觸控裝置及其制造方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種觸控裝置及其制造方法，特別是涉及一種通過鐳射蝕刻技術制造的觸控裝置及采用鐳射蝕刻技術的制造方法。
【背景技術】
[0002]觸控技術已廣泛應用于各種電子設備，例如中國臺灣第1430160號專利，即提出一種觸控屏幕面板及其制造方法。該觸控屏幕面板包含觸控電極、絕緣結構、導電線路等結構，于制作過程中所述結構是分別獨立制作，且各自的制作過程均包含鍍膜、光刻、蝕刻等制程。
[0003]然而，此種采用鍍膜、光刻、蝕刻技術進行的制作方法，制程步驟過于繁復，不利于生產(chǎn)速度的提升及成本的降低。

【發(fā)明內容】

[0004]本發(fā)明的目的在于提供一種以簡便制程技術制作且具有優(yōu)良性能的觸控裝置。
[0005]本發(fā)明觸控裝置,包含至少一個感應單元,該感應單元包括一基板、多個觸控電極結構及至少一個虛設電極組。所述觸控電極結構相互間隔地設置于該基板同一表面上且彼此電性絕緣。所述虛設電極組設置于該基板上且位于相鄰的所述觸控電極結構之間，其凹陷形成一條由其頂面貫穿至該基板的凹溝，并包括多個由其凹溝分隔界定的虛設電極結構，該凹溝在相鄰的觸控電極結構之間延伸并形成至少一個彎折。
[0006]較佳地，該虛設電極組的凹溝的延伸形狀為分段的直線形，且該凹溝的彎折的角度為銳角。
[0007]較佳地，該虛設電極組的凹溝的延伸分布形狀為鋸齒狀，且該凹溝形成多個彎折。
[0008]較佳地，該虛設電極組的凹溝的彎折分別位在鄰近所述觸控電極結構的位置。
[0009]較佳地，該虛設電極組的凹溝區(qū)分為相互連接的一第一溝部及一第二溝部，該第一溝部的彎折位在鄰近所述觸控電極結構的位置，該第二溝部的彎折位在所述觸控電極結構之間。更佳地，該凹溝的第一溝部與第二溝部相互交錯而呈交叉網(wǎng)狀。
[0010]較佳地，該虛設電極組的凹溝的彎折呈弧形。
[0011]較佳地，該虛設電極組的凹溝形成多個彎折，且該凹溝的彎折分別位于鄰近所述觸控電極結構的位置。
[0012]較佳地，該虛設電極組的凹溝的延伸分布形狀為螺旋狀。
[0013]較佳地，該凹溝的弧形彎折的半徑介于50微米至250微米之間。
[0014]較佳地，該凹溝的寬度介于15微米至40微米之間。
[0015]較佳地，該些觸控電極結構是分別由一溝槽所界定。
[0016]本發(fā)明的另一目的，在提供一種觸控裝置的制造方法，該制造方法包含以下步驟:步驟(A)在一基板上制作一結構體；及步驟(B)對該結構體施以鐳射蝕刻，使該結構體凹陷形成至少一條凹溝。該凹溝由該結構體的頂面貫穿至該基板，且延伸形成至少一個彎折，并由鐳射依照一預定路徑連續(xù)不斷地蝕刻而制成。
[0017]較佳地，在該步驟(A)與該步驟(B)之間或在該步驟(B)之后還包含一步驟(C):對該結構體施以鐳射蝕刻，使該結構體凹陷形成兩條相互間隔的溝槽，所述溝槽分別由該結構體的頂面貫穿至該基板，且分別形成一封閉形狀，而對該結構體界定出兩個觸控電極結構；于步驟(B)該凹溝是形成在所述溝槽之間。
[0018]較佳地，于該步驟(B)中該凹溝的延伸形狀為分段的直線形，且該凹溝的彎折的角度為銳角。
[0019]較佳地，于該步驟(B)中該凹溝的延伸分布形狀為鋸齒狀，且該凹溝形成多個彎折。
[0020]較佳地，于該步驟(B)中該凹溝的延伸分布形狀為鋸齒狀，且該凹溝形成多個彎折，該凹溝的彎折分別鄰近界定所述觸控電極結構的溝槽。
[0021]較佳地，于該步驟(B)中該凹溝區(qū)分為相互連接的一第一溝部及一第二溝部，該第一溝部的彎折分別鄰近界定所述觸控電極結構的溝槽，該第二溝部的彎折位在所述溝槽之間。
[0022]較佳地，于該步驟(B)中各條凹溝的該第一溝部與該第二溝部是由鐳射連續(xù)地蝕刻而成，且該第一溝部與該第二溝部相互交錯而呈交叉網(wǎng)狀。
[0023]較佳地，于該步驟⑶該凹溝的彎折呈弧形。
[0024]較佳地，于該步驟(B)該凹溝形成多個呈弧形的彎折，且該凹溝的彎折處分別鄰近界定所述觸控電極結構的溝槽。
[0025]較佳地，于該步驟(B)該凹溝的延伸分布形狀為螺旋狀。
[0026]較佳地，于步驟⑶該鐳射蝕刻的能量介于5瓦至13瓦之間。
[0027]較佳地，于步驟(B)該鐳射蝕刻的深度介于200微米至1000微米之間。
[0028]較佳地，于步驟(B)該鐳射對該結構體進行蝕刻的脈沖時間介于200微秒至1000微秒之間。
[0029]本發(fā)明的有益效果在于:本發(fā)明的觸控裝置是以鐳射蝕刻方式制作，并于虛設電極組上由凹溝分隔為多個區(qū)域，具有良好的裝置性能。本發(fā)明的制造方法采用鐳射蝕刻技術，相較于使用一般光刻、蝕刻制程技術進行結構制作，能有效節(jié)省制程步驟、制程時間及成本。此外，本發(fā)明的制造方法透過對鐳射行進路徑、制程參數(shù)的適當設定，能進一步提升通過鐳射蝕刻制作觸控裝置或各式裝置的制程效能。
【附圖說明】
[0030]圖1是一示意圖，說明本發(fā)明觸控裝置的較佳實施例；
[0031]圖2是一俯視示意圖，說明本發(fā)明觸控裝置的第一較佳實施例；
[0032]圖3是沿圖2的II1-1II方向的側視示意圖；
[0033]圖4是一流程圖，說明本發(fā)明觸控裝置的制造方法；
[0034]圖5是一俯視示意圖，說明第一實施例的觸控裝置的制作過程；
[0035]圖6是沿圖5的V1-VI方向的側視示意圖；
[0036]圖7是一俯視示意圖，說明延續(xù)圖5的制作過程；
[0037]圖8是沿圖7的VII1-VIII方向的側視示意圖；
[0038]圖9是一俯視示意圖，說明延續(xù)圖7的制作過程；
[0039]圖10是一俯視示意圖，說明本發(fā)明觸控裝置的第二較佳實施例；
[0040]圖11是沿圖10的X1-XI方向的側視示意圖；
[0041]圖12是一俯視示意圖，說明第二實施例的觸控裝置的制作過程；
[0042]圖13是沿圖12的XII1-XIII方向的側視示意圖；
[0043]圖14是一俯視示意圖，說明延續(xù)圖12的制作過程；
[0044]圖15是沿圖14的XV-XV方向的側視示意圖；及
[0045]圖16是一俯視示意圖，說明延續(xù)圖14的制作過程。
【具體實施方式】
[0046]下面結合附圖及實施例對本發(fā)明進行詳細說明。
[0047]參閱圖1至圖3，為本發(fā)明觸控裝置I的第一較佳實施例。此處，觸控裝置I是以雙層觸控電極結構為例進行說明，因此觸控裝置I包含兩個相互間隔的感應單元2及一夾設于所述感應單元2之間的黏著層3，所述感應單元2可分別提供對應不同方向(例如X方向及Y方向)的觸控感應信號。然而，在不同實施方式中，觸控裝置I也可以采用單層觸控電極結構，此時觸控裝置I只需要設置單一感應單元2。
[0048]感應單元2包括一基板21、多個(此處以兩個為例)觸控電極結構22及至少一個(此處以一個為例，但也可以配合觸控電極結構22而調整為多個)虛設電極組23?；?1具有電絕緣性及透光性，其材料可為乙烯對苯二甲酸酯、聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚烯丙基、聚碳酸酯、聚對苯二甲酸乙二酯、玻璃等，并可由硬質材質或可撓性材質制作。
[0049]觸控電極結構22相互間隔地設置于該基板21同一表面上且彼此電性絕緣，用于產(chǎn)生觸控感應信號，其能通過氧化銦錫(indium tinoxide, I TO)、氧化銦鋒(indiumzincoxide, IZO)、氧化鎘錫(cadmiumtinoxide, CTO)、氧化招鋒(aluminumzincoxide, ΑΖ0)、氧化銦錫鋒(indiumtin zincoxide, ΙΤΖ0)、氧化鋒(zincoxide)、氧化鎘(cadmiumoxide, CdO)、氧化給(hafniumoxide, HfO)、氧化銦嫁鋒(indiumgal liumzincoxide, InGaZnO)、氧化銦嫁鋒續(xù)(indiumgal I iumz incmagnesiumoxide, InGaZnMgO)、氧化銦嫁續(xù)(indiumgalliummagnesium oxide, InGaMgO)或氧化銦嫁招(indiumgalIium aluminumoxide, InGaAlO),納米銀線、納米碳管、石墨烯等透明導電材質制作。其中，該些觸控電極結構22的結構形狀是分別由此等相互間隔并各自形成封閉形狀(此處為長方形)的溝槽221所界定。值得注意的是，在其他實施方式中，溝槽221的形狀可以根據(jù)觸控電極結構22的結構形狀的要求做出相應的改變。另外，溝槽221可以通過化學蝕刻、鐳射蝕刻、機械蝕刻等方式形成,且不以特定加工方式為限。
[0050]虛設電極組23 (dummyelectrode)設置于基板21上且位于所述觸控電極結構22之間，其可以透過相同或不同于觸控電極結構22的材料制作，并包括多個形狀、尺寸相異的虛設電極結構230。虛設電極結構