一種數(shù)據(jù)處理方法及電子設(shè)備的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及電子信息技術(shù)領(lǐng)域中的存儲技術(shù)，具體涉及一種數(shù)據(jù)處理方法及電子 設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002] 目前，固態(tài)硬盤（SSD)在使用過程中不可避免的出現(xiàn)壞塊，壞塊分為：出廠壞塊和 使用過程中出現(xiàn)的壞塊。SSD通過壞塊表對壞塊進(jìn)行管理，所述出廠壞塊通過壞塊表中的標(biāo) 記很容易進(jìn)行識別；而使用過程中出現(xiàn)的壞塊則需要依靠閃存轉(zhuǎn)換層（FTL)中的壞塊管理 機(jī)制進(jìn)行管理。例如：
[0003] 當(dāng)SSD在初始化或進(jìn)行讀、寫、擦的使用過程中，操作某一物理塊（存儲單元）失 敗時，直接對該塊進(jìn)行標(biāo)記操作，然后繼續(xù)尋找下一個可操作的有效塊并執(zhí)行有效頁的相 關(guān)復(fù)制操作。這樣的壞塊管理方法只能在SSD塊的讀、寫、擦操作失敗時進(jìn)行處理，阻塞了 正常的數(shù)據(jù)處理流程。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 有鑒于此，本發(fā)明實(shí)施例的主要目的在于提供一種數(shù)據(jù)處理方法及電子設(shè)備，以 至少解決現(xiàn)有技術(shù)存在的上述問題。
[0005] 本發(fā)明實(shí)施例提供了一種數(shù)據(jù)處理方法，應(yīng)用于電子設(shè)備，所述電子設(shè)備至少包 括存儲器，所述存儲器中包括至少一個存儲單元；所述方法包括：
[0006] 獲取到預(yù)設(shè)時間段內(nèi)針對所述存儲器中每個存儲單元的操作信息；
[0007] 基于所述操作信息，獲取到所述存儲器中每個存儲單元當(dāng)前對應(yīng)的參考值；
[0008] 基于所述存儲單元當(dāng)前對應(yīng)的參考值以及至少一個預(yù)設(shè)的門限值，標(biāo)記所述存儲 器中的每個存儲單元；
[0009] 所述標(biāo)記，用于標(biāo)識所述存儲單元的屬性信息。
[0010] 一個實(shí)施例中，該方法還包括：
[0011] 獲取待處理數(shù)據(jù)的特征；
[0012] 基于所述標(biāo)記以及待處理數(shù)據(jù)的特征，控制針對所述每個存儲單元的數(shù)據(jù)寫入操 作。
[0013] 其中，所述基于所述標(biāo)記以及待處理數(shù)據(jù)的特征，控制針對所述每個存儲單元的 數(shù)據(jù)寫入操作，包括：
[0014] 確定與所述待處理數(shù)據(jù)的特征對應(yīng)的標(biāo)記；
[0015] 基于所述已確定的標(biāo)記，選擇與所述標(biāo)記對應(yīng)的存儲單元進(jìn)行數(shù)據(jù)寫入操作。
[0016] 其中，所述獲取待處理數(shù)據(jù)的特征，包括：
[0017] 對所述待處理數(shù)據(jù)進(jìn)行分析，確定所述待處理數(shù)據(jù)的特征；
[0018] 所述待處理數(shù)據(jù)的特征至少包括：處理類型特征和處理頻率特征。
[0019] 其中，所述基于所述已確定的標(biāo)記，選擇與所述標(biāo)記對應(yīng)的存儲單元進(jìn)行數(shù)據(jù)寫 入操作，包括：
[0020] 選取與所述已確定標(biāo)記對應(yīng)的存儲單元、或高于所述已確定標(biāo)記對應(yīng)的存儲單元 進(jìn)行所述數(shù)據(jù)寫入操作。
[0021 ] 本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種電子設(shè)備，所述電子設(shè)備所述電子設(shè)備至少包括存儲 器，所述存儲器中包括至少一個存儲單元，所述電子設(shè)備包括：
[0022] 第一獲取模塊，用于獲取到預(yù)設(shè)時間段內(nèi)針對所述存儲器中每個存儲單元的操作 信息；基于所述操作信息，獲取到所述存儲器中每個存儲單元當(dāng)前對應(yīng)的參考值；
[0023] 標(biāo)記模塊，用于基于所述存儲單元當(dāng)前對應(yīng)的參考值以及至少一個預(yù)設(shè)的門限 值，標(biāo)記所述存儲器中的每個存儲單元；
[0024] 所述標(biāo)記，用于標(biāo)識所述存儲單元的屬性信息。
[0025] -個實(shí)施例中，所述電子設(shè)備還包括：
[0026] 第二獲取模塊，用于獲取待處理數(shù)據(jù)的特征；
[0027] 寫入處理模塊，用于基于所述標(biāo)記以及待處理數(shù)據(jù)的特征，控制針對所述每個存 儲單元的數(shù)據(jù)寫入操作。
[0028] 上述方案中，所述寫入處理模塊，用于確定與所述待處理數(shù)據(jù)的特征對應(yīng)的標(biāo)記； 基于所述已確定的標(biāo)記，選擇與所述標(biāo)記對應(yīng)的存儲單元進(jìn)行數(shù)據(jù)寫入操作。
[0029] 上述方案中，所述第二獲取模塊，用于對所述待處理數(shù)據(jù)進(jìn)行分析，確定所述待處 理數(shù)據(jù)的特征；
[0030] 所述待處理數(shù)據(jù)的特征至少包括：處理類型特征和處理頻率特征。
[0031] 上述方案中，所述寫入處理模塊，用于選取與所述已確定標(biāo)記對應(yīng)的存儲單元、或 高于所述已確定標(biāo)記對應(yīng)的存儲單元進(jìn)行所述數(shù)據(jù)寫入操作。
[0032] 本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種電子設(shè)備，所述電子設(shè)備包括：
[0033] 包括至少一個存儲單元的存儲器，用于存儲每個存儲單元的操作信息；
[0034] 控制器，用于獲取到預(yù)設(shè)時間段內(nèi)所述存儲器中存儲的每個存儲單元的操作信 息，并基于所述操作信息，獲取到所述存儲器中每個存儲單元當(dāng)前對應(yīng)的參考值；基于所述 存儲單元當(dāng)前對應(yīng)的參考值以及至少一個預(yù)設(shè)的門限值，標(biāo)記所述存儲器中的每個存儲單 元；其中，
[0035] 所述標(biāo)記，用于標(biāo)識所述每個存儲單元的屬性信息。
[0036] -個實(shí)施例中，所述控制器，還用于獲取待處理數(shù)據(jù)的特征，并基于所述標(biāo)記以及 待處理數(shù)據(jù)的特征，控制針對所述每個存儲單元的數(shù)據(jù)寫入操作。
[0037] 本發(fā)明實(shí)施例提供的數(shù)據(jù)處理方法及電子設(shè)備，所述電子設(shè)備獲取到預(yù)設(shè)時間段 內(nèi)針對所述存儲器中每個存儲單元的操作信息，并基于所述操作信息，獲取到所述存儲器 中每個存儲單元當(dāng)前對應(yīng)的參考值；基于所述存儲單元當(dāng)前對應(yīng)的參考值以及至少一個預(yù) 設(shè)的門限值，標(biāo)記所述存儲器中的每個存儲單元；所述標(biāo)記，用于標(biāo)識所述存儲單元的屬性 信息。可見，本發(fā)明實(shí)施例可對存儲器中的每個存儲單元進(jìn)行標(biāo)記，這樣，在數(shù)據(jù)處理過程 中可依據(jù)與存儲單元對應(yīng)的標(biāo)記有針對性地進(jìn)行相應(yīng)存儲單元的數(shù)據(jù)處理操作，避免在現(xiàn) 有數(shù)據(jù)處理過程中因遇到壞塊而導(dǎo)致的阻塞正常數(shù)據(jù)處理流程的問題，因此，本發(fā)明實(shí)施 例可相應(yīng)提高數(shù)據(jù)處理效率。
【附圖說明】
[0038] 圖1為本發(fā)明實(shí)施例所述數(shù)據(jù)處理方法流程示意圖一；
[0039] 圖2為本發(fā)明實(shí)施例所述數(shù)據(jù)處理方法流程示意圖二；
[0040] 圖3為本發(fā)明實(shí)施例所述數(shù)據(jù)處理方法流程示意圖三；
[0041] 圖4為本發(fā)明實(shí)施例所述電子設(shè)備的結(jié)構(gòu)不意圖一；
[0042] 圖5為本發(fā)明實(shí)施例所述電子設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖二；
[0043] 圖6為本發(fā)明實(shí)施例所述電子設(shè)備的結(jié)構(gòu)不意圖三。
【具體實(shí)施方式】
[0044] 下面結(jié)合附圖及具體實(shí)施例對本發(fā)明再作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。
[0045] 實(shí)施例一
[0046] 本發(fā)明實(shí)施例提供了一種數(shù)據(jù)處理方法，應(yīng)用于第一電子設(shè)備，所述電子設(shè)備至 少包括存儲器，所述存儲器中包括至少一個存儲單元；如圖1所示，包括：
[0047] 步驟101 :獲取到預(yù)設(shè)時間段內(nèi)針對所述存儲器中每個存儲單元的操作信息；
[0048] 步驟102 :基于所述操作信息，獲取到所述存儲器中每個存儲單元當(dāng)前對應(yīng)的參 考值；
[0049] 步驟103 :基于所述存儲單元當(dāng)前對應(yīng)的參考值以及至少一個預(yù)設(shè)的門限值，標(biāo) 記所述存儲器中的每個存儲單元；所述標(biāo)記，用于標(biāo)識所述存儲單元的屬性信息。
[0050] 本發(fā)明實(shí)施例中，所述存儲器可以為固態(tài)硬盤和機(jī)械硬盤，其中固態(tài)硬盤采用的 存儲顆?？梢詾閱螌訂卧⊿LC，SingleLayerCell單層單元）、（MLC，Multi-LevelCell 多層單元）或3BIT單元（TLC，Trinary-LevelCell);機(jī)械硬盤可以采用單磁碟、雙磁碟或 多磁碟的存儲結(jié)構(gòu)。
[0051] 其中，所述每個存儲單元的操作信息可包括以下信息至少之一：存儲單元的錯誤 檢查和糾正（ECC，ErrorCorrectingCode)信息；存儲單元支持的擦除次數(shù)；存儲單元的 讀取和擦除糾錯的歷史信息。
[0052] 存儲單元可以是存儲介質(zhì)的物理劃分，也可是存儲介質(zhì)的邏輯劃分；存儲單元可 以采用存儲設(shè)備中的最小存儲單元，以SSD為例，存儲單元可以采用page(4KB)，當(dāng)然也可 以采用page容量的整數(shù)倍；以機(jī)械硬盤為例，存儲單元可以為一個扇區(qū)（sector)的容量， 一般為4KB，當(dāng)然也可以采用扇區(qū)容量的整數(shù)倍。
[0053] 這里，由于針對每個存儲單元的操作信息是變化的，因此，需要獲取一段時間內(nèi)的 操作信息，例如：可設(shè)置每隔1分鐘獲取一次針對每個存儲單元的操作信息。
[0054] 本發(fā)明實(shí)施例中，所述存儲器中每個存儲單元當(dāng)前對應(yīng)的參考值，可基于所述獲 取的操作信息進(jìn)行計算得到，例如：可以設(shè)置損失函數(shù)，所述損失函數(shù)的參數(shù)為上述獲取的 操作信息，作為一個應(yīng)用場景，所述損失函數(shù)為cost，可表示如下：
[0056] 其中，所述t為預(yù)設(shè)時間段的值，所述GlobalWrite表示當(dāng)前讀寫操作的存儲器 (bank)中的所有物理塊被寫入的次數(shù)；所述BlockWrite表示當(dāng)前物理塊被寫入的次數(shù)；所 述GlobalValidPage表示當(dāng)前讀寫操作的存儲器中總的有效頁數(shù)；所述BlockValidPage表 示當(dāng)前物理塊的有效頁數(shù)；所述Blockerase表示當(dāng)前物理塊被擦除的次數(shù)。
[0057] 本發(fā)明實(shí)施例中，所述基于所述存儲單元當(dāng)前對應(yīng)的參考值以及至少一個預(yù)設(shè)的 門限值，標(biāo)記所述存儲器中的每個存儲單元，包括：
[0058] 確定所述參考值小于第一預(yù)設(shè)門限值時，將所述存儲單元標(biāo)記為第一屬性，用于 表征所述存儲單元支持第一預(yù)設(shè)次數(shù)（正常使用頻率）的數(shù)據(jù)讀取、擦除或?qū)懭氩僮鳎?br>[0059] 確定所述參考值大于第一預(yù)設(shè)門限值且小于等于第二預(yù)設(shè)門限值時，將所述存儲 單元標(biāo)記為第二屬性，用于表征所述存儲單元支持第二預(yù)設(shè)次數(shù)的數(shù)據(jù)擦除或?qū)懭氩僮鳎?所述第二預(yù)設(shè)次數(shù)小于所述第一預(yù)設(shè)次數(shù)；
[0060] 確定所述參考值大于第二預(yù)設(shè)門限值且小于等于第三預(yù)設(shè)門限值時，將所述存儲 單元標(biāo)記為第三屬性，用于表征所述存儲單元只支持?jǐn)?shù)據(jù)讀取操作；
[0061] 確定所述參考值大于第三預(yù)設(shè)門限值時，將所述存儲單元標(biāo)記為第四屬性，用于 表征所述存儲單元已損壞。
[0062] 這里，所述第一預(yù)設(shè)門限值小于第二預(yù)設(shè)門限值，所述第二預(yù)設(shè)門限值小于所述 第三預(yù)設(shè)門限值。當(dāng)然，基于實(shí)際的應(yīng)用場景的不同，這里可設(shè)置更多個預(yù)設(shè)門限值，相應(yīng) 的，可以將所述存儲器中的存儲單元標(biāo)記為更多個屬性。
[0063] 作為一個應(yīng)用場景，基于上述損失函數(shù)，所述第一、二、三預(yù)設(shè)門限值可分別設(shè)置 為T1，T2，T