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形成絕緣層的方法以及使用該方法制備的觸摸屏的制作方法_4

文檔序號(hào):9204204閱讀:來源:國知局
的狀態(tài)下)上形成第一圖案,使之具有點(diǎn)形形狀。此處,在第一圖案的形成中,第一圖案的點(diǎn)的直徑為170μπι,第一圖案的節(jié)距為255 μπι,是第一圖案的點(diǎn)的直徑的1.5倍。隨后,在形成為第一圖案的絕緣組合物固化之前,在基板被加熱至60°C的狀態(tài)下形成第二圖案,使之具有點(diǎn)形形狀。第二圖案的點(diǎn)的直徑和節(jié)距與第一圖案的點(diǎn)的直徑和節(jié)距相同。然后,使用烘箱在150°C下對其進(jìn)行固化工藝,持續(xù)15分鐘。
[0087]實(shí)驗(yàn)實(shí)施例
[0088]絕緣層剖面形狀的測量
[0089]使用三維形狀測量裝置測量實(shí)施方案I和對比實(shí)施例1至3中形成的絕緣層的水平剖面形狀和垂直剖面形狀。測量結(jié)果如圖4A至圖7B所示。
[0090]圖4A、5A、6A和7A示出絕緣層的水平剖面的形狀,圖4B、5B、6B和7B示出絕緣層的垂直剖面形狀。圖4A、5A、6A和7A中右方的參考柱圖指絕緣層的高度,著紅色的部分指相對高側(cè),藍(lán)色的部分指相對低側(cè)。
[0091]參見示出實(shí)施方案I的絕緣層的水平剖面形狀的圖4A,其上示出整體上均勻的綠色,參見示出實(shí)施方案I的絕緣層的垂直剖面形狀的圖4B,可以看出其表現(xiàn)出凸面形狀。
[0092]與此種情況相比較,參見示出對比實(shí)施例1至3的絕緣層的水平剖面形狀的圖5A、6A和7A,由于絕緣層的邊緣部分示出為紅色,其中心部分示出為藍(lán)色,能夠看出其邊緣部分的高度高于其中心部分的高度。此外,參見示出對比實(shí)施例1至3的絕緣層的垂直剖面形狀的圖5B、4B和7B,能夠看出其表現(xiàn)出凹面形狀。
[0093]例如,就根據(jù)實(shí)施方案I形成的絕緣層(根據(jù)本公開的示例性實(shí)施方案形成絕緣層的方法而形成)而言,可以避免咖啡環(huán)現(xiàn)象,絕緣層的厚度可以是均勻的,絕緣組合物可以穩(wěn)定地形成圖案。
[0094]然而,就對比實(shí)施例1 (進(jìn)行一次圖案成型)的絕緣層而言,發(fā)生了絕緣層厚度不均勻的咖啡環(huán)現(xiàn)象。此外,就根據(jù)對比實(shí)施例2形成的絕緣層而言,其中基板的加熱溫度比實(shí)施方案I的溫度高,在進(jìn)行一次圖案成型工藝的同時(shí),干燥加速,而迅速提高圖案邊緣部分的高度,從而導(dǎo)致與對比實(shí)施例1相比更嚴(yán)重的咖啡環(huán)現(xiàn)象。此外,就根據(jù)對比實(shí)施例3形成的絕緣層而言,可以看出在整個(gè)區(qū)域發(fā)生了更高程度的咖啡環(huán)現(xiàn)象。
[0095]測定圖案成型時(shí)是否存在絕緣組合物的流出
[0096]使用根據(jù)實(shí)施方案I和對比實(shí)施例1至3制備的絕緣組合物,在室溫下通過噴墨頭在金屬網(wǎng)基板上形成絕緣層,然后,10秒鐘之后,在基板前方使用電荷耦合裝置(CCD)照相機(jī)(Sony制造)測量是否發(fā)生絕緣組合物的流出。
[0097]在實(shí)施方案I和對比實(shí)施例2和3的情況下,未觀察到絕緣組合物由銅網(wǎng)基板流出的現(xiàn)象。然而,在對比實(shí)施例1的情況下,油墨的干燥延遲,如圖8所示,觀察到了絕緣組合物由銅網(wǎng)基板流出的現(xiàn)象。
[0098]盡管給出并說明了示例性實(shí)施方案,對本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說,在不背離所附權(quán)利要求書所限定的本公開的精神和范圍的條件下,可以進(jìn)行多種修改和變化。
[0099][附圖標(biāo)記]
[0100]20:導(dǎo)電圖案
[0101]30:絕緣層
[0102]40:橋電極
[0103]100:圖案為點(diǎn)形形狀時(shí)第一圖案的節(jié)距
[0104]200:圖案為點(diǎn)形形狀時(shí)第二圖案的節(jié)距
[0105]300:點(diǎn)形形狀的直徑
[0106]400:圖案為線形形狀時(shí)第一圖案的節(jié)距
[0107]500:圖案為線形形狀時(shí)第二圖案的節(jié)距
[0108]600:線形形狀的寬度
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種使觸摸屏的導(dǎo)電圖案與所述觸摸屏的橋電極絕緣的絕緣層的形成方法,所述方法包括: 加熱基板,在該基板上形成有導(dǎo)電圖案; 使用絕緣組合物在所述經(jīng)加熱了的基板上依次形成第一圖案和第二圖案;以及 固化所述第一圖案和第二圖案。 其中,所述第一圖案包括溝槽部分,以防止相鄰的圖案彼此重疊,第二圖案在所述第一圖案的溝槽部分中形成。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中在40°C至80°C的溫度下對所述基板進(jìn)行加熱。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中所述第一圖案的節(jié)距為200μπι至400 μπι。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中所述第二圖案的節(jié)距為所述第一圖案的節(jié)距的0.5至I倍。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中所述第一圖案和第二圖案的形成通過噴墨印刷使用噴射所述絕緣組合物液滴的方案而進(jìn)行。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法,其中,使用噴射的液滴形成的第一圖案和第二圖案具有點(diǎn)形形狀或線形形狀。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其中,當(dāng)所述第一圖案具有點(diǎn)形形狀時(shí),該第一圖案的點(diǎn)的尺寸為第一圖案的節(jié)距的0.8至I倍。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,其中,當(dāng)所述第二圖案具有點(diǎn)形形狀時(shí),該第二圖案的點(diǎn)的尺寸為所述第一圖案的點(diǎn)的尺寸的0.5至I倍。9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其中,當(dāng)所述第一圖案具有線形形狀時(shí),該第一圖案的線寬為第一圖案的節(jié)距的0.8至I倍。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法,其中,當(dāng)所述第二圖案具有線形形狀時(shí),該第二圖案的線寬為所述第一圖案的線寬的0.5至I倍。11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述導(dǎo)電圖案使用金屬網(wǎng)形成。12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述絕緣組合物包含酚醛清漆型環(huán)氧樹脂、沸點(diǎn)為170°C以上的高沸點(diǎn)溶劑、沸點(diǎn)范圍為100°C以上并低于170°C的低沸點(diǎn)溶劑和固化劑。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法,其中,所述絕緣組合物包含: 100重量份的酚醛清漆型環(huán)氧樹脂; 80至570重量份的溶劑;以及 I至10重量份的固化劑, 其中,所述高沸點(diǎn)溶劑與低沸點(diǎn)溶劑的重量比為85-99:1-15。14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法,其中,所述酚醛清漆型環(huán)氧樹脂為苯酚酚醛清漆型環(huán)氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環(huán)氧樹脂或雙酚A (BPA)-酚醛清漆型環(huán)氧樹脂。15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法,其中,所述固化劑為咪唑類固化劑。16.一種絕緣層,使用權(quán)利要求1至15中任一項(xiàng)所述的形成絕緣層的方法形成,其在垂直剖面上具有凸面形狀。17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的絕緣層,其中,在所述絕緣層中,所述垂直剖面的中心部分和該垂直剖面的邊緣部分之間的厚度差為50nm至150nm。18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的絕緣層,其中,所述絕緣層的厚度為10nm至2μπι。19.一種觸摸屏,包括基板、形成于所述基板上的導(dǎo)電圖案、形成于所述導(dǎo)電圖案上的橋電極、以及插入所述導(dǎo)電圖案和橋電極之間以使橋電極和導(dǎo)電圖案絕緣的絕緣層,所述觸摸屏的特征在于:所述絕緣層使用權(quán)利要求1至15中任一項(xiàng)所述的形成絕緣層的方法而形成,并在其垂直剖面上具有凸面形狀。20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的觸摸屏,其中,在所述絕緣層的垂直剖面上,該垂直剖面的中心部分和邊緣部分之間的厚度差在50nm至150nm的范圍內(nèi)。21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的絕緣層,其中,所述絕緣層的厚度為10nm至2μπι。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種絕緣層的形成方法,以及包括使用所述方法形成的絕緣層的觸摸屏。使觸摸屏的導(dǎo)電圖案與其橋電極絕緣的絕緣層的形成方法包括:加熱具有形成于其上的導(dǎo)電圖案的基板,使用絕緣組合物在經(jīng)加熱了的基板上依次形成第一圖案和第二圖案,并固化第一圖案和第二圖案。第一圖案包括溝槽部分,以防止相鄰圖案彼此重疊,第二圖案在第一圖案的溝槽部分中形成。
【IPC分類】G06F3/041
【公開號(hào)】CN104919405
【申請?zhí)枴緾N201480000894
【發(fā)明人】俞在賢, 金美經(jīng), 金俊衡
【申請人】Lg化學(xué)株式會(huì)社
【公開日】2015年9月16日
【申請日】2014年6月3日
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