內(nèi)置天線的智能學(xué)生證的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及學(xué)生證技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種內(nèi)置天線的智能學(xué)生證。
【背景技術(shù)】
[0002]應(yīng)用于2.4G智能學(xué)生證上的125KHZ低頻接收天線為激勵(lì)式RFID有源射頻識(shí)別系統(tǒng)的重要組成部件，接收125KHZ激勵(lì)信號(hào)來激活處于休眠狀態(tài)的激勵(lì)標(biāo)簽，它具有激勵(lì)區(qū)域調(diào)整功能，可實(shí)現(xiàn)激勵(lì)區(qū)域分區(qū)控制和無縫覆蓋，通過由有源RFID讀寫器，低頻激勵(lì)器和激勵(lì)電子標(biāo)簽過程的激勵(lì)式射頻識(shí)別系統(tǒng)，可實(shí)現(xiàn)區(qū)域定位。
[0003]在2.4G智能學(xué)生證中，125KHZ低頻激勵(lì)模塊的主要作用是加強(qiáng)對(duì)在校學(xué)生的管理，精確判斷其進(jìn)出學(xué)校，以及校內(nèi)、校外的活動(dòng)情況，而125KHZ低頻激勵(lì)天線是其核心部件，125KHZ低頻激勵(lì)模塊是否能無漏讀的對(duì)在校學(xué)生的自動(dòng)考勤，以及對(duì)其進(jìn)行精確的定位管理。
[0004]由于125KHZ單軸接收天線的電磁場輻射范圍具有方向性，只有125KHz接收天線與發(fā)射激勵(lì)天線處于平行位置是，為最大場強(qiáng)方向，其輻射強(qiáng)度最大，其激活也最為可靠，而如果其中一根天線為垂直放置時(shí)，其發(fā)射強(qiáng)度大幅度的減弱，讀卡距離變近，會(huì)造成不能正確識(shí)別的情況，理論上分析得知為了保證100%的識(shí)別率，要求125KHZ接收天線必須在X軸、Y軸與Z軸三個(gè)方向?qū)崿F(xiàn)電磁場輻射范圍的全覆蓋，現(xiàn)有的設(shè)計(jì)方案中，125KHz接收天線為平行放置或者垂直放置，只能保證在一個(gè)方向上實(shí)現(xiàn)最大的信號(hào)輻射，如果電子標(biāo)簽傾斜或者移動(dòng)均不能實(shí)現(xiàn)完全的信號(hào)覆蓋，造成不能正確識(shí)別電子標(biāo)簽或者漏讀的情況。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0005]本實(shí)用新型克服了現(xiàn)有技術(shù)中天線平行放置或者垂直放置存在的只能保證在一個(gè)方向上實(shí)現(xiàn)最大的信號(hào)輻射的不足，提供一種提高125KHZ天線靈敏度，避免由于接收天線方向性產(chǎn)生盲區(qū)，大大提高讀卡準(zhǔn)確性，從而更能滿足實(shí)時(shí)定位的需求的內(nèi)置天線的智能學(xué)生證。
[0006]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用以下技術(shù)方案:
[0007]一種內(nèi)置天線的智能學(xué)生證，它包括殼體，所述殼體由前殼和后殼組成，所述后殼上端設(shè)置有掛環(huán)，所述殼體內(nèi)設(shè)置有2.4G智能學(xué)生證主板，所述2.4G智能學(xué)生證主板上設(shè)置有125KHz低頻激勵(lì)芯片，所述125KHZ低頻激勵(lì)芯片上電連接有電容和天線，所述天線傾斜設(shè)置，并且所述天線與殼體平面內(nèi)豎直方向的夾角為45度。
[0008]本技術(shù)方案中通過將天線以45度傾斜放置在2.4G智能學(xué)生證主板上，避免了單軸天線由于其方向性而產(chǎn)生的盲區(qū)造成不能完全識(shí)別對(duì)方的情況，從而提高了天線的識(shí)讀率，提高了 2.4G智能學(xué)生證系統(tǒng)中人員管理的可靠性，能精確的、無遺漏的對(duì)學(xué)生的出入校門進(jìn)行判斷，以及校內(nèi)、校外的活動(dòng)狀況。
[0009]更進(jìn)一步的技術(shù)方案是，所述天線與2.4G智能學(xué)生證主板之間的距離為2_4mm。
[0010]更進(jìn)一步的技術(shù)方案是，所述天線與2.4G智能學(xué)生證主板之間的距離為3mm。
[0011]本技術(shù)方案中由于低頻諧振電路對(duì)金屬物體很敏感、以及2.4G智能學(xué)生證片上其他頻率的數(shù)字、模擬信號(hào)都會(huì)對(duì)125KHZ的L、C諧振電路產(chǎn)生干擾，通過實(shí)際測試得出，天線距離2.4G智能學(xué)生證主板的距離在3mm最為合適。
[0012]更進(jìn)一步的技術(shù)方案是，所述天線與電容形成LC諧振電路。
[0013]更進(jìn)一步的技術(shù)方案是,所述天線為125KHz低頻單軸接收天線。
[0014]更進(jìn)一步的技術(shù)方案是，所述天線由線圈和鐵棒組成，所述鐵棒安裝在所述線圈內(nèi)，所述鐵棒采用鐵氧體材料制成。
[0015]更進(jìn)一步的技術(shù)方案是，所述125KHZ低頻激勵(lì)芯片由單片機(jī)和低頻功率放大電路組成，所述單片機(jī)與低頻功率放大電路電連接。
[0016]本實(shí)用新型關(guān)鍵點(diǎn)在于將125KHZ低頻單軸接收天線以45度放置在2.4G智能學(xué)生證內(nèi)，并且125KHZ低頻單軸接收天線距離2.4G智能學(xué)生證主板的距離在3mm以上，放置125KHZ低頻單軸接收天線的PCB板的底層與所有中間層都必須去掉金屬層。
[0017]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果是:
[0018]避免由于天線的方向性而產(chǎn)生的盲區(qū)造成不能完全識(shí)別對(duì)方的情況，從而提高了天線的識(shí)讀率。提高了 2.4G智能學(xué)生證系統(tǒng)中人員管理的可靠性，能精確的、無遺漏的對(duì)學(xué)生的出入校進(jìn)行判斷，以及在校內(nèi)、校外的活動(dòng)狀況。
【附圖說明】
[0019]圖1為本實(shí)用新型一種實(shí)施例的內(nèi)置天線的智能學(xué)生證的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0020]如圖1所示，其中對(duì)應(yīng)的附圖標(biāo)記名稱為:
[0021]I殼體，22.4G智能學(xué)生證主板，3125KHZ低頻激勵(lì)芯片，4電容，5天線。
【具體實(shí)施方式】
[0022]下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步闡述。
[0023]如圖1所示的一種內(nèi)置天線的智能學(xué)生證，它包括殼體1，所述殼體I由前殼和后殼組成，所述后殼上端設(shè)置有掛環(huán)，所述殼體I內(nèi)設(shè)置有2.4G智能學(xué)生證主板2，所述2.4G智能學(xué)生證主板2上設(shè)置有125KHz低頻激勵(lì)芯片3，所述125KHZ低頻激勵(lì)芯片3上電連接有電容4和天線5，所述天線5傾斜設(shè)置，并且所述天線5與殼體I平面內(nèi)豎直方向的夾角為45度。
[0024]根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例，所述天線5與2.4G智能學(xué)生證主板2之間的距離為 2-4mmο
[0025]根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例，所述天線5與2.4G智能學(xué)生證主板2之間的距離為 3mm η
[0026]根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例，所述天線5與電容4形成LC諧振電路。
[0027]根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例,所述天線5為125ΚΗζ低頻單軸接收天線。
[0028]根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例，所述天線5由線圈和鐵棒組成，所述鐵棒安裝在所述線圈內(nèi)，所述鐵棒采用鐵氧體材料制成。
[0029]根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例，所述125ΚΗΖ低頻激勵(lì)芯片3由單片機(jī)和低頻功率放大電路組成，所述單片機(jī)與低頻功率放大電路電連接。
[0030]以上【具體實(shí)施方式】對(duì)本實(shí)用新型的實(shí)質(zhì)進(jìn)行詳細(xì)說明，但并不能對(duì)本實(shí)用新型的保護(hù)范圍進(jìn)行限制，顯而易見地，在本實(shí)用新型的啟示下，本技術(shù)領(lǐng)域普通技術(shù)人員還可以進(jìn)行許多改進(jìn)和修飾，需要注意的是，這些改進(jìn)和修飾都落在本實(shí)用新型的權(quán)利要求保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種內(nèi)置天線的智能學(xué)生證，它包括殼體(I)，所述殼體(I)由前殼和后殼組成，所述后殼上端設(shè)置有掛環(huán)；其特征在于，所述殼體(I)內(nèi)設(shè)置有2.4G智能學(xué)生證主板(2)，所述2.4G智能學(xué)生證主板(2)上設(shè)置有125KHz低頻激勵(lì)芯片(3)，所述125KHZ低頻激勵(lì)芯片(3)上電連接有電容(4)和天線(5)，所述天線(5)傾斜設(shè)置，并且所述天線(5)與殼體(I)平面內(nèi)豎直方向的夾角為45度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的內(nèi)置天線的智能學(xué)生證，其特征在于所述天線(5)與2.4G智能學(xué)生證主板(2)之間的距離為2-4mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的內(nèi)置天線的智能學(xué)生證，其特征在于所述天線(5)與2.4G智能學(xué)生證主板(2)之間的距離為3mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的內(nèi)置天線的智能學(xué)生證，其特征在于所述天線(5)與電容(4)形成LC諧振電路。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的內(nèi)置天線的智能學(xué)生證，其特征在于所述天線(5)為125KHz低頻單軸接收天線。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的內(nèi)置天線的智能學(xué)生證，其特征在于所述天線(5)由線圈和鐵棒組成，所述鐵棒安裝在所述線圈內(nèi)，所述鐵棒采用鐵氧體材料制成。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的內(nèi)置天線的智能學(xué)生證，其特征在于所述125KHZ低頻激勵(lì)芯片(3)由單片機(jī)和低頻功率放大電路組成，所述單片機(jī)與低頻功率放大電路電連接。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種內(nèi)置天線的智能學(xué)生證，它包括殼體，所述殼體由前殼和后殼組成，所述后殼上端設(shè)置有掛環(huán)，所述殼體內(nèi)設(shè)置有2.4G智能學(xué)生證主板，所述智能學(xué)生證主板上設(shè)置有125KHz低頻激勵(lì)芯片，所述125KHZ低頻激勵(lì)芯片上電連接有電容和天線，所述天線傾斜設(shè)置，并且所述天線與殼體平面內(nèi)豎直方向的夾角為45度。本實(shí)用新型的有益效果為：避免由于天線的方向性而產(chǎn)生的盲區(qū)造成不能完全識(shí)別對(duì)方的情況，從而提高了天線的識(shí)讀率。提高了2.4G智能學(xué)生證系統(tǒng)中人員管理的可靠性，能精確的、無遺漏的對(duì)學(xué)生的出入校進(jìn)行判斷，以及在校內(nèi)、校外的活動(dòng)狀況。
【IPC分類】H01Q7-08, G06K19-077, H01Q1-22
【公開號(hào)】CN204390267
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201420599667
【發(fā)明人】黃寶
【申請(qǐng)人】成都阿艾夫通信有限公司
【公開日】2015年6月10日
【申請(qǐng)日】2014年10月16日