一種多晶硅錠的質(zhì)量判定方法
【專利說明】-種多晶括錠的質(zhì)量判定方法 (-)技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明屬于光伏太陽能產(chǎn)品檢測(cè)技術(shù)領(lǐng)域，特別設(shè)及一種太陽能級(jí)多晶娃錠的質(zhì) 量判定方法。 (二）【背景技術(shù)】
[0002] 太陽能級(jí)多晶娃錠的質(zhì)量在制作電池片之前，僅通過檢測(cè)娃塊的平均電阻率及平 均少子壽命的數(shù)值進(jìn)行質(zhì)量初步判定，但是未考慮晶體生長形貌及晶體缺陷對(duì)質(zhì)量的影 響。若將娃塊的質(zhì)量判定交由現(xiàn)場(chǎng)的檢測(cè)人員肉眼判斷，該種判別方法明顯受檢測(cè)人員的 經(jīng)驗(yàn)差別不同而不同，且存在判定標(biāo)準(zhǔn)無數(shù)據(jù)化的缺陷，必然導(dǎo)致質(zhì)量判定效率低和判定 不準(zhǔn)的問題。該樣采用該種判定等級(jí)的多晶娃錠在給相應(yīng)廠家用于制作電池片時(shí)，制作效 果及電池片質(zhì)量往往與上述方法判定等級(jí)的多晶娃錠所應(yīng)制得的電池片質(zhì)量出現(xiàn)偏差，增 大了廠家采購失誤率，于是出現(xiàn)電池片廠家對(duì)采購的多晶娃錠進(jìn)行退貨的情況，導(dǎo)致多晶 娃錠的生產(chǎn)方非常被動(dòng)，造成很大的人力、物力和財(cái)力損失。 (H)
【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 為了彌補(bǔ)現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提供了一種太陽能級(jí)多晶娃錠的質(zhì)量判定方 法，可根據(jù)少子壽命掃描數(shù)據(jù)快速、準(zhǔn)確的計(jì)算出娃塊的最終綜合質(zhì)量分?jǐn)?shù)并進(jìn)行質(zhì)量評(píng) 價(jià)，可直觀的將產(chǎn)品質(zhì)量進(jìn)行量化判定及管理，適用于多晶娃錠產(chǎn)品質(zhì)量精確分檔，對(duì)多晶 娃錠效率預(yù)估提供指導(dǎo)意義；該種質(zhì)量判定方法用于判定多晶娃錠的質(zhì)量等級(jí)可靠、準(zhǔn)確， 所判定的各等級(jí)多晶娃錠能為電池片生產(chǎn)廠家制作電池片時(shí)提供質(zhì)量保障，降低多晶娃錠 產(chǎn)品采購失誤率，使多晶娃錠的供貨商更主動(dòng)，避免了人力、物力和財(cái)力損失。
[0004] 本發(fā)明是通過如下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的：
[0005] 一種多晶娃錠的質(zhì)量判定方法，包括W下操作步驟：
[0006] (1)將多晶娃錠開方加工成含多晶娃錠的中部、邊部和角部不同分區(qū)的多晶娃 塊；
[0007] (2)采用微波光電導(dǎo)衰減少子壽命掃描儀對(duì)步驟（1)的多晶娃塊進(jìn)行表面掃描檢 測(cè)；
[000引 （3)采集、處理步驟（2)掃描檢測(cè)所得數(shù)據(jù)，計(jì)算得到娃塊少子壽命因子、娃塊少 子壽命標(biāo)準(zhǔn)差因子、娃塊較低少子壽命比例因子和娃塊底部較低少子壽命的比例因子；
[0009] (4)將步驟（3)得到的各數(shù)據(jù)因子帶入如下計(jì)算公式，計(jì)算質(zhì)量分?jǐn)?shù)：
[0010] F狂）=XiX18%+X2X2O%+X3X4O%+X4X22%
[0011] 式中；Xi為娃塊少子壽命因子；X2為娃塊少子壽命標(biāo)準(zhǔn)差因子；X3為娃塊較低少子 壽命比例因子；X4為底部較低少子壽命比例因子；
[0012] (5)考慮娃錠邊緣雜質(zhì)區(qū)域的影響，用步驟（4)計(jì)算得出的娃塊質(zhì)量分?jǐn)?shù)F00乘 W娃塊所處多晶娃錠中相應(yīng)各分區(qū)的參數(shù)得到最終綜合質(zhì)量分?jǐn)?shù)；
[0013] 所述各分區(qū)的參數(shù)為：處于多晶娃錠中部的娃塊的分區(qū)參數(shù)為1 ;處于多晶娃 錠邊部娃塊的分區(qū)參數(shù)為0. 95-0. 97中的任意值；處于多晶娃錠角部娃塊的分區(qū)參數(shù)為 0.7-0. 81中的任意值；
[0014] (6)根據(jù)步驟（5)最終綜合質(zhì)量分?jǐn)?shù)對(duì)娃塊質(zhì)量進(jìn)行判定分檔。
[0015] 步驟（2)微波光電導(dǎo)衰減少子壽命掃描儀器的工作參數(shù)為：光柵范圍2-4mm，敏 感度50-100mV，探頭高度1. 5-2. 5mm，微波頻率依據(jù)Autosetting取值或固定頻率大于 10. 2細(xì)Z。
[0016] 步驟（3)所述娃塊少子壽命因子為娃塊頭部、娃塊尾部少子壽命不合格區(qū)域和娃 塊少子壽命有效區(qū)域的少子壽命的平均值X娃塊少子壽命有效區(qū)域的少子壽命平均值的 倒數(shù)X常數(shù)的乘積，所述常數(shù)為0. 1-1。
[0017] 所述少子壽命不合格區(qū)域?yàn)樯僮訅勖秶鸀?-3US的區(qū)域。
[001引步驟（3)所述娃塊少子壽命標(biāo)準(zhǔn)差因子為低于娃塊少子壽命有效區(qū)域少子壽命 平均值的少子壽命的標(biāo)準(zhǔn)差的倒數(shù)與一常數(shù)的乘積，所述常數(shù)為10-20。
[0019] 步驟（3)所述娃塊較低少子壽命比例因子為低于娃塊少子壽命有效區(qū)域少子壽 命平均值的少子壽命所占比例的倒數(shù)與一常數(shù)的乘積，所述常數(shù)為35-45。
[0020] 步驟（3)所述娃塊底部較低少子壽命的比例因子為較娃塊底部100-150mm范圍內(nèi) 少子壽命低的少子壽命所占比例的倒數(shù)與一常數(shù)的乘積，所述常數(shù)為35-45。
[0021] 步驟（6)所述判定依據(jù)為；最終綜合質(zhì)量分?jǐn)?shù)> 0. 9的娃塊質(zhì)量判定為A級(jí)；最 終綜合質(zhì)量分?jǐn)?shù)> 0. 8且< 0. 9的娃塊質(zhì)量判定為B級(jí)；最終綜合質(zhì)量分?jǐn)?shù)> 0. 75且小于 0. 8的娃塊質(zhì)量判定為C級(jí)；最終綜合質(zhì)量分?jǐn)?shù)< 0. 75的娃塊質(zhì)量判定為D級(jí)。
[0022] 本發(fā)明的一種多晶娃錠的質(zhì)量判定方法，可根據(jù)少子壽命掃描數(shù)據(jù)快速、準(zhǔn)確的 計(jì)算出娃塊的最終綜合質(zhì)量分?jǐn)?shù)并進(jìn)行質(zhì)量評(píng)價(jià)，可直觀的將產(chǎn)品質(zhì)量進(jìn)行量化判定及管 理，用于多晶娃錠產(chǎn)品質(zhì)量精確分檔，對(duì)多晶娃錠效率預(yù)估提供指導(dǎo)意義；該種質(zhì)量判定方 法用于判定多晶娃錠的等級(jí)可靠、準(zhǔn)確，所判定的各等級(jí)多晶娃錠能為電池片生產(chǎn)廠家制 作的電池片質(zhì)量提供保障，降低產(chǎn)品采購的失誤率，避免了根據(jù)現(xiàn)有判定方法采購的多晶 娃錠用于電池片制作時(shí)出現(xiàn)的與其質(zhì)量不符的情況出現(xiàn)，使多晶娃錠的供貨商更主動(dòng)，避 免了人力、物力和財(cái)力損失。 (四）
【附圖說明】
[0023] 圖1為本發(fā)明多晶娃錠的質(zhì)量判定方法的流程圖。 (五）
【具體實(shí)施方式】
[0024] 下面結(jié)合附圖及具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說明，但本發(fā)明并不局限于此。
[00巧]實(shí)施例1
[0026] 一種多晶娃錠的質(zhì)量判定方法，包括如下操作步驟；
[0027] (1)將多晶娃錠按照標(biāo)準(zhǔn)尺寸要求進(jìn)行開方機(jī)加工，開方成含多晶娃錠的中部、邊 部和角部等不同分區(qū)的多晶小方錠，即娃塊。
[002引 （2)使用Semil油WT2000系列微波光電導(dǎo)衰減少子壽命檢測(cè)儀器對(duì)多晶娃錠中 部的娃塊進(jìn)行少子壽命掃描，設(shè)定掃描光柵為2mm，敏感度50mV，娃塊尺寸8英寸，探頭掃描 高度2mm，掃描頻率依據(jù)Autosetting值。
[0029] (3)采集并按W下計(jì)算處理掃描數(shù)據(jù)得少子壽命因子XI、娃塊少子壽命標(biāo)準(zhǔn)差因 子X2、娃塊較低少子壽命比例因子X3和娃塊底部較低少子壽命的比例因子X4 :
[0030] 少子壽命因子XI為娃塊頭部、娃塊尾部少子壽命〇-3us區(qū)域和娃塊少子壽命有效 區(qū)域的少子壽命的平均值X娃塊少子壽命有效區(qū)域少子壽命平均值的倒數(shù)X常數(shù)0. 7的 乘積；
[0031] 少子壽命標(biāo)準(zhǔn)差因子X2為低于娃塊少子壽命有效區(qū)域少子壽命平均值的少子壽 命的標(biāo)準(zhǔn)差取倒數(shù)后與一常數(shù)10的乘積；
[0032] 較低少子壽命比例因子X3為低于娃塊少子壽命有效區(qū)域少子壽命平均值的少子 壽命占全部少子壽命的比例取倒數(shù)后與常數(shù)35的乘積；
[0033] 底部較低少子壽命的比例因子X4為較娃塊底部100-150mm范圍內(nèi)少子壽命低的 少子壽命占全部少子壽命的比例取倒數(shù)后與常數(shù)45的乘積。
[0034] 任取3個(gè)多晶娃錠中部的娃塊，掃描并采集數(shù)據(jù)如下：
[0035]
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種多晶硅錠的質(zhì)量判定方法，其特征是：包括以下操作步驟： (1) 將多晶硅錠開方加工成含多晶硅錠的中部、邊部和角部不同分區(qū)的多晶硅塊； (2) 采用微波光電導(dǎo)衰減少子壽命掃描儀對(duì)步驟（1)的多晶硅塊進(jìn)行表面掃描檢測(cè)； (3) 采集、處理步驟（2)掃描檢測(cè)所得數(shù)據(jù)，計(jì)算得到硅塊少子壽命因子、硅塊少子壽 命標(biāo)準(zhǔn)差因子、硅塊較低少子壽命比例因子和硅塊底部較低少子壽命的比例因子； (4) 將步驟（3)得到的各數(shù)據(jù)因子帶入如下計(jì)算公式，計(jì)算質(zhì)量分?jǐn)?shù)： F(X) = X1X 18% +X2X20% +X3X40% +X4X22% 式中％為硅塊少子壽命因子；X2S硅塊少子壽命標(biāo)準(zhǔn)差因子；X3為硅塊較低少子壽命 比例因子；X4為底部較低少子壽命比例因子； (5) 考慮硅錠邊緣雜質(zhì)區(qū)域的影響，用步驟⑷計(jì)算得出的硅塊質(zhì)量分?jǐn)?shù)F(X)乘以硅 塊所處多晶硅錠中相應(yīng)各分區(qū)的參數(shù)得到最終綜合質(zhì)量分?jǐn)?shù)； 所述各分區(qū)的參數(shù)為：處于多晶硅錠中部的硅塊的分區(qū)參數(shù)為1 ;處于多晶硅錠邊部 硅塊的分區(qū)參數(shù)為0. 95-0. 97中的任意值；處于多晶硅錠角部硅塊的分區(qū)參數(shù)為0. 7-0. 81 的任意值； (6) 根據(jù)步驟（5)最終綜合質(zhì)量分?jǐn)?shù)對(duì)硅塊質(zhì)量進(jìn)行判定分檔。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多晶硅錠的質(zhì)量判定方法，其特征是：步驟（2)微波光 電導(dǎo)衰減少子壽命掃描儀器的工作參數(shù)為：光柵范圍2-4_，敏感度50-100mV，探頭高度 L 5-2. 5mm，微波頻率依據(jù)Auto setting取值或固定頻率大于10. 2GHz。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多晶硅錠的質(zhì)量判定方法，其特征是：步驟（3)所述硅 塊少子壽命因子為硅塊頭部、硅塊尾部少子壽命不合格區(qū)域和硅塊少子壽命有效區(qū)域的少 子壽命的平均值X硅塊少子壽命有效區(qū)域的少子壽命平均值的倒數(shù)X常數(shù)的乘積，所述 常數(shù)為〇. 1-1。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種多晶硅錠的質(zhì)量判定方法，其特征是：所述少子壽命不 合格區(qū)域?yàn)樯僮訅勖秶鸀椹?3us的區(qū)域。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多晶硅錠的質(zhì)量判定方法，其特征是：步驟（3)所述硅 塊少子壽命標(biāo)準(zhǔn)差因子為低于硅塊少子壽命有效區(qū)域少子壽命平均值的少子壽命的標(biāo)準(zhǔn) 差的倒數(shù)與一常數(shù)的乘積，所述常數(shù)為10-20。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多晶硅錠的質(zhì)量判定方法，其特征是：步驟（3)所述硅 塊較低少子壽命比例因子為低于硅塊少子壽命有效區(qū)域少子壽命平均值的少子壽命所占 比例的倒數(shù)與一常數(shù)的乘積，所述常數(shù)為35-45。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多晶硅錠的質(zhì)量判定方法，其特征是：步驟（3)所述硅 塊底部較低少子壽命的比例因子為較硅塊底部100-150_范圍內(nèi)少子壽命低的少子壽命 所占比例的倒數(shù)與一常數(shù)的乘積，所述常數(shù)為35-45。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多晶硅錠的質(zhì)量判定方法，其特征是：步驟（6)所述判 定依據(jù)為：最終綜合質(zhì)量分?jǐn)?shù)多0. 9的硅塊質(zhì)量判定為A級(jí)；最終綜合質(zhì)量分?jǐn)?shù)多0. 8且 < 0. 9的硅塊質(zhì)量判定為B級(jí)；最終綜合質(zhì)量分?jǐn)?shù)彡0. 75且小于0. 8的硅塊質(zhì)量判定為C 級(jí)；最終綜合質(zhì)量分?jǐn)?shù)< 〇. 75的娃塊質(zhì)量判定為D級(jí)。
【專利摘要】本發(fā)明屬于光伏太陽能產(chǎn)品檢測(cè)技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種多晶硅錠的質(zhì)量判定方法。該多晶硅錠的質(zhì)量判定方法包括(1)將多晶硅錠開方成硅塊；(2)對(duì)硅塊表面進(jìn)行少子壽命掃描；(3)采集、處理掃描數(shù)據(jù)；(4)帶入特定公式計(jì)算質(zhì)量分?jǐn)?shù)；(5)考慮硅錠邊緣雜質(zhì)區(qū)域影響引入分區(qū)參數(shù)計(jì)算最終綜合質(zhì)量分?jǐn)?shù)；(6)對(duì)硅塊質(zhì)量進(jìn)行判定分檔。該多晶硅錠的質(zhì)量判定方法可快速、準(zhǔn)確的計(jì)算硅塊最終綜合質(zhì)量分?jǐn)?shù)并進(jìn)行質(zhì)量評(píng)價(jià)，直觀的將產(chǎn)品質(zhì)量進(jìn)行量化判定及管理，適用于多晶硅錠產(chǎn)品質(zhì)量精確分檔，對(duì)多晶硅錠效率預(yù)估提供指導(dǎo)意義，降低產(chǎn)品采購的失誤率。
【IPC分類】G06Q10-06
【公開號(hào)】CN104866975
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510293032
【發(fā)明人】陳文杰, 甘大源, 唐珊珊, 劉智, 劉 東
【申請(qǐng)人】山東大海新能源發(fā)展有限公司
【公開日】2015年8月26日
【申請(qǐng)日】2015年6月1日