電容式觸控探測(cè)構(gòu)件及探測(cè)方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種探測(cè)如人體的手指或具有與手指類(lèi)似的導(dǎo)電特性的觸控輸入構(gòu) 件等觸控輸入構(gòu)件的電容型觸控輸入的構(gòu)件及方法，且更具體而言，涉及一種用于對(duì)在感 測(cè)墊與非感測(cè)墊間形成的感測(cè)等效電容器的一側(cè)施加交流驅(qū)動(dòng)電壓并根據(jù)觸控來(lái)探測(cè)自 觸控探測(cè)器產(chǎn)生的電壓差以取得觸控信號(hào)的電容型觸控探測(cè)構(gòu)件及探測(cè)方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 一般而言，觸控屏面板附裝于例如液晶顯示器（liquidcrystaldisplay，LCD)、 等離子體顯示面板（plasmadisplaypanel，PDP)、有機(jī)發(fā)光二極管（organiclight emittingdiode，OLED)、有源矩陣式有機(jī)發(fā)光二極管（activematrixorganiclight emittingdiode，AM0LED)等顯示元件上，且是產(chǎn)生與例如手指及筆等物體所觸控的位置相 對(duì)應(yīng)的信號(hào)的輸入元件中的一種。觸控屏面板已用于許多種應(yīng)用中，例如用于小型便攜式 終端、工業(yè)終端、數(shù)字信息元件（digitalinformationdevice，DID)等。
[0003] 通常，已公開(kāi)了各種類(lèi)型的觸控屏面板。然而，最廣泛使用的是制造工藝簡(jiǎn)單且制 造成本低的電阻型觸控屏面板。然而，由于電阻型觸控屏面板具有低的透射率且需要施加 非常大的壓力，因而電阻型觸控屏面板不便于使用、在實(shí)現(xiàn)多點(diǎn)觸控(multitouch)及手勢(shì) 識(shí)別方面存在困難、會(huì)導(dǎo)致探測(cè)錯(cuò)誤等。
[0004] 相反，電容型觸控屏面板可具有高的透射率，能識(shí)別軟輸入（softtouch)，且能實(shí) 現(xiàn)更好的多點(diǎn)觸控及手勢(shì)識(shí)別，因此其市場(chǎng)份額已逐漸擴(kuò)大。
[0005] 圖1說(shuō)明現(xiàn)有電容型觸控屏面板的實(shí)例。參照?qǐng)D1，在由塑料、玻璃等制成的透明 基板2的上表面及下表面上形成透明導(dǎo)電層，且在透明基板2的四個(gè)角上分別形成電壓施 加金屬電極4。所述透明導(dǎo)電層是由例如氧化銦錫（indiumtinoxide，ΙΤ0)及氧化銻錫 (antimonytinoxide，AT0)等透明金屬制成。此外，在透明導(dǎo)電層的四個(gè)角上形成的金屬 電極4是通過(guò)被印刷具有低電阻率的導(dǎo)電金屬（例如銀（Ag))而形成。在金屬電極4周?chē)?成電阻網(wǎng)絡(luò)。電阻網(wǎng)絡(luò)被形成為直線化圖案，以向透明導(dǎo)電層的整個(gè)表面等同地發(fā)出控制 信號(hào)。此外，包括金屬電極4的透明導(dǎo)電層的上部被涂布以保護(hù)層（passivationlayer)。
[0006] 在上述電容型觸控屏面板中，對(duì)金屬電極4施加高頻交流電壓，且因此高頻交流 電壓施加于透明基板2的整個(gè)表面上。在此種情形中，當(dāng)透明基板2的上表面上的透明導(dǎo) 電層被手指8或?qū)щ娪|控輸入構(gòu)件輕輕地觸控時(shí)，在預(yù)定量的電流被吸收進(jìn)身體并計(jì)算所 述四個(gè)金屬電極4中每一者處的電流量的同時(shí)，嵌置于控制器6中的電流傳感器感測(cè)電流 的變化，從而識(shí)別到觸控點(diǎn)。
[0007] 然而，如圖1所說(shuō)明的電容型觸控屏面板是基于用于探測(cè)微電流的量值的方法。 因而，電容型觸控屏面板需要使用價(jià)格高昂的探測(cè)裝置，因此電容型觸控屏面板的價(jià)格升 高且電容型觸控屏面板難以實(shí)現(xiàn)用于識(shí)別多個(gè)觸控的多點(diǎn)觸控。
[0008] 為克服上述問(wèn)題，如圖2所說(shuō)明的電容型觸控屏面板主要在近年使用。圖2的觸 控屏面板被配置成包括橫向線性觸控探測(cè)傳感器5a、縱向線性觸控探測(cè)傳感器5b、及用于 分析觸控信號(hào)的觸控驅(qū)動(dòng)集成電路（integratedcircuit，IC)7。所述觸控屏面板是基于 用于探測(cè)在線性觸控探測(cè)傳感器5與手指8間形成的電容的量值（圖1)的方法，且掃描橫 向線性觸控探測(cè)傳感器5a及縱向線性觸控探測(cè)傳感器5b來(lái)探測(cè)信號(hào)，從而識(shí)別多個(gè)觸控 點(diǎn)。
[0009] 然而，當(dāng)上述觸控屏面板安裝于例如液晶顯示器等顯示元件上時(shí)，觸控屏面板會(huì) 由于噪聲而難以探測(cè)信號(hào)。例如，液晶顯示器使用共用電極。在某些情形中，對(duì)共用電極施 加交流共用電壓Vcom。此外，在探測(cè)觸控點(diǎn)時(shí)，共用電極的共用電壓Vcom起到噪聲的作用。
[0010] 圖3說(shuō)明其中現(xiàn)有電容型觸控屏面板安裝于液晶顯示器上的實(shí)施例。顯示元件 200具有其中將液晶密封于薄膜晶體管（thinfilmtransistor，TFT)基板205與設(shè)置于 薄膜晶體管基板205上的彩色濾光片215之間以形成液晶層210的結(jié)構(gòu)。為對(duì)液晶進(jìn)行密 封，通過(guò)密封劑230將薄膜晶體管基板205的外部與彩色濾光片215的外部相互結(jié)合于一 起。盡管圖中未說(shuō)明，然而將偏光板附裝至液晶面板的上部及下部并另外將背光單元（back lightunit，BLU)安裝至偏光板。
[0011] 如圖中所說(shuō)明，觸控屏面板安裝于顯示元件200上。觸控屏面板具有其中將線性 觸控探測(cè)傳感器5置于基板1上的結(jié)構(gòu)。用于保護(hù)線性觸控探測(cè)傳感器5的保護(hù)面板3附 裝于基板1上。觸控屏面板通過(guò)例如雙面膠帶（doubleadhesivetape，DAT)等粘臺(tái)部件 9而結(jié)合至顯示元件200的邊緣部并在粘合部件9與顯示元件200之間形成氣隙9a。
[0012] 在此種構(gòu)造中，當(dāng)如圖3所說(shuō)明產(chǎn)生觸控時(shí)，會(huì)在手指8與線性觸控探測(cè)傳感器5 之間形成電容（例如Ct)。然而，如圖中所說(shuō)明，會(huì)在線性觸控探測(cè)傳感器5與在顯示元件 200的彩色濾光片215的下表面上形成的共用電極220之間形成電容（例如共用電極電容 Cvcom)，且由于圖案之間的電容親合、制造工藝因素等，未知的寄生電容Cp也會(huì)施加于線 性觸控探測(cè)傳感器5。因此，構(gòu)成如圖4的等效電路一樣的電路。
[0013] 此處，現(xiàn)有觸控屏面板探測(cè)觸控電容Ct的變化來(lái)識(shí)別觸控，且在探測(cè)Ct的過(guò)程中 例如Cvcom及Cp等組件起到噪聲的作用。具體而言，由圖案之間的電容親合引起的Cp為 觸控電容Ct的十倍大，因此觸控靈敏度可能會(huì)因Cp而降低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0014] 技術(shù)問(wèn)題
[0015] 本發(fā)明的目的是提供一種電容型觸控探測(cè)構(gòu)件及探測(cè)方法，電容型觸控探測(cè)構(gòu)件 及探測(cè)方法能夠通過(guò)對(duì)在連接至觸控探測(cè)器的感測(cè)墊與鄰近感測(cè)墊的非感測(cè)墊之間形成 的通常起到寄生電容器作用的感測(cè)等效電容器的一側(cè)施加交流驅(qū)動(dòng)電壓并利用如下現(xiàn)象 取得觸控信號(hào)來(lái)將寄生電容的影響最小化并穩(wěn)定地取得觸控信號(hào)：當(dāng)在觸控輸入構(gòu)件（例 如手指）與感測(cè)墊之間形成觸控電容時(shí)，由觸控探測(cè)器所探測(cè)的電壓的量值會(huì)因應(yīng)于觸控 電容的量值而出現(xiàn)差異。
[0016] 技術(shù)手段
[0017] 如上文，本發(fā)明的特性配置如下以實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的上述目的以及本發(fā)明的具體效 果。
[0018] 根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，提供一種觸控探測(cè)構(gòu)件，觸控探測(cè)構(gòu)件包括：多個(gè)觸 控探測(cè)傳感器；多個(gè)傳感器信號(hào)線，用以對(duì)觸控探測(cè)傳感器施加信號(hào)或接收自觸控探測(cè)傳 感器取得的信號(hào)；以及觸控探測(cè)器14,用以基于所取得的信號(hào)來(lái)探測(cè)觸控輸入構(gòu)件是否產(chǎn) 生觸控，其中觸控探測(cè)傳感器被分類(lèi)成至少一個(gè)感測(cè)墊及至少一個(gè)非感測(cè)墊，且觸控的產(chǎn) 生是基于多個(gè)等效電容器Ceq的電壓變化來(lái)探測(cè)，多個(gè)等效電容器形成在連接至感測(cè)墊的 至少一個(gè)感測(cè)墊傳感器信號(hào)線與連接至非感測(cè)墊的至少一個(gè)非感測(cè)墊傳感器信號(hào)線之間。 [0019] 觸控的產(chǎn)生可在其中對(duì)等效電容器施加交流電壓的狀態(tài)下進(jìn)行探測(cè)，且交流電壓 是經(jīng)由非感測(cè)墊傳感器信號(hào)線進(jìn)行施加。
[0020] 觸控探測(cè)構(gòu)件還可包括：三端子式開(kāi)關(guān)元件，被配置成充電構(gòu)件以在探測(cè)是否產(chǎn) 生觸控之前對(duì)觸控探測(cè)傳感器充電，其中三端子式開(kāi)關(guān)元件將由被供應(yīng)至控制端子的控制 信號(hào)輸入至輸入端子的充電信號(hào)供應(yīng)至與輸出端子連接的觸控探測(cè)傳感器，以對(duì)觸控探測(cè) 傳感器充電。
[0021] 輸入端子可保持等于或大于100kQ的高阻抗?fàn)顟B(tài)，且在觸控探測(cè)器探測(cè)是否產(chǎn) 生觸控時(shí)，輸出端子可保持等于或大于l〇〇kΩ的高阻抗?fàn)顟B(tài)。
[0022] 可通過(guò)調(diào)整三端子式開(kāi)關(guān)元件的控制信號(hào)的接通時(shí)間來(lái)確定充電時(shí)間。
[0023] 等效電容器可根據(jù)等效電容器的電容的量值而被分類(lèi)成線之間的第一電容與線 之間的第二電容中的至少一個(gè)。
[0024] 觸控探測(cè)構(gòu)件還可包括：充電構(gòu)件，用以在探測(cè)是否產(chǎn)生觸控之前，對(duì)線之間的第 一電容及線之間的第二電容以具有相同電壓的預(yù)充電信號(hào)進(jìn)行充電。
[0025] 線之間的第二電容可大于線之間的第一電容。
[0026] 可通過(guò)調(diào)整感測(cè)墊傳感器信號(hào)線與非感測(cè)墊傳感器信號(hào)線之間的距離來(lái)改變線 之間的第二電容及線之間的第一電容。
[0027] 觸控可在探測(cè)是否產(chǎn)生觸控時(shí)利用線之間的第一電容與線之間的第二電容中的 僅任一個(gè)來(lái)探測(cè)。
[0028] 在利用線之間的第一電容探測(cè)觸控的產(chǎn)生時(shí)，參與形成線之間的第二電容的非感 測(cè)墊傳感器信號(hào)線可保持浮動(dòng)狀態(tài)或高阻抗?fàn)顟B(tài)。
[0029] 觸控探測(cè)傳感器、感測(cè)墊傳感器信號(hào)線、及非感測(cè)墊傳感器信號(hào)線可使用同一掩 模形成。
[0030] 傳感器信號(hào)線的寬度可根據(jù)觸控探測(cè)傳感器的位置而不同地形成。
[0031] 在對(duì)探測(cè)傳感器充電之后，可對(duì)等效電容器施加交流電壓。
[0032] 觸控探測(cè)構(gòu)件還可包括：用以改變交流電壓的量值的構(gòu)件。
[0033] 觸控探測(cè)構(gòu)件還可包括：用以改變交流電壓的上升沿或下降沿的梯度的構(gòu)件。
[0034] 觸控探測(cè)構(gòu)件還可包括：觸控電容器Ct，被配置成由觸控探測(cè)傳感器及觸控輸入 構(gòu)件的觸控形成；以及共用電極電容器Cvcom，被配置成形成于觸控探測(cè)傳感器與對(duì)包括 觸控探測(cè)傳感器的顯示元件施加共用電壓的共用電極之間。
[0035] 在觸控探測(cè)傳感器未感測(cè)到觸控時(shí)，觸控探測(cè)器所感測(cè)的電壓可由以下方程式1 計(jì)算。
[0036]以下方程式 1 可為 .說(shuō) 廠 + ]·???-叫 ο
[0037] 在上述方程式1中，Vsensor_t_h可代表在未進(jìn)行觸控時(shí)由觸控探測(cè)器14探測(cè)的 電壓，Vpra可代表觸控探測(cè)傳感器的充電電壓，Vh可代表對(duì)非感測(cè)墊傳感器信號(hào)線施加的交 流電壓的高電平電壓，％可代表對(duì)非感測(cè)墊傳感器信號(hào)線施加的交流電壓的低電平電壓， Cvcom可代表共用電極電容器的電容，Cp可代表由觸控探測(cè)構(gòu)件產(chǎn)生的寄生電容，Ct可代 表觸控電容器的電容，在交流電壓自低變?yōu)楦邥r(shí)，Vh-Vj^極性可為正的，且在交流電壓自 高變?yōu)榈蜁r(shí)，Vh-Vi的極性可為負(fù)的。
[0038] 在觸控探測(cè)傳感器感測(cè)到觸控時(shí)，觸控探測(cè)器所感測(cè)的電壓可由以下方程式2計(jì)
算。
[0039] 以下方程式2可）
[0040] 在上述方程式2中，VsenS〇rt_h可代表在產(chǎn)生觸控時(shí)由觸控探測(cè)器14探測(cè)的電 壓，vpra可代表觸控探測(cè)傳感器的充電電壓，vh可代表對(duì)非感測(cè)墊傳感器信號(hào)線施加的交 流電壓的高電平電壓，％可代表對(duì)非感測(cè)墊傳感器信號(hào)線施加的交流電壓的低電平電壓， Cvcom可代表共用電極電容器的電容，Cp可代表由觸控探測(cè)構(gòu)件產(chǎn)生的寄生電容，Ct可代 表觸控電容器的電容，在交流電壓自低變?yōu)楦邥r(shí)，Vh-Vj^極性可為正的，且在交流電壓自高 變?yōu)榈蜁r(shí)，Vh-Vi的極性可為負(fù)的。
[0041] 關(guān)于觸控探測(cè)器是否產(chǎn)生觸控的判斷可基于由以上方程式1所取得的電壓與由 以上方程式2所取得的電壓之間的差。
[0042] 以上方程式1可為
[0044] 在以上方程式1及方程式2中，Vsensorncitt_h可代表在未進(jìn)行觸控時(shí)由觸控探測(cè) 器14探測(cè)的電壓，VsenS〇rt_h可代表在產(chǎn)生觸控時(shí)由觸控探測(cè)器14探測(cè)的電壓，V可代 表觸控探測(cè)傳感器的充電電壓，Vh可代表對(duì)非感測(cè)墊傳感器信號(hào)線施加的交流電壓的高電 平電壓，％可代表對(duì)非感測(cè)墊傳感器信號(hào)線施加的交流電壓的低電平電壓，Cvcom可代表共 用電極電容器的電容，Cp可代表由觸控探測(cè)構(gòu)件產(chǎn)生的寄生電容，Ct可代表觸控電容器的 電容，在交流電壓自低變?yōu)楦邥r(shí)，Vh-Vj^極性可為正的，且在交流電壓自高變?yōu)榈蜁r(shí)，Vh-Vi 的極性可為負(fù)的。
[0045] 觸控探測(cè)傳感器可被排列成陣列，且觸控探測(cè)器可探測(cè)每一行中的信號(hào)。
[0046] 觸控探測(cè)構(gòu)件還可包括：補(bǔ)償電容器，用以補(bǔ)償線之間的第一電容與線之間的第 二電容之間的差。
[0047] 補(bǔ)償電容器的一側(cè)可連接至觸控探測(cè)器并可接收與經(jīng)過(guò)補(bǔ)償電容器的另一側(cè)的 交流電壓相同的交流電壓。
[0048] 補(bǔ)償電容器的一側(cè)可連接至觸控探測(cè)器并可接收與經(jīng)過(guò)補(bǔ)償電容器的另一側(cè)的 交流電壓不同的交流電壓。
[0049] 在觸控探測(cè)傳感器未感測(cè)到觸控時(shí)，觸控探測(cè)器所感測(cè)的電壓可由以下方程式5 計(jì)算。
[0050] 以下方程式5可關(guān)
[0051] 在以上方程式5中，VSenS〇r_t_h可代表在未進(jìn)行觸控時(shí)由觸控探測(cè)器14探測(cè) 的電壓，可代表觸控探測(cè)傳感器的充電電壓，Vh可代表對(duì)非感測(cè)墊傳感器信號(hào)線及補(bǔ)償 電容器施加的交流電壓的高電平電壓，Vi可代表對(duì)非感測(cè)墊傳感器信號(hào)線及補(bǔ)償電容器 Cbal施加的交流電壓的低電平電壓，Cvcom可代表在觸控探測(cè)傳感器與對(duì)包括觸控探測(cè)傳 感器的顯示元件施加共用電壓的共用電極之間形成的共用電極電容器的電容，Cp可代表由 觸控探測(cè)構(gòu)件產(chǎn)生的寄生電容，Ct可代表由觸控探測(cè)傳感器與觸控輸入構(gòu)件的觸控形成的 觸控電容器的電容，在交流電壓自低變?yōu)楦邥r(shí)，Vh-Vj^極性可為正的，且在交流電壓自高變 為低時(shí)，Vh-Vi的極性可為負(fù)的。
[0052] 在觸控探測(cè)傳感器感測(cè)到觸控時(shí)，觸控探測(cè)器所感測(cè)的電壓可由以下方程式6計(jì) 算。
[0053] 以下方程式6可，
[0054] 在以上方程式6中，Vsensort_h可代表在產(chǎn)生觸控時(shí)由觸控探測(cè)器14探測(cè)的電 壓，\"可代表觸控探測(cè)傳感器的充電電壓，Vh可代表對(duì)非感測(cè)墊傳感器信號(hào)線及補(bǔ)償電容 器施加的交流電壓的高電平電壓，％可代表對(duì)非感測(cè)墊傳感器信號(hào)線及補(bǔ)償電容器Cbal 施加的交流電壓的低電平電壓，Cvcom可代表在觸控探測(cè)傳感器與對(duì)包括觸控探測(cè)傳感器 的顯示元件施加共用電壓的共用電極之間形成的共用電極電容器的電容，Cp可代表由觸控 探測(cè)構(gòu)件產(chǎn)生的寄生電容，Ct可代表由觸控探測(cè)傳感器與觸控輸入構(gòu)件的觸控形成的觸控 電容器的電容，在交流電壓自低變?yōu)楦邥r(shí)，Vh-Vj^極性可為正的，且在交流電壓自高變?yōu)榈?時(shí)，Vh-Vi的極性可為負(fù)的。
[0055] 關(guān)于觸控探測(cè)器是否產(chǎn)生觸控的判斷可基于由以上方程式5所取得的電壓與由 以上方程式6所取得的電壓之間的差。
[0056] 以上方程式5可為
[0058]在以上方程式5及方程式6中，VsenS〇r_t_h可代表在未進(jìn)行觸控時(shí)由觸控探測(cè) 器14探測(cè)的電壓，VsenS〇rt_h可代表在產(chǎn)生觸控時(shí)由觸控探測(cè)器14探測(cè)的電壓，V可代 表觸控探測(cè)傳感器的充電電壓，Vh可代表對(duì)非感測(cè)墊傳感器信號(hào)線及補(bǔ)償電容器施加的交 流電壓的高電平電壓，％可代表對(duì)非感測(cè)墊傳感器信號(hào)線及補(bǔ)償電容器Cbal施加的交流 電壓的低電平電壓，Cvcom可代表在觸控探測(cè)傳感器與對(duì)包括觸控探測(cè)傳感器的顯示元件 施加共用電壓的共用電極之間形成的共用電極電容器的電容，Cp可代表由觸控探測(cè)構(gòu)件產(chǎn) 生的寄生電容，Ct可代表由觸控探測(cè)傳感器與觸控輸入構(gòu)件的觸控形成的觸控電容器的電 容，在交流電壓自低變?yōu)楦邥r(shí)，極性可為正的，且在交流電壓自高變?yōu)榈蜁r(shí)，Vh-V^ 極性可為負(fù)的。
[0059] 觸控探測(cè)器可探測(cè)是否與交流電壓的上升沿或交流電壓的下降沿同步地產(chǎn)生觸 控。
[0060] 觸控探測(cè)器可探測(cè)是否與交流電壓的上升沿或交流電壓的下降沿相距預(yù)定時(shí)間 間隔產(chǎn)生觸控。
[0061] 產(chǎn)生交流電壓的交流電壓產(chǎn)生器可具有筆的形狀，且所產(chǎn)生的交流電壓可經(jīng)由筆 的前端傳送。
[0062] 觸控探測(cè)傳感器之間的結(jié)合部可面對(duì)彼此，具有帶有至少一個(gè)拐點(diǎn)或彎曲部的幾 何形狀。
[0063] 觸控探測(cè)傳感器可被劃分成多個(gè)區(qū)域，僅被劃分區(qū)域的一部分可設(shè)有預(yù)定圖案， 且所形成的圖案可連接至彼此。
[0064] 在傳感器信號(hào)線穿過(guò)顯示元件的黑色矩陣部時(shí)，傳感器信號(hào)線的寬度可被形成得 寬。
[0065] 根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，提供一種觸控探測(cè)方法，包括：使用三端子式開(kāi)關(guān)元件 以預(yù)定充電電壓對(duì)多個(gè)觸控探測(cè)傳感器進(jìn)行充電；將多個(gè)觸控探測(cè)傳感器分類(lèi)成至少一個(gè) 傳感器墊及至少一個(gè)非感測(cè)墊，在連接至感測(cè)墊的至少一個(gè)感測(cè)墊傳感器信號(hào)線與連接至 非感測(cè)墊的至少一個(gè)非感測(cè)墊傳感器信號(hào)線之間形成多個(gè)等效電容器Ceq;以及由觸控探 測(cè)器經(jīng)由非感測(cè)墊傳感器信號(hào)線對(duì)等效電容器施加交流電壓，并根據(jù)觸控輸入構(gòu)件是否產(chǎn) 生觸控而基于等效電容器中所產(chǎn)生的電壓變化來(lái)探測(cè)觸控。
[0066] 感測(cè)墊及非感測(cè)墊的分類(lèi)可基于所定義次序而依序確定。
[0067] 觸控探測(cè)器可探測(cè)是否與交流電壓的上升沿或交流電壓的下降沿同步地產(chǎn)生觸 控。
[0068] 觸控探測(cè)器可探測(cè)是否與交流電壓的上升沿或交流電壓的下降沿相距預(yù)定時(shí)間 間隔產(chǎn)生觸控。
[0069] 三端子式開(kāi)關(guān)元件可將由被供應(yīng)至控制端子的控制信號(hào)輸入至輸入端子的充電 信號(hào)供應(yīng)至與輸出端子連接的觸控探測(cè)傳感器，以對(duì)觸控探測(cè)傳感器充電。
[0070] 輸入端子可保持等于或大于100kΩ的高阻抗?fàn)顟B(tài)，且在觸控探測(cè)器探測(cè)是否產(chǎn) 生觸控時(shí)，輸出端子可保持等于或大于l〇〇kΩ的高阻抗?fàn)顟B(tài)。
[0071] 可通過(guò)調(diào)整三端子式開(kāi)關(guān)元件的控制信號(hào)的接通時(shí)間來(lái)確定充電時(shí)間。
[0072] 等效電容器可根據(jù)等效電容器的電容的量值而被分類(lèi)成線之間的第一電容與線 之間的第二電容中的至少一個(gè)。
[0073] 觸控探測(cè)方法還可包括：在探測(cè)是否產(chǎn)生觸控之前，對(duì)線之間的第一電容及線之 間的第二電容以具有相同電壓的預(yù)充電信號(hào)進(jìn)行充電。
[0074] 線之間的第二電容可大于線之間的第一電容。
[0075] 可通過(guò)調(diào)整感測(cè)墊傳感器信號(hào)線與非感測(cè)墊傳感器信號(hào)線之間的距離來(lái)改變線 之間的第二電容及線之間的第一電容。
[0076] 觸控可在探測(cè)是否產(chǎn)生觸控時(shí)利用線之間的第一電容與線之間的第二電容中的 僅任一個(gè)來(lái)探測(cè)。
[0077] 在利用線之間的第一電容探測(cè)觸控的產(chǎn)生時(shí)，參與形成線之間的第二電容的非感 測(cè)墊傳感器信號(hào)線可保持浮動(dòng)狀態(tài)或高阻抗?fàn)顟B(tài)。
[0078] 觸控探測(cè)傳感器、感測(cè)墊傳感器信號(hào)線、及非感測(cè)墊傳感器信號(hào)線可使用同一掩 模形成。
[0079] 傳感器信號(hào)線的寬度可根據(jù)觸控探測(cè)傳感器的位置而不同地形成。
[0080] 觸控探測(cè)方法還可包括：改變交流電壓的量值。
[0081] 觸控探測(cè)方法還可包括：改變交流電壓的上升沿或下降沿的梯度。
[0082] 在觸控探測(cè)傳感器未感測(cè)到觸控時(shí)，觸控探測(cè)器所感測(cè)的電壓可由以下方程式1 計(jì)算。
[0083] 方程式1可為
?.
[0084] 在以上方程式1中，Vsensor_t_h可代表在未進(jìn)行觸控時(shí)由觸控探測(cè)器探測(cè)的電 壓，Vpra可代表觸控探測(cè)傳感器的充電電壓，Vh可代表對(duì)非感測(cè)墊傳感器信號(hào)線施加的交 流電壓的高電平電壓，％可代表對(duì)非感測(cè)墊傳感器信號(hào)線施加的交流電壓的低電平電壓， Cvcom可代表在觸控探測(cè)傳感器與對(duì)包括觸控探測(cè)傳感器的顯示元件施加共用電壓的共 用電極之間形成的共用電極電容器的電容，Cp可代表由觸控探測(cè)構(gòu)件產(chǎn)生的寄生電容，Ct 可代表由觸控探測(cè)傳感器及觸控輸入構(gòu)件的觸控形成的電容，在交流電壓自低變?yōu)楦邥r(shí)， \，的極性可為正的，且在交流電壓自高變?yōu)榈蜁r(shí)，Vh-L的極性可為負(fù)的。
[0085] 在觸控探測(cè)傳感器感測(cè)到觸控時(shí)，觸控探測(cè)器所感測(cè)的電壓可由以下方程式2計(jì) 算。
[0086] 以下方程式2可）
[0087] 在以上方程式2中，Vsensort_h可代表在產(chǎn)生觸控時(shí)由觸控探測(cè)器14探測(cè)的電 壓，vpra可代表觸控探測(cè)傳感器的充電電壓，vh可代表對(duì)非感測(cè)墊傳感器信號(hào)線施加的交 流電壓的高電平電壓，％可代表對(duì)非感測(cè)墊傳感器信號(hào)線施加的交流電壓的低電平電壓， Cvcom可代表在觸控探測(cè)傳感器與對(duì)包括觸控探測(cè)傳感器的顯示元件施加共用電壓的共 用電極之間形成的共用電極電容器的電容，Cp可代表由觸控探測(cè)構(gòu)件產(chǎn)生的寄生電容，Ct 可代表由觸控探測(cè)傳感器及觸控輸入構(gòu)件的觸控形成的電容，在交流電壓自低變?yōu)楦邥r(shí)， \，的極性可為正的，且在交流電壓自高變?yōu)榈蜁r(shí)，Vh-L的極性可為負(fù)的。
[0088] 關(guān)于觸控探測(cè)器是否產(chǎn)生觸控的判斷可基于由以上方程式1所取得的電壓與由 以上方程式2所取得的電壓之間的差。
[0089]
[0090] a
[0091] 在以上方程式1及方程式2中，Vsensorncitt_h可代表在未進(jìn)行觸控時(shí)