一種電源隔離的緩存型Raid卡的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及Raid設(shè)計技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種電源隔離的緩存型Raid卡。
【背景技術(shù)】
[0002]緩存型Raid卡可以在系統(tǒng)突然掉電的時候?qū)?shù)據(jù)進行保護，防止數(shù)據(jù)丟失，該機制需要用電池對Raid卡和Flash模塊進行供電，而Raid卡正常使用時，外部電源對Raid卡和Flash模塊進行供電，同時對電池進行充電，因此該設(shè)計中某個電壓時常面臨著兩個或多個Source的電源供電，這些電源如果不進行隔離，必定會產(chǎn)生漏電，進而影響系統(tǒng)穩(wěn)定性，使用壽命，更嚴(yán)重的會燒毀芯片，造成不可挽回的損失，因此，有效的電源隔離就顯得至關(guān)重要。傳統(tǒng)的隔離方法設(shè)計都較為復(fù)雜，元器件較多，且不易調(diào)試。
【實用新型內(nèi)容】
[0003]本實用新型要解決的技術(shù)問題是:本實用新型提出了一種電源隔離的緩存型Raid卡。
[0004]本實用新型所采用的技術(shù)方案為:
[0005]—種電源隔離的緩存型Raid卡，所述緩存型Raid卡包括Raid卡部分和Flash緩存模塊，Raid卡部分包括MOSl、電源芯片VRl、M0S2 ,Flash緩存模塊包括電池、電源芯片VR2、M0S3，其中Raid卡部分還設(shè)置有CPLD芯片，各功率MOS管做開關(guān)對電源進行隔離，CPLD芯片負責(zé)監(jiān)控系統(tǒng)上電狀態(tài)并控制各功率MOS管的導(dǎo)通和關(guān)斷。
[0006]所述Raid卡部分由Pcie Slot提供12V供電，在板上產(chǎn)生12_MR，并通過電源芯片VRl產(chǎn)生3V3供電。
[0007]所述Flash模塊通過電池產(chǎn)生12_MR供電，并通過電源芯片VR2產(chǎn)生3V3_MR供電，并且在Pc ie Slot提供的12V供電斷電時，該供電會提供給Rai d卡使用，其中Pc i e SI ot提供的12V供電和電池產(chǎn)生12_MR供電之間通過MOSI隔離。
[0008]電源芯片VRl產(chǎn)生的3V3供電和電源芯片VR2產(chǎn)生的3V3_MR供電之間通過M0S2和M0S3互相隔尚。
[0009]所述Raid卡部分還設(shè)置有電壓檢測電路，CPLD芯片通過電壓檢測電路對PcieSlot提供的12V供電進行檢測。
[0010]所述CPLD芯片還分別與MOSl、VR1、VR2、M0S2、M0S3連接并檢測和控制其工作:
[0011]當(dāng)CPLD芯片監(jiān)測外部電源12V存在時，MOSl導(dǎo)通，12V通過充電電路對電池進行充電，CPLD芯片控制Raid卡上面的電源芯片VRl產(chǎn)生3V3，同時M0S2導(dǎo)通，對Flash模塊進行供電，CPLD芯片控制Flash模塊上面的電源芯片VR2不產(chǎn)生3V3_MR，同時控制Flash模塊上的M0S3關(guān)斷，保護VR2;
[0012]當(dāng)CPLD芯片監(jiān)測到外部電源12V掉電，由電池供電，此時為防止12V_MR漏電到主板，控制MOSl關(guān)斷，控制Raid卡上面的電源芯片(VRl)不產(chǎn)生3V3，同時控制M0S2關(guān)斷，保護VRl，并控制Flash模塊上面的VR產(chǎn)生3V3_MR，控制M0S3導(dǎo)通。
[0013]本實用新型的有益效果為:
[0014]本實用新型結(jié)構(gòu)簡潔，容易使用，由CPLD控制可以很方便的調(diào)試，可有效降低設(shè)計難度。
【附圖說明】
[0015]圖1為本實用新型緩存型Raid卡電源隔離框圖。
【具體實施方式】
[0016]下面根據(jù)說明書附圖，結(jié)合【具體實施方式】對本實用新型進一步說明:
[0017]實施例1:
[0018]如圖1所示，一種電源隔離的緩存型Raid卡，所述緩存型Raid卡包括Raid卡部分和Flash緩存模塊，Raid卡部分包括功率MOS管MOSl、電源芯片(VRl)、功率MOS管M0S2 ,Flash緩存模塊包括電池、電源芯片(VR2)、功率MOS管M0S3，其中Raid卡部分還設(shè)置有CPLD芯片，各功率MOS管做開關(guān)對電源進行隔尚，CPLD芯片負責(zé)監(jiān)控系統(tǒng)上電狀態(tài)并控制各功率MOS管的導(dǎo)通和關(guān)斷。
[0019]實施例2:
[0020]在實施例1的基礎(chǔ)上，本實施例所述Raid卡部分由PcieSlot提供12V供電，在板上產(chǎn)生12_MR，并通過電源芯片(VRl)產(chǎn)生3V3供電。
[0021]實施例3:
[0022]在實施例2的基礎(chǔ)上，本實施例所述Flash模塊為單獨設(shè)計，通過電池產(chǎn)生12_MR供電，并通過電源芯片(VR2)產(chǎn)生3V3_MR供電，并且在外部電源(Pcie Slot提供的12V供電)斷電時，該電會提供給Rai d卡使用，Pc i e SI ot提供的12V供電和電池產(chǎn)生12_MR供電之間通過功率MOS管MOSl隔離。
[0023]實施例4:
[0024]在實施例3的基礎(chǔ)上，本實施例電源芯片(VRl)產(chǎn)生的3V3供電和電源芯片(VR2)產(chǎn)生的3V3_MR供電之間通過功率MOS管M0S2和M0S3互相隔離。
[0025]實施例5:
[0026]在實施例4的基礎(chǔ)上，本實施例所述Raid卡部分還設(shè)置有電壓檢測電路，CPLD芯片通過電壓檢測電路對Pcie Slot提供的12V供電進行檢測。
[0027]實施例6:
[0028]在實施例5的基礎(chǔ)上，本實施例所述0?0)芯片還分別與皿)31、￥1?1、￥1?2、1032、1033連接并檢測和控制其工作:
[0029]當(dāng)CPLD芯片監(jiān)測外部電源12V存在時，MOSl導(dǎo)通，12V通過充電電路對電池進行充電，CPLD芯片控制Raid卡上面的電源芯片VRl產(chǎn)生3V3，同時M0S2導(dǎo)通，對Flash模塊進行供電，CPLD芯片控制Flash模塊上面的電源芯片VR2不產(chǎn)生3V3_MR，同時控制Flash模塊上的M0S3關(guān)斷，保護VR2;
[0030]當(dāng)CPLD芯片監(jiān)測到外部電源12V掉電，由電池供電，此時為防止12V_MR漏電到主板，控制MOSl關(guān)斷，控制Raid卡上面的電源芯片(VRl)不產(chǎn)生3V3，同時控制M0S2關(guān)斷，保護VRl，并控制Flash模塊上面的VR產(chǎn)生3V3_MR，控制M0S3導(dǎo)通。
[0031]以上實施方式僅用于說明本實用新型，而并非對本實用新型的限制，有關(guān)技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本實用新型的精神和范圍的情況下，還可以做出各種變化和變型，因此所有等同的技術(shù)方案也屬于本實用新型的范疇，本實用新型的專利保護范圍應(yīng)由權(quán)利要求限定。
【主權(quán)項】
1.一種電源隔離的緩存型Raid卡，其特征在于:所述緩存型Raid卡包括Raid卡部分和Flash緩存模塊，Raid卡部分包括功率MOS管MOSl、電源芯片VRl、功率MOS管M0S2 ,Flash緩存模塊包括電池、電源芯片VR2、功率MOS管M0S3，其中Raid卡部分還設(shè)置有CPLD芯片，各功率MOS管做開關(guān)對電源進行隔離，CPLD芯片負責(zé)監(jiān)控系統(tǒng)上電狀態(tài)并控制各功率MOS管的導(dǎo)通和關(guān)斷。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電源隔離的緩存型Raid卡，其特征在于:所述Raid卡部分由Pcie Slot提供12V供電，在板上產(chǎn)生電壓12_MR，并通過電源芯片VRl產(chǎn)生電壓3V3供電。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種電源隔離的緩存型Raid卡，其特征在于:所述Flash模塊通過電池產(chǎn)生電壓12_MR供電，并通過電源芯片VR2產(chǎn)生電壓3V3_MR供電，并且在Pcie Slot提供的12V供電斷電時，該供電會提供給Raid卡使用，其中Pci e S1t提供的12V供電和電池產(chǎn)生電壓12_MR供電之間通過功率MOS管MOSI隔離。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種電源隔離的緩存型Raid卡，其特征在于:電源芯片VRl產(chǎn)生的電壓3V3供電和電源芯片VR2產(chǎn)生的電壓3V3_MR供電之間通過功率MOS管M0S2和功率MOS管M0S3互相隔尚。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種電源隔離的緩存型Raid卡，其特征在于:所述Raid卡部分還設(shè)置有電壓檢測電路，CPLD芯片通過電壓檢測電路對Pcie Slot提供的12V供電進行檢測。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種電源隔離的緩存型Raid卡，其特征在于:所述CPLD芯片還分別與功率MOS管MOSl、電源芯片VRl、電源芯片VR2、功率MOS管M0S2、功率MOS管M0S3連接并檢測和控制其工作: 當(dāng)CPLD芯片監(jiān)測外部電源12V存在時，功率MOS管MOSl導(dǎo)通，12V電壓通過充電電路對電池進行充電，CPLD芯片控制Raid卡上面的電源芯片VRl產(chǎn)生電壓3V3，同時功率MOS管M0S2導(dǎo)通，對Flash模塊進行供電，CPLD芯片控制Flash模塊上面的電源芯片VR2不產(chǎn)生電壓3V3_MR，同時控制Flash模塊上的功率MOS管M0S3關(guān)斷，保護電源芯片VR2; 當(dāng)CPLD芯片監(jiān)測到外部電源12V掉電，由電池供電，控制功率MOS管MOSl關(guān)斷，控制Raid卡上面的電源芯片VRl不產(chǎn)生電壓3V3，同時控制功率MOS管M0S2關(guān)斷，保護電源芯片VRl，并控制Flash模塊上面的電源芯片VR2產(chǎn)生電壓3V3_MR，控制功率MOS管M0S3導(dǎo)通。
【專利摘要】本實用新型公開了一種電源隔離的緩存型Raid卡，所述緩存型Raid卡包括Raid卡部分和Flash緩存模塊，Raid卡部分包括MOS1、電源芯片VR1、MOS2，F(xiàn)lash緩存模塊包括電池、電源芯片VR2、MOS3，其中Raid卡部分還設(shè)置有CPLD芯片，各功率MOS管做開關(guān)對電源進行隔離，CPLD芯片負責(zé)監(jiān)控系統(tǒng)上電狀態(tài)并控制各功率MOS管的導(dǎo)通和關(guān)斷。本實用新型結(jié)構(gòu)簡潔，容易使用，由CPLD控制可以很方便的調(diào)試，可有效降低設(shè)計難度。
【IPC分類】G06F1/26
【公開號】CN205334365
【申請?zhí)枴緾N201521118477
【發(fā)明人】周亮, 薛廣營
【申請人】山東海量信息技術(shù)研究院
【公開日】2016年6月22日
【申請日】2015年12月30日