非揮發(fā)性記憶體的二進(jìn)制數(shù)據(jù)保護(hù)方法及其裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及非揮發(fā)性記憶體(non-volatile memory)的二進(jìn)制數(shù)據(jù)的保護(hù)，更具體的，本發(fā)明涉及對待儲存在非揮發(fā)性記憶體的程序代碼，利用程序代碼的二進(jìn)制模式、與非揮發(fā)性記憶體相關(guān)的固有信息、乃至用戶信息和時間/日期信息等信息進(jìn)行加密，由此可以提高非揮發(fā)性記憶體的二進(jìn)制數(shù)據(jù)保護(hù)水平的非揮發(fā)性記憶體的二進(jìn)制數(shù)據(jù)保護(hù)方法及其裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]快閃記憶體是非揮發(fā)性，這是指快閃記憶體在保持芯片(chip)的信息以不需要電力的方式在半導(dǎo)體儲存信息?？扉W記憶體將信息儲存在分別儲存I位元以上的所謂“單元(cell)，，的晶體管陣列(array)上。記憶體單元基于FAMOS (Floating-GateAvalanche-1nject1n Metal Oxide Sem1-conductor)晶體管，且 FAMOS 晶體管本質(zhì)上是柵極和源極/漏極端子之間具有懸浮(suspended)附加導(dǎo)體(conductor)的CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) FET (Field Effect Transistor)。目前的快閃記憶體裝置是由兩個基本的陣列結(jié)構(gòu)形成。指示NOR閃存及NAND閃存邏輯(logic)類型的名稱在存儲單元陣列(storage cell array)使用。
[0003]閃存單元只是除了 2個柵極替代I個柵極以外與標(biāo)準(zhǔn)MOSFET晶體管類似。一個柵極是與其它MOS晶體管中的控制柵極(control gate, CG)相同，另一個柵極是由氧化層絕緣其全部周圍的浮置柵極(floating gate，F(xiàn)G)。由于FG被其氧化層絕緣，放置在其上的任何電子被困(trapped)在此，從而存儲信息。
[0004]當(dāng)電子被困在FG上時，這些修改(部分抵消)來自CG的電場，即修改單元的閾值電壓(Vt)。由此，將CG變成特定的電壓，從而單元被“判讀”時，根據(jù)單元的Vt，在其單元的源極和漏極的連接之間流過電流或沒有電流。檢測到這種電流的存在或不存在可以轉(zhuǎn)變成‘I’或‘0’，這樣讀取存儲的數(shù)據(jù)。
[0005]如上述快閃記憶體等的非揮發(fā)性記憶體上儲存制造公司固有的程序，使用為特定控制的目的，而且為了防止這種程序的非法流出而使用密碼，以便不知道密碼就不能使用正確的程序。
[0006]現(xiàn)有非揮發(fā)性記憶體的讀取防止電路是對具有特定程序的密碼部的數(shù)據(jù)和非揮發(fā)性記憶體單元部的數(shù)據(jù)進(jìn)行異或非門(XN0R, exclusive NOR)組合，以防止其他人非法使用非揮發(fā)性記憶體的程序內(nèi)容，但是若非揮發(fā)性記憶體單元的尚未編程的單元個數(shù)比密碼部的單元個數(shù)多時，記憶體單元的尚未編程的單元數(shù)據(jù)和密碼部的數(shù)據(jù)通過異或非門組合的值變得與密碼部的數(shù)據(jù)相同，從而對其他人容易泄露密碼部的數(shù)據(jù)，具有非法流出在非揮發(fā)性記憶體存儲程序的問題。
[0007]因此，掀起需要能防止非法流出在非揮發(fā)性記憶體存儲程序的構(gòu)成。為了防止非法流出在非揮發(fā)性記憶體存儲程序而開發(fā)的先行技術(shù)，曾提出有韓國注冊專利第10-0258861號“非揮發(fā)性記憶體的讀取防止電路”。
[0008]所述先行技術(shù)涉及，將根據(jù)密碼權(quán)重?cái)?shù)位(scramble weight bit)所施加的地址信號和實(shí)際記憶體的地址不同的變形，以便適合于使他人不能讀取非揮發(fā)性記憶體程序的非揮發(fā)性記憶體的讀取防止電路，防止密碼泄露以防止程序的非法流出。
[0009]S卩，先行技術(shù)是用于防止密碼泄露的，相同的程序被加密儲存在非揮發(fā)性記憶體時，因?yàn)榧用軆Υ娴臄?shù)據(jù)均相同，通過反復(fù)分析加密的模式，就存在可以推斷加密算法和密碼的可能性，因此對相同的程序加密時，利用相異的加密密鑰來加密，從而涌現(xiàn)能防止程序流出的構(gòu)成的必要性。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]本發(fā)明是要解決如上所述的現(xiàn)有技術(shù)的問題而提出的，其目的是提供，在非揮發(fā)性記憶體儲存相同的程序代碼時，利用程序代碼得二進(jìn)制模式、與非揮發(fā)性記憶體相關(guān)的固有信息、乃至用戶信息及時間/日期信息等進(jìn)行加密，由此可以提高非揮發(fā)性記憶體的二進(jìn)制數(shù)據(jù)保護(hù)水平的非揮發(fā)性記憶體的二進(jìn)制數(shù)據(jù)保護(hù)方法及其裝置。
[0011]而且，本發(fā)明的目的是提供，在各非揮發(fā)性記憶體對程序代碼進(jìn)行相異的加密而儲存，由此不使用復(fù)雜的加密硬件，亦可以對程序代碼在各記憶體進(jìn)行適應(yīng)性(adaptive)加密的非揮發(fā)性記憶體的二進(jìn)制數(shù)據(jù)保護(hù)方法及其裝置。
[0012]為了完成如上所述的目的，根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的非揮發(fā)性記憶體的二進(jìn)制數(shù)據(jù)保護(hù)方法包含:接收程序代碼的步驟；分析所述接收的所述程序代碼，檢測構(gòu)成所述程序代碼的二進(jìn)制數(shù)據(jù)的二進(jìn)制模式的步驟；基于所述檢測的所述二進(jìn)制模式，產(chǎn)生相當(dāng)于所述二進(jìn)制模式的固有模式信息的步驟；利用所述產(chǎn)生的所述固有模式信息，對所述程序代碼進(jìn)行加密的步驟；以及在記憶體儲存所述加密的所述程序代碼的步驟。
[0013]所述加密步驟中，還可以考慮所述記憶體的制造固有信息和所述記憶體的芯片固有信息中的至少一個，對所述程序代碼進(jìn)行加密，或還可以考慮用戶信息和時間或日期信息中的至少一個，對所述程序代碼進(jìn)行加密。
[0014]而且，根據(jù)本發(fā)明的方法還可以包含:對儲存在所述記憶體的所述加密的所述程序代碼，利用所述固有模式信息進(jìn)行解密的步驟；以及讀取所述解密的所述程序代碼的步驟。
[0015]還有，根據(jù)本發(fā)明的方法還可以包含在預(yù)先決定的儲存區(qū)域儲存所述產(chǎn)生的所述固有模式信息的步驟，所述解密步驟是，利用所述儲存的所述固有模式信息，對所述加密的所述程序代碼進(jìn)行解密。
[0016]再有，根據(jù)本發(fā)明的方法還可以包含將所述接收的所述程序代碼的數(shù)據(jù)區(qū)域分割成多個區(qū)域的步驟，所述檢測步驟是對所述分割的所述多個區(qū)域的數(shù)據(jù)分別檢測數(shù)據(jù)模式，所述產(chǎn)生步驟是根據(jù)所述檢測的所述數(shù)據(jù)模式，對所述多個區(qū)域的數(shù)據(jù)分別產(chǎn)生固有數(shù)據(jù)模式信息，所述加密步驟是利用所述產(chǎn)生的所述固有數(shù)據(jù)模式信息，對每個所述多個區(qū)域的數(shù)據(jù)進(jìn)行加密。
[0017]乃至，根據(jù)本發(fā)明的方法還可以包含將所述接收的所述程序代碼的數(shù)據(jù)區(qū)域分割成多個區(qū)域的步驟，所述檢測步驟是對所述分割的所述多個區(qū)域的數(shù)據(jù)分別檢測數(shù)據(jù)模式，并利用所述檢測的所述數(shù)據(jù)模式檢測所述二進(jìn)制模式。
[0018]根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的非揮發(fā)性記憶體的二進(jìn)制數(shù)據(jù)保護(hù)裝置包含:接收部，接收程序代碼；檢測部，分析所述接收的所述程序代碼，并檢測構(gòu)成所述程序代碼的二進(jìn)制數(shù)據(jù)的二進(jìn)制模式；產(chǎn)生部，根據(jù)所述檢測的所述二進(jìn)制模式，產(chǎn)生相當(dāng)于所述二進(jìn)制模式的固有模式信息；加密部，將所述產(chǎn)生的所述固有模式信息作為密鑰值，對所述程序代碼進(jìn)行加密；以及儲存部，在記憶體儲存所述加密的所述程序代碼。
[0019]根據(jù)本發(fā)明，將相同的程序代碼儲存在各非揮發(fā)性記憶體時，對程序代碼進(jìn)行適應(yīng)性(adaptive)加密而儲存，由此可以提高非揮發(fā)性記憶體的二進(jìn)制數(shù)據(jù)的保護(hù)水平。
[0020]具體地說，本發(fā)明是因?yàn)槔么齼Υ娴某绦虼a的二進(jìn)制模式、與非揮發(fā)性記憶體相關(guān)的固有信息、乃至用戶信息及時間/日期信息等對程序代碼進(jìn)行加密，并將這樣加密的程序代碼儲存在非揮發(fā)性記憶體，所以可以提高非揮發(fā)性記憶體的二進(jìn)制數(shù)據(jù)的保護(hù)水平。
[0021]進(jìn)而，本發(fā)明是由于不使用復(fù)雜的加密硬件，亦可以在各非揮發(fā)性記憶體儲存相異地加密的程序代碼，所以可以提高在非揮發(fā)性記憶體儲存的程序代碼的保護(hù)水平，并可以降低裝置的成本而提高競爭力。
【附圖說明】
[0022]圖1是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的非揮發(fā)性記憶體的二進(jìn)制數(shù)據(jù)保護(hù)裝置的構(gòu)成圖。
[0023]圖2是在圖1顯示的檢測部的一實(shí)施例構(gòu)成圖。
[0024]圖3是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的非揮發(fā)性記憶體的二進(jìn)制數(shù)據(jù)保護(hù)方法的操作流程圖。
[0025]圖4是在圖3顯示的步驟S360的一實(shí)施例的操作流程圖。
[0026]圖5是在圖3顯示的步驟S360的另一實(shí)施例的操作流程圖。
[0027]圖6是在圖3顯示的步驟S330的另一實(shí)施例的操作流程圖。
[0028]圖7是關(guān)于圖3儲存的程序代碼的讀取方法的一實(shí)施例的操作流程圖。
[0029]圖8是從程序代碼的二進(jìn)制數(shù)據(jù)產(chǎn)生固有模式信息過程的一例。
[0030]圖9是對程序代碼的二進(jìn)制數(shù)據(jù)進(jìn)行加密過程的一例。
【具體實(shí)施方式】
[0031]為了完成如上所述的目的，根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的非揮發(fā)性記憶體的二進(jìn)制數(shù)據(jù)保護(hù)方法包含:接收程序代碼的步驟；分析所述接收的所述程序代碼，檢測構(gòu)成所述程序代碼的二進(jìn)制數(shù)據(jù)的二進(jìn)制模式的步驟；基于所述檢測的所述二進(jìn)制模式，產(chǎn)生相當(dāng)于所述二進(jìn)制模式的固有模式信