[0032]al?a3物理單層存儲單元
[0033]80多層單元存儲器配置流程
[0034]800 ?812步驟
[0035]90重新配置流程
[0036]900 ?908步驟
[0037]100重新配置流程
[0038]1000 ?1010步驟
【具體實(shí)施方式】
[0039]如上所述，在一多層單元(Mult1-Level Cell，MLC)存儲器中，可使用單層單元(Single-Level Cell，SLC)設(shè)定取代多層單元設(shè)定來存儲數(shù)據(jù)。如此一來，有必要對多層單元存儲器中的數(shù)據(jù)進(jìn)行良好配置。
[0040]請參考圖1，圖1為本發(fā)明實(shí)施例一多層單元存儲裝置10的示意圖。多層單元存儲裝置10包括有一存儲器控制器102及一多層單元存儲器Ml。多層單元存儲器Ml包括有多個存儲單元，可用來存儲數(shù)據(jù)。當(dāng)數(shù)據(jù)存儲在多層單元存儲器Ml時，多層單元存儲器Ml中部分存儲單元可轉(zhuǎn)換為使用單層單元設(shè)定，因此，如圖1所示，多層單元存儲器Ml包括有多層單元存儲區(qū)域及單層單元存儲區(qū)域。舉例來說，每一記憶細(xì)胞(Memory Cell)具有N位設(shè)定的多層單元存儲器可包括N個單層單元存儲區(qū)域。存儲器控制器102耦接至多層單元存儲器Ml，可在多層單元存儲器Ml存取數(shù)據(jù)。一般而言，多層單元存儲裝置10可由一主機(jī)端104進(jìn)行管理，如圖1所示。
[0041]請參考圖2A及圖2B，圖2A及圖2B為本發(fā)明實(shí)施例一三層單元(Triple-LevelCell，TLC)存儲器Tl的示意圖。如圖2A及圖2B所示，在三層單元存儲器Tl中，每一記憶細(xì)胞都可存儲一筆三位的數(shù)據(jù)，而此筆數(shù)據(jù)可在三層單元存儲器Tl中分配三個單層單元存儲區(qū)域進(jìn)行存儲。三層單元存儲區(qū)域及單層單元存儲區(qū)域的配置方式可任意決定，舉例來說，可將三個單層單元存儲區(qū)域散布在三層單元存儲器Tl中，如圖2A所示。也可將三個單層單元存儲區(qū)域集中配置于三層單元存儲器Tl，如圖2B所示。一般而言，三層單元存儲區(qū)域及單層單元存儲區(qū)域的配置可根據(jù)存儲數(shù)據(jù)的大小來決定。若有較多數(shù)據(jù)欲存儲在三層單元存儲器Tl時，則需配置較大的單層單元存儲區(qū)域。
[0042]值得注意的是，上述在多層單元存儲器中配置單層單元存儲區(qū)域的方式是用來存儲焊接前寫入的數(shù)據(jù)，以避免數(shù)據(jù)在焊接過程中因高溫而損壞。由于單層單元設(shè)定相較于多層單元設(shè)定具有更高的可靠度，因此重要性較高的數(shù)據(jù)或需要更高可靠度的數(shù)據(jù)也可通過單層單元設(shè)定進(jìn)行存儲，而不限于焊接前寫入的數(shù)據(jù)。為求簡潔，下文將這些數(shù)據(jù)稱為預(yù)寫數(shù)據(jù)。
[0043]請參考圖3，圖3為本發(fā)明實(shí)施例一三層單元存儲器T3的示意圖。三層單元存儲器T3包括有三單層單元存儲區(qū)域SI?S3，其以圖2A所示的方式配置。在此實(shí)施例中，存儲器控制器欲將9單位預(yù)寫數(shù)據(jù)寫入三層單元存儲器T3。存儲器控制器先在三層單元存儲區(qū)域中分配3個三層存儲單元Α0、Β0及CO來存儲9單位預(yù)寫數(shù)據(jù)，其中每一三層存儲單元具有3單位數(shù)據(jù)的存儲容量。存儲單元Α0、Β0及CO分別對應(yīng)于單層存儲單元Al?A3、BI?B3及Cl?C3，其中，單層存儲單元A1、B1及Cl位于單層單元存儲區(qū)域SI，單層存儲單元A2、B2及C2位于單層單元存儲區(qū)域S2，單層存儲單元A3、B3及C3則位于單層單元存儲區(qū)域S3。實(shí)際上，此9單位預(yù)寫數(shù)據(jù)不存儲在三層存儲單元AO、BO及CO，而是存儲在單層存儲單元Al?A3、BI?B3及Cl?C3，其中9個單層存儲單元恰好可存儲9單位的數(shù)據(jù)。更具體而言，主機(jī)端會將預(yù)寫數(shù)據(jù)視為存儲在三層存儲單元，然而數(shù)據(jù)實(shí)際存儲的位置是對應(yīng)于三層存儲單元的單層存儲單元。
[0044]存儲器控制器可設(shè)定一旗標(biāo)，用來標(biāo)示存儲單元是否存儲有預(yù)寫數(shù)據(jù)。如圖3所示，在三層單元存儲區(qū)域中，三層存儲單元Α0、Β0及CO都分配到預(yù)寫數(shù)據(jù)，因此相對應(yīng)的旗標(biāo)都設(shè)為1，而其它三層存儲單元的旗標(biāo)則設(shè)為O。在單層單元存儲區(qū)域SI?S3中，單層存儲單元Al?A3、BI?B3及Cl?C3分別對應(yīng)至三層存儲單元AO、BO及CO并用來存儲預(yù)寫數(shù)據(jù)，因此相對應(yīng)的旗標(biāo)都設(shè)為1，而其它單層存儲單元的旗標(biāo)則設(shè)為O。換句話說，若對應(yīng)于一存儲單元的旗標(biāo)設(shè)為I時，此存儲單元(可能是單層存儲單元或三層存儲單元)即相關(guān)于預(yù)寫數(shù)據(jù)的存儲。除此之外，存儲器控制器可使用一對應(yīng)表來記錄三層存儲單元及單層存儲單元之間的對應(yīng)關(guān)系。相關(guān)于對應(yīng)表的實(shí)現(xiàn)方式應(yīng)為本領(lǐng)域的技術(shù)人員所熟知，在此不贅述。
[0045]值得注意的是，三層單元存儲區(qū)域中的三層存儲單元與單層單元存儲區(qū)域中的單層存儲單元之間的對應(yīng)關(guān)系可依任何方式安排。舉例來說，請參考圖4，圖4為本發(fā)明實(shí)施例另一三層單元存儲器T4的示意圖。如圖4所示，存儲單元AO對應(yīng)至單層存儲單元A1、B1及Cl，存儲單元BO對應(yīng)至單層存儲單元A2、B2及C2，且存儲單元CO則對應(yīng)至單層存儲單元A3、B3及C3。三層單元存儲器T4與三層單元存儲器T3的主要差異在于，三層單元存儲器T4的單層單元存儲區(qū)域中單層存儲單元的配置方式不同于三層單元存儲器T3的方式。
[0046]請參考圖5，圖5為在三層單元存儲器T3中讀取預(yù)寫數(shù)據(jù)的示意圖。如圖5所示，三層存儲單元AO已記錄預(yù)寫數(shù)據(jù)D0，而預(yù)寫數(shù)據(jù)DO可分割為預(yù)寫數(shù)據(jù)Dl?D3并分別存儲在單層存儲單元Al?A3。如上所述，主機(jī)端會將預(yù)寫數(shù)據(jù)視為存儲在三層存儲單元，因此，當(dāng)主機(jī)端欲讀取預(yù)寫數(shù)據(jù)DO時，存儲器控制器會先存取三層存儲單元A0。接著，存儲器控制器會檢查用來指示三層存儲單元AO是否存儲有預(yù)寫數(shù)據(jù)的旗標(biāo)，并得知此旗標(biāo)值為
I。在此情況下，存儲器控制器會根據(jù)對應(yīng)表，取得單層單元存儲區(qū)域中單層存儲單元Al、A2及A3的地址。接著，存儲器控制器在單層存儲單元Al、A2及A3讀取預(yù)寫數(shù)據(jù)，并加以輸出至主機(jī)端。
[0047]請參考圖6，圖6為在三層單元存儲器T3的三層存儲單元AO寫入數(shù)據(jù)的示意圖。如圖6所示，三層存儲單元AO已記錄預(yù)寫數(shù)據(jù)D0，而預(yù)寫數(shù)據(jù)DO可分割為預(yù)寫數(shù)據(jù)Dl?D3并分別存儲在單層存儲單元Al?A3。當(dāng)存儲器控制器欲寫入新數(shù)據(jù)DN以更新三層存儲單元AO中的預(yù)寫數(shù)據(jù)DO時，存儲器控制器會檢查用來指示三層存儲單元AO是否存儲有預(yù)寫數(shù)據(jù)的旗標(biāo)，并得知此旗標(biāo)值為1，同時得知目標(biāo)存儲單元AO位于三層單元存儲區(qū)域。在此情況下，存儲器控制器會分配一物理三層存儲單元(Physical TLC Memory Unit) X0,并將其映射至三層存儲單元AO以存儲新數(shù)據(jù)DN。若新數(shù)據(jù)DN的大小小于物理三層存儲單元XO的大小時，物理三層存儲單元XO中其它空間則必須填補(bǔ)來自于單層存儲單元Al?A3的有效數(shù)據(jù)(Valid Data)。換句話說，新數(shù)據(jù)DN及單層存儲單元Al?A3中的有效數(shù)據(jù)都存儲在物理三層存儲單元XO。在單層存儲單元Al?A3中的有效數(shù)據(jù)搬移至物理三層存儲單元XO以后，即可解除單層存儲單元Al?A3的映射關(guān)系。而原來映射至單層存儲單元Al?A3的物理單層存儲單元al?a3即可轉(zhuǎn)為使用三層單元設(shè)定。
[0048]請參考圖7，圖7為在三層單元存儲器T3的單層存儲單元A3寫入數(shù)據(jù)的示意圖。如圖7所示，三層存儲單元AO已記錄預(yù)寫數(shù)據(jù)D0，而預(yù)寫數(shù)據(jù)DO可分割為預(yù)寫數(shù)據(jù)Dl?D3并分別存儲在單層存儲單元Al?