一種服務(wù)器內(nèi)存的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種服務(wù)器內(nèi)存。
【背景技術(shù)】
[0002]傳統(tǒng)的內(nèi)存主要作用在于加大運行緩存，提高電腦整體運行速度。2:但由于傳統(tǒng)內(nèi)存的制造工藝水平較低、內(nèi)存功耗較大、容量小、沒有讀寫錯誤糾正功能等缺陷很難滿足一些大型服務(wù)器的使用要求。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點，本實用新型的目的在于提供一種服務(wù)器內(nèi)存，解決上述現(xiàn)有技術(shù)中服務(wù)器內(nèi)存測試系統(tǒng)缺乏的問題。
[0004]為實現(xiàn)上述目標(biāo)及其他相關(guān)目標(biāo)，本實用新型提供一種服務(wù)器內(nèi)存，包括:電子線路板；設(shè)于所述電子線路板并通過所述板上線路連接的存儲芯片模塊、讀寫錯誤糾正模塊、EPROM及模式寄存器模塊。
[0005]可選的，所述服務(wù)器內(nèi)存還包括金手指，所述金手指中的部分對應(yīng)典型連接所述讀寫錯誤糾正模塊及模式寄存器模塊。
[0006]可選的，所述讀寫錯誤糾正模塊為2個，分別設(shè)于所述電子線路板的正面及反面。
[0007]可選的，所述模式寄存器模塊設(shè)于所述電子線路板的正面。
[0008]可選的，所述電子線路板上各存儲芯片模塊的分布采用并排排列方式。
[0009]可選的，所述服務(wù)器內(nèi)存為8GB存儲容量。
[0010]如上所述，本實用新型提供一種服務(wù)器內(nèi)存，包括:電子線路板；設(shè)于所述電子線路板并通過所述板上線路連接的存儲芯片模塊、讀寫錯誤糾正模塊、EPROM及模式寄存器模塊，從而克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷。
【附圖說明】
[0011]圖1顯示為本實用新型的服務(wù)器內(nèi)存的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0012]元件標(biāo)號說明:
[0013]1-服務(wù)器內(nèi)存；
[0014]11-電子線路板；
[0015]12-存儲芯片模塊；
[0016]13-讀寫錯誤糾正模塊；
[0017]14-模式寄存器模塊；
[0018]15-金手指；
[0019]16-EPROM。
【具體實施方式】
[0020]以下通過特定的具體實例說明本實用新型的實施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說明書所揭露的內(nèi)容輕易地了解本實用新型的其他優(yōu)點與功效。本實用新型還可以通過另外不同的【具體實施方式】加以實施或應(yīng)用，本說明書中的各項細節(jié)也可以基于不同觀點與應(yīng)用，在沒有背離本實用新型的精神下進行各種修飾或改變。需說明的是，在不沖突的情況下，本申請中的實施例及實施例中的特征可以相互組合。
[0021]如圖1所示，本實用新型提供一種服務(wù)器內(nèi)存1，包括:電子線路板11，即電路板，內(nèi)存的電路板一般分為寬板及窄板；設(shè)于所述電子線路板11并通過所述板上線路連接的存儲芯片模塊12、讀寫錯誤糾正模塊13 (例如圖示的ECC)、EPROM (可擦寫可編程只讀存儲器，即Erasable Programmable Read-Only Memory)及模式寄存器模塊14 (例如圖不的REG)。優(yōu)選的，所述服務(wù)器內(nèi)存I為8GB存儲容量。
[0022]在一實施例中，所述服務(wù)器內(nèi)存I還包括金手指15，所述金手指15中的部分對應(yīng)典型連接所述讀寫錯誤糾正模塊13及模式寄存器模塊14。
[0023]在一實施例中，所述讀寫錯誤糾正模塊13為2個，分別設(shè)于所述電子線路板11的正面及反面，當(dāng)然在其他實施例中，亦可只設(shè)一個，但對于雙面的內(nèi)存而言，每個讀寫錯誤糾正模塊13分別對應(yīng)同一面的存儲芯片模塊12。
[0024]在一實施例中，所述模式寄存器模塊14設(shè)于所述電子線路板11的正面。
[0025]具體的，優(yōu)選的，本實用新型中還有改進點:
[0026]1:如圖1所示，存儲器芯片模塊12即內(nèi)存顆粒的分布采用并排排列方式，對8GB相對較小容量的內(nèi)存來說，使得布線更加便捷，外觀更加美觀。
[0027]2:基于29納米制成技術(shù)的DDR3 DRAM動態(tài)隨機存取存儲器顆粒，單個顆粒容量達到4Gb，工作電壓穩(wěn)定在1.35V,為當(dāng)今世界技術(shù)最為領(lǐng)先的DRAM顆粒之一。
[0028]3:相對于一般只能檢查錯誤的奇偶校驗技術(shù)，服務(wù)器內(nèi)存采用模式寄存控制芯片及ECC錯誤檢查及糾正技術(shù)。它新增了錯誤糾正的功能，使得數(shù)據(jù)在讀寫錯誤的情況下能夠自我糾正，確保服務(wù)器的正常運行。
[0029]4:另外相對于一般內(nèi)存1~2物理Rank，新研發(fā)的服務(wù)器內(nèi)存采用4物理Rank，使得服務(wù)器內(nèi)存的工作的可控性更為強大并且與外部設(shè)備通信的更為快速。
[0030]綜上所述，本實用新型提供一種服務(wù)器內(nèi)存，包括:電子線路板；設(shè)于所述電子線路板并通過所述板上線路連接的存儲芯片模塊、讀寫錯誤糾正模塊、EPROM及模式寄存器模塊，從而克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷。
[0031]上述實施例僅例示性說明本實用新型的原理及其功效，而非用于限制本實用新型。任何熟悉此技術(shù)的人士皆可在不違背本實用新型的精神及范疇下，對上述實施例進行修飾或改變。因此，舉凡所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者在未脫離本實用新型所揭示的精神與技術(shù)思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應(yīng)由本實用新型的權(quán)利要求所涵蓋。
【主權(quán)項】
1.一種服務(wù)器內(nèi)存，其特征在于，包括: 電子線路板； 設(shè)于所述電子線路板并通過所述板上線路連接的存儲芯片模塊、讀寫錯誤糾正模塊、EPROM及模式寄存器模塊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的服務(wù)器內(nèi)存，其特征在于，所述服務(wù)器內(nèi)存還包括金手指，所述金手指中的部分對應(yīng)典型連接所述讀寫錯誤糾正模塊及模式寄存器模塊。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的服務(wù)器內(nèi)存，其特征在于，所述讀寫錯誤糾正模塊為2個，分別設(shè)于所述電子線路板的正面及反面。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的服務(wù)器內(nèi)存，其特征在于，所述模式寄存器模塊設(shè)于所述電子線路板的正面。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的服務(wù)器內(nèi)存，其特征在于，所述電子線路板上各存儲芯片模塊的分布采用并排排列方式。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的服務(wù)器內(nèi)存，其特征在于，為8GB存儲容量。
【專利摘要】本實用新型提供一種服務(wù)器內(nèi)存，包括：電子線路板；設(shè)于所述電子線路板并通過所述板上線路連接的存儲芯片模塊、讀寫錯誤糾正模塊及模式寄存器模塊，從而克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷。
【IPC分類】G06F1-16
【公開號】CN204288069
【申請?zhí)枴緾N201420811070
【發(fā)明人】沈澤斌
【申請人】海太半導(dǎo)體（無錫）有限公司
【公開日】2015年4月22日
【申請日】2014年12月19日