一種陣列基板、內(nèi)嵌式觸摸面板和顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板、內(nèi)嵌式觸摸面板和顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]請參考圖1，圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的內(nèi)嵌式觸摸面板的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖，該陣列基板包括:顯示區(qū)域10和位于顯示區(qū)域10外圍的非顯示區(qū)域20，非顯示區(qū)域內(nèi)設(shè)置有GOA (Gate driver on array)單元30和觸控驅(qū)動電極(TX)走線102，GOA單元30通過橫向的柵極驅(qū)動信號線104與位于顯示區(qū)域中的柵線(圖未示出)連接，觸控驅(qū)動信號線102與位于顯示區(qū)域中的觸摸驅(qū)動電極(圖未示出)連接。由于同處非顯示區(qū)域，觸控驅(qū)動信號線102與柵極驅(qū)動信號線104之間，以及橫向的觸控驅(qū)動信號線102與豎向的觸控驅(qū)動信號線102之間，不可避免的會存在交疊區(qū)域，交疊區(qū)域請參見圖1中虛線圈所包圍區(qū)域，其中虛線圈201包圍的是觸控驅(qū)動信號線102和柵極驅(qū)動信號線104的交疊區(qū)域，虛線圈202包圍的是橫向的觸控驅(qū)動信號線102與豎向的觸控驅(qū)動信號線102的交疊區(qū)域。
[0003]請參考圖2，圖2為圖1中的觸控驅(qū)動信號線與柵極驅(qū)動信號線交疊區(qū)域的剖面示意圖，圖2中，101為襯底基板，102為觸控驅(qū)動信號線，103為柵絕緣層(GI)，104為柵極驅(qū)動信號線，105為鈍化層，其中，柵絕緣層103的厚度一般只有幾千埃，使得交疊的觸控驅(qū)動信號線102與柵極驅(qū)動信號線104之間產(chǎn)生的電容較大，信號耦合作用也非常強，當(dāng)柵極驅(qū)動信號線104傳輸柵極驅(qū)動信號時，交疊區(qū)域的柵極驅(qū)動信號線104中的柵極驅(qū)動信號會部分耦合到觸控驅(qū)動信號線102當(dāng)中，導(dǎo)致觸控驅(qū)動信號的噪聲非常大，既影響了信噪比的提升，也產(chǎn)生了 flicker(畫面抖動)的現(xiàn)象。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]有鑒于此，本發(fā)明提供一種陣列基板、內(nèi)嵌式觸摸面板和顯示裝置，以解決現(xiàn)有的位于陣列基板非顯示區(qū)域的交疊的信號線之間的信號耦合作用強，導(dǎo)致信號線中傳輸?shù)男盘栐肼暣蟮膯栴}。
[0005]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種陣列基板，包括顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域，所述顯示區(qū)域內(nèi)設(shè)置有柵線、數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管和像素電極，所述薄膜晶體管包括:柵極、柵極絕緣層、有源層和源漏極，所述非顯示區(qū)域中設(shè)置有第一信號走線和第二信號走線，所述第一信號走線與所述第二信號走線異層相交，所述第一信號走線與所述柵線同層同材料設(shè)置，處于交疊區(qū)域的第一信號走線和第二信號走線之間具有所述柵極絕緣層和至少一抬高層O
[0006]優(yōu)選地，所述顯示區(qū)域內(nèi)還設(shè)置有觸控驅(qū)動電極，所述第一信號走線為觸控驅(qū)動信號線，與所述觸控驅(qū)動電極連接，用于向所述觸控驅(qū)動電極傳輸觸控驅(qū)動信號。
[0007]優(yōu)選地，所述第二信號走線包括:與所述柵線連接的，用于向所述柵線傳輸柵極驅(qū)動信號的柵極驅(qū)動信號線。
[0008]優(yōu)選地，所述第二信號走線包括:與所述觸控驅(qū)動電極連接的觸控驅(qū)動信號線。
[0009]優(yōu)選地，所述顯示區(qū)域內(nèi)還設(shè)置有公共電極，所述公共電極所在層與所述數(shù)據(jù)線所在層之間具有一中間絕緣層，所述第二信號走線包括:斷開的源漏金屬段以及用于連接斷開的源漏金屬段的公共電極搭線，所述源漏金屬段與所述數(shù)據(jù)線同層同材料設(shè)置，所述公共電極搭線與所述公共電極同層同材料設(shè)置，所述公共電極搭線位于所述第一信號走線和所述第二信號走線的交疊區(qū)域，所述公共電極搭線與位于所述交疊區(qū)域的第一信號走線之間具有所述柵極絕緣層和所述中間絕緣層，所述中間絕緣層作為所述抬高層。
[0010]優(yōu)選地，所述顯示區(qū)域內(nèi)還設(shè)置有公共電極，述公共電極所在層與所述數(shù)據(jù)線所在層之間具有一中間絕緣層，所述第二信號走線與所述公共電極同層同材料設(shè)置，處于交疊區(qū)域的第一信號走線和第二信號走線之間具有所述柵極絕緣層和所述中間絕緣層，所述中間絕緣層作為所述抬高層。
[0011]優(yōu)選地，所述第二信號走線與所述數(shù)據(jù)線同層同材料設(shè)置，處于交疊區(qū)域的第一信號走線和第二信號走線之間至少具有柵極絕緣層和一半導(dǎo)體抬高層，所述半導(dǎo)體抬高層與所述薄膜晶體管的有源層同層同材料設(shè)置，所述半島層抬高層作為所述抬高層。
[0012]優(yōu)選地，所述第二信號走線包括:斷開的源漏金屬段以及用于連接斷開的源漏金屬段的像素電極搭線，所述源漏金屬段與所述數(shù)據(jù)線同層同材料設(shè)置，所述像素電極搭線與所述像素電極同層同材料設(shè)置，所述像素電極搭線位于所述第一信號走線和所述第二信號走線的交疊區(qū)域，所述像素電極搭線與位于所述交疊區(qū)域的第一信號走線之間至少具有所述柵極絕緣層和鈍化層，所述鈍化層作為所述抬高層。
[0013]優(yōu)選地，所述第二信號走線與所述像素電極同層同材料設(shè)置，處于交疊區(qū)域的第一信號走線和第二信號走線之間至少具有所述柵極絕緣層和鈍化層，所述鈍化層作為所述抬尚層。
[0014]本發(fā)明還提供一種內(nèi)嵌式觸摸面板，包括上述陣列基板。
[0015]本發(fā)明還提供一種顯示裝置，包括上述內(nèi)嵌式觸摸面板。
[0016]本發(fā)明的上述技術(shù)方案的有益效果如下:
[0017]通過在位于陣列基板的非顯示區(qū)域的兩信號走線的交疊區(qū)域增加至少一抬高層，以改變處于交疊區(qū)域的兩信號走線之間的間距，減小兩者之間的電容，降低信號耦合作用，提升了信噪比，消除了具有該陣列基板的顯示裝置的畫面抖動現(xiàn)象。
【附圖說明】
[0018]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的內(nèi)嵌式觸摸面板的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019]圖2為圖1中的觸控驅(qū)動信號線與柵極驅(qū)動信號線交疊區(qū)域的剖面示意圖；
[0020]圖3為本發(fā)明實施例的陣列基板的正視圖；
[0021]圖4為本發(fā)明實施例一的包含抬高層的陣列基板的剖視圖；
[0022]圖5為本發(fā)明實施例二的包含抬高層的陣列基板的剖視圖；
[0023]圖6為本發(fā)明實施例三的包含抬高層的陣列基板的剖視圖；
[0024]圖7為本發(fā)明實施例四的包含抬高層的陣列基板的剖視圖；
[0025]圖8為本發(fā)明實施例五的包含抬高層的陣列基板的剖視圖。
【具體實施方式】
[0026]根據(jù)電容的計算公式C= ε s/d可知，兩導(dǎo)線之間的電容的大小，由兩者之間的交疊面積s以及兩者之間的間距d決定。當(dāng)交疊面積s固定時，可通過改變兩者之間的間距d來改變兩者之間的電容。
[0027]因此，本發(fā)明實施例中，為減小位于陣列基板的非顯示區(qū)域的兩信號走線的交疊區(qū)域的電容，在兩信號走線的交疊區(qū)域增加至少一抬高層，以改變處于交疊區(qū)域的兩信號走線之間的間距，減小兩者之間的電容，降低信號耦合作用，提升了信噪比，消除了具有該陣列基板的顯示裝置的畫面抖動現(xiàn)象。
[0028]下面將結(jié)合附圖和實施例，對本發(fā)明的【具體實施方式】作進(jìn)一步詳細(xì)描述。以下實施例用于說明本發(fā)明，但不用來限制本發(fā)明的范圍。
[0029]本發(fā)明實施例提供一種陣列基板，包括顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域，所述顯示區(qū)域內(nèi)設(shè)置有柵線、數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管和像素電極，所述薄膜晶體管包括:柵極、柵極絕緣層、有源層和源漏極，所述非顯示區(qū)域中設(shè)置有第一信號走線和第二信號走線，所述第一信號走線與所述第二信號走線異層相交，所述第一信號走線與所述柵線同層同材料設(shè)置，其中，處于交疊區(qū)域的第一信號走線和第二信號走線之間具有所述柵極絕緣層和至少一抬高層。
[0030]由于同處非顯示區(qū)域，第一信號走線與第二信