用于flash存儲器的數(shù)據(jù)處理方法和裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及數(shù)據(jù)處理領(lǐng)域，具體而言，涉及一種用于FLASH存儲器的數(shù)據(jù)處理方法和裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，集裝箱空調(diào)中通常配備有數(shù)據(jù)記錄設(shè)備，比如FLASH存儲器，在集裝箱空調(diào)運(yùn)行過程中，需要用FLASH存儲器存儲集裝箱空調(diào)的運(yùn)行狀態(tài)、報警狀態(tài)或者配置參數(shù)等數(shù)據(jù)。FLASH存儲器中包括多個扇區(qū)，數(shù)據(jù)存儲需要對扇區(qū)進(jìn)行數(shù)據(jù)擦除后才能寫入新的數(shù)據(jù)，但是，每個扇區(qū)只能進(jìn)行10萬次的數(shù)據(jù)擦寫。由于集裝箱空調(diào)運(yùn)行狀態(tài)、報警狀態(tài)或者配置參數(shù)的不確定性，容易造成單個扇區(qū)的數(shù)據(jù)擦寫次數(shù)過多，將會導(dǎo)致FLASH存儲器過早報廢，無法使用，嚴(yán)重降低了 FLASH存儲器的使用壽命。
[0003]針對相關(guān)技術(shù)中由于單個扇區(qū)的數(shù)據(jù)擦寫次數(shù)過多導(dǎo)致的FLASH存儲器使用壽命降低的問題，目前尚未提出有效的解決方案。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種用于FLASH存儲器的數(shù)據(jù)處理方法和裝置，以至少解決相關(guān)技術(shù)中由于單個扇區(qū)的數(shù)據(jù)擦寫次數(shù)過多導(dǎo)致的FLASH存儲器使用壽命降低的技術(shù)問題。
[0005]根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一個方面，提供了一種用于FLASH存儲器的數(shù)據(jù)處理方法，包括:檢測第一扇區(qū)的數(shù)據(jù)擦寫次數(shù)是否超過預(yù)設(shè)閾值；在檢測到第一扇區(qū)的數(shù)據(jù)擦寫次數(shù)超過預(yù)設(shè)閾值時，生成偏移量；將第一地址加上偏移量得到第二地址，其中，第一地址為第一扇區(qū)的地址；以及在第二地址對應(yīng)的第二扇區(qū)進(jìn)行數(shù)據(jù)擦寫。
[0006]進(jìn)一步地，在檢測第一扇區(qū)的數(shù)據(jù)擦寫次數(shù)是否超過預(yù)設(shè)閾值之后，用于FLASH存儲器的數(shù)據(jù)處理方法還包括:在檢測到第一扇區(qū)的數(shù)據(jù)擦寫次數(shù)未超過預(yù)設(shè)閾值時，在第一扇區(qū)進(jìn)行數(shù)據(jù)擦寫，并對數(shù)據(jù)擦寫次數(shù)進(jìn)行計(jì)數(shù)。
[0007]進(jìn)一步地，在檢測到第一扇區(qū)的數(shù)據(jù)擦寫次數(shù)未超過預(yù)設(shè)閾值時，在第一扇區(qū)進(jìn)行數(shù)據(jù)擦寫，并對數(shù)據(jù)擦寫次數(shù)進(jìn)行計(jì)數(shù)包括:擦除第一扇區(qū)的數(shù)據(jù)，并將數(shù)據(jù)擦寫次數(shù)加1 ;檢測計(jì)數(shù)之后的數(shù)據(jù)擦寫次數(shù)是否達(dá)到預(yù)設(shè)閾值；在檢測到計(jì)數(shù)之后的數(shù)據(jù)擦寫次數(shù)未達(dá)到預(yù)設(shè)閾值時，在第一扇區(qū)寫入數(shù)據(jù)；在檢測到計(jì)數(shù)之后的數(shù)據(jù)擦寫次數(shù)達(dá)到預(yù)設(shè)閾值時，生成偏移量，將第一地址加上偏移量得到第二地址，在第二地址對應(yīng)的第二扇區(qū)進(jìn)行數(shù)據(jù)擦寫。
[0008]進(jìn)一步地，在檢測到第一扇區(qū)的數(shù)據(jù)擦寫次數(shù)超過預(yù)設(shè)閾值時，將第一扇區(qū)的計(jì)數(shù)標(biāo)識符標(biāo)記為預(yù)設(shè)標(biāo)識符，其中，預(yù)設(shè)標(biāo)識符用于標(biāo)識第一扇區(qū)的數(shù)據(jù)擦寫次數(shù)達(dá)到預(yù)設(shè)閾值。
[0009]進(jìn)一步地，第一扇區(qū)包括:第一區(qū)域，用于存儲第一扇區(qū)的數(shù)據(jù)擦寫次數(shù)；第二區(qū)域，用于存儲數(shù)據(jù)；以及第三區(qū)域，用于存儲計(jì)數(shù)標(biāo)識符。
[0010]進(jìn)一步地，F(xiàn)LASH存儲器中扇區(qū)的地址與日期存在對應(yīng)關(guān)系。
[0011]進(jìn)一步地，第一日期對應(yīng)第一地址，其中，在檢測到第一日期內(nèi)生成偏移量時，將第一日期對應(yīng)的地址修改為第二地址。
[0012]根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的另一方面，還提供了一種用于FLASH存儲器的數(shù)據(jù)處理裝置，包括:第一檢測模塊，用于檢測第一扇區(qū)的數(shù)據(jù)擦寫次數(shù)是否超過預(yù)設(shè)閾值；第一生成模塊，用于在檢測到第一扇區(qū)的數(shù)據(jù)擦寫次數(shù)超過預(yù)設(shè)閾值時，生成偏移量；第二生成模塊，用于將第一地址加上偏移量得到第二地址，其中，第一地址為第一扇區(qū)的地址；以及第一數(shù)據(jù)擦寫模塊，用于在第二地址對應(yīng)的第二扇區(qū)進(jìn)行數(shù)據(jù)擦寫。
[0013]進(jìn)一步地，用于FLASH存儲器的數(shù)據(jù)處理裝置還包括:第二數(shù)據(jù)擦寫模塊，用于在檢測到第一扇區(qū)的數(shù)據(jù)擦寫次數(shù)未超過預(yù)設(shè)閾值時，在第一扇區(qū)進(jìn)行數(shù)據(jù)擦寫，并對數(shù)據(jù)擦寫次數(shù)進(jìn)行計(jì)數(shù)。
[0014]進(jìn)一步地，第二數(shù)據(jù)擦寫模塊包括:擦除模塊，用于擦除第一扇區(qū)的數(shù)據(jù)，并將數(shù)據(jù)擦寫次數(shù)加1 ;第二檢測模塊，用于檢測計(jì)數(shù)之后的數(shù)據(jù)擦寫次數(shù)是否達(dá)到預(yù)設(shè)閾值；寫入模塊，用于在檢測到計(jì)數(shù)之后的數(shù)據(jù)擦寫次數(shù)未達(dá)到預(yù)設(shè)閾值時，在第一扇區(qū)寫入數(shù)據(jù)；第三生成模塊，用于在檢測到計(jì)數(shù)之后的數(shù)據(jù)擦寫次數(shù)達(dá)到預(yù)設(shè)閾值時，生成偏移量，將第一地址加上偏移量得到第二地址，在第二地址對應(yīng)的第二扇區(qū)進(jìn)行數(shù)據(jù)擦寫。
[0015]進(jìn)一步地，用于FLASH存儲器的數(shù)據(jù)處理裝置還包括:標(biāo)記模塊，用于在檢測到第一扇區(qū)的數(shù)據(jù)擦寫次數(shù)超過預(yù)設(shè)閾值時，將第一扇區(qū)的計(jì)數(shù)標(biāo)識符標(biāo)記為預(yù)設(shè)標(biāo)識符，其中，預(yù)設(shè)標(biāo)識符用于標(biāo)識第一扇區(qū)的數(shù)據(jù)擦寫次數(shù)達(dá)到預(yù)設(shè)閾值。
[0016]進(jìn)一步地，第一扇區(qū)包括:第一區(qū)域，用于存儲第一扇區(qū)的數(shù)據(jù)擦寫次數(shù)；第二區(qū)域，用于存儲數(shù)據(jù)；以及第三區(qū)域，用于存儲計(jì)數(shù)標(biāo)識符。
[0017]進(jìn)一步地，F(xiàn)LASH存儲器中扇區(qū)的地址與日期存在對應(yīng)關(guān)系。
[0018]進(jìn)一步地，第一日期對應(yīng)第一地址，其中，裝置還包括:修改模塊，用于在檢測到第一日期內(nèi)生成偏移量時，將第一日期對應(yīng)的地址修改為第二地址。
[0019]在本發(fā)明實(shí)施例中，通過檢測扇區(qū)的數(shù)據(jù)擦寫次數(shù)是否達(dá)到預(yù)設(shè)閾值，在超過預(yù)設(shè)閾值的情況下，通過偏移地址的形式對下一個扇區(qū)進(jìn)行數(shù)據(jù)擦寫，達(dá)到了平衡FLASH存儲器中多個扇區(qū)的數(shù)據(jù)擦寫次數(shù)的目的，從而實(shí)現(xiàn)了提高FLASH存儲器使用壽命的技術(shù)效果，進(jìn)而解決了相關(guān)技術(shù)中由于單個扇區(qū)的數(shù)據(jù)擦寫次數(shù)過多導(dǎo)致的FLASH存儲器使用壽命降低的技術(shù)問題。
【附圖說明】
[0020]此處所說明的附圖用來提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本申請的一部分，本發(fā)明的示意性實(shí)施例及其說明用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對本發(fā)明的不當(dāng)限定。在附圖中:
[0021]圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于FLASH存儲器的數(shù)據(jù)處理方法的流程圖；
[0022]圖2是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的第一扇區(qū)結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖3是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的第一扇區(qū)結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖4是根據(jù)本發(fā)明可選實(shí)施例的用于FLASH存儲器的數(shù)據(jù)處理方法的流程圖；以及
[0025]圖5是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于FLASH存儲器的數(shù)據(jù)處理裝置的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0026]為了使本技術(shù)領(lǐng)域的人員更好地理解本發(fā)明方案，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分的實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都應(yīng)當(dāng)屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0027]需要說明的是，本發(fā)明的說明書和權(quán)利要求書及上述附圖中的術(shù)語“第一”、“第二”等是用于區(qū)別類似的對象，而不必用于描述特定的順序或先后次序。應(yīng)該理解這樣使用的數(shù)據(jù)在適當(dāng)情況下可以互換，以便這里描述的本發(fā)明的實(shí)施例能夠以除了在這里圖示或描述的那些以外的順序?qū)嵤４送?，術(shù)語“包括”和“具有”以及他們的任何變形，意圖在于覆蓋不排他的包含，例如，包含了一系列步驟或單元的過程、方法、系統(tǒng)、產(chǎn)品或設(shè)備不必限于清楚地列出的那些步驟或單元，而是可包括沒有清楚地列出的或?qū)τ谶@些過程、方法、產(chǎn)品或設(shè)備固有的其它步驟或單元。
[0028]根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，提供了一種用于FLASH存儲器的數(shù)據(jù)處理方法的方法實(shí)施例，需要說明的是，在附圖的流程圖示出的步驟可以在諸如一組計(jì)算機(jī)可執(zhí)行指令的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中執(zhí)行，并且，雖然在流程圖中示出了邏輯順序，但是在某些情況下，可以以不同于此處的順序執(zhí)行所示出或描述的步驟。
[0029]圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于FLASH存儲器的數(shù)據(jù)處理方法的流程圖，如圖1所示，該方法包括如下步驟:
[0030]步驟S102，檢測第一扇區(qū)的數(shù)據(jù)擦寫次數(shù)是否超過預(yù)設(shè)閾值；
[0031]步驟S104，在檢測到第一扇區(qū)的數(shù)據(jù)擦寫次數(shù)超過預(yù)設(shè)閾值時，生成偏移量；
[0032]步驟S106，將第一地址加上偏移量得到第二地址，其中，第一地址為第一扇區(qū)的地址；
[0033]步驟S108，在第二地址對應(yīng)的第二扇區(qū)進(jìn)行數(shù)據(jù)擦寫。
[0034]通過上述步驟，通過檢測扇區(qū)的數(shù)據(jù)擦寫次數(shù)是否達(dá)到預(yù)設(shè)閾值，在檢測到扇區(qū)的數(shù)據(jù)擦寫次數(shù)超過預(yù)設(shè)閾值的情況下，通過偏移地址的形式對下一個扇區(qū)進(jìn)行數(shù)據(jù)擦寫，能夠平衡FLASH存儲器中多個扇區(qū)的數(shù)據(jù)擦寫次數(shù)，解決相關(guān)技術(shù)中由于單個扇區(qū)的數(shù)據(jù)擦寫次數(shù)過多導(dǎo)致的FLASH存儲器使用壽命降低的技術(shù)問題，從而達(dá)到提高FLASH存儲器使用壽命的技術(shù)效果。
[0035]FLASH存儲器中包括一個或者多個扇區(qū)，每個扇區(qū)的數(shù)據(jù)擦寫次數(shù)均有一個上限值，當(dāng)扇區(qū)的數(shù)據(jù)擦寫次數(shù)超過上限值時，將會導(dǎo)致FLASH存儲器報廢，無法使用。本發(fā)明實(shí)施例為FLASH存儲器中的每個扇區(qū)設(shè)定有數(shù)據(jù)擦寫次數(shù)閾值，該數(shù)據(jù)擦寫次數(shù)閾值為步驟S102中的預(yù)設(shè)閾值，該預(yù)設(shè)閾值小于扇區(qū)的數(shù)據(jù)擦寫次數(shù)的上限值，以達(dá)到提高FLASH存儲器使用壽命的目的。
[0036]FLASH存儲器中每個扇區(qū)均對應(yīng)有一個唯一地址，比如第一扇區(qū)的地址為第一地址?？蛇x地，F(xiàn)LASH存儲器中扇區(qū)的地址與日期存在對應(yīng)關(guān)系，比如，第一日期對應(yīng)第一地址，即第一日期內(nèi)的數(shù)據(jù)存儲在第一地址對應(yīng)的第一扇區(qū)內(nèi)。FLASH存儲器中扇區(qū)的地址與日期的對應(yīng)關(guān)系受扇區(qū)的數(shù)據(jù)擦寫次數(shù)的影響，比如，第一日期對應(yīng)第一地址，但是，在第一日期內(nèi)，如果第一地址對應(yīng)的第一扇區(qū)的數(shù)據(jù)擦寫次數(shù)超過預(yù)設(shè)閾值時，即在檢測到第一日期內(nèi)生成偏移量時，將會轉(zhuǎn)移到第二地址對應(yīng)的