欧美在线观看视频网站,亚洲熟妇色自偷自拍另类,啪啪伊人网,中文字幕第13亚洲另类,中文成人久久久久影院免费观看 ,精品人妻人人做人人爽,亚洲a视频

觸控模塊的制作方法

文檔序號:9810071閱讀:200來源:國知局
觸控模塊的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種觸控模塊。
【背景技術(shù)】
[0002]目前用以連接觸控面板內(nèi)傳感單元與處理器的導(dǎo)線均是設(shè)置于傳感單元所屬的電極層的邊緣。當(dāng)至少一個傳感單元產(chǎn)生至少一個觸碰信號時,至少一個觸碰信號即可通過至少一條相對應(yīng)的導(dǎo)線傳送至處理器執(zhí)行相對應(yīng)的操作。然而用以連接觸控面板內(nèi)傳感單元與處理器的導(dǎo)線將會隨著手機(jī)顯示屏尺寸增加而增加,導(dǎo)致電極層的邊緣用以設(shè)置導(dǎo)線的區(qū)域也增加。如此,電極層的邊緣用以設(shè)置導(dǎo)線的區(qū)域增加不僅增加了手機(jī)的體積,也會影響手機(jī)的美觀。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的一實(shí)施例公開一種觸控模塊。所述觸控模塊包含一基板及一電極層。所述電極層形成于所述基板表面,并包含有多個間隔排列的傳感單元。多個所述傳感單元中的至少一個傳感單元耦接一走線,且所述走線布設(shè)于多個所述傳感單元之間的間隙。
[0004]本發(fā)明的另一實(shí)施例公開一種觸控模塊。所述觸控模塊包含一基板及一電極層。所述電極層形成于所述基板表面,并包括呈矩陣式排列的多個間隔排列的第一傳感單元以及多個間隔排列的第二傳感單元。多個所述第一傳感單元中的至少一個第一傳感單元耦接一走線,且所述走線布設(shè)于多個所述第二傳感單元之間的間隙。
[0005]本發(fā)明公開一種觸控模塊。所述觸控模塊是利用一電極層的傳感單元之間的空間設(shè)置耦接于所述電極層的傳感單元的多條導(dǎo)線中的部分或全部,所以本發(fā)明可減少所述電極層的邊緣用以設(shè)置導(dǎo)線的區(qū)域。因此,相較于現(xiàn)有技術(shù),所述電極層的邊緣用以設(shè)置導(dǎo)線的區(qū)域減少,從而不僅減少了應(yīng)用所述觸控模塊的手機(jī)的體積,也會增加所述手機(jī)的美觀。
【附圖說明】
[0006]圖1是本發(fā)明第一實(shí)施例公開的一種觸控模塊的橫截面的示意圖。
[0007]圖2是說明電極層包含16個傳感單元的示意圖。
[0008]圖3是本發(fā)明第二實(shí)施例公開的觸控模塊的傳感單元與處理器之間的導(dǎo)線的設(shè)置位置的示意圖。
[0009]圖4是本發(fā)明第三實(shí)施例公開的觸控模塊的傳感單元與處理器之間的導(dǎo)線的設(shè)置位置的示意圖。
[0010]圖5是本發(fā)明第四實(shí)施例公開的觸控模塊的傳感單元與處理器之間的導(dǎo)線的設(shè)置位置的示意圖。
[0011]其中,附圖標(biāo)記說明如下:
[0012]100、200、400、500 觸控模塊
[0013]102基板
[0014]104電極層
[0015]108處理器
[0016]C1-C8第一傳感單元
[0017]C9-C16第二傳感單元
【具體實(shí)施方式】
[0018]請參照圖1,圖1是本發(fā)明第一實(shí)施例公開的一種觸控模塊100的橫截面的示意圖。如圖1所不,觸控模塊100包含一基板102和一電極層104,其中電極層104是形成于基板102的表面以及基板102可為一玻璃。但本發(fā)明并不受限于基板102為一玻璃。電極層104包含矩陣式排列的8個間隔排列的第一傳感單元C1-C8以及8個間隔排列的第二傳感單元C9-C16(如圖2所示)。另外,如圖2所示的第一傳感單元C1-C8以及第二傳感單元C9-C16僅是用以舉例說明,不構(gòu)成對本發(fā)明保護(hù)范圍的限制,也就是說本發(fā)明并不受限于電極層104包含8個的第一傳感單元C1-C8以及8個的第二傳感單元C9-C16,也不受限于8個的第一傳感單元C1-C8以及8個的第二傳感單元C9-C16中的每一傳感單元的形狀是直角三角形。如圖2所示,耦接于8個傳感單元C1-C8與一處理器108之間的8條導(dǎo)線是設(shè)置于傳感單元C12、C13之間。但本發(fā)明并不受限于耦接于8個第一傳感單元C1-C8與處理器108之間的8條導(dǎo)線是設(shè)置于第二傳感單元C12、C13之間,也就是說只要耦接于8個第一傳感單元C1-C8的8條導(dǎo)線的部分是設(shè)置于8個第二傳感單元C9-C16之間即落入本發(fā)明的范疇。另外,耦接于8個第二傳感單元C9-C16與處理器108之間的8條導(dǎo)線是向下延伸至處理器108。如圖2所示,因?yàn)轳罱佑?個第一傳感單元C1-C8與處理器108之間的8條導(dǎo)線是設(shè)置于第二傳感單元C12、C13之間,所以電極層104的邊緣用以設(shè)置其余導(dǎo)線的區(qū)域減少。如此,電極層104的邊緣用以設(shè)置其余導(dǎo)線的區(qū)域減少不僅減少了應(yīng)用觸控模塊100的手機(jī)的體積,也會增加手機(jī)的美觀。另外,因?yàn)轳罱佑?個的第一傳感單元C1-C8以及8個的第二傳感單元C9-C16的16條導(dǎo)線的每一導(dǎo)線的線寬都很小,所以設(shè)置于第二傳感單元C12、C13之間的8條導(dǎo)線的每一導(dǎo)線所造成的電容變化也很小,也就是說設(shè)置于第二傳感單元C12、C13之間的8條導(dǎo)線的每一導(dǎo)線所造成的電容變化可忽略不計(jì)。然而也可利用現(xiàn)有技術(shù)所公開的電荷分配公式消除設(shè)置于第二傳感單元C12、C13之間的8條導(dǎo)線的每一導(dǎo)線所造成的電容變化的影響。另外,在本發(fā)明的另一實(shí)施例中,觸控模塊100另包含處理器108。
[0019]請參照圖3,圖3是本發(fā)明第二實(shí)施例公開的觸控模塊200的8個的第一傳感單元C1-C8以及8個的第二傳感單元C9-C16與處理器108之間的16條導(dǎo)線的設(shè)置位置的示意圖。如圖3所示,耦接于4個第一傳感單元Cl、C2、C7、C8與處理器108之間的4條導(dǎo)線是沿電極層104的邊緣設(shè)置,以及耦接于4個第一傳感單元C3-C6與處理器108之間的4條導(dǎo)線是設(shè)置于第二傳感單元C12、C13之間。但本發(fā)明并不受限于耦接于4個第一傳感單元Cl、C2、C7、CS與處理器108之間的4條導(dǎo)線是沿電極層104的邊緣設(shè)置,以及耦接于4個第一傳感單兀C3-C6與處理器108之間的4條導(dǎo)線是設(shè)置于第二傳感單兀C12、C13之間,也就是說只要耦接于8個的第一傳感單元C1-C8以及8個的第二傳感單元C9-C16的16條導(dǎo)線的部分是沿電極層104的邊緣設(shè)置,以及耦接于8個的第一傳感單元C1-C8以及8個的第二傳感單元C9-C16的16條導(dǎo)線的其余部分是設(shè)置于8個第二傳感單元C9-C16之間即落入本發(fā)明的范疇。另外,耦接于8個第二傳感單元C9-C16與處理器108之間的8條導(dǎo)線是向下延伸至處理器108。另外,觸控模塊200的其余原理都和觸控模塊100相同,在此不再贅述。
[0020]請參照圖4,圖4是本發(fā)明第三實(shí)施例公開的觸控模塊400的8個的第一傳感單元C1-C8以及8個的第二傳感單元C9-C16與處理器108之間的16條導(dǎo)線的設(shè)置位置的示意圖。如圖4所示,耦接于2個第一傳感單元Cl、C2與處理器108之間的2條導(dǎo)線是設(shè)置于第二傳感單元C1、Cll之間,以及耦接于2個第一傳感單元C7、C8與處理器108之間的2條導(dǎo)線是設(shè)置于第二傳感單元C14、C15之間。但本發(fā)明并不受限于耦接于2個第一傳感單元Cl、C2與處理器108之間的2條導(dǎo)線是設(shè)置于第二傳感單元C1、Cll之間,以及耦接于2個第一傳感單元C7、C8與處理器108之間的2條導(dǎo)線是設(shè)置于第二傳感單元C14、C15之間,也就是說只要耦接于8個第一傳感單元C1-C8的8條導(dǎo)線的部分是設(shè)置于8個第二傳感單元C9-C16之間即落入本發(fā)明的范疇。另外,耦接于8個第二傳感單元C9-C16與處理器108之間的8條導(dǎo)線是向下延伸至處理器108。另外,觸控模塊400的其余原理都和觸控模塊100相同,在此不再贅述。
[0021]請參照圖5,圖5是本發(fā)明第四實(shí)施例公開的觸控模塊500的8個的第一傳感單元C1-C8以及8個的第二傳感單元C9-C16與處理器108之間的16條導(dǎo)線的設(shè)置位置的示意圖。如圖5所示,耦接于第一傳感單元C3、C5與處理器108之間的2條導(dǎo)線是設(shè)置于第一傳感單元C4、C5之間與第二傳感單元C12、C13之間,以及耦接于第一傳感單元Cl、C2、C4、C6、C7、C8與處理器108之間的6條導(dǎo)線是設(shè)置于第二傳感單元C12、C13之間。但本發(fā)明并不受限于耦接于第一傳感單元C3、C5與處理器108之間的2條導(dǎo)線是設(shè)置于第一傳感單元C4、C5之間與第二傳感單元C12、C13之間,以及耦接于第一傳感單元Cl、C2、C4、C6、C7、CS與處理器108之間的6條導(dǎo)線是設(shè)置于第二傳感單元C12、C13之間,也就是說只要耦接于8個第一傳感單元C1-C8的8條導(dǎo)線的部分是設(shè)置于8個第一傳感單元C1-C8與8個第一傳感單元C9-C16之間即落入本發(fā)明的范疇。另外,耦接于8個第二傳感單元C9-C16與處理器108之間的8條導(dǎo)線是向下延伸至處理器108。另外,觸控模塊500的其余原理都和觸控模塊100相同,在此不再贅述。
[0022]綜上所述,本發(fā)明所公開的觸控模塊是利用電極層的傳感單元之間的空間設(shè)置耦接于電極層的傳感單元的多條導(dǎo)線中的部分或全部,所以本發(fā)明可減少電極層的邊緣用以設(shè)置導(dǎo)線的區(qū)域。因此,相較于現(xiàn)有技術(shù),電極層的邊緣用以設(shè)置導(dǎo)線的區(qū)域減少不僅減少了應(yīng)用觸控模塊的手機(jī)的體積,也會增加手機(jī)的美觀。
[0023]以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已,并不用于限制本發(fā)明,對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說,本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi),所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等,均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種觸控模塊,包含: 一基板;及 一電極層,形成于所述基板表面,并包含有多個間隔排列的傳感單元; 其特征在于: 多個所述傳感單元中的至少一個傳感單元耦接一走線,且所述走線布設(shè)于多個所述傳感單元之間的間隙。2.如權(quán)利要求1所述的觸控模塊,其特征在于,另包含: 一處理器,用以耦接所述走線。3.如權(quán)利要求1所述的觸控模塊,其特征在于:所述基板是一玻璃。4.一種觸控模塊,包含: 一基板;及 一電極層,形成于所述基板表面,所述電極層包括呈矩陣式排列的多個間隔排列的第一傳感單元以及多個間隔排列的第二傳感單元; 其特征在于: 多個所述第一傳感單元中的至少一個第一傳感單元耦接一走線,且所述走線布設(shè)于多個所述第二傳感單元之間的間隙。5.如權(quán)利要求4所述的觸控模塊,其特征在于,另包含: 一處理器,用以耦接所述走線。6.如權(quán)利要求4所述的觸控模塊,其特征在于:所述基板是一玻璃。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種觸控模塊。所述觸控模塊包含一基板及一電極層。所述電極層形成于所述基板表面,并包含有多個間隔排列的傳感單元。多個所述傳感單元中的至少一個傳感單元耦接一走線,且所述走線布設(shè)于多個所述傳感單元之間的間隙。因此,相較于現(xiàn)有技術(shù),所述電極層的邊緣用以設(shè)置導(dǎo)線的區(qū)域減少,從而不僅減少了應(yīng)用所述觸控模塊的手機(jī)的體積,也會增加所述手機(jī)的美觀。
【IPC分類】G06F3/041, H04M1/02
【公開號】CN105573537
【申請?zhí)枴緾N201410553430
【發(fā)明人】林招慶, 李文定, 沈宗毅
【申請人】源貿(mào)科技股份有限公司
【公開日】2016年5月11日
【申請日】2014年10月17日
網(wǎng)友詢問留言 已有0條留言
  • 還沒有人留言評論。精彩留言會獲得點(diǎn)贊!
1
巍山| 沂南县| 喀喇| 治多县| 沧源| 英吉沙县| 鹤山市| 巴楚县| 类乌齐县| 乐都县| 定结县| 中牟县| 大悟县| 郑州市| 昭苏县| 拉萨市| 防城港市| 邯郸县| 米脂县| 卢氏县| 唐山市| 南部县| 姜堰市| 西贡区| 杨浦区| 五台县| 大连市| 荣成市| 霍邱县| 沙湾县| 土默特右旗| 德清县| 资中县| 泰来县| 凤翔县| 华亭县| 崇文区| 安多县| 乐安县| 临潭县| 邵东县|