低色差觸控基板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實(shí)用新型涉及一種基板，特別是涉及一種低色差觸控基板。
【背景技術(shù)】
[0002] 常見的觸控基板主要區(qū)分為電阻式、電容式、紅外線與表面聲波式等，在結(jié)構(gòu)上， 通常是在透光板材上形成圖形化分布的透明導(dǎo)電層（ITO)以感應(yīng)點(diǎn)選的位置。不過(guò)，隨著 觸控面板尺寸增大的需求，便需要加長(zhǎng)圖形化分布的透明導(dǎo)電層的長(zhǎng)度以使其能分布于尺 寸較大的透光板材，然而長(zhǎng)度加長(zhǎng)后卻會(huì)產(chǎn)生電阻增加的問題。
[0003] 為了克服前述技術(shù)阻礙，最常見的作法便是增加透明導(dǎo)電層的厚度以降低其電 阻。此作法雖能解決電阻的問題，但透明導(dǎo)電層變厚又會(huì)導(dǎo)致嚴(yán)重的色散現(xiàn)象產(chǎn)生，致使該 觸控面板的透光度不平均，使透明導(dǎo)電層的圖形輪廓明顯，在外觀上顯現(xiàn)導(dǎo)電膜對(duì)于透光 板材之間的顏色差異性，因而影響產(chǎn)品外觀質(zhì)量。
[0004] 為了解決透明導(dǎo)電層增厚所產(chǎn)生的色差問題，參閱圖1，現(xiàn)有觸控基板包括彼此間 隔的一個(gè)透光板材91與一個(gè)透明導(dǎo)電層92,以及設(shè)置于該透光板材91與該透明導(dǎo)電層92 之間的膜層93、94。通過(guò)形成彼此折射率不同的該兩個(gè)膜層93、94,從而提供調(diào)整光學(xué)色差 的作用。但膜層93、94調(diào)整光學(xué)色差的作用有限，在透明導(dǎo)電層的厚度較厚以降低電阻的 條件下，現(xiàn)有觸控基板仍無(wú)法同時(shí)滿足光學(xué)穿透率、低色差與電性需求。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本實(shí)用新型的目的在于提供一種低色差觸控基板，在透明導(dǎo)電層的厚度較厚的條 件下能滿足光學(xué)穿透率、低色差與電性需求。
[0006] 本實(shí)用新型低色差觸控基板，包含：一個(gè)透光板材、一個(gè)與該透光板材間隔的透明 導(dǎo)電層，以及一個(gè)設(shè)置于該透光板材與該透明導(dǎo)電層之間的光學(xué)調(diào)整單元。該光學(xué)調(diào)整單 元包括一個(gè)設(shè)置于該透光板材的第一低折射率層，以及設(shè)置于該第一低折射率層與該透明 導(dǎo)電層之間的至少兩個(gè)高折射率層與至少兩個(gè)第二低折射率層；所述高折射率層與所述第 二低折射率層是由鄰近至遠(yuǎn)離該第一低折射率層方向交錯(cuò)排列；該第一低折射率層具有一 個(gè)接觸該透光板材的第一表面，以及一個(gè)相反于該第一表面且接觸其中一個(gè)高折射率層的 第二表面；該第一低折射率層的折射率為1. 4~1.8,每一個(gè)第二低折射率層的折射率為 1. 3~1.6,每一個(gè)高折射率層的折射率為1. 9~2. 42。
[0007] 本實(shí)用新型所述低色差觸控基板，該第一低折射率層的厚度為5~40nm。
[0008] 本實(shí)用新型所述低色差觸控基板，該第一低折射率層的材料為氮氧化硅或氧化 娃。
[0009] 本實(shí)用新型所述低色差觸控基板，每一個(gè)高折射率層的厚度為5~55nm。
[0010] 本實(shí)用新型所述低色差觸控基板，每一個(gè)高折射率層的材料為氧化鈮、氧化鈦、氮 化硅或氧化鋯。
[0011] 本實(shí)用新型所述低色差觸控基板，每一個(gè)第二低折射率層的厚度為1〇~55nm。
[0012] 本實(shí)用新型所述低色差觸控基板，每一個(gè)第二低折射率層的材料為氧化硅或氟化 鎂。
[0013] 本實(shí)用新型所述低色差觸控基板，該透明導(dǎo)電層的材料為氧化銦錫、氧化鋁鋅、氧 化銦鋅、氧化錳鋅、摻鎵氧化鋅或摻鎵鋁氧化鋅。
[0014] 本實(shí)用新型所述低色差觸控基板，該透明導(dǎo)電層的厚度為50~300nm。
[0015] 本實(shí)用新型所述低色差觸控基板，該透明導(dǎo)電層的片電阻為5~150D/ 口。
[0016] 本實(shí)用新型的有益效果在于：通過(guò)該光學(xué)調(diào)整單元的第一低折射率層、高折射率 層與第二低折射率層在折射率的選定與層體的特定排列順序，通過(guò)前述層體結(jié)構(gòu)，可使該 低色差觸控基板在廣視角下整體色差更低且光學(xué)穿透率較高而使外觀更近自然色，進(jìn)而能 提升產(chǎn)品外觀質(zhì)量。
【附圖說(shuō)明】
[0017] 圖1是現(xiàn)有觸控基板的個(gè)側(cè)視不意圖；
[0018] 圖2是本實(shí)用新型低色差觸控基板的一個(gè)實(shí)施例的一個(gè)側(cè)視示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0019] 下面結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明，要注意的是，在以下的說(shuō)明 內(nèi)容中，類似的元件以相同的編號(hào)來(lái)表示。
[0020] 參閱圖2,本實(shí)用新型低色差觸控基板的一個(gè)實(shí)施例，包含一個(gè)透光板材1、一個(gè) 與該透光板材1間隔的透明導(dǎo)電層2,以及一個(gè)設(shè)置于該透光板材1與該透明導(dǎo)電層2之間 的光學(xué)調(diào)整單元3。
[0021] 該透光板材1對(duì)波長(zhǎng)為633nm的光線的折射率為1. 5~1.8。實(shí)施上，該透光板材 1的材料可為塑膠、玻璃或藍(lán)寶石（sapphire)。
[0022] 該透明導(dǎo)電層2是以圖形化分布的方式設(shè)置于該光學(xué)調(diào)整單元3上，至于所述圖 形化的具體俯視結(jié)構(gòu)非本實(shí)用新型的改良重點(diǎn)，在此不予詳述。該透明導(dǎo)電層2的折射率 為1. 7~2. 2,厚度為50~300nm，片電阻為5~150D/ □。所述透明導(dǎo)電層2的材料具體 可為氧化銦錫（ITO)、氧化鋁鋅（AZO)、氧化銦鋅（IZO)、氧化錳鋅（MZO)、摻鎵氧化鋅（GZO) 或摻鎵鋁氧化鋅（GAZO)。
[0023] 需要說(shuō)明的是，當(dāng)該透明導(dǎo)電層2厚度小于50nm時(shí)，將導(dǎo)致片電阻大于 150Q/ □;當(dāng)該透明導(dǎo)電層2的厚度大于300nm時(shí)，片電阻雖然可低于5Q/ □，但是將導(dǎo)致 制造成本提高。因此，該透明導(dǎo)電層2的厚度宜為50~300nm，片電阻宜為5~150D/ 口。
[0024] 該光學(xué)調(diào)整單元3包括一個(gè)設(shè)置于該透光板材1上的第一低折射率層31，以及設(shè) 置于該第一低折射率層31與該透明導(dǎo)電層2之間的兩個(gè)高折射率層32、32'與兩個(gè)第二低 折射率層33、33'。在實(shí)施上，所述高折射率層32、32'與所述第二低折射率層33、33'的數(shù) 量分別可為兩個(gè)以上，而不限于本實(shí)施例的舉例。
[0025] 所述高折射率層32、32'與所述第二低折射率層33、33'是由鄰近至遠(yuǎn)離該第一低 折射率層31方向交錯(cuò)排列，在本實(shí)施例中由鄰近至遠(yuǎn)離該第一低折射率層31方向具體的 排列順序?yàn)楦哒凵渎蕦?2、第二低折射率層33、高折射率層32'與第二低折射率層33'。該 第一低折射率層31具有一個(gè)接觸該透光板材1的第一表面311，以及一個(gè)相反于該第一表 面311且接觸該高折射率層32的第二表面312。
[0026] 該第一低折射率層31對(duì)波長(zhǎng)為633nm的光線的折射率為1. 4~1.8,且厚度為5~ 40nm，其材料具體可為氮氧化娃（siliconoxynitride，SiOxNy)或氧化娃（Si02)。
[0027] 每一個(gè)高折射率層32、32'對(duì)波長(zhǎng)為633nm的光線的折射率為1. 9~2. 42,且厚 度為5~55nm，其材料具體可為氧化鈮（Nb20x)、氧化鈦（TiOx)、氮化硅（SiNx)或氧化鋯 (ZrOx)。
[0028] 每一個(gè)第二低折射率層33、33'對(duì)波長(zhǎng)為633nm的光線的折射率為1. 3~1.6,且 厚度為10~55nm，其材料具體可為氧化硅（Si02)或氟化鎂（MgF2)。
[0029] 本實(shí)用新型就以下實(shí)驗(yàn)例1~12與比較例1~12來(lái)作進(jìn)一步說(shuō)明，但應(yīng)了解的 是，所述實(shí)驗(yàn)例1~12僅為例示說(shuō)明，而不應(yīng)被解釋為本實(shí)用新型實(shí)施的限制。
[0030] 實(shí)驗(yàn)例1~12的試驗(yàn)品的結(jié)構(gòu)如圖2所示。
[0031] 實(shí)驗(yàn)例1~12的透光板材1的材料為玻璃，折射率為1. 52,厚度為3. 2mm。
[0032] 實(shí)驗(yàn)例1~12的透明導(dǎo)電層2的材料為氧化銦錫，折射率為1.8。在實(shí)驗(yàn)例1~ 3、7~9的透明導(dǎo)電層2是在約25°C的室溫所制成，其片電阻為25~100D/ □。在實(shí)驗(yàn) 例4~6、10~12的透明導(dǎo)電層2是在約320°C的高溫所制成，其片電阻為10~40D/ 口。
[0033] 實(shí)驗(yàn)例1~12的第一低折射率層31的材料為氧化硅，折射率為1. 46。
[0034] 實(shí)驗(yàn)例1~6的高折射率層32、32'的材料為氧化鈮，折射率為2. 42 ;實(shí)驗(yàn)例7~ 12的高折射率層32、32'的材料為氮化硅，折射率為2. 0。
[0035] 實(shí)驗(yàn)例1~12的第二低折射率層33、33'的材料為氧化硅，折射率為1. 46。
[0036] 以下將實(shí)驗(yàn)例1~12的透明導(dǎo)電層2的厚度與片電阻，以及第一低折射率層31、 高折射率層32、32'與第二低折射率層33、33'各自的厚度分別整理于表1。
[0037] 表 1
[0038]
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種低色差觸控基板，包含：一個(gè)透光板材、一個(gè)與該透光板材間隔的透明導(dǎo)電層， 以及一個(gè)設(shè)置于該透光板材與該透明導(dǎo)電層之間的光學(xué)調(diào)整單元；其特征在于：該光學(xué)調(diào) 整單元包括一個(gè)設(shè)置于該透光板材的第一低折射率層，以及設(shè)置于該第一低折射率層與該 透明導(dǎo)電層之間的至少兩個(gè)高折射率層與至少兩個(gè)第二低折射率層；所述高折射率層與所 述第二低折射率層是由鄰近至遠(yuǎn)離該第一低折射率層方向交錯(cuò)排列；該第一低折射率層具 有一個(gè)接觸該透光板材的第一表面，以及一個(gè)相反于該第一表面且接觸其中一個(gè)高折射率 層的第二表面；該第一低折射率層的折射率為1. 4~1. 8,每一個(gè)第二低折射率層的折射率 為1. 3~1. 6,每一個(gè)高折射率層的折射率為1. 9~2. 42。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的低色差觸控基板，其特征在于：該第一低折射率層的厚度為 5 ~40nm〇
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的低色差觸控基板，其特征在于：該第一低折射率層的材料為 氮氧化硅或氧化硅。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的低色差觸控基板，其特征在于：每一個(gè)高折射率層的厚度為 5 ~55nm〇
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的低色差觸控基板，其特征在于：每一個(gè)高折射率層的材料為 氧化銀、氧化鈦、氮化娃或氧化錯(cuò)。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的低色差觸控基板，其特征在于：每一個(gè)第二低折射率層的厚 度為10~55nm。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的低色差觸控基板，其特征在于：每一個(gè)第二低折射率層的材 料為氧化硅或氟化鎂。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的低色差觸控基板，其特征在于：該透明導(dǎo)電層的材料為氧化 銦錫、氧化鋁鋅、氧化銦鋅、氧化錳鋅、摻鎵氧化鋅或摻鎵鋁氧化鋅。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的低色差觸控基板，其特征在于：該透明導(dǎo)電層的厚度為50~ 300nm〇
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的低色差觸控基板，其特征在于：該透明導(dǎo)電層的片電阻為 5 ~150Q/□ 〇
【專利摘要】一種低色差觸控基板，包含一個(gè)透光板材、一個(gè)透明導(dǎo)電層，以及一個(gè)設(shè)置于該透光板材與該透明導(dǎo)電層之間的光學(xué)調(diào)整單元。該光學(xué)調(diào)整單元包括一個(gè)折射率為1.4～1.8的第一低折射率層、至少兩個(gè)折射率為1.3～1.6為第二低折射率層，及至少兩個(gè)折射率為1.9～2.42為高折射率層。高折射率層與第二低折射率層是由鄰近至遠(yuǎn)離該第一低折射率層方向交錯(cuò)排列。該第一低折射率層接觸該透光板材與其中一個(gè)高折射率層。通過(guò)前述層體結(jié)構(gòu)，使該低色差觸控基板在廣視角下整體色差更低且光學(xué)穿透率較高，進(jìn)而使外觀更近自然色并能提升產(chǎn)品外觀質(zhì)量。
【IPC分類】G06F3-041
【公開號(hào)】CN204480205
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520150035
【發(fā)明人】簡(jiǎn)谷衛(wèi), 黃有為, 黃圣涵, 沈俊宏, 辜建燁
【申請(qǐng)人】北儒精密股份有限公司
【公開日】2015年7月15日
【申請(qǐng)日】2015年3月17日