體制成。由上述天線線圈3所產(chǎn)生的感應(yīng)電勢(shì)所驅(qū)動(dòng)。顯如圖5所示，IC芯片2的整體形狀為立方體形狀，在其主面2a上設(shè)置有與天線連接用的一對(duì)電極20、20。這些電極20、20為凸出狀分別配置在上述主面2a的同一對(duì)角線的兩個(gè)角上。上述主面2a的另外兩個(gè)角上配置有一對(duì)偽電極21、21。這些偽電極21、21和上述電極20、20同樣凸出形成。但不與IC芯片2的內(nèi)部電路導(dǎo)通。顯如圖3所示，在可撓性基板1的表面上與上述偽電極21、21對(duì)應(yīng)設(shè)置有一對(duì)偽端子11、11。該偽端子11、11與上述端子10a、10b同樣為凸出狀，但不與天線導(dǎo)通。
顯如圖4所示，上述IC芯片2通過(guò)各向異性導(dǎo)電膜5焊接在在可撓性基板1的表面上。上述主面2a朝下，讓上述電極20、20與上述端子10a、10b對(duì)向。上述偽電極21、21與上述偽端子11、11對(duì)向。上述各向異性導(dǎo)電膜5是在發(fā)揮粘接功能的絕緣樹(shù)脂50上分散包含金屬粒等導(dǎo)電粒子51所形成。上述絕緣樹(shù)脂50例如可以采用環(huán)氧樹(shù)脂系的樹(shù)脂。該各向異性導(dǎo)電膜5的一部分由上述電極20、20與上述端子10a、10b以一定的壓力夾持，所夾持的部分的導(dǎo)電粒子51的密度增高，其結(jié)果使得僅僅上述電極20、20與上述端子10a、10b之間形成電導(dǎo)通。雖然上述偽電極21、21與偽端于11、11之間上導(dǎo)電粒子51的密度也增高，但該部分屬于和上述IC芯片2以及上述天線線圈3之間沒(méi)有任何電連接的部分。
顯如圖1和圖2所示，上述封止樹(shù)脂4用模型樹(shù)脂成形，將上述IC芯片2和上述天線線圈3封止在上述可撓性基板1。該封止樹(shù)脂4和上述可撓性基板1同樣，俯視圖為圓形的薄板狀。上述封止樹(shù)脂4為比后述的IC卡B的卡體70的彈性率要小的合成樹(shù)脂，例如為提高樹(shù)脂強(qiáng)度而不含填充物的環(huán)氧樹(shù)脂。上述封止樹(shù)脂4雖然僅覆蓋了上述可撓性基板1的表面?zhèn)?，但本發(fā)明并不局限于此，例如即使封止樹(shù)脂的一部分折回到可撓性基板1的背面也沒(méi)關(guān)系。
在制造上述IC模塊A時(shí)，上述天線線圈3可以采用先在上述可撓性基板1的表面的略整個(gè)面通過(guò)蒸鍍，濺射或者CVD法付上例如銅箔，然后將銅箔蝕刻的制作方法形成。上述一對(duì)端子10a、10b和偽端于11、11也可以在形成上述天線線圈3的工序中和上述天線線圈3同時(shí)形成。在制成上述天線線圈3以后，在可撓性基板1上涂敷上各向異性導(dǎo)電膜5，將IC芯片2放置在上述一對(duì)端子10a、10b上并以適當(dāng)壓力按壓。通過(guò)這一系列工序，完成了天線線圈3的制作、該天線線圈3與IC芯片2之間的導(dǎo)通連接，因而其生產(chǎn)性非常高。
由于上述電極20、20以及偽電極21、21與一對(duì)端子10a、10b以及偽端子11、11對(duì)向，上述IC芯片2成為4點(diǎn)支撐。為比上述IC芯片2不會(huì)傾斜。因此，除了可以讓上述IC芯片2在上述撓性基板1的搭載狀態(tài)安定以外，上述IC芯片2在上述可撓性基板1的搭載作業(yè)可以采用現(xiàn)有的芯片安裝裝置，使作業(yè)自動(dòng)化。
由于上述天線線圈3是右導(dǎo)電膜30腹膜形成。其厚度可以制成比上述IC芯片2的厚度要小。即使是上述渦卷線部31中導(dǎo)體線31a得卷數(shù)比較多得情況下，其厚度也不會(huì)膨脹。因此，上述IC模塊A整體的厚度也可以縮小，例如其厚度可以薄到0.45mm的程度。由于上述IC芯片2是配置在上述天線線圈3的渦卷線部31的內(nèi)方部，其空間效率良好。因此，上述IC模塊A整體的外徑也可以縮小。
在上述IC芯片2中，由于一對(duì)電極30、30是配置在主面2a的同一對(duì)角線的角部，該一對(duì)電極30、30之間的距離是在主面2a的范圍內(nèi)為最大。為此，上述一對(duì)端子10a、10b之間的距離可以對(duì)增大，從而可以增大夾在該一對(duì)端子10a、10b之間的折曲延伸部32整體的寬度。因此，也就可以相應(yīng)地增加上述導(dǎo)體線31a的卷數(shù)，提高上述天線線圈3的性能。由于由封止樹(shù)脂4保護(hù)IC芯片2和天線線圈3，因此可以在使用上述IC模塊A時(shí)不會(huì)損傷。
以下參照?qǐng)D6～圖8說(shuō)明包含上述IC模塊A所構(gòu)成的IC卡B的構(gòu)成。
在圖6中，該IC卡B整體的俯視圖形狀為矩形，整體的厚度例如為0.76mm左右。顯如圖8所示，該IC卡B由卡體7、2張蓋板70、71和上述IC模塊A所構(gòu)成。
上述卡體7例如是由聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯樹(shù)脂(以下簡(jiǎn)稱PET)或者聚氯乙烯(以下簡(jiǎn)稱PVC)等合述樹(shù)脂制成。但是，構(gòu)成卡體7的合成樹(shù)脂和上面所述的封止樹(shù)脂4不同，混入了作為增強(qiáng)材料的填充物。為此，該卡體7的彈性率例如為9.8Gpa以上。而上述封止樹(shù)脂4的彈性率例如在9.0Gpa以下，和卡體7相比，封止樹(shù)脂4的彈性率要小?？w7的厚度和上述IC模塊A相同為0.45mm左右。上述卡體7中設(shè)置有為容納上述IC模塊A的貫通孔狀的收容部72。
上述2張蓋板70、71具有和上述卡體7相同的俯視圖形狀。其厚度例如在0.15mm左右。該蓋板70、71也和上述卡體7同樣，例如由PET或者PVC等合成樹(shù)脂制成。在將上述IC模塊A收容到上述收容部72內(nèi)以后，該蓋板70、71粘接在上述卡體7、71a的表背兩面上。因此，上述收容部72的上下開(kāi)口部由上述蓋板70、71所封閉，形成將上述IC模塊A封入到上述收容部72內(nèi)的構(gòu)造。前面所述IC卡整體的厚度尺寸包含了將該蓋板70、71粘接在卡體7上所用的粘接劑層的厚度。
顯如圖8所示，在上述IC卡B中，即使上述IC模塊A整體的厚度t1比收容部72的深度尺寸(即卡體7的厚度t2)多少大一些的情況下，也能將上述IC模塊A確切地收容在上述收容部72內(nèi)。當(dāng)要將比收容部72的深度尺寸要厚的IC模塊A嵌入到上述收容部72時(shí)，則形成IC模塊A的一部分將超出收容部72的外部的狀態(tài)。但是由于上述封止樹(shù)脂4的彈性率要小，由粘接在卡體7上的蓋板70、71在其厚度方向夾持上述IC模塊A，可以簡(jiǎn)單封止樹(shù)脂4壓縮變形，因此，上述IC模塊A整體的厚度可以設(shè)定為和收容部72的深度尺寸相同的尺寸。因此，可以將上述IC模塊A確切地收容在上述收容部72內(nèi)。這樣，在上述IC模塊A的兩面可以和蓋板70、71密接，不讓IC模塊A在收容部72內(nèi)產(chǎn)生不當(dāng)?shù)腻e(cuò)位。由于IC模塊A的厚度并不一定需要和收容部72的深度時(shí)完全一致，IC模塊A的制造和卡體7的制造也變得容易。
上述IC卡B整體為薄片片平狀具有可撓性。為此，該IC卡B得整體或者一部分可以彎曲。如圖7所示，會(huì)有彎曲力作用在IC模塊A和其周邊部上。這時(shí)，IC橫塊A的封止樹(shù)脂4由于其彈性力比卡體7要小，隨著卡體7的彎曲變形，會(huì)產(chǎn)生和卡體7同樣形狀的彎曲變形。如果這樣的封止樹(shù)脂4產(chǎn)生彎曲變形，雖然也會(huì)在該封止樹(shù)脂4和IC芯片2的表面之間交界部分將產(chǎn)生應(yīng)變，但是引起該封止樹(shù)脂4的應(yīng)變的應(yīng)力值也會(huì)隨著上述封止樹(shù)脂4的彈性率所減少的部分而減少。因此，即使在IC卡B上施加彎曲力，也難于給IC芯片2造成大的損壞。因此，可以很好地防止IC芯片2損傷而造成保存在該IC芯片2的數(shù)據(jù)消失的情況。
下面參照?qǐng)D9～圖40說(shuō)明本發(fā)明的其它實(shí)施例。圖9以后的各圖，和先前實(shí)施例相同的部分采用相同的符號(hào)。
圖9所示IC卡Ba的結(jié)構(gòu)為在卡體7a上設(shè)置有有底凹狀的收容部72a，在該收容部72a內(nèi)收容IC模塊A。依據(jù)該結(jié)構(gòu)，相時(shí)于卡體7a只需要1張蓋板70與卡體7a粘接即可，可以減少I(mǎi)C卡的構(gòu)成部件。
圖10和圖11所示的IC模塊Aa中，天線線圈3A和上述天線線圈3具有不同的結(jié)構(gòu)。上述天線線圈3A在可撓性基板1的表面上具有渦卷線部31這一點(diǎn)上，和上述天線線圈3是共同的。但是，上述天線線圈3A具有在上述可撓性基板1的表面上和端子10b相連的引線部33和設(shè)置在上述可撓性基板1的背面上的引線部34。在上述可撓性基板1上分別在上述渦卷線部31的外方部和內(nèi)方部的位置設(shè)置有一對(duì)過(guò)孔12a、12b。上述渦卷線部31的終端部31b通過(guò)上述過(guò)孔12a與上述引線部34的一端導(dǎo)通。而上述引線部33的另一端通過(guò)上述過(guò)孔12b與上述引線部34相連。
即使在上述IC模塊Aa中，也可以不造成天線線圈3A短路，而將其始端和終端配置在上述渦卷線部31的內(nèi)方部。因此，可以期待和上述IC模塊A具有同樣的效果。在本發(fā)明中，也可以象這樣利用可撓性基板1的表背兩面形成天線線圈。
圖12所示的IC模塊Ab中，具有和在中部搭載IC芯片2的可撓性基板1分體的片材19。上述片材19例如是和止述可撓性基板1同一材質(zhì)的聚酰亞胺制成。在其中央部上形成有比上述IC芯片2尺對(duì)寸要大的孔19a。顯如圖13所示，在上述片材19的一面上，形成有和設(shè)置在上述可撓性基板1的表面止的天線線圈3對(duì)稱或者略對(duì)稱的導(dǎo)體模樣39。顯如圖12所示，上述片材19與上述可撓性基板1的表面重合粘接，這樣，上述天線線圈3的模樣和上述導(dǎo)體模樣39相互時(shí)向。上述IC芯片從上述孔19a中向上方凸出。為了將上述可撓性基板1和上述片材19粘接，采用具有和上述各向異性導(dǎo)電膜5同樣特性的各向異性導(dǎo)電膜5A，顯如圖14所示，只有上述天線線圈3的模樣和上述導(dǎo)體模樣39相互對(duì)向重合部分之間通過(guò)上述各向異性導(dǎo)電膜5A的導(dǎo)電離子51使其相互導(dǎo)通。
在上述IC模塊Ab中，天線線圈3的厚度，實(shí)質(zhì)上只增加了上述導(dǎo)電離子51的大小和上述導(dǎo)本模樣39的厚度之和的部分。為此，和采用比較粗的金屬線材構(gòu)成天線線圈的情況相同，可以大大提高上述天線線圈3的本身的性能。只要采用濺射、蒸發(fā)或者CVD法在可撓性基板1的表面的表面上形成天線線圈3的導(dǎo)電膜30，增大上述導(dǎo)電膜30的厚度就會(huì)有限度。特別是越是微細(xì)化模樣越難增大上述導(dǎo)電膜30的厚度。從而會(huì)有損失天線本身的性能的傾向。然而，在上述IC模塊Ab中即可確切地消除這種缺點(diǎn)。當(dāng)然，在上述IC模塊Ab中，也能采用封止樹(shù)脂4封止上述IC芯片2的結(jié)構(gòu)。如果構(gòu)成為通過(guò)孔19a將IC芯片2露出到片材19的上方，由封止樹(shù)脂4覆蓋在上片材19的上面即可確切地由封止樹(shù)脂4將上述IC芯片2封止。
圖15和圖16所示的IC模塊Ac中，在覆蓋IC芯片2和天線線圈3的封止樹(shù)脂4A上，設(shè)置有作為脆弱部的多個(gè)透孔40。上述多個(gè)透孔40在上述封止樹(shù)脂4A的厚度方向貫通，俯視圖看是圍繞在上述IC芯片2的周?chē)蓤A弧狀。上述透孔40可以在模具成形上述封止樹(shù)脂4A的時(shí)候形成。
在上述IC模塊Ac中，收到彎曲力時(shí)可以將應(yīng)力集中在設(shè)置上述各透孔40的部分，而不讓?xiě)?yīng)力集中施加到IC芯片2上。具體講，上述IC模塊Ac彎曲時(shí)，將增大或者縮小上述各透孔40的開(kāi)口幅度，由于該變形的作用可以緩和產(chǎn)生在封止樹(shù)脂4A的應(yīng)力。為此，可以減少作用在IC芯片2上的應(yīng)力。因此，將上述IC模塊Ac內(nèi)藏到IC卡中使用時(shí)，即使IC卡彎曲也不會(huì)讓上述IC芯片2受到大的損傷。
設(shè)置在上述封止樹(shù)脂4A的脆弱部的構(gòu)成?？梢宰杂勺兏筛鞣N各樣的設(shè)計(jì)。圖17所示的IC模塊Ad中，在封止樹(shù)脂4A上開(kāi)口形狀的圓形的多個(gè)透孔41沿上述封止樹(shù)脂4A的厚度方向貫通設(shè)置。上述多個(gè)透孔41俯視圖上圍繞IC芯片2配置，這樣的構(gòu)成。和上述IC模塊Ac同樣，由于上述多個(gè)透孔41的變形的作用可以緩和作用在封止樹(shù)脂4A上的應(yīng)力，不讓IC芯片2受到較大的應(yīng)力。設(shè)置在制止樹(shù)脂上的脆弱部，也可以是微小化上述多個(gè)透孔41的開(kāi)口徑的針孔。
圖18所示的IC模塊Ae為在制止樹(shù)脂4A的表面上設(shè)置了有底的適當(dāng)深度的多個(gè)凹入部42的構(gòu)成。這些多個(gè)凹入部42分別為脆弱部。上述凹入部可以是各種中各樣的形狀。這樣，在本發(fā)明中，也可以在封止樹(shù)脂的表面上設(shè)置適當(dāng)形態(tài)的凹入部，而將該凹入部作為脆弱部的構(gòu)成。脆弱部的具體數(shù)量可以任意選擇。
本發(fā)明中，也可以構(gòu)成為在搭載IC芯片2的基板上設(shè)置脆弱部。例如，圖19所示的IC模塊Af中，上述可撓性基板1上實(shí)裝了IC芯片2的部分的周?chē)O(shè)置了多個(gè)孔24，這些多個(gè)孔24作為脆弱部。上述多個(gè)孔24可以通過(guò)在上述可撓性基板1的表面上形成了天線線圈3的模樣后對(duì)上述可撓性基板1進(jìn)行蝕刻處理來(lái)形成?；蛘撸ㄟ^(guò)壓力加工處理預(yù)先在可撓性基板1上形成孔24后，再避開(kāi)該孔24在上述可撓性基板1的表面上形成天線圈3的模樣。
在上述IC模塊Af受到彎曲力后，可以將應(yīng)力集中到上述可撓性基板1上設(shè)置了多個(gè)孔24的部分，而不讓?xiě)?yīng)力集中在IC芯片2上。在封止樹(shù)脂和基板的任一個(gè)上設(shè)置脆弱部，都可以獲得防止應(yīng)力集中作用在IC芯片的效果。但是，如果在封止樹(shù)脂和基板上分別設(shè)置脆弱部，更為理想。
圖20所示的IC模塊Ag為在可撓性基板1從該可撓性基板1的邊緣向其內(nèi)方延伸開(kāi)設(shè)放射狀的多個(gè)槽25的構(gòu)成。IC芯片2搭載在上述可撓性基板1的中央部，位于上述多個(gè)槽25的內(nèi)方。上述多個(gè)槽25例如可以通過(guò)對(duì)上述可撓性基板1實(shí)施蝕刻處理形成。
在上述IC模塊Ag中，雖然在圖示中省略了說(shuō)明，但是上述IC芯片2和天線線圈3例如可以由熱固化性的環(huán)氧樹(shù)脂進(jìn)行封止。該封止作業(yè)通過(guò)將高溫熔融狀態(tài)的封止樹(shù)脂注入模具內(nèi)，然后將該封止樹(shù)脂加熱固化成形來(lái)完成。上述封止樹(shù)脂隨著成形后的溫度降低在密接著可撓性基板1的狀態(tài)下收縮。另一方面，上述可撓性基板1為聚酰亞胺，上述可撓性基板1和上述封止樹(shù)脂的線膨脹系數(shù)不同。為此，如果上述封止樹(shù)脂收縮，在本來(lái)的情況下，上述可撓性基板1由這些收縮量的差引起很大的翹曲，引起該翹曲的應(yīng)力有可能作用在IC芯片2上。但是在上述IC模塊Ag中，上述封止樹(shù)脂收縮時(shí)，對(duì)于上述可撓性基板1，將產(chǎn)生上述各槽25幅度變小的變形，由于上述各槽25的幅度變化就具有和上述可撓性基板1整體收縮同樣的效果。因此，至少可以在上述可撓性基板1的中央部不會(huì)產(chǎn)生大的翹曲，從而保護(hù)了IC芯片2。
圖21所示的IC模塊Ah做成通過(guò)在可撓性基板1A上以搭載IC芯片2的部分為中心放射狀地?cái)U(kuò)散設(shè)置多個(gè)凸?fàn)畈?6，上述可撓性基板1A的整體的俯視圖形狀為齒輪狀或者海星狀。在該IC模塊Ah中，密接在上述可撓性基板1A的表面封止IC芯片2和天線線圈3B的封止樹(shù)脂在樹(shù)脂成形后溫度減低時(shí)，伴隨上述封止樹(shù)脂制收縮上述多個(gè)凸?fàn)畈?6、26之間的幅度可以縮小。因此，和上述IC模塊Ag同樣，不讓上述可撓性基板1A產(chǎn)生大的翹曲，從而可以IC芯片2。
在上述IC模塊Ah中，天線線圈3B的模樣也對(duì)應(yīng)于上述可撓性基板1A的形狀，平面視圖形狀為齒輪狀或者海星狀。依據(jù)這樣的構(gòu)成。由于形成在各凸?fàn)畈?6上的天線線圈3B的模樣形成為沿上述可撓性基板1A的半徑方向延伸，當(dāng)上述封止樹(shù)脂4收縮時(shí)位于上述凸?fàn)畈?6的天線圈3B的模樣并不張出，或者其張出量小。因此，可以回避由于天線線圈3B的張出引起的上述可撓性基板1A的不當(dāng)變形。
在上述IC模塊Ah中，封止上述IC芯片2和天線線圈3B的封止樹(shù)脂也對(duì)應(yīng)于上述可撓性基板1A，其俯視圖形狀為齒輪狀或者海星狀的具有多個(gè)凸?fàn)畈康臉?gòu)成。依據(jù)這樣的構(gòu)成。當(dāng)封止樹(shù)脂收縮時(shí)，在該封止樹(shù)脂的多個(gè)凸部之間的距離收縮的方向上收縮上述封止樹(shù)脂。為此，可撓性基板1A在厚度方向的翹曲量?jī)H減少這一份，可以確切防止損傷IC芯片2。又，依據(jù)上述構(gòu)成。將上述IC模塊Ah內(nèi)藏在IC卡中時(shí)，假定即使該IC卡彎曲，通過(guò)讓可撓性基板1A的凸?fàn)畈?6和與此相時(shí)應(yīng)的封止樹(shù)脂的凸?fàn)畈坎糠謴澢?，即可處理上述IC卡的彎曲。因此，可以回避應(yīng)力集中在IC芯片2上從而可以保護(hù)。
圖22所示的IC模塊Ai具有由PET所組成成材質(zhì)的可撓性基板1B。顯如圖23和圖24所示，在上述可撓性基板1B的表面中，在上述可撓性基板1B上與為粘接IC芯片2粘接劑層5B粘接的部分上設(shè)置有粘接輔助層35。上述粘接輔助層35由天線線圈3的折曲延伸部32的內(nèi)方端部32a和設(shè)置在該內(nèi)方端部32a的近旁工藝模樣部35a所構(gòu)成。該工藝模樣部35a是在由導(dǎo)體膜30腹膜形成上述天線線圈3時(shí)，利用該導(dǎo)體膜30在可撓性基板1B的表面上腹膜形成的呈現(xiàn)適當(dāng)?shù)亩鄺l線狀。因此，上述工藝模樣部35a的材質(zhì)和上述天線圈3為同一種材料，例如為銅。上述粘接層5B由例如和上述各向異性導(dǎo)電膜5同樣材質(zhì)的各向異性導(dǎo)電膜所構(gòu)成。
在上述IC模塊Ai中，由于采用了PET制的可撓性基板1B，與采用聚酰亞胺制成的可撓性基板相比較，具有原材料成本低的優(yōu)點(diǎn)。另一方面，如果采用上述可撓性基板1B，本來(lái)的情況，會(huì)帶來(lái)該可撓性基板1和粘接層5B的粘接力降低的現(xiàn)象。這是因?yàn)?，上述粘接?B，由于是通過(guò)由分子水平的氫結(jié)合發(fā)揮和粘接對(duì)象物之間的強(qiáng)固粘接力，對(duì)于沒(méi)有該粘接對(duì)象物引起氫結(jié)合的起因分子的PET而言不能充分發(fā)揮粘接力。但是，在上述IC模塊Ai中，上述粘拉層5B也粘接在上述粘接輔助層35上。由于上述粘接輔助層35為銅制成。上述粘接層5B可以強(qiáng)固粘接在上述粘接輔助層35上。因此，可以增強(qiáng)對(duì)上述可撓性基板1B的表面的上述粘接輔助層35的粘接力。特別是，上述粘接輔助層35，由于通設(shè)置工藝模樣部35a而增大了所形成的表面積，因而可以更進(jìn)一步增強(qiáng)上述可撓性基板1B和粘接輔助層35之間的粘接力。其結(jié)果，可以在上述可撓性基板1B上確實(shí)保持IC芯片2。由于上述工藝模樣部35a是在天線線圈3的腹膜形成時(shí)同時(shí)形成。上述IC模塊Ai的制造作業(yè)并不特別繁雜。
在圖25所示的IC模塊Aj中，構(gòu)成粘接輔助層35A的天線線圈3的折曲延伸部32a和工藝模樣部35b形成多條曲線狀。在圖26所示的IC模塊Ak中，構(gòu)成粘接輔助層35B的工藝模樣部35c形成為多數(shù)的點(diǎn)線狀。這樣，粘接輔助層的具體形狀可以有各種各樣的變形。
在上述IC模塊Ai～Ak中，由于任一個(gè)天線線圈3的一部(內(nèi)方端部32a)均起到提高粘接層5B的粘接力的作用，這種構(gòu)成是非常合理的結(jié)構(gòu)。不過(guò)，在本發(fā)明中，也可以不設(shè)工藝模樣部，僅由天線線圈3的一部分構(gòu)成粘接輔助層。因此，例如在先前的實(shí)施例的圖3所示的構(gòu)成中，雖然沒(méi)設(shè)置相當(dāng)于上述工藝模樣部的部分，然而同圖中的天線線圈3的內(nèi)方端部32a相當(dāng)于本發(fā)明所謂的粘接輔助層。當(dāng)然，與此相反，在本發(fā)明中，不利用天線線圈3，也可以僅僅采用和構(gòu)成天線線圈3的材料完全不同的其它材料構(gòu)構(gòu)成粘接輔助層。
圖27和圖28所示的IC模塊Al具有覆蓋IC芯片2的覆蓋部件4B和彈性部件49。上述覆蓋部件4B包括具有貫通孔45a的第1片材43和粘接在上述第1片材43的一面上的第2片材44。由于上述貫通孔45a的一端開(kāi)口部由上述第2片材44閉塞，上述貫通孔45a成為一端開(kāi)口狀的凹部45。上述第1片材43和第2片材44例如由ABS樹(shù)脂制成。上述第1片材43的厚度例如在0.25mm左右，比上述IC芯片2要厚。上述第2片材44的厚度例如為0.1mm左右。上述覆蓋部件4B皮上述凹部45向下開(kāi)口狀的姿勢(shì)粘接在可撓性基板1的表面上。上述IC芯片2收容配置在上述凹部45內(nèi)，由上述覆蓋部件4B覆蓋。上述彈性部件49例如為硅橡膠，具有橡膠彈性。上述彈性部件49以適當(dāng)?shù)膲嚎s狀態(tài)介裝在上述IC芯片2的上面部和上述凹部45的內(nèi)壁面的上部之間。
在上述IC模塊Al中，上述IC芯片2由上述彈性部件49的彈性恢復(fù)力常時(shí)壓在可撓性基板1的表面上。為此，即使上述IC模塊A多少產(chǎn)生一些彎曲變形，上述IC芯片2的電極20、20也可以常時(shí)和端子10a、10b接觸，使得IC芯片2和天線線圈3可以確實(shí)導(dǎo)通連接。在上述IC模塊Al中，不用粘接劑，就可以將IC芯片2搭載在可撓性基板1上，在制造時(shí)可以省略粘接劑的涂敷工藝。上述覆蓋部件4B起到保護(hù)IC芯片2的作用。由于上述覆蓋部件4B為粘接2張片材的構(gòu)成。其制造也很容易制成。但是，本發(fā)明并不限定于此，例如也可以在用模具對(duì)形成凹部的覆蓋部件樹(shù)脂成形的基礎(chǔ)上，將該覆蓋部件粘接在可撓性基板1上。
圖29和圖30所示的IC卡Bb具有IC模塊Am和在粘接在上述卡體7的兩面的蓋板70、71之間設(shè)置了可撓性板8、8a的構(gòu)成。上述可撓性板8、8a和上述IC模塊Am同樣，收容在上述收容部72內(nèi)。上述可撓性板8、8a具有和上述IC模塊Am同樣的側(cè)視圖形狀以及尺寸，并有適當(dāng)?shù)暮穸取Ｉ鲜隹蓳闲园?、8a比上述封止樹(shù)脂4C的彈性率要小，其材質(zhì)例如可適用不含有充填物的熱硬化性的環(huán)氧樹(shù)脂。在上述可撓性板8的兩面分別與上述IC模塊Am的封止樹(shù)脂4C和蓋板70粘接。在上述可撓性板8a的兩面分別與上述IC模塊A的可撓性基板1和蓋板71粘接。作為上述可撓性板8、8a粘接在上述各部的方法，可以采用將上述可撓性板8、8a分別夾持在上述蓋板70、71和上述IC模塊Am之間的狀態(tài)下、加熱加壓該部分、然后將上述可撓性板8、8a熔接在上述各部上的方法。
在上述IC卡Bb中，如圖31所示，如果上述卡體7和上述2張蓋板70、71產(chǎn)生彎曲變形，由此伴隨產(chǎn)生可撓性板8、8a變形。由于這些可撓性板8、8a的彈性率比上述封止樹(shù)脂4C要小，其變形將在上述封止樹(shù)脂4C產(chǎn)生彎曲變形之前的階段。比較具體地講，上述可撓性板8、8a位于上述IC模塊Am和上述蓋板70、71之間，會(huì)產(chǎn)生對(duì)應(yīng)于上述蓋板70、71的彎曲變形的彎曲變形和厚度增大或縮小的擴(kuò)縮變形。上述可撓性板8、8a產(chǎn)生這樣的變形對(duì)，則上述蓋板70、71的彎曲變形的力不直接波及上述IC模塊Am。其結(jié)果，上述IC模塊Am不會(huì)彎曲到和上述蓋板70、71同樣的曲率半徑那樣大，因而可以保護(hù)IC芯片2和防止天線線圈3的斷線。
如上述IC卡Bb那樣，通過(guò)在IC模塊和蓋板之間設(shè)置可撓性部件來(lái)保護(hù)IC模塊的情況下，上述可撓性部件并不一定要收容在蓋板一體的收容部?jī)?nèi)。上述可撓性部件例如也可以在卡體和蓋板之間的整面設(shè)置。這是，由于可以起到卡體和蓋板相互強(qiáng)固地粘接在上述可撓性部件上的作用，因而可以有效地防止卡體和蓋板的剝離。
圖32所示的IC卡Bc具有在重合粘接的卡體7b和蓋板70之間夾持IC模塊An的構(gòu)成。顯如圖33所示，上述卡體7b的俯視圖為長(zhǎng)矩形狀，在該卡體7b的四角中的一個(gè)角上設(shè)置了有底凹部72。顯如圖36所示，上述IC模塊An在搭載IC芯片2的可撓性基板1C的表面上設(shè)置了腹膜形成導(dǎo)電膜30所構(gòu)成的天線線圈3C。上述天線線圈3C具有渦卷線部31C的多條導(dǎo)體線31a的分別的一部分向上述渦卷線部31C的外方部折曲的折曲部32C，上述天線線圈3C的始端和終端所系的一對(duì)端子10c、10d設(shè)置在上述天線線圈3C的外方。因此，搭載在上述一對(duì)端子10c、10d上的IC芯片2也放置在上述天線線圈3C的外方。
顯如圖35所示，上述IC模塊An為粘接在上述蓋板70的一面上，上述IC芯片2保持在上述蓋板70上的構(gòu)造。顯如圖34所示，上述IC模塊An的位置確定為，讓上述IC芯片2收容在上述凹部72b內(nèi)，同時(shí)上述天線圈3C配置在比上述IC芯片2更接近上述卡體7b和蓋板70的中央部的位置。在上述IC芯片2的外面和上述凹部72b的內(nèi)壁面之間，為了不讓上述IC芯片2直接觸上述卡體設(shè)置有間隙。
在上述IC卡Bc中，如圖37所示，卡體7b和蓋板70產(chǎn)生彎曲時(shí)，越是這些部件的長(zhǎng)軸方向中央部越容易彎曲，而放置上述IC芯片2的上述卡體7b和蓋板70的長(zhǎng)軸方向端部件的彎曲變形量就越小。因此，引起卡體7b和蓋板70的彎曲變形的大的應(yīng)力不會(huì)作用到上述IC芯片2上。特別是，由于上述IC芯片2設(shè)置在卡體7b的各部之中最難產(chǎn)生彎曲變形的角部，所以可以確實(shí)防止不當(dāng)?shù)膽?yīng)力作用在上述IC芯片2上。因此，能保護(hù)IC芯片2。也能防止IC芯片2和天線線圈3C連接部分的斷線。假定即使在上述IC芯片2的周?chē)糠之a(chǎn)生彎曲變形，在上述IC芯片2保持在蓋板70的姿勢(shì)的情況下，也可以維持在上述凹部72b內(nèi)和卡體7b不接觸的狀態(tài)。因此，可以讓上述卡體7b不與上述IC芯片2強(qiáng)接觸，能進(jìn)一步確實(shí)保護(hù)上述IC芯片2。
在上述IC卡Bc的通常使用時(shí)，如果上述天線線圈3C接收到所定的電磁波，由電磁誘導(dǎo)在上述天線線圈3C的渦卷線部31C上產(chǎn)生誘導(dǎo)電勢(shì)。對(duì)此，由于上述IC芯片2處在偏離上述渦卷線部31C的外方的位置上，難于受到由上述誘導(dǎo)電勢(shì)引起的干擾的影響，可以減少誤動(dòng)作。
圖38和圖39所示的IC卡Bd構(gòu)成為設(shè)置在卡體7b和蓋板70之間的IC模塊Ao和上述IC模塊An不同。上述IC模塊Ao，顯如圖40所示，其結(jié)構(gòu)為構(gòu)成設(shè)置在可撓性基板1B的表面上的天線線圈3D的渦卷線部31D的多條導(dǎo)體線31d為俯視圖中空的矩形。上述可撓性基板1B為矩形狀，或者為上述渦卷線部31D的內(nèi)方部形成開(kāi)口孔的中空矩形狀。上述天線線圈3D的始端和終端所系的一對(duì)端子10e、10f象夾上上述渦卷線部31D那樣設(shè)置在上述可撓性基板1B的角部。IC芯片2連接在上述一對(duì)端子10e、10f上放置在上述可撓性基板1B的角部。
上述IC模塊Ao粘接在上述蓋板70上，上述IC芯片2在實(shí)質(zhì)上保持在上述蓋板70的狀態(tài)下收容在設(shè)置在上述卡體7b的角部的凹部72b內(nèi)。這時(shí)，在上述凹部72b的內(nèi)壁面和上述IC芯片2的外面之間設(shè)置了間隙。因此，在該IC卡Bd中，和上述IC卡Bc同樣，卡體7b和蓋板70的彎曲不會(huì)引起IC芯片2的損傷。此外，在上述IC卡Bd中，天線線圈3D的形狀為單純的模樣，容易制造。要增加上述天線線圈3D的卷數(shù)和卷線密度也很簡(jiǎn)單。
這樣，在本發(fā)明中，天線線圈的具體模樣形狀可以自由變更為各種各樣的設(shè)計(jì)。上述IC模塊An、Ao的凹部72b的形狀也沒(méi)有特別的限制。作為IC芯片難于受到由卡體和蓋板所構(gòu)成的卡狀部件的彎曲變形的影響的方法，IC芯片不配置在上述卡狀部件的角部或者其附近，而配置在上述卡狀部件的角部以外的周邊緣的方法也是有效的。這是因?yàn)?，在卡狀部件的周邊緣比卡狀部件的中央部產(chǎn)生少的彎曲的傾向要強(qiáng)，僅此就不會(huì)對(duì)IC芯片產(chǎn)生大的損傷。
有關(guān)本發(fā)明的IC模塊和IC卡的各部具體構(gòu)成。并不限定于上述的實(shí)施例，可以自由變更成各種各樣的設(shè)計(jì)。例如，作為搭載IC芯片的基板，不用可撓性基板，也可以用沒(méi)有可撓性的硬質(zhì)基板。
本發(fā)明的IC模塊可作為IC卡的部件利用。本發(fā)明的IC卡可作為存儲(chǔ)各種數(shù)據(jù)攜帶方便的存儲(chǔ)介質(zhì)利用。
權(quán)利要求
1．一種IC模塊，其特征是包括基板、搭載在該基板上的IC芯片、與該IC芯片電連接的天線線圈，并且天線線圈是在所述基板的一面上模樣形成導(dǎo)體膜的構(gòu)成。
2．根據(jù)權(quán)利要求1所述的IC模塊，其特征是在所述IC芯片的主面上設(shè)置有與天線連接用的一對(duì)電極，同時(shí)所述天線線圈具有形成渦卷狀的多條導(dǎo)體線的渦卷線部，并且在所述基板的所述渦卷線部的內(nèi)方部處設(shè)置有分別與所述天線線圈的始端和終端導(dǎo)通的一對(duì)端子，通過(guò)在這些一對(duì)端子上連接所述一對(duì)電極將所述IC芯片搭載在所述基板上。
3．根據(jù)權(quán)利要求2所述的IC模塊，其特征是所述天線線圈具有所述多條導(dǎo)體線的各條的一部分向所述渦卷線部的內(nèi)方部折曲延伸的折曲延伸部，同時(shí)通過(guò)在該折曲延伸部處配置所述天線線圈的始端和終端，在所述渦卷線部的內(nèi)方部處配置一對(duì)端子。
4．根據(jù)權(quán)利要求3所述的IC模塊，其特征是所述天線線圈的始端和端象要夾住所述折曲延伸部的內(nèi)方端部那樣配置。
5．根據(jù)權(quán)利要求4所述的IC模塊，其特征是所述IC芯片的主面為視圖的矩形狀，同時(shí)連接所述天線用的一對(duì)電極設(shè)置在所述主面的同一對(duì)角線上的角部。
6．根據(jù)權(quán)利要求5所述的IC模塊，其特征是在所述IC芯片的主面上至少設(shè)置有一個(gè)以上的偽電極，同時(shí)在所述基板上形成有與所述偽電極對(duì)應(yīng)的偽端子，所述偽電極和所述偽端子連接。
7．根據(jù)權(quán)利要求1所述的IC模塊，其特征是所述基板是以樹(shù)脂薄片為基材的可撓性基板。
8．根據(jù)權(quán)利要求1所述的IC模塊，其特征是具有與所述天線線圈的模樣對(duì)稱或者略對(duì)稱的導(dǎo)體模樣在其一面形成的薄片材，并且所述基板和所述薄片材粘接成讓所述天線線圈的導(dǎo)體膜的模樣和所述薄片材的導(dǎo)體模樣相互重合并導(dǎo)通。
9．根據(jù)權(quán)利要求8所述的IC模塊，其特征是在所述薄片材上設(shè)置有為避免該薄片材和所述IC芯片干涉的孔。
10．根據(jù)權(quán)利要求8所述的IC模塊，其特征是所述基板和所述薄片材通過(guò)在絕緣樹(shù)脂內(nèi)分散了導(dǎo)電粒子的各向異性導(dǎo)電膜粘接。
11．根據(jù)權(quán)利要求1所述的IC模塊，其特征具有與所述基板和所述IC芯片相互粘接的粘接層，并且在所述基板的所述粘接層粘接的部分附著了由對(duì)所述粘接層的粘接性比所述基板的粘接性要高的材質(zhì)形成的粘接輔助層。
12．根據(jù)權(quán)利要求11所述的IC模塊，其特征是所述粘接輔助層由構(gòu)成所述天線線圈的導(dǎo)體膜形成。
13．根據(jù)權(quán)利要求12所述的IC模塊，其特征是所述天線線圈的一部分作為所述粘接輔助層。
14．根據(jù)權(quán)利要求11所述的IC模塊，其特征是所述粘接層是絕緣樹(shù)脂內(nèi)分散了導(dǎo)電粒子的各向異性導(dǎo)電膜。
15．根據(jù)權(quán)利要求1所述的IC模塊，其特征是在所述基板的所述IC芯片的周?chē)O(shè)置有脆弱部。
16．根據(jù)權(quán)利要求15所述的IC模塊，其特征是在所述脆弱部設(shè)置有多個(gè)，并且這些多個(gè)的脆弱部是圍繞所述IC芯片穿通所述基板而設(shè)置的多個(gè)孔。
17．根據(jù)權(quán)利要求1所述的IC模塊，其特征是具有封止所述IC芯片的封止部件。
18．根所權(quán)利要求17所述的IC模塊，其特征是所述封止部件設(shè)置有脆弱部。
19．根據(jù)權(quán)利要求18所述的IC模塊，其特征是所述脆弱部是在其厚度方向穿通所述封止部件的通孔。
20．根據(jù)權(quán)利要求18所述的IC模塊，其特征是所述脆弱部是設(shè)置在所述封止部件的表面上的凹入部。
21．根據(jù)權(quán)利要求18所述的IC模塊，其特征是所述脆弱部設(shè)置有多個(gè)，并且這些多個(gè)的脆弱部在俯視圖中配置成圍繞所述IC芯片。
22．根據(jù)權(quán)利要求17所述的IC模塊，其特征是所述IC芯片搭載在所述基板的中央部，并且在所述基板的外周緣設(shè)置從該外周緣向所述中央部延伸的多個(gè)槽。
23．根據(jù)權(quán)利要求17所述的IC模塊，其特征是所述IC芯片搭載在所述基板的中央部，并且所述基板形成為具有從所述IC芯片的搭載位置成放射狀延伸的多個(gè)凸?fàn)畈康母┮晥D為齒輪狀或者海星狀。
24．根據(jù)權(quán)利要求23所述的IC模塊，其特征是所述天線線圈形成為與所述基板的形狀對(duì)應(yīng)的俯視圖為齒輪狀或者海星狀。
25．根據(jù)權(quán)利要求24所述的IC模塊，其特征是所述封止部件形成為與所述基板的形狀對(duì)應(yīng)的俯視圖為齒輪狀或者海星狀。
26．根據(jù)權(quán)利要求1所述的IC模塊，其特征是具有覆蓋所述IC芯片的姿勢(shì)接合在所述基板上的覆蓋部件、介裝在該覆蓋部件和IC芯片之間的彈性部件，并且所述IC芯片由所述彈性部件壓附在所述基板上。
27．根據(jù)權(quán)利要求26所述的IC模塊，其特征是所述覆蓋部件具有凹部，并且在該凹部?jī)?nèi)收容放置所述IC芯片。
28．根據(jù)權(quán)利要求27所述的IC模塊，其特征是所述覆蓋部件包括具有穿通孔的第1片材、閉塞所述穿通孔的異端開(kāi)口部的粘接在第1片材的第2片材。
29．一種IC卡，其特征是具有由基板、搭載在該基板上的IC芯片、與該IC芯片電連接并且在所述基板的一面上模樣形成導(dǎo)體膜的天線線圈構(gòu)成的IC模塊，并且該IC模塊組裝在卡狀部件內(nèi)。
30．根據(jù)權(quán)利要求29所述的IC卡，其特征是作為所述卡狀部件，包括有收容所述IC模塊的收容部的卡體、閉塞所述收容部的開(kāi)口部粘接在所述卡體上至少1各以上的蓋板。
31．根據(jù)權(quán)利要求30所述的IC卡，其特征是所述IC模塊有封止所述IC芯片的封止部件，同時(shí)該封止部件比所述卡體的彈性率要小。
32．根據(jù)權(quán)利要求31所述的IC卡，其特征是所述基板是以有可撓性的樹(shù)脂薄片為基材的可撓性基板。
33．根據(jù)權(quán)利要求30所述的IC卡，其特征是所述IC模塊具有封止所述IC芯片的封止部件，同時(shí)所述IC模塊和所述蓋板通過(guò)比所述封止部件的彈性率要小的可撓性部件相互粘接。
34．根據(jù)權(quán)利要求33所述的IC卡，其特征是所述可撓性部件為熱硬化性樹(shù)脂制成的薄片。
35．根據(jù)權(quán)利要求29所述的IC卡，其特征是所述IC芯片配置在所述卡狀部件的周緣部。
36．根據(jù)權(quán)利要求35所述的IC卡，其特征是所述卡狀部件為矩形狀，并且所述IC芯片配置在所述卡上部件的角部或者其附近。
37．根據(jù)權(quán)利要求30所述的IC卡，其持征是所述IC芯片在保持在蓋板的狀態(tài)下被收容到所述卡體的收容部，并且在所述IC芯片和所述收容部的內(nèi)壁面之間設(shè)置有間隙。
全文摘要
裝入IC卡(B)內(nèi)部的IC模塊(A)具有基板(1)、搭載在基板(1)上的IC芯片(2)、與IC芯片(2)電連接的天線線圈(3)。天線線圈(3)是在基板(1)的一面上模樣形成導(dǎo)體膜的構(gòu)成。謀求IC模塊(A)的制造的容易化和薄型化。
文檔編號(hào)G06K19/077GK1234887SQ98801035
公開(kāi)日1999年11月10日 申請(qǐng)日期1998年6月23日 優(yōu)先權(quán)日1997年6月23日
發(fā)明者平井稔, 上田茂幸, 宮田修, 堀尾友春 申請(qǐng)人:羅姆股份有限公司