一種nand flash內(nèi)存的寫保護電路及nand flash內(nèi)存的制作方法
【專利摘要】本實用新型提供一種NAND FLASH內(nèi)存的寫保護電路及NAND FLASH內(nèi)存，涉及電路領(lǐng)域。本實用新型提供一種NAND FLASH內(nèi)存的寫保護電路連接于NAND FLASH內(nèi)存芯片與上位機之間，寫保護電路包括：與上位機和NAND FLASH內(nèi)存芯片相連，受控于上位機、向NAND FLASH內(nèi)存芯片的寫保護端輸出低電平以控制NAND FLASH內(nèi)存芯片進入寫保護狀態(tài)的控制單元。通過將控制單元連接于上位機和NAND FLASH內(nèi)存芯片之間，上位機控制其向NAND FLASH內(nèi)存芯片的寫保護端輸出低電平以控制NAND FLASH內(nèi)存芯片進行寫保護，進而使得NAND FLASH內(nèi)存避免了因為用戶的誤操作或存儲文件在程序上出現(xiàn)漏洞導(dǎo)致NAND FLASH內(nèi)存中文件丟失的現(xiàn)象，進一步解決了NAND FLASH內(nèi)存因為文件的丟失需要返廠維修，導(dǎo)致維護NAND FLASH內(nèi)存的成本增加的問題。
【專利說明】
_種從如FLASH內(nèi)存的寫保護電路及NAND FLASH內(nèi)存
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ]本實用新型屬于電路領(lǐng)域，尤其涉及一種NAND FLASH內(nèi)存的寫保護電路及NANDFLASH內(nèi)存。
【背景技術(shù)】
[0002]如今NAND FLASH內(nèi)存(快閃記憶體)已廣泛應(yīng)用于各種娛樂設(shè)備中，雖然現(xiàn)有技術(shù)中對NAND FLASH內(nèi)存中的文件進行改寫前，需要工作人員對NAND FLASH內(nèi)存進行擦除或清空，但是由于NAND FLASH內(nèi)存中的文件通常會因為用戶的誤操作或存儲文件在程序上出現(xiàn)漏洞，導(dǎo)致NAND FLASH內(nèi)存文件的丟失，進而導(dǎo)致NAND FLASH內(nèi)存所屬的設(shè)備或系統(tǒng)無法正常工作。例如，飛機上的娛樂系統(tǒng)部件出現(xiàn)NAND FLASH內(nèi)存中的文件丟失的現(xiàn)象時，會導(dǎo)致該娛樂系統(tǒng)部件無法工作，還可能導(dǎo)致相關(guān)聯(lián)的其它部件無法正常工作。且現(xiàn)有技術(shù)中當(dāng)NAND FLASH內(nèi)存中的文件損壞或丟失時，必須返廠維修，重新手工燒錄文件，造成維護NAND FLASH內(nèi)存的成本增加。
【實用新型內(nèi)容】
[0003]本實用新型實施例的目的在于提供一種NANDFLASH內(nèi)存的寫保護電路，旨在解決現(xiàn)有技術(shù)中的NAND FLASH內(nèi)存因為用戶的誤操作或存儲文件在程序上出現(xiàn)漏洞導(dǎo)致NANDFLASH內(nèi)存文件的丟失，必須返廠維修，重新手工燒錄文件造成維護NAND FLASH內(nèi)存的成本增加的問題。
[0004]本實用新型實施例是這樣實現(xiàn)的，一種NANDFLASH內(nèi)存的寫保護電路，連接于NAND FLASH內(nèi)存芯片與上位機之間，所述寫保護電路包括:
[0005]與所述上位機和所述NAND FLASH內(nèi)存芯片相連，受控于所述上位機、向所述NANDFLASH內(nèi)存芯片的寫保護端輸出低電平以控制所述NAND FLASH內(nèi)存芯片進入寫保護狀態(tài)的控制單元。
[0006]可選的，所述控制單元包括:受控端和信號輸出端；
[0007]所述受控端與所述上位機相連，所述信號輸出端與所述NANDFLASH內(nèi)存芯片的寫保護端相連，所述上位機通過所述受控端控制所述控制單元向所述NAND FLASH內(nèi)存芯片的寫保護端輸出高或低電平，以控制所述NAND FLASH內(nèi)存芯片進入改寫狀態(tài)或進入寫保護狀
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[0008]可選的，所述控制單元還包括:模擬開關(guān)SWl、電阻Rl和電阻R2;
[0009]所述模擬開關(guān)SWl的第一端為所述控制單元的受控端，與所述上位機相連，所述模擬開關(guān)SWl的第二端與所述電阻Rl第一端相連，所述電阻Rl第二端與所述電阻R2第一端共接所述NAND FLASH內(nèi)存芯片的寫保護端，所述電阻R2第二端接地。
[0010]本實用新型的實施例還提供了一種NAND FLASH內(nèi)存，包括NAND FLASH內(nèi)存芯片，所述NAND FLASH內(nèi)存還包括一寫保護電路，所述寫保護電路連接于所述NAND FLASH內(nèi)存芯片與上位機之間，包括:
[0011]與所述上位機和所述NAND FLASH內(nèi)存芯片相連，受控于所述上位機、向所述NANDFLASH內(nèi)存芯片的寫保護端輸出低電平以控制所述NAND FLASH內(nèi)存芯片進入寫保護狀態(tài)的控制單元。
[0012]可選的，所述控制單元包括:受控端和信號輸出端；
[0013]所述受控端與所述上位機相連，所述信號輸出端與所述NANDFLASH內(nèi)存芯片的寫保護端相連，所述上位機通過所述受控端控制所述控制單元向所述NAND FLASH內(nèi)存芯片的寫保護端輸出高或低電平，以控制所述NAND FLASH內(nèi)存芯片進入改寫狀態(tài)或進入寫保護狀
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[0014]可選的，所述控制單元還包括:模擬開關(guān)SW1、電阻Rl和電阻R2;
[0015]所述模擬開關(guān)SWl的第一端為所述控制單元的受控端，與所述上位機相連，所述模擬開關(guān)SWl的第二端與所述電阻Rl第一端相連，所述電阻Rl第二端與所述電阻R2第一端共接所述NAND FLASH內(nèi)存芯片的寫保護端，所述電阻R2第二端接地。
[0016]可選的，所述NAND FLASH內(nèi)存還包括:
[0017]連接于電源與地之間，對電源輸出的電壓進行濾波的濾波單元。
[0018]可選的，所述濾波單元包括電容Cl、電容C2和電容C3;
[0019]所述電容Cl第一端與電源相連，所述電容Cl第一端依次與所述電容C2第一端和所述電容C3第一端相連，所述電容C3第一端接所述NAND FLASH內(nèi)存芯片的電源端VCC，所述電容Cl第二端、所述電容C2第二端和所述電容C3第二端共接地。
[0020]本實用新型實施例提供一種NAND FLASH內(nèi)存的寫保護電路及NAND FLASH內(nèi)存，通過將控制單元連接于上位機和NAND FLASH內(nèi)存之間，上位機控制其向NAND FLASH內(nèi)存的寫保護端輸出低電平以控制NAND FLASH內(nèi)存進行寫保護，進而使得NAND FLASH內(nèi)存避免了因為用戶的誤操作或存儲文件在程序上出現(xiàn)漏洞導(dǎo)致NAND FLASH內(nèi)存文件的丟失的現(xiàn)象，進一步解決了NAND FLASH內(nèi)存因為文件的丟失需要返廠維修，導(dǎo)致維護NAND FLASH內(nèi)存的成本增加的問題。
【附圖說明】
[0021 ]圖1為本實用新型實施例提供的NAND FLASH內(nèi)存的寫保護電路的結(jié)構(gòu)框圖；
[0022]圖2為本實用新型實施例提供的NANDFLASH內(nèi)存的寫保護電路的電路示意圖；
[0023]圖3為本實用新型實施例提供的NANDFLASH內(nèi)存的結(jié)構(gòu)框圖；
[0024]圖4為本實用新型實施例提供的NANDFLASH內(nèi)存的電路示意圖。
【具體實施方式】
[0025]為了使本實用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實施例，對本實用新型進行進一步詳細說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實施例僅用以解釋本實用新型，并不用于限定本實用新型。
[0026]本實用新型實施例的目的在于提供一種NANDFLASH內(nèi)存的寫保護電路，旨在解決現(xiàn)有技術(shù)中的NAND FLASH內(nèi)存因為用戶的誤操作或存儲文件在程序上出現(xiàn)漏洞導(dǎo)致NANDFLASH內(nèi)存文件的丟失，必須返廠維修，重新手工燒錄文件造成維護NAND FLASH內(nèi)存的成本增加的問題。
[0027]圖1示出了本實用新型實施例提供的NANDFLASH內(nèi)存的寫保護電路的結(jié)構(gòu)框圖。
[0028]如圖1所示，本實施例提供的一種NAND FLASH內(nèi)存的寫保護電路100，連接于NANDFLASH內(nèi)存芯片Ul與上位機200之間。
[0029]本實施例提供的一種NAND FLASH內(nèi)存的寫保護電路100包括:控制單元10，控制單元10與上位機200和NAND FLASH內(nèi)存芯片Ul相連，受控于上位機200向NAND FLASH內(nèi)存芯片Ul的寫保護端flash_wp輸出低電平以控制NAND FLASH內(nèi)存芯片Ul進入寫保護狀態(tài)
[0030]圖2示出了本實用新型實施例提供的NANDFLASH內(nèi)存的寫保護電路的電路示意圖。
[0031]本實施例中，上位機200可以是現(xiàn)有的單片機，其內(nèi)置有用于控制NANDFLASH內(nèi)存的寫保護電路100中控制單元10的控制指令。例如，為了實現(xiàn)對NAND FLASH內(nèi)存芯片Ul在上電后直接進入寫保護狀態(tài)，上位機200向控制單元10發(fā)送輸出并保持低電平的指令，使得控制單元10在NAND FLASH內(nèi)存芯片UI開機時，向NAND FLASH內(nèi)存芯片Ul的寫保護端f lash_wp輸出低電平，并持續(xù)保持低電平，進而使得NAND FLASH內(nèi)存芯片Ul在上電后直接進入寫保護狀態(tài)，控制單元10向NAND FLASH內(nèi)存芯片Ul的寫保護端flash_wp輸出高電平為止。
[0032]可選的，控制單元10包括:受控端和信號輸出端。
[0033]受控端與上位機200相連，信號輸出端與NAND FLASH內(nèi)存芯片Ul的寫保護端flash_wp相連，上位機200通過受控端控制控制單元10向NAND FLASH內(nèi)存芯片Ul的寫保護端WP輸出高或低電平，以控制NAND FLASH內(nèi)存芯片Ul進入改寫狀態(tài)或進入寫保護狀態(tài)。
[0034]如圖2所示，具體的，控制單元10還包括:模擬開關(guān)SW1、電阻Rl和電阻R2。
[0035]模擬開關(guān)SWl的第一端為控制單元10的受控端，與上位機200相連。模擬開關(guān)SWl的第二端與電阻Rl第一端相連，電阻Rl第二端與電阻R2第一端共接NAND FLASH內(nèi)存芯片Ul的寫保護端f lash_wp，電阻R2第二端接地。
[0036]在本實施例中，由于模擬開關(guān)SWl的第一端為控制單元10的受控端，與上位機200相連，因此，當(dāng)上位機200控制控制單元10的受控端，使得模擬開關(guān)SWl閉合，上位機200通過模擬開關(guān)SWl和電阻Rl向NAND FLASH內(nèi)存芯片Ul的寫保護端flash_wp輸出高電平，控制NAND FLASH內(nèi)存芯片Ul進入改寫狀態(tài)，此時，可以向NAND FLASH內(nèi)存芯片Ul寫入文件或擦除文件。當(dāng)上位機200控制控制單元10的受控端，使得模擬開關(guān)SWl斷開，由于電阻R2第二端接地，向NAND FLASH內(nèi)存芯片Ul的寫保護端flash_wp輸出低電平，控制NAND FLASH內(nèi)存芯片Ul進入寫保護狀態(tài)，此時，無法向NAND FLASH內(nèi)存芯片Ul寫入文件或擦除其內(nèi)部文件。
[0037]在本實施例中，上位機200可以是現(xiàn)有的單片機或PC，以上位機200選用單片機為例，上位機200可以通過數(shù)據(jù)總線與NAND FLASH內(nèi)存的寫保護電路100相連，分出一個控制弓I腳與控制單元1的受控端相連。上位機200向控制單元1發(fā)出控制指令，使得控制單元1向NAND FLASH內(nèi)存芯片Ul的寫保護端flash_wp輸出高或低電平，以控制NAND FLASH內(nèi)存芯片Ul進入改寫狀態(tài)或進入寫保護狀態(tài)。例如，上位機200向控制單元10發(fā)出控制指令，使得控制單元10向NAND FLASH內(nèi)存芯片Ul的寫保護端flash_wp輸出高電平，實現(xiàn)控制NANDFLASH內(nèi)存芯片Ul進入改寫狀態(tài)。再例如，上位機200向控制單元10發(fā)出控制指令，使得控制單元10向NAND FLASH內(nèi)存芯片Ul的寫保護端flash_wp輸出低電平，實現(xiàn)控制NAND FLASH內(nèi)存芯片Ul進入寫保護狀態(tài)。
[0038]本實用新型實施例提供一種NANDFLASH內(nèi)存的寫保護電路100，包括控制單元10，通過將控制單元10連接于上位機200和NAND FLASH內(nèi)存芯片Ul之間，上位機200控制其向NAND FLASH內(nèi)存芯片Ul的寫保護端flash_wp輸出低電平以控制NAND FLASH內(nèi)存芯片Ul進行寫保護，進而使得NAND FLASH內(nèi)存避免了因為用戶的誤操作或存儲文件在程序上出現(xiàn)漏洞導(dǎo)致NAND FLASH內(nèi)存文件的丟失的現(xiàn)象，進一步解決了NAND FLASH內(nèi)存因為文件的丟失需要返廠維修，導(dǎo)致維護NAND FLASH內(nèi)存的成本增加的問題。
[0039]與上述實施例相對應(yīng)的，本實用新型的實施例的另一目的在于提供一種NANDFLASH 內(nèi)存 300。
[0040]圖3示出了本實用新型實施例提供的NANDFLASH內(nèi)存的結(jié)構(gòu)框圖。
[0041 ] 一種NAND FLASH內(nèi)存，包括NAND FLASH內(nèi)存芯片Ul，所述NAND FLASH內(nèi)存300還包括一寫保護電路100，所述寫保護電路100連接于所述NAND FLASH內(nèi)存芯片Ul與上位機200之間，包括:
[0042]與所述上位機200和所述NAND FLASH內(nèi)存芯片Ul相連，受控于所述上位機200、向所述NAND FLASH內(nèi)存芯片UI的寫保護端f I ash_wp輸出低電平以控制所述NAND FLASH內(nèi)存芯片Ul進入寫保護狀態(tài)的控制單元。
[0043]由于本實施例中的NANDFLASH內(nèi)存的寫保護電路100的具體實現(xiàn)方式已經(jīng)在上述實施例中詳細闡述，此處不再贅述。
[0044]圖4示出了本實用新型實施例提供的NANDFLASH內(nèi)存的電路示意圖。
[0045]如圖4所示，所述NAND FLASH內(nèi)存300還包括:
[0046]連接于電源VCC3V3與地之間，對電源輸出的電壓進行濾波的濾波單元310。在本實施例中，濾波單元310連接于NAND FLASH內(nèi)存300和電源VCC3V3之間，用于對電源VCC3V3輸出的電壓進行濾波。
[0047]如圖3所示，濾波單元310可以包括電容Cl、電容C2和電容C3。
[0048]電容Cl第一端與電源VCC3V3相連，電容Cl第一端依次與電容C2第一端和電容C3第一端相連，電容C3第一端接NAND FLASH內(nèi)存芯片Ul的電源端VCC，電容Cl第二端、電容C2第二端和電容C3第二端共接地。
[0049]在本實施例中，電容Cl、電容C2和電容C3極性電容，設(shè)置在NAND FLASH內(nèi)存芯片Ul的電源端VCC進行濾波作用。
[0050]本實用新型實施例提供一種NAND FLASH內(nèi)存的寫保護電路及NAND FLASH內(nèi)存，通過將控制單元連接于上位機和NAND FLASH內(nèi)存芯片Ul之間，上位機控制其向NAND FLASH內(nèi)存芯片Ul的寫保護端flash_wp輸出低電平以控制NAND FLASH內(nèi)存芯片Ul進行寫保護，進而使得NAND FLASH內(nèi)存避免了因為用戶的誤操作或存儲文件在程序上出現(xiàn)漏洞導(dǎo)致NANDFLASH內(nèi)存文件的丟失的現(xiàn)象，進一步解決了NAND FLASH內(nèi)存因為文件的丟失需要返廠維修，導(dǎo)致維護NAND FLASH內(nèi)存的成本增加的問題。
[0051]以上所述僅為本實用新型的較佳實施例而已，并不用以限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進等，均應(yīng)包含在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種NANDFLASH內(nèi)存的寫保護電路，連接于NAND FLASH內(nèi)存芯片與上位機之間，其特征在于，所述寫保護電路包括: 與所述上位機和所述NAND FLASH內(nèi)存芯片相連，受控于所述上位機、向所述NANDFLASH內(nèi)存芯片的寫保護端輸出低電平以控制所述NAND FLASH內(nèi)存芯片進入寫保護狀態(tài)的控制單元。2.如權(quán)利要求1所述的NANDFLASH內(nèi)存的寫保護電路，其特征在于，所述控制單元包括:受控端和信號輸出端； 所述受控端與所述上位機相連，所述信號輸出端與所述NAND FLASH內(nèi)存芯片的寫保護端相連，所述上位機通過所述受控端控制所述控制單元向所述NAND FLASH內(nèi)存芯片的寫保護端輸出高或低電平，以控制所述NAND FLASH內(nèi)存芯片進入改寫狀態(tài)或進入寫保護狀態(tài)。3.如權(quán)利要求2所述的NANDFLASH內(nèi)存的寫保護電路，其特征在于，所述控制單元還包括:模擬開關(guān)SWl、電阻Rl和電阻R2 ； 所述模擬開關(guān)SWl的第一端為所述控制單元的受控端，與所述上位機相連，所述模擬開關(guān)SWl的第二端與所述電阻Rl第一端相連，所述電阻Rl第二端與所述電阻R2第一端共接所述NAND FLASH內(nèi)存芯片的寫保護端，所述電阻R2第二端接地。4.一種NANDFLASH內(nèi)存，包括NAND FLASH內(nèi)存芯片，其特征在于，所述NAND FLASH內(nèi)存還包括一寫保護電路，所述寫保護電路連接于所述NAND FLASH內(nèi)存芯片與上位機之間，包括: 與所述上位機和所述NAND FLASH內(nèi)存芯片相連，受控于所述上位機、向所述NANDFLASH內(nèi)存芯片的寫保護端輸出低電平以控制所述NAND FLASH內(nèi)存芯片進入寫保護狀態(tài)的控制單元。5.如權(quán)利要求4所述的NANDFLASH內(nèi)存，其特征在于，所述控制單元包括:受控端和信號輸出端； 所述受控端與所述上位機相連，所述信號輸出端與所述NAND FLASH內(nèi)存芯片的寫保護端相連，所述上位機通過所述受控端控制所述控制單元向所述NAND FLASH內(nèi)存芯片的寫保護端輸出高或低電平，以控制所述NAND FLASH內(nèi)存芯片進入改寫狀態(tài)或進入寫保護狀態(tài)。6.如權(quán)利要求5所述的NANDFLASH內(nèi)存，其特征在于，所述控制單元還包括:模擬開關(guān)SWl、電阻Rl和電阻R2; 所述模擬開關(guān)SWl的第一端為所述控制單元的受控端，與所述上位機相連，所述模擬開關(guān)SWl的第二端與所述電阻Rl第一端相連，所述電阻Rl第二端與所述電阻R2第一端共接所述NAND FLASH內(nèi)存芯片的寫保護端，所述電阻R2第二端接地。7.如權(quán)利要求6所述的NANDFLASH內(nèi)存，其特征在于，所述NAND FLASH內(nèi)存還包括: 連接于電源與地之間，對電源輸出的電壓進行濾波的濾波單元。8.如權(quán)利要求7所述的NANDFLASH內(nèi)存，其特征在于，所述濾波單元包括電容C1、電容C2和電容C3; 所述電容Cl第一端與電源相連，所述電容Cl第一端依次與所述電容C2第一端和所述電容C3第一端相連，所述電容C3第一端接所述NAND FLASH內(nèi)存芯片的電源端VCC，所述電容Cl第二端、所述電容C2第二端和所述電容C3第二端共接地。
【文檔編號】G11C7/24GK205540751SQ201520989205
【公開日】2016年8月31日
【申請日】2015年12月3日
【發(fā)明人】黃小洪, 余賢沐, 劉衛(wèi)青
【申請人】深圳市多尼卡電子技術(shù)有限公司, 深圳市航電技術(shù)研究院, 深圳多尼卡互聯(lián)技術(shù)有限公司