觸控顯示面板的制作方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示觸控領域，尤其涉及觸控顯示面板。
【背景技術】
[0002]隨著人機交互技術的發(fā)展，觸控技術越來越多地使用在各種顯示器上。電容性觸控技術由于其耐磨損、壽命長，用戶使用時維護成本低，并且可以支持手勢識別及多點觸控的優(yōu)點而被廣泛地使用。
[0003]電容性觸控技術根據(jù)不同對象之間的電容的檢測方式，可以分為自電容式觸控技術和互電容式觸控技術。自電容式觸控技術根據(jù)輸入對象和電極之間的電容變化來檢測輸入對象在觸摸屏上的存在、位置及運動?；ル娙菔接|控技術則根據(jù)輸入對象導致的電極間的電容變化來檢測輸入對象在觸摸屏上的存在、位置及運動。
[0004]然而，對于互電容式觸控技術，需要將電極層劃分為多個觸控電極以檢測顯示面板不同位置的電容。這樣，相鄰觸控電極之間會形成狹縫。尤其對于共用電極復用為觸控電極時，由于共用電極上會具有一些供像素電極和源漏極連接的開口，而這樣的設置會使得共用電極在這些開口與上述狹縫之間的關鍵尺寸(critical dimens1n，⑶)過細進而使得工藝難度增加、影響面板開口率、共用電極的電阻增加，而電阻的增加進一步造成共用電極上信號延遲增大等問題，進而影響觸控顯示面板的觸控檢測能力和顯示效果。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明為了克服上述現(xiàn)有技術存在的缺陷，提供一種觸控顯示面板，其改善觸控顯示面板的觸控檢測能力和顯示效果。
[0006]根據(jù)本發(fā)明的一種方面，提供一種觸控顯示面板，包括:第一基板;薄膜晶體管，設置在所述第一基板之上;像素電極層，設置在所述薄膜晶體管之上，所述像素電極層通過接觸孔連接所述薄膜晶體管的漏極或源極;共用電極層，設置在所述第一基板之上，位于所述像素電極層之下，所述共用電極層劃分為多個共用電極，相鄰所述共用電極之間形成狹縫，所述狹縫與位于所述狹縫之上的所述接觸孔連接。
[0007]與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明通過相鄰共用電極之間形成的狹縫與位于狹縫之上的接觸孔連接，來改善觸控顯示面板的觸控檢測能力和顯示效果，并具有如下優(yōu)勢:
[0008]I)增大了共用電極的關鍵尺寸，減少共用電極圖案化制程工藝的難度；
[0009]2)減小共用電極的電阻，進而減少共用電極上的信號延遲。
【附圖說明】
[0010]通過參照附圖詳細描述其示例實施方式，本發(fā)明的上述和其它特征及優(yōu)點將變得更加明顯。
[0011 ]圖1示出了現(xiàn)有技術的觸控顯示面板的示意圖。
[0012]圖2示出了現(xiàn)有技術的觸控顯示面板AA’部分的示意性截面圖。
[0013]圖3示出了根據(jù)本發(fā)明第一實施例的觸控顯示面板的示意圖。
[0014]圖4示出了根據(jù)本發(fā)明第一實施例的觸控顯示面板BB’部分的示意性截面圖。
[0015]圖5示出了根據(jù)本發(fā)明第二實施例的觸控顯示面板的示意圖。
[0016]圖6示出了根據(jù)本發(fā)明第三實施例的觸控顯示面板的示意圖。
[0017]圖7示出了根據(jù)本發(fā)明觸控驅(qū)動電極和觸控感測電極的示意圖。
[0018]圖8示出了根據(jù)本發(fā)明觸控顯示面板的截面圖。
[0019]圖9示出了根據(jù)現(xiàn)有技術的共用電極的示意圖。
[0020]圖10示出了根據(jù)現(xiàn)有技術的共用電極的電阻等效圖。
[0021 ]圖11示出了根據(jù)本發(fā)明第一實施例的共用電極的示意圖。
[0022]圖12示出了根據(jù)本發(fā)明第一實施例的共用電極的電阻等效圖。
【具體實施方式】
[0023]現(xiàn)在將參考附圖更全面地描述示例實施方式。然而，示例實施方式能夠以多種形式實施，且不應被理解為限于在此闡述的實施方式;相反，提供這些實施方式使得本發(fā)明將全面和完整，并將示例實施方式的構思全面地傳達給本領域的技術人員。在圖中相同的附圖標記表示相同或類似的結構，因而將省略對它們的重復描述。
[0024]所描述的特征、結構或特性可以以任何合適的方式結合在一個或更多實施方式中。在下面的描述中，提供許多具體細節(jié)從而給出對本發(fā)明的實施方式的充分理解。然而，本領域技術人員應意識到，沒有特定細節(jié)中的一個或更多，或者采用其它的方法、組元、材料等，也可以實踐本發(fā)明的技術方案。在某些情況下，不詳細示出或描述公知結構、材料或者操作以避免模糊本發(fā)明。
[0025]本發(fā)明的附圖僅用于示意相對位置關系，某些部位的層厚采用了夸示的繪圖方式以便于理解，附圖中的層厚并不代表實際層厚的比例關系。
[0026]應理解，當稱元件或?qū)釉诹硪辉驅(qū)印爸稀被蛘摺斑B接”另一元件或?qū)訒r，它可以直接在另一元件或?qū)由匣蛑苯舆B接到另一元件或?qū)?，或者還可以存在插入的元件或?qū)印?br>[0027]本發(fā)明現(xiàn)有技術可參考圖1和圖2所示的觸控顯示面板100。觸控顯示面板100包括基板190、多條柵極線140、多條數(shù)據(jù)線130、多個薄膜晶體管160、像素電極層120及共用電極層110。其中，像素電極層120通過第一接觸孔121連接薄膜晶體管160的漏極或者源極162。共用電極層110劃分為多個共用電極111，相鄰共用電極111 (例如共用電極11 Ia和共用電極Illb)之間形成狹縫112。
[0028]由于共用電極層110位于像素電極層120和薄膜晶體管160的漏極或者源極162所在的金屬層之間，第一接觸孔121需要穿過共用電極層110，才能使得像素電極層120與薄膜晶體管160的漏極或者源極162連接，因此，共用電極111具有供第一接觸孔121穿過的開口113。
[0029]然而，按現(xiàn)有技術的方式，在狹縫112和開口113之間的公共電極111的關鍵尺寸(如dl和d2所示)過細，增加共用電極111的制造工藝難度。同時，共用電極111這樣的形狀使得共用電極111的電阻相比其他沒有開口的共用電極電阻更大，進而造成共用電極111上信號延遲。
[0030]為了改善現(xiàn)有技術的缺陷，本發(fā)明提供一種觸控顯示面板。首先參見圖3和圖4來描述本發(fā)明提供的觸控顯示面板的第一實施例。
[0031]在第一實施例中，觸控顯示面板200包括基板290、多個薄膜晶體管260、像素電極層220及共用電極層210。
[0032]多個薄膜晶體管260設置在基板290之上。優(yōu)選地，每個像素區(qū)280中設置至少一個薄膜晶體管260 ο例如，在本實施例中，每個像素區(qū)280中僅設置一個薄膜晶體管260。而在一些變化例中，像素區(qū)280中也可以設置多個薄膜晶體管260。各薄膜晶體管260包括柵極261、源極263、漏極262。薄膜晶體管260的漏極262通過第一接觸孔221與像素電極層220連接(在本實施例中以漏極262通過第一接觸孔221與像素電極層220連接，但不構成對本實施例的限定，也可以是以源極263通過第一接觸孔221與像素電極層220連接)。
[0033]在本實施例中，薄膜晶體管260為頂柵結構的薄膜晶體管。薄膜晶體管260的半導體層250位于薄膜晶體管260的柵極261所在的金屬層和基板290之間。薄膜晶體管260的源極263和漏極262所在的金屬層位于柵極261所在的金屬層之上。薄膜晶體管260的源極263通過接觸孔連接至半導體層250。薄膜晶體管260的漏極262通過接觸孔連接至半導體層250。
[0034]薄膜晶體管260的結構并非以此為限，其也可以具有底柵結構。薄膜晶體管260的結構可隨不同的實施例變化，在此不再一一贅述。
[0035]需要說明的是，在本實施例中，半導體層250的材料可以