一種觸摸屏的制作方法及觸摸屏的制作方法
【技術(shù)領域】
[0001]本發(fā)明實施例涉及移動設備技術(shù)領域，尤其涉及一種觸摸屏的制作方法及觸摸屏。
【背景技術(shù)】
[0002]智能移動設備技術(shù)近年來得到了快速的發(fā)展，人們在工作和生活中越來越離不開移動設備的使用。現(xiàn)有的移動設備一般會設有觸摸屏，用戶可使用手指在觸摸屏上靈活便捷地操控移動設備，所以觸摸屏質(zhì)量的好壞直接影響用戶的使用體驗。近年來，許多主流移動設備都開始采用全貼合屏幕技術(shù)，全貼合是指以水膠或光學膠等將顯示面板與保護玻璃以無縫隙的方式完全黏貼在一起，消除了屏幕間的空氣，有助于減少顯示面板和玻璃之間的反光，可以讓屏幕看起來更加通透，增強屏幕的顯示效果，且能有效降低顯示面板噪聲對觸控訊號所造成的干擾。
[0003]作為全貼合屏幕技術(shù)的一種，單玻璃觸控技術(shù)(Touch on Lens/One GlassSolut1n, TOL/OGS)已經(jīng)得到了廣泛的應用。T0L/0GS技術(shù)是指把觸控屏與保護玻璃集成在一起，在保護玻璃內(nèi)側(cè)鍍上氧化銦錫(Indium-Tin Oxide, ITO)導電層，直接在保護玻璃上進行鍍膜和光刻，節(jié)省了一片玻璃和一次貼合，使觸摸屏能夠做的更薄且成本更低。ITO導電層是在玻璃上利用濺射、蒸發(fā)等多種方法鍍上一層ITO膜加工制作成的。由于ITO是金屬氧化物，通過高溫鍍膜，在導電層橫向和縱向兩個方向上存在內(nèi)應力，因此會影響玻璃的強度，即影響整個觸摸屏的強度。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的是提出一種觸摸屏的制作方法及觸摸屏，以解決現(xiàn)有的觸摸屏幕強度較低的問題。
[0005]一方面，本發(fā)明實施例提供了一種觸摸屏的制作方法，包括:
[0006]基板，在基板上沉積透明導電材料，經(jīng)構(gòu)圖工藝形成中間透明導電層；
[0007]通過刻蝕去除與觸摸屏的虛擬電極對應的中間透明導電層形成圖形透明導電層，以使圖形透明導電層與觸摸屏的觸摸電極對應；
[0008]在圖形透明導電層和露出的基板上形成絕緣層；
[0009]在所述絕緣層和露出的圖形透明導電層上形成金屬導電層，其中所述金屬導電層包括顯示區(qū)域的橋接線。
[0010]進一步的，通過刻蝕去除與觸摸屏的虛擬電極對應的中間透明導電層形成圖形透明導電層，以使圖形透明導電層與觸摸屏的觸摸電極對應，包括:
[0011 ] 通過刻蝕去除顯示區(qū)域中與所述虛擬電極對應的中間透明導電層。
[0012]進一步的，所述圖形透明導電層的面積是所述中間透明導電層的面積的一半。
[0013]進一步的，在所述絕緣層和露出的圖形透明導電層上形成金屬導電層的步驟包括:
[0014]在所述絕緣層和露出的圖形透明導電層上沉積金屬；
[0015]在所述金屬上沉積光阻材料，經(jīng)曝光、顯影和刻蝕工藝形成金屬導電層，并去除光阻材料。
[0016]進一步的，所述金屬導電層還包括焊盤區(qū)域的電路線。
[0017]進一步的，所述透明導電材料為氧化銦錫。
[0018]另一方面，本發(fā)明實施例提供了一種觸摸屏，包括:
[0019]基板；
[0020]圖形透明導電層，形成于所述基板上除與觸摸屏的虛擬電極對應的部分，所述圖形透明導電層與觸摸屏的觸摸電極對應；
[0021]絕緣層，形成于所述圖形透明導電層和露出的基板上；
[0022]金屬導電層，形成于所述絕緣層上，所述金屬導電層包括顯示區(qū)域的橋接線。
[0023]進一步的，所述金屬導電層還包括焊盤區(qū)域的電路線。
[0024]進一步的，所述透明導電材料為氧化銦錫。
[0025]本發(fā)明實施例中提供的一種觸摸屏的制作方法及觸摸屏，能夠增強觸摸屏的強度。本發(fā)明實施例中提供的觸摸屏的制作方法中，通過在基板上形成中間透明導電層后，刻蝕去除所述中間透明導電層中與觸摸屏的虛擬電極對應的部分，以形成圖形透明導電層，隨后，還形成絕緣層和金屬導電層。即發(fā)明本實施例中通過去除虛擬電極對應的透明導電層，減少了觸摸屏中透明導電層的面積，從而減小了透明導電層中的內(nèi)應力，增強了觸摸屏的強度。
【附圖說明】
[0026]圖1為本發(fā)明實施例一提供的一種觸摸屏的制作方法的流程示意圖；
[0027]圖2(a)為本發(fā)明實施例一提供的去除中間透明導電層中與觸摸屏的虛擬電極對應的部分之前的示意圖；
[0028]圖2(b)為本發(fā)明實施例一提供的去除中間透明導電層中與觸摸屏的虛擬電極對應的部分之后的示意圖；
[0029]圖3(a)為本發(fā)明實施例二提供的觸摸屏制作方法中步驟a-f的工藝流程示意圖；
[0030]圖3(b)為本發(fā)明實施例二提供的觸摸屏制作方法中步驟g_k的工藝流程示意圖；
[0031]圖3(c)為本發(fā)明實施例二提供的觸摸屏制作方法中步驟Ι-p的工藝流程示意圖；
[0032]圖4為本發(fā)明實施例三提供的一種觸摸屏的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0033]下面結(jié)合附圖并通過【具體實施方式】來進一步說明本發(fā)明的技術(shù)方案。可以理解的是，此處所描述的具體實施例僅僅用于解釋本發(fā)明，而非對本發(fā)明的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本發(fā)明相關的部分而非全部結(jié)構(gòu)。
[0034]實施例一
[0035]圖1為本發(fā)明實施例一提供的一種觸摸屏的制作方法的流程示意圖，如圖1所示，該方法包括:
[0036]步驟101、在基板上沉積透明導電材料，采用構(gòu)圖工藝形成中間透明導電層。
[0037]示例性的，所述基板可為保護玻璃，具體為鈉鈣基或硅硼基基片玻璃；所述透明導電材料可為氧化銦錫(Indium-Tin Oxide, ITO)?？刹捎脼R射或蒸發(fā)等工藝在保護玻璃上沉積ITO材料形成透明導電薄膜。所述構(gòu)圖工藝具體可為光刻工藝，即包括涂膠(光阻材料)、曝光、顯影、刻蝕以及去膠等步驟。所述中間透明導電層具體可為按照一定規(guī)律排列的多個菱形或其他形狀組成的透明導電層。
[0038]步驟102、通過刻蝕去除中間透明導電層中與觸摸屏的虛擬電極對應的部分，以形成圖形透明導電層。
[0039]由于ITO是金屬氧化物，通過高溫鍍膜，在橫向或縱向(X/Y方向)上存在內(nèi)應力，因此會影響基板的強度，即影響整個觸摸屏的強度。由于ITO薄膜的厚度很薄，在厚度方向的內(nèi)應力相對比較小，可忽略不計；而ITO薄膜的面積大小會影響內(nèi)應力的大小，進而影響保護玻璃的強度，因此ITO薄膜面積越小，作用在保護玻璃上的內(nèi)應力就越小，強度也會越好。
[0040]觸摸屏上存在一些虛擬電極(dummy區(qū)域)，一般被設置于接收線(RX線)或發(fā)送線(TX線)的附近區(qū)域，將中間透明導電層中的與這些虛擬電極對應的部分去除，便可減小ITO薄膜的面積，以減小作用在保護玻璃上的內(nèi)應力，進而增強保護玻璃的強度。圖2a和圖2b為本發(fā)明實施例一提供的去除中間透明導電層中與觸摸屏的虛擬電極對應的部分的前后對比示意圖，由圖可見，圖2a中與觸摸屏的虛擬電極對應的部分201被去除后，在圖2b中露出了與之對應的部分基板202，大大減小了 ITO薄膜的面積。
[0041]優(yōu)選的，圖形透明導電層的面積是中間透明導電層的面積的一半。
[0042]示例性的，去除中間透明導電層中與觸摸屏的虛擬電極對應的部分的方法具體可為再次采用構(gòu)圖工藝對中間透明導電層進行刻蝕，從而形成圖形透明導電層。本步驟中的構(gòu)圖工藝與步驟101中所述的構(gòu)圖工藝的區(qū)別在于曝光時所采用的掩膜版的圖案不同。
[0043]優(yōu)選的，通過刻蝕去除中間透明導電層中與觸摸屏的虛擬電極對應的部分，以形成圖形透明導電層，包括:通過刻蝕去除顯示區(qū)域中與虛擬電極對應的中間透明導電層。
[0044]進一步的，也可制備出一種同時包含用于形成中間透明導電層所需圖案以及用于形成圖形透明導電層所需圖案的掩膜版，通過使用該掩膜版來進行一次構(gòu)圖工藝以達到直接形成圖形透明導電層的目的。
[0045]步驟103、在圖形透明導電層和露出的基板上形成絕緣層。
[0046]示例性的，所述絕緣層的材料具體可為氮化硅、具有絕緣特性的光阻材料以及其他有機絕緣材料等。若采用光阻材料，則可經(jīng)過上光阻材料、曝光和顯影之后，將留下的光阻