透明導(dǎo)電膜與包含其的電容式觸摸屏的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明設(shè)及觸摸屏領(lǐng)域，具體而言，設(shè)及一種透明導(dǎo)電膜與包含其的電容式觸摸 屏。
【背景技術(shù)】
[0002] 現(xiàn)有的電容式觸摸屏用透明導(dǎo)電膜在蝕刻及熱處理之后，會(huì)出現(xiàn)立體紋，無法滿 足部分高端客戶的需求
[0003] 立體紋產(chǎn)生原因主要是因?yàn)椋海?)IT0層（氧化銅錫層）的蝕刻部分與非蝕刻部分 產(chǎn)生了光學(xué)特性差別（包括可視光范圍內(nèi)的透過和反射特性，簡(jiǎn)稱為色差），從而產(chǎn)生立體 紋路；（2)在后期的熱處理工藝中，因各層的熱收縮率的不同會(huì)出現(xiàn)涂層間應(yīng)力不匹配現(xiàn) 象，該是因?yàn)镮T0層和透明基材層及硬化層之間的組成差異比較大，相互之間存在的應(yīng)力 較大，尤其是IT0層由加熱前的非結(jié)晶態(tài)變?yōu)榧訜岷蟮慕Y(jié)晶態(tài)，會(huì)導(dǎo)致IT0層與透明基材層 及硬化層之間的應(yīng)力增大，進(jìn)而造成蝕刻部分和透明基材層及硬化層之間的應(yīng)力與非蝕刻 部分與有機(jī)層之間的應(yīng)力差別會(huì)進(jìn)一步增大，從而導(dǎo)致立體紋的加重。
[0004] 現(xiàn)有專利及文獻(xiàn)主要使用熱收縮率較小的硬化層與透明基材層形成透明導(dǎo)電膜， 進(jìn)一步作為電容式觸摸屏的制作材料，但是，在IT0層蝕刻后，透明導(dǎo)電膜仍然會(huì)產(chǎn)生立體 紋，使得電容式觸摸屏不足W滿足客戶的需求。
[0005] 同時(shí)，現(xiàn)有技術(shù)中電容式觸摸屏的透明導(dǎo)電膜的加工工藝比較復(fù)雜，需覆耐高溫 保護(hù)膜來保護(hù)硬化層，如果耐高溫保護(hù)膜的品質(zhì)不過關(guān)，例如存在橘皮、凹凸點(diǎn)、TD壓痕、臟 污、氣泡、劃傷、熱收縮率及低分子析出等缺陷，W上缺陷的任何一種或多種均會(huì)導(dǎo)致硬化 膜報(bào)廢、降低產(chǎn)品良率、增加成本；即使耐高溫保護(hù)膜質(zhì)量合格，其本身既增加了成本又復(fù) 雜了加工程序。
[0006] 因此，亟需一種低立體紋、耐高溫、耐劃，且同時(shí)成本較低的透明導(dǎo)電膜與電容式 觸摸屏。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007] 本發(fā)明的主要目的在于提供一種透明導(dǎo)電膜與包含其的電容式觸摸屏，W解決現(xiàn) 有技術(shù)中透明導(dǎo)電膜與電容式觸摸屏中立體紋較嚴(yán)重的問題。
[000引為了實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種透明導(dǎo)電，該透明導(dǎo)電膜 包括；第一硬化層、透明基材層、第二硬化層與非結(jié)晶IT0層。其中，透明基材層設(shè)置在第一 硬化層的表面上；第二硬化層設(shè)置在透明基材層的遠(yuǎn)離第一硬化層的表面上，且第一硬化 層的厚度比第二硬化層的厚度大0. 5~3 y m ;非結(jié)晶性IT0層設(shè)置在第二硬化層的遠(yuǎn)離透 明基材層的表面上。
[0009] 進(jìn)一步地，上述非結(jié)晶性IT0層中Sn的重量含量為7%~30%，優(yōu)選為8%~ 20%，更優(yōu)選為15%。
[0010] 進(jìn)一步地，上述非結(jié)晶性IT0層的厚度在10~100皿之間，優(yōu)選在15~40皿之 間。
[0011] 進(jìn)一步地，上述第二硬化層的折射率在1. 59~1. 80之間。
[001引進(jìn)一步地，上述第二硬化層的鉛筆硬度在3B~4H之間，優(yōu)選在B~3H之間。
[0013] 進(jìn)一步地，上述第二硬化層的厚度在0. 3~10 ym之間，優(yōu)選在0. 5~3. 0 ym之 間。
[0014] 進(jìn)一步地，上述第一硬化層的鉛筆硬度在3B~4H之間，優(yōu)選在B~3H之間。
[0015] 進(jìn)一步地，上述透明基材層的全光透過率大于85%，優(yōu)選上述透明基材層的厚度 在10~500 y m之間，進(jìn)一步優(yōu)選在20~200 y m之間。
[0016] 進(jìn)一步地，上述透明基材層的機(jī)械運(yùn)行方向的收縮率大于0小于等于0. 5%，垂直 于上述機(jī)械運(yùn)行方向的收縮率大于0小于等于0. 1%。
[0017] 根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種電容式觸摸屏，包含透明導(dǎo)電膜，該透明導(dǎo)電 膜為上述的透明導(dǎo)電膜。
[0018] 應(yīng)用本發(fā)明的技術(shù)方案，透明導(dǎo)電膜通過采用非結(jié)晶IT0層代替現(xiàn)有技術(shù)中的結(jié) 晶IT0層，在后期的熱處理過程后，非結(jié)晶IT0層不會(huì)由非結(jié)晶態(tài)變?yōu)榻Y(jié)晶態(tài)，而是保持非 結(jié)晶態(tài)，使得非結(jié)晶IT0層的收縮率保持不變，進(jìn)而使得蝕刻及加熱前后各層之間的應(yīng)力 差異大大減小，緩解了透明導(dǎo)電薄膜的立體紋嚴(yán)重的問題，得到低立體紋的電容式觸摸屏 用透明導(dǎo)電薄膜；并且，非結(jié)晶IT0層的阻抗較低，使其滿足現(xiàn)有技術(shù)中觸摸屏設(shè)備大型化 的需求，擴(kuò)展了其在大型化觸控產(chǎn)品市場(chǎng)中的應(yīng)用，另外，上述的透明導(dǎo)電膜的第一硬化層 的厚度比第二硬化層的厚度大0. 5~3 ym，可W起到高溫保護(hù)膜的耐高溫、耐劃傷等作用； 同時(shí)，在鍛膜與刻蝕過程中不用涂覆高溫保護(hù)膜即可滿足各項(xiàng)要求，簡(jiǎn)化了工藝過程，降低 了生產(chǎn)成本，可滿足廣大客戶的需求。
【附圖說明】
[0019] 構(gòu)成本申請(qǐng)的一部分的說明書附圖用來提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，本發(fā)明的示 意性實(shí)施例及其說明用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的不當(dāng)限定。在附圖中：
[0020] 圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的本申請(qǐng)一種典型實(shí)施方式提供的透明導(dǎo)電膜。
【具體實(shí)施方式】
[0021] 需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請(qǐng)中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可W相 互組合。下面將參考附圖并結(jié)合實(shí)施例來詳細(xì)說明本發(fā)明。
[0022] 本申請(qǐng)的一種典型的實(shí)施方式提供了一種透明導(dǎo)電膜，如圖1所示，該透明導(dǎo)電 膜包括：第一硬化層10、透明基材層30、第二硬化層50與非結(jié)晶IT0層70。其中，透明基 材層30設(shè)置在第一硬化層10的表面上；第二硬化層50設(shè)置在透明基材層30的遠(yuǎn)離第一 硬化層10的表面上，且第一硬化層10的厚度比第二硬化層50的厚度大0. 5~3 ym ;非結(jié) 晶性IT0層70設(shè)置在第二硬化層50的遠(yuǎn)離透明基材層30的表面上。
[002引結(jié)晶IT0是指在熱處理過程中會(huì)由非結(jié)晶態(tài)變?yōu)榻Y(jié)晶態(tài)的一種IT0 ;本發(fā)明的非 結(jié)晶IT0是指在熱處理過程后不會(huì)由非結(jié)晶態(tài)變?yōu)榻Y(jié)晶態(tài)的一種口0。
[0024] 上述的透明導(dǎo)電膜通過采用非結(jié)晶IT0層70代替現(xiàn)有技術(shù)中的結(jié)晶IT0層，在后 期的熱處理過程后，非結(jié)晶IT0層70不會(huì)由非結(jié)晶態(tài)變?yōu)榻Y(jié)晶態(tài)，而是保持非結(jié)晶態(tài)，使得 非結(jié)晶ITO層70的收縮率保持不變，進(jìn)而使得蝕刻及加熱前后各層之間的應(yīng)力差異大大減 小，緩解了透明導(dǎo)電薄膜的立體紋嚴(yán)重的問題，得到低立體紋的電容式觸摸屏用透明導(dǎo)電 薄膜；并且，非結(jié)晶IT0層70的阻抗較低，使其滿足現(xiàn)有技術(shù)中觸摸屏設(shè)備大型化的需求， 擴(kuò)展了其在大型化觸控產(chǎn)品市場(chǎng)中的應(yīng)用，另外，上述的透明導(dǎo)電膜的第一硬化層10的厚 度比第二硬化層50的厚度大0. 5~3 ym，可W起到高溫保護(hù)膜的耐高溫、耐劃傷等作用； 同時(shí)，其作用代替了高溫保護(hù)膜的作用，使得在鍛膜與刻蝕過程中不用涂覆高溫保護(hù)膜即 可滿足各項(xiàng)要求，簡(jiǎn)化了工藝過程，降低了生產(chǎn)成本，可滿足廣大客戶的需求。
[0025] 為了使透明導(dǎo)電膜具有更低的立體紋，本申請(qǐng)優(yōu)選上述非結(jié)晶IT0層70中Sn的 重量含量為7%~30%。當(dāng)非結(jié)晶IT0層70中的Sn的重量含量大于7%時(shí)，進(jìn)一步保證 了 IT0不會(huì)結(jié)晶，從而使透明導(dǎo)電膜達(dá)到更好的低立體紋效果；當(dāng)非結(jié)晶IT0層70中的Sn 的重量含量低于30%時(shí)，非結(jié)晶ITO層70的阻抗較小，同時(shí)，其透光度較高，進(jìn)一步提高了 透明導(dǎo)電膜的光學(xué)特性。為了進(jìn)一步保證透明導(dǎo)電薄膜的低立體紋效果與光學(xué)特性，本申 請(qǐng)進(jìn)一步優(yōu)選非結(jié)晶IT0層70中Sn的重量含量為8%~20%，更優(yōu)選非結(jié)晶IT0層70中 Sn的重量含量為15%。
[0026] 本申請(qǐng)的另一種優(yōu)選的實(shí)施例中，上述非結(jié)晶IT0層70的厚度在10~lOOnm之 間，當(dāng)非結(jié)晶IT0層70的厚度大于lOnm時(shí)，非結(jié)晶IT0層70的阻抗較小，可W滿足透明導(dǎo) 電膜對(duì)阻抗的要求；當(dāng)非結(jié)晶IT0層70的厚度小于lOOnm時(shí)，同樣會(huì)使透明導(dǎo)電膜的阻抗 較小，并且透明導(dǎo)電膜的外觀較好。為了進(jìn)一步獲得阻抗較低且外觀較好透明導(dǎo)電膜，本申 請(qǐng)進(jìn)一步優(yōu)選上述非結(jié)晶IT0層70的厚度在15~40皿之間。
[0027] 為了減小刻蝕后刻蝕部分與非刻蝕部分之間產(chǎn)生的光學(xué)特性差別（包括可視光 范圍內(nèi)的透過和反射特性的差別），進(jìn)一步改善透明導(dǎo)電膜的立體紋現(xiàn)象，進(jìn)而得到更低立 體紋的透明導(dǎo)電膜，本申請(qǐng)優(yōu)選上述第二硬化層50的折射率在1. 59~1. 80之間。第二硬 化層50的折射率在此范圍內(nèi)，能夠進(jìn)一步減少色差；并且折射率在此范圍內(nèi)的材料很容易 獲取，進(jìn)一步優(yōu)選上述第二硬化層50的折射率在1. 59~1. 75之間。
[0028] 本申請(qǐng)的又一種優(yōu)選的實(shí)施例中，上述第二硬化層50的鉛筆硬度在3B~4H之 間，當(dāng)?shù)诙不瘜?0的硬度大于3B時(shí)，硬度較高，能夠起到更好的保護(hù)作用；當(dāng)其硬度小于 4H時(shí)，其自身收卷更容易、制作成本更低。為了進(jìn)一步保證第二硬化層50的保護(hù)性能與降 低生產(chǎn)成本，進(jìn)