一種制程更少的電容觸摸屏制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種制程更少的電容觸摸屏制造方法，包括如下步驟：（1）在玻璃基板上形成金屬層，金屬層圖形化為金屬搭橋及周邊線路；（2）在金屬層上形成絕緣層，絕緣層圖形化為絕緣墊塊；（3）在絕緣層上沉積ITO層，ITO層圖形化為X方向電極及Y方向電極；絕緣層、或者ITO層、或者絕緣層與ITO層的結(jié)合對(duì)金屬層進(jìn)行覆蓋。由于先形成金屬層，然后采用絕緣層、或者ITO層、或者絕緣層與ITO層的結(jié)合對(duì)金屬層進(jìn)行覆蓋，對(duì)金屬層進(jìn)行保護(hù)，防止金屬層被氧化或腐蝕，省去了保護(hù)層，減少了一道工序，降低了生產(chǎn)成本；另外，由于沒有聚酰亞胺等透明度較低的材料形成的保護(hù)層，使得電容觸摸屏的透光率更高，提高了電容觸摸屏的質(zhì)量。
【專利說明】
一種制程更少的電容觸摸屏制造方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及一種觸摸屏制造方法，尤其涉及一種制程更少的電容觸摸屏制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]如圖1所示，目前，電容觸摸屏的結(jié)構(gòu)一般包括玻璃基板01、ITO層02、絕緣層03、金屬層04和保護(hù)層05，ITO層02、絕緣層03、金屬層04和保護(hù)層05依次設(shè)置在玻璃基板01上，其中ITO層02被制作為透明的X方向電極06及Y方向電極07，絕緣層03被制作為X方向電極06與Y方向電極07之間的絕緣墊塊08，金屬層04則被制作為絕緣墊塊08之上的金屬搭橋09，而保護(hù)層05的主要作用為對(duì)金屬層04進(jìn)行保護(hù)，以防止其暴露在外部環(huán)境中被腐蝕。
[0003]在上述這種觸摸屏中，由于透明的區(qū)域主要為ITO層02與保護(hù)層05 (絕緣層03和金屬層04—般不出會(huì)大面積的處于透明區(qū)域)，而保護(hù)層05—般采用聚酰亞胺等透明度較低的材料制作而成，因而保護(hù)層05對(duì)觸摸屏的透明影響較大。
[0004]另外，制作這種電容觸摸屏，至少需要經(jīng)過以下四道工序:
(I )、在玻璃基板01上沉積一層ITO層02，并對(duì)ITO層02進(jìn)行圖形化，形成X方向電極06及Y方向電極07 ;
(2)、在ITO層02上制作一層絕緣層03，并對(duì)絕緣層03進(jìn)行圖形化，形成絕緣墊塊08;
(3)、在絕緣層03上制作一層金屬層04，并對(duì)金屬層04進(jìn)行圖形化，形成金屬搭橋09及周邊線路；
(4)、在金屬層04之上覆蓋一層圖形化的保護(hù)層05。
[0005]其中，制作保護(hù)層05的工序也增加了觸摸屏的制造成本。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種制程更少的電容觸摸屏制造方法，這種制程更少的電容觸摸屏制造方法既減少制造工序、降低生產(chǎn)成本，又提高了電容觸摸屏的透光率。采用的技術(shù)方案如下:
一種制程更少的電容觸摸屏制造方法，其特征在于包括如下步驟:
(1)在玻璃基板上形成一層金屬層，采用光刻法對(duì)金屬層進(jìn)行圖形化，形成金屬搭橋及周邊線路；
(2)在金屬層上形成一層絕緣層，采用顯影法對(duì)絕緣層進(jìn)行圖形化，形成絕緣墊塊；
(3)在絕緣層上沉積一層ITO層，采用光刻法對(duì)ITO層進(jìn)行圖形化，形成X方向電極及Y方向電極；
在所述步驟(2)中，采用絕緣層對(duì)金屬層進(jìn)行覆蓋；或者在所述步驟(3)中，采用ITO層對(duì)金屬層進(jìn)行覆蓋；或者在步驟(2)中，先采用絕緣層對(duì)金屬層進(jìn)行覆蓋，接著在步驟(3)中，采用ITO層對(duì)絕緣層進(jìn)行覆蓋。
[0007]優(yōu)選上述金屬層采用鉬-招-鉬三層合金金屬層。
[0008]優(yōu)選上述絕緣層采用厚度為I?5 μ m的光敏樹脂層形成。
[0009]本發(fā)明由于在步驟(I)中形成金屬層，然后將金屬層圖形化金屬搭橋及周邊線路，在此基礎(chǔ)上，再依次形成絕緣墊塊、X方向電極及Y方向電極，并且采用絕緣層、或者ITO層、或者絕緣層與ITO層的結(jié)合對(duì)金屬層進(jìn)行覆蓋，由于絕緣層和ITO層都不容易氧化或腐蝕，這樣，絕緣層、或者ITO層、或者絕緣層與ITO層的結(jié)合形成了對(duì)金屬層的保護(hù)，防止金屬層被氧化或腐蝕，從而省去了現(xiàn)有技術(shù)中的保護(hù)層，減少了一道工序，降低了生產(chǎn)成本；另外，由于沒有聚酰亞胺等透明度較低的材料形成的保護(hù)層，使得電容觸摸屏的透光率更高，提高了電容觸摸屏的質(zhì)量。
[0010]作為本發(fā)明的優(yōu)選方案，在所述步驟(3)中，采用ITO層對(duì)金屬層進(jìn)行覆蓋，覆蓋在周邊線路上的ITO層被圖形化為ITO覆蓋條，ITO覆蓋條覆蓋周邊線路的上表面及兩側(cè)邊。ITO覆蓋條覆蓋周邊線路的上表面及兩側(cè)邊，使得由金屬層形成的周邊線路被ITO層完全包裹，進(jìn)一步防止周邊線路被氧化或腐蝕。
[0011 ] 作為本發(fā)明的優(yōu)選方案，在所述步驟(2 )中，先采用絕緣層對(duì)金屬層進(jìn)行覆蓋，接著在步驟(3)中，采用ITO層對(duì)絕緣層進(jìn)行覆蓋，并且，步驟(3)中，覆蓋在周邊線路上的ITO層被圖形化為與周邊線路形狀一致的ITO覆蓋條，ITO覆蓋條的寬度大于周邊線路的寬度。在由金屬層形成的周邊線路處，在絕緣層之上再覆蓋上ITO層，能夠避免在步驟(3)中，ITO層在光刻時(shí)傷害到覆蓋在金屬層之上的絕緣層，起到雙重保護(hù)作用；覆蓋在周邊線路上的ITO層的圖形被圖形化為與周邊線路的形狀一致的ITO覆蓋條，但I(xiàn)TO覆蓋條比周邊線路稍寬，因此，ITO覆蓋條既能夠覆蓋周邊線路，又不是連續(xù)整片的覆蓋，避免了周邊線路之間產(chǎn)生寄生電容，確保具有較高的觸摸精度。
[0012]作為本發(fā)明進(jìn)一步的優(yōu)選方案，所述玻璃基板上還設(shè)有向外連接的金屬焊盤，所述絕緣層、或者ITO層、或者絕緣層與ITO層的結(jié)合覆蓋金屬焊盤。金屬焊盤也被絕緣層、或者ITO層、或者絕緣層與ITO層的結(jié)合所覆蓋，防止金屬焊盤被氧化或腐蝕。
[0013]作為本發(fā)明進(jìn)一步的優(yōu)選方案，在所述步驟(2)與步驟(3)之間，還對(duì)所述金屬層表面進(jìn)行等離子體清洗。在步驟(2)與步驟(3)之間增加了金屬層表面的等離子體清洗，減少了金屬層表面在步驟(I)、步驟(2)的圖形化過程中受到氧化作用，以改善金屬與ITO層之間的接觸性能。
[0014]等離子體清洗:等離子體和固體、液體或氣體一樣，是物質(zhì)的一種狀態(tài)，也叫做物質(zhì)的第四態(tài)，對(duì)氣體施加足夠的能量使之離化便成為等離子狀態(tài)，等離子體的“活性”組分包括:離子、電子、活性基團(tuán)、激發(fā)態(tài)的核素(亞穩(wěn)態(tài))、光子等。等離子體清洗就是在真空腔體里，通過射頻電源在一定的壓力情況下起輝產(chǎn)生高能量的無序的等離子體，通過利用這些活性組分的性質(zhì)來處理樣品表面，從而實(shí)現(xiàn)清潔、改性、光刻膠灰化等目的。
[0015]作為本發(fā)明更進(jìn)一步的優(yōu)選方案，采用相連通的第一真空腔體和第二真空腔體依次進(jìn)行等離子體清洗和沉積ITO層，其中，第一真空腔體具有還原氣氛的等離子體；等離子體清洗和沉積ITO層的具體過程如下:在所述步驟(2)與步驟(3)之間，將所述玻璃基板通過第一真空腔體，等離子體對(duì)所述金屬層表面進(jìn)行等離子體清洗，接著，步驟(3)中，在第二真空腔體中沉積ITO層。由于采用相連通的第一真空腔體、第二真空腔體依次進(jìn)行等離子體清洗、沉積ITO層，裸露的金屬層表面經(jīng)過等離子體清洗之后馬上鍍制一層ITO層，使得金屬層再次受到氧化的程度進(jìn)一步減少。
[0016]本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有如下優(yōu)點(diǎn):
本發(fā)明由于在步驟(I)中形成金屬層，然后將金屬層圖形化金屬搭橋及周邊線路，在此基礎(chǔ)上，再依次形成絕緣墊塊、X方向電極及Y方向電極，并且采用絕緣層、或者ITO層、或者絕緣層與ITO層的結(jié)合對(duì)金屬層進(jìn)行覆蓋，由于絕緣層和ITO層都不容易氧化或腐蝕，這樣，絕緣層、或者ITO層、或者絕緣層與ITO層的結(jié)合形成了對(duì)金屬層的保護(hù)，防止金屬層被氧化或腐蝕，從而省去了現(xiàn)有技術(shù)中的保護(hù)層，減少了一道工序，降低了生產(chǎn)成本；另外，由于沒有聚酰亞胺等透明度較低的材料形成的保護(hù)層，使得電容觸摸屏的透光率更高，提高了電容觸摸屏的質(zhì)量。
【附圖說明】
[0017]圖1是現(xiàn)有技術(shù)中電容觸摸屏的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖2是本發(fā)明實(shí)施例一電容觸摸屏的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖3是本發(fā)明實(shí)施例二電容觸摸屏的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖4是本發(fā)明實(shí)施例三電容觸摸屏的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖5是本發(fā)明實(shí)施例三中ITO覆蓋條覆蓋周邊線路的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0018]下面結(jié)合附圖和本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式做進(jìn)一步的說明。
[0019]實(shí)施例一
如圖2所示，這種制程更少的電容觸摸屏制造方法，包括如下步驟:
(1)在玻璃基板I上形成一層金屬層2，金屬層2采用鉬-鋁-鉬三層合金金屬層，采用光刻法對(duì)金屬層2進(jìn)行圖形化，形成金屬搭橋3及周邊線路4 ;
(2)在金屬層2上形成一層絕緣層5，絕緣層5采用厚度為3μπι (I?5 μπι都可以)的光敏樹脂層形成，采用顯影法對(duì)絕緣層5進(jìn)行圖形化，形成絕緣墊塊6，采用絕緣層5對(duì)金屬層2及玻璃基板I上的金屬焊盤7進(jìn)行覆蓋；
(3)采用相連通的第一真空腔體和第二真空腔體依次進(jìn)行等離子體清洗和沉積ITO層8，其中，第一真空腔體具有還原氣氛的等離子體；等離子體清洗和沉積ITO層8的具體過程如下:先將玻璃基板I通過第一真空腔體，等離子體對(duì)金屬層2表面進(jìn)行等離子體清洗，接著，在第二真空腔體中，在絕緣層5上沉積一層ITO層8，采用光刻法對(duì)ITO層8進(jìn)行圖形化，形成X方向電極9及Y方向電極10。
[0020]實(shí)施例二
如圖3所示，在其它部分均與實(shí)施例一相同的情況下，其區(qū)別在于:在步驟(3)中，采用ITO層8對(duì)金屬層2及金屬焊盤7進(jìn)行覆蓋，覆蓋在周邊線路4上的ITO層8被圖形化為ITO覆蓋條11，ITO覆蓋條11覆蓋周邊線路4的上表面及兩側(cè)邊。
[0021]實(shí)施例三
如圖4和圖5所示，在其它部分均與實(shí)施例一相同的情況下，其區(qū)別在于:在步驟(2)中，先采用絕緣層5對(duì)金屬層2及金屬焊盤7進(jìn)行覆蓋，接著在步驟(3 )中，采用ITO層8對(duì)絕緣層5進(jìn)行覆蓋，并且，步驟(3)中，覆蓋在周邊線路4上的ITO層8被圖形化為與周邊線路4形狀一致的ITO覆蓋條11，ITO覆蓋條11的寬度大于周邊線路4的寬度。
[0022]由于在步驟(I)中形成金屬層2，然后將金屬層2圖形化金屬搭橋3及周邊線路4，在此基礎(chǔ)上，再依次形成絕緣墊塊6、X方向電極9及Y方向電極10，并且采用絕緣層5、或者ITO層8、或者絕緣層5與ITO層8的結(jié)合對(duì)金屬層2進(jìn)行覆蓋，由于絕緣層5和ITO層8都不容易氧化或腐蝕，這樣，絕緣層5、或者ITO層8、或者絕緣層5與ITO層8的結(jié)合形成了對(duì)金屬層2的保護(hù)，防止金屬層2被氧化或腐蝕，從而省去了現(xiàn)有技術(shù)中的保護(hù)層，減少了一道工序，降低了生產(chǎn)成本；另外，由于沒有聚酰亞胺等透明度較低的材料形成的保護(hù)層，使得電容觸摸屏的透光率更高，提高了電容觸摸屏的質(zhì)量。
[0023]此外，需要說明的是，本說明書中所描述的具體實(shí)施例，其各部分名稱等可以不同，凡依本發(fā)明專利構(gòu)思所述的構(gòu)造、特征及原理所做的等效或簡(jiǎn)單變化，均包括于本發(fā)明專利的保護(hù)范圍內(nèi)。本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)所描述的具體實(shí)施例做各種各樣的修改或補(bǔ)充或采用類似的方式替代，只要不偏離本發(fā)明的結(jié)構(gòu)或者超越本權(quán)利要求書所定義的范圍，均應(yīng)屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種制程更少的電容觸摸屏制造方法，其特征在于包括如下步驟: (1)在玻璃基板上形成一層金屬層，采用光刻法對(duì)金屬層進(jìn)行圖形化，形成金屬搭橋及周邊線路； (2)在金屬層上形成一層絕緣層，采用顯影法對(duì)絕緣層進(jìn)行圖形化，形成絕緣墊塊； (3)在絕緣層上沉積一層ITO層，采用光刻法對(duì)ITO層進(jìn)行圖形化，形成X方向電極及Y方向電極； 在所述步驟(2)中，采用絕緣層對(duì)金屬層進(jìn)行覆蓋；或者在所述步驟(3)中，采用ITO層對(duì)金屬層進(jìn)行覆蓋；或者在步驟(2)中，先采用絕緣層對(duì)金屬層進(jìn)行覆蓋，接著在步驟(3)中，采用ITO層對(duì)絕緣層進(jìn)行覆蓋。2.如權(quán)利要求1所述的電容觸摸屏制造方法，其特征是:在所述步驟(3)中，采用ITO層對(duì)金屬層進(jìn)行覆蓋，覆蓋在周邊線路上的ITO層被圖形化為ITO覆蓋條，ITO覆蓋條覆蓋周邊線路的上表面及兩側(cè)邊。3.如權(quán)利要求1所述的電容觸摸屏制造方法，其特征是:在所述步驟(2)中，先采用絕緣層對(duì)金屬層進(jìn)行覆蓋，接著在步驟(3)中，采用ITO層對(duì)絕緣層進(jìn)行覆蓋，并且，步驟(3)中，覆蓋在周邊線路上的ITO層被圖形化為與周邊線路形狀一致的ITO覆蓋條，ITO覆蓋條的寬度大于周邊線路的寬度。4.如權(quán)利要求1或2或3所述的電容觸摸屏制造方法，其特征是:所述玻璃基板上還設(shè)有向外連接的金屬焊盤，所述絕緣層、或者ITO層、或者絕緣層與ITO層的結(jié)合覆蓋金屬焊盤。5.如權(quán)利要求1或2或3所述的電容觸摸屏制造方法，其特征是:在所述步驟(2)與步驟(3)之間，還對(duì)所述金屬層表面進(jìn)行等離子體清洗。6.如權(quán)利要求5所述的電容觸摸屏制造方法，其特征是:采用相連通的第一真空腔體和第二真空腔體依次進(jìn)行等離子體清洗和沉積ITO層，其中，第一真空腔體具有還原氣氛的等離子體；等離子體清洗和沉積ITO層的具體過程如下:在所述步驟(2)與步驟(3)之間，將所述玻璃基板通過第一真空腔體，等離子體對(duì)所述金屬層表面進(jìn)行等離子體清洗，接著，步驟(3)中，在第二真空腔體中沉積ITO層。
【文檔編號(hào)】G06F3/044GK105988647SQ201510060317
【公開日】2016年10月5日
【申請(qǐng)日】2015年2月5日
【發(fā)明人】沈奕, 吳永俊, 吳錫淳, 林鋼, 詹前賢, 林鏗, 陳遠(yuǎn)明, 高嘉桐
【申請(qǐng)人】汕頭超聲顯示器技術(shù)有限公司