一種殺菌防水油污的耐磨觸摸顯示屏及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種殺菌防水油污的耐磨觸摸顯示屏及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有的觸摸顯示屏在使用過程中很容易被刮花或蹭花，影響美觀，更嚴(yán)重的是，觸摸顯示屏的表面刮花或蹭花后，內(nèi)層暴露在空氣中，容易受腐蝕，影響使用壽命。另外，現(xiàn)有的觸摸顯示屏較少有殺菌功能，人們?cè)谑褂眠^程中容易從觸摸顯示屏上感染細(xì)菌，且此外，人們的手觸摸到觸摸顯示屏上時(shí)，手上的油污和水漬很容易在觸摸顯示屏上留下痕跡，這些痕跡又很不容易擦除掉，這樣就會(huì)影響使用者觀察事物的效果，給使用者帶來不便。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的在于提供一種殺菌防水油污的耐磨觸摸顯示屏及其制造方法，該方法制造出來的觸摸顯示屏具有防止細(xì)菌或輻射對(duì)人體的傷害，而且具有高耐性。
[0004]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案:
一種殺菌防水油污的耐磨觸摸顯示屏，包括基板，所述基板的外表面從里到外依序設(shè)有第一膜層、第二膜層和第三膜層，所述第一膜層為納米銀層，第一膜層的厚度為5-20nm;第二膜層為高硬度層，第二膜層的厚度為10-50nm;所述第三膜層為氟化物，第三膜層的厚度為 3-10nm。
[0005]所述納米銀層的膜材為銀的氧化物，并使用電子槍蒸鍍成型。
[0006]所述銀的氧化物為Ag20、Ag0或Ag203。
[0007]所述高硬度層的膜材為三氧化二鋁、氧化鋯、二氧化硅晶體或一氧化硅晶體，并使用電子槍蒸鍍成型。
[0008]所述氟化物層的膜材為氟化鎂，并使用電阻蒸鍍成型。
[0009]所述基板為樹脂或玻璃成型。
[0010]本發(fā)明公開一種殺菌防水油污的耐磨觸摸顯示屏的制造方法，所述觸摸顯示屏的基板為樹脂成型時(shí)，所述制造方法具體包括以下步驟:
1)對(duì)基板的外表面進(jìn)行清洗；
2)對(duì)基板的外表面進(jìn)行鍍膜；
A、鍍第一膜層:
保持真空鍍膜艙內(nèi)的真空度大于或等于5.0 X 10—3帕，同時(shí)保持真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為50-70°C，采用電子槍轟擊第一膜層的膜材，其中第一膜層的膜材為銀的氧化物，在電子槍蒸鍍的作用下第一膜層的膜材的銀的氧化物蒸發(fā)后分解，以納米級(jí)單質(zhì)銀的形式附著于基板的外表面，同時(shí)控制第一膜層蒸鍍的速率為1A/S，第一膜層最終形成后的厚度為5-20nm的薄層的納米銀層;其中所述銀的氧化物為Ag20、Ag0或Ag2〇3 ；
B、鍍第二膜層:
保持真空鍍膜艙內(nèi)的真空度大于或等于5.0 X 10—3帕，同時(shí)保持真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為50-70°C，采用電子槍轟擊第二膜層的膜材，第二膜層的膜材蒸發(fā)后以納米級(jí)分子形式沉積于上述步驟A中第一膜層的表面，同時(shí)控制第二膜層蒸鍍的速率為7A/S，第二膜層最終形成后的厚度為10-50nm，其中第二膜層的膜材為三氧化二鋁、氧化鋯、二氧化硅晶體或一氧化硅晶體，形成高硬度層；
C、鍍第三膜層:
保持真空鍍膜艙內(nèi)的真空度大于或等于5.0 X 10—3帕，同時(shí)保持真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為50-70°C，采用電阻加熱第三膜層的膜材，第三膜層的膜材蒸發(fā)后以納米級(jí)分子形式沉積于上述步驟B中第二膜層的表面，同時(shí)控制第三膜層蒸鍍的速率為1.5A/S，第三膜層最終形成后的厚度為3-10nm，其中第三膜層的膜材為氟化鎂，形成氟化物層。
[0011]所述步驟I)中，對(duì)基板清洗的具體方法如下:將基板放在真空腔內(nèi)，用離子槍轟擊基板的外表面3分鐘。
[0012]本發(fā)明公開一種殺菌防水油污的耐磨觸摸顯示屏的制造方法，所述觸摸顯示屏的基板為玻璃成型時(shí)，所述制造方法具體包括以下步驟:
1)對(duì)基板的外表面進(jìn)行清洗；
2)對(duì)基板的外表面進(jìn)行鍍膜；
A、鍍第一膜層:
保持真空鍍膜艙內(nèi)的真空度大于或等于5.0 X 10—3帕，同時(shí)保持真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為200-300°C，采用電子槍轟擊第一膜層的膜材，其中第一膜層的膜材為銀的氧化物，在電子槍蒸鍍的作用下第一膜層的膜材的銀的氧化物蒸發(fā)后分解，以納米級(jí)單質(zhì)銀的形式附著于基板的外表面，同時(shí)控制第一膜層蒸鍍的速率為1A/S，第一膜層最終形成后的厚度為5-20nm的薄層的納米銀層;其中所述銀的氧化物為Ag20、Ag0或Ag2〇3 ；
B、鍍第二膜層:
保持真空鍍膜艙內(nèi)的真空度大于或等于5.0 X 10—3帕，同時(shí)保持真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為200-300°C，采用電子槍轟擊第二膜層的膜材，第二膜層的膜材蒸發(fā)后以納米級(jí)分子形式沉積于上述步驟A中第一膜層的表面，同時(shí)控制第二膜層蒸鍍的速率為7A/S，第二膜層最終形成后的厚度為10-50nm，其中第二膜層的膜材為三氧化二鋁、氧化鋯、二氧化硅晶體或一氧化硅晶體，形成高硬度層；
C、鍍第三膜層:
保持真空鍍膜艙內(nèi)的真空度大于或等于5.0 X 10—3帕，同時(shí)保持真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為200-300°C，采用電阻加熱第三膜層的膜材，第三膜層的膜材蒸發(fā)后以納米級(jí)分子形式沉積于上述步驟B中第二膜層的表面，同時(shí)控制第三膜層蒸鍍的速率為1.5A/S，第三膜層最終形成后的厚度為3-10nm，其中第三膜層的膜材為氟化鎂，形成氟化物層。
[0013]所述步驟I)中，對(duì)基板清洗的具體方法如下:將基板放在真空腔內(nèi)，用離子槍轟擊基板的外表面5-10分鐘。
[0014]本發(fā)明采用電子束真空蒸鍍的原理，利用帶電荷的粒子在電場(chǎng)中加速后具有一定動(dòng)能的特點(diǎn)，將離子引向欲被鍍膜的基板制成的電極，并通過電子槍高溫轟擊將高純度金屬或金屬氧化物，蒸發(fā)出來的納米分子使其沿著一定的方向運(yùn)動(dòng)到基板并最終在基板上沉積成膜的方法。本項(xiàng)發(fā)明技術(shù)結(jié)合利用磁場(chǎng)的特殊分布控制電場(chǎng)中的電子運(yùn)動(dòng)軌跡，以此改進(jìn)鍍膜的工藝，使得鍍膜厚度及均勻性可控，且制造的膜層致密性好、粘結(jié)力強(qiáng)及純凈度尚ο
[0015]本發(fā)明在觸摸顯示屏的基板上鍍有的多個(gè)膜層，利用銀的氧化物在電子槍蒸鍍的作用下銀的氧化物蒸發(fā)后分解，以納米級(jí)單質(zhì)銀的形式附著形成薄層的納米銀層，納米單質(zhì)銀殺菌效應(yīng)使其擁有殺菌能力，納米單質(zhì)銀是無毒無刺激的，在保證了觸摸顯示屏足夠的殺菌能力的同時(shí)，避免人體受到傷害，氟化物層具有很好的疏水性和防油污功能，本發(fā)明的觸摸顯示屏還能有效地防水和防油污，因此，使用者手上的油污和水漬就不會(huì)在觸摸顯示屏上留下痕跡。此外設(shè)置高硬度層能夠顯著提高觸摸顯示屏的耐磨性。
【附圖說明】
[0016]以下結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步詳細(xì)說明:
圖1為本發(fā)明殺菌防水油污的耐磨觸摸顯示屏的分解圖。
【具體實(shí)施方式】
[0017]如圖1所示，本發(fā)明包括基板1，基板I的外表面從里到外依序設(shè)有第一膜層2、第二膜層3和第三膜層4，第一膜層2為五氧化三鈦層，第一膜層2的厚度為3-10nm;第二膜層3為納米銀層，第二膜層3的厚度為5-20nm;第三膜層4為高硬度層，第三膜層4的厚度為10-50nmo
[0018]其中，所述納米銀層的膜材為銀的氧化物，并使用電子槍蒸鍍成型。
[0019]所述銀的氧化物為Ag20、Ag0或Ag203。
[0020]所述高硬度層的膜材為三氧化二鋁、氧化鋯、二氧化硅晶體或一氧化硅晶體，并使用電子槍蒸鍍成型。
[0021]所述氟化物層的膜材為氟化鎂，并使用電阻蒸鍍成型。
[0022]另外，基板I為樹脂或玻璃成型。
[0023]實(shí)施例1:
觸摸顯示屏的基板I為樹脂成型時(shí)，該觸摸顯示屏的制造方法具體包括以下步驟:
1)對(duì)基板I的外表面進(jìn)行清洗；
2)對(duì)基板I的外表面進(jìn)行鍍膜；
A、鍍第一膜層2:
保持真空鍍膜艙內(nèi)的真空度大于或等于5.0 X 10—3帕，同時(shí)保持真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為50-70°C，采用電子槍轟擊第一膜層2的膜材，其中第一膜層2的膜材為銀的氧化物，在電子槍蒸鍍的作用下第一膜層2的膜材的銀的氧化物蒸發(fā)后分解，以納米級(jí)單質(zhì)銀的形式附著于基板I的外表面，同時(shí)控制第一膜層2蒸鍍的速率為1A/S，第一膜層2最終形成后的厚度為5-20nm的薄層的納米銀層;其中所述銀的氧化物為Ag20、Ag0或Ag2〇3 ；
B、鍍第二膜層3:
保持真空鍍膜艙內(nèi)的真空度大于或等于5.0 X 10—3帕，同時(shí)保持真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為50-70°C，采用電子槍轟擊第二膜層3的膜材，第二膜層3的膜材蒸發(fā)后以納米級(jí)分子形式沉積于上述步驟A中第一膜層2的表面，同時(shí)控制第二膜層3蒸鍍的速率為7A/S，第二膜層3最終形成后的厚度為10-50nm，其中第二膜層3的膜材為三氧化二鋁、氧化鋯、二氧化硅晶體或一氧化硅晶體，形成高硬度層； C、鍍第三膜層4:
保持真空鍍膜艙內(nèi)的真空度大于或等于5.0 X 10—3帕，同時(shí)保持真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為50-70°C，采用電阻加熱第三膜層4的膜材，第三膜層4的膜材蒸發(fā)后以納米級(jí)分子形式沉積于上述步驟B中第二膜層3的表面，同時(shí)控制第三膜層4蒸鍍的速率為1.5A/S，第三膜層4最終形成后的厚度為3-10nm，其中第三膜層4的膜材為氟化鎂，形成氟化物層。
[0024]步驟I)中，對(duì)基板I的清洗具體方法如下:將基板I放在真空腔