專利名稱：卡處理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及讀取記錄在磁卡中的磁數(shù)據(jù)的卡處理裝置、以及內(nèi)裝該卡處理裝置的數(shù)據(jù)處理裝置。
背景技術(shù)：
以往，讀取記錄在磁卡中的磁數(shù)據(jù)的卡處理裝置利用于ATM、C、CAT等的交易處理裝置。這些交易處理裝置利用從磁卡讀取的數(shù)據(jù)進(jìn)行出入幣處理及信用交易處理等的數(shù)據(jù)處理。此外，卡處理裝置不僅在上述交易處理裝置中使用，而且在限制進(jìn)出管理區(qū)域的使用者的進(jìn)出室管理系統(tǒng)等各種裝置和系統(tǒng)中使用。
最近，竊取記錄在磁卡中的磁數(shù)據(jù)、利用記錄了竊取的磁數(shù)據(jù)的偽造卡進(jìn)行交易等的犯罪在增加。在磁卡數(shù)據(jù)的竊取中，一般使用稱作側(cè)錄(skimming)裝置的裝置。這里，從安全的方面出發(fā)，不對(duì)側(cè)錄裝置進(jìn)行詳細(xì)的說明，而只做簡單的說明。該側(cè)錄裝置具有讀取記錄在磁卡中的磁數(shù)據(jù)的磁頭，非法地安裝在卡處理裝置的磁卡的插入口的前面，側(cè)錄裝置形成有與卡處理裝置的卡插入口連接的開口部。在安裝有側(cè)錄裝置的卡處理裝置中，使用者(磁卡的合法的所有者)將卡插入側(cè)錄裝置的開口部。從而，該磁卡通過側(cè)錄裝置從卡插入口被取入主體內(nèi)部。側(cè)錄裝置這時(shí)非法地讀取記錄在磁卡中的磁數(shù)據(jù)(竊取)。此外，在將取入到裝置內(nèi)部中的磁卡返還給使用者時(shí)，該磁卡也通過側(cè)錄裝置，因此，側(cè)錄裝置此時(shí)也可以非法地讀取記錄在磁卡中的磁數(shù)據(jù)。
另外，將磁卡插入卡處理裝置的使用者不知道安裝有側(cè)錄裝置，所以不會(huì)注意到磁數(shù)據(jù)被非法地讀取、即竊取的情況。
作為具備防止通過上述的側(cè)錄裝置進(jìn)行的磁數(shù)據(jù)的竊取的結(jié)構(gòu)的卡處理裝置，例如有專利文獻(xiàn)1公開的裝置。該專利文獻(xiàn)1所示的卡處理裝置是這樣的結(jié)構(gòu)，即，在磁卡的插入口附近設(shè)有在鐵芯上卷繞了線圈的干擾磁場產(chǎn)生器，在插入口的外側(cè)產(chǎn)生磁場(干擾磁場)。該干擾磁場在包含從插入口插入的磁卡的磁條通過的區(qū)域的范圍產(chǎn)生。因而，即使側(cè)錄裝置安裝在插入口的前面，側(cè)錄裝置從磁卡讀取的讀取信號(hào)也成為疊加了由干擾磁場產(chǎn)生的噪音的信號(hào)。由此，可以防止通過側(cè)錄裝置進(jìn)行的磁數(shù)據(jù)的竊取。
專利文獻(xiàn)1日本特開2001-67524號(hào)公報(bào)但是，在專利文獻(xiàn)1所示的結(jié)構(gòu)中，對(duì)于通過側(cè)錄裝置進(jìn)行的磁數(shù)據(jù)的竊取的對(duì)策是不充分的。具體而言，如果使用一般稱作差動(dòng)頭的磁頭作為側(cè)錄裝置的磁頭，則磁卡中的磁數(shù)據(jù)被竊取的危險(xiǎn)性較高，因?yàn)檫@一點(diǎn)，對(duì)磁數(shù)據(jù)的竊取的對(duì)策是不充分的。這里所謂的差動(dòng)頭是將電特性大致相同的2個(gè)磁頭(讀取頭和虛設(shè)頭)收納在1個(gè)殼體中的磁頭。虛設(shè)頭配置在讀取頭的附近。讀取頭是與磁卡的磁條抵接而讀取磁數(shù)據(jù)的頭。另一方面，虛設(shè)頭配置在不與磁卡的磁條抵接的位置(不受磁數(shù)據(jù)的影響的位置)。如果用該差動(dòng)頭讀取磁卡中的磁數(shù)據(jù)，則作為讀取頭的輸出的讀取信號(hào)成為對(duì)應(yīng)于磁數(shù)據(jù)的電動(dòng)勢(shì)、和對(duì)應(yīng)于周邊的磁場(外部磁場)的電動(dòng)勢(shì)疊加后的信號(hào)，虛設(shè)頭的輸出為對(duì)應(yīng)于周邊的磁場(外部磁場)的電動(dòng)勢(shì)的信號(hào)。因此，理論上取讀取頭的輸出和虛設(shè)頭的輸出的差分，可以不受外部磁場、即干擾磁場的影響而得到磁數(shù)據(jù)的讀取信號(hào)。
另外，在現(xiàn)實(shí)中，讀取頭、虛設(shè)頭根據(jù)使用部件等的偏差其電特性不完全相同。此外，讀取頭和虛設(shè)頭配置在相同的位置在物理上也是不可能的。因此，由于讀取頭和虛設(shè)頭受到的外部磁場不同，所以即使單純地取讀取頭的輸出和虛設(shè)頭的輸出的差分，也不能不受外部磁場的影響而得到磁數(shù)據(jù)的讀取信號(hào)。所以，一般在使用差動(dòng)頭的情況下，設(shè)有包括對(duì)讀取頭或虛設(shè)頭的至少一個(gè)放大其輸出的放大器以及調(diào)節(jié)該放大器的增益的增益調(diào)節(jié)電路的平衡調(diào)節(jié)電路。并且，在讀取頭沒有讀取磁數(shù)據(jù)的狀態(tài)下，通過平衡調(diào)節(jié)電路調(diào)節(jié)放大器的增益，以使讀取頭的輸出與虛設(shè)頭的輸出的差分輸出成為0。由此，可以不受外部磁場的影響而讀取磁數(shù)據(jù)。
因而，在專利文獻(xiàn)1中記載的卡處理裝置的對(duì)策中，具有如果在側(cè)錄裝置中使用差動(dòng)頭則磁數(shù)據(jù)被竊取的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種可以大致可靠地防止記錄在磁卡中的磁數(shù)據(jù)被竊取、大幅提高了安全性的卡處理裝置、以及內(nèi)裝該卡處理裝置的數(shù)據(jù)處理裝置。
本發(fā)明的卡處理裝置為了解決上述課題而具備以下的結(jié)構(gòu)。
(1)具備磁數(shù)據(jù)讀取機(jī)構(gòu)，用設(shè)在卡傳送路的中途的磁頭，讀取記錄在沿著該卡傳送路傳送的磁卡中的磁數(shù)據(jù)；磁場產(chǎn)生機(jī)構(gòu)，在上述傳送路的插入口的外側(cè)產(chǎn)生磁場；上述磁場產(chǎn)生機(jī)構(gòu)具有向上述傳送路的插入口的外側(cè)輻射磁場的多個(gè)輻射源、和對(duì)每個(gè)輻射源設(shè)置的多個(gè)驅(qū)動(dòng)源；上述多個(gè)驅(qū)動(dòng)源中的特定的2個(gè)驅(qū)動(dòng)源，驅(qū)動(dòng)上述輻射源的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的頻率不同。
在該結(jié)構(gòu)中，在插入口的外側(cè)產(chǎn)生從多個(gè)輻射源輻射的磁場的合成磁場。此外，至少從多個(gè)輻射源的特定的2個(gè)輻射源輻射的磁場(干擾磁場)的頻率不同。換言之，從多個(gè)輻射源輻射的干擾磁場的頻率是2種以上。因此，即使在插入口的外側(cè)非法地安裝使用差動(dòng)頭的側(cè)錄裝置，也不能進(jìn)行側(cè)錄裝置的差動(dòng)頭的平衡調(diào)節(jié)。其理由是，即使對(duì)從某個(gè)輻射源輻射的磁場來說是正確的平衡調(diào)節(jié)，對(duì)從其他輻射源輻射的磁場來說也成為不正確的平衡調(diào)節(jié)。因而，側(cè)錄裝置的磁數(shù)據(jù)的讀取信號(hào)成為疊加了由磁場產(chǎn)生機(jī)構(gòu)產(chǎn)生的磁場(干擾磁場)的噪音的信號(hào)。由此，即使是使用差動(dòng)頭的側(cè)錄裝置，也能夠大致可靠地防止磁數(shù)據(jù)從磁卡被竊取。
(2)具備磁數(shù)據(jù)讀取機(jī)構(gòu)，用設(shè)在卡傳送路的中途的磁頭，讀取記錄在沿著該卡傳送路傳送的磁卡中的磁數(shù)據(jù)；磁場產(chǎn)生機(jī)構(gòu)，在上述傳送路的插入口的外側(cè)產(chǎn)生磁場；上述磁場產(chǎn)生機(jī)構(gòu)具有向上述傳送路的插入口的外側(cè)輻射磁場的多個(gè)輻射源、和對(duì)每個(gè)輻射源設(shè)置的多個(gè)驅(qū)動(dòng)源；上述多個(gè)驅(qū)動(dòng)源中的特定的2個(gè)驅(qū)動(dòng)源驅(qū)動(dòng)上述輻射源的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的振幅比隨時(shí)間不同。
在該結(jié)構(gòu)中，與上述(1)同樣，在插入口的外側(cè)產(chǎn)生從多個(gè)輻射源輻射的磁場的合成磁場。此外，至少從多個(gè)輻射源的特定的2個(gè)輻射源輻射的磁場(干擾磁場)的強(qiáng)度比隨時(shí)間而不同。因此，即使在插入口的外側(cè)非法地安裝使用差動(dòng)頭的側(cè)錄裝置，也不能進(jìn)行側(cè)錄裝置的差動(dòng)頭的平衡調(diào)節(jié)。其理由是，與上述(1)同樣，即使對(duì)從某個(gè)輻射源輻射的磁場是正確的平衡調(diào)節(jié)，對(duì)從其他輻射源輻射的磁場也成為不正確的平衡調(diào)節(jié)。因而，側(cè)錄裝置的磁數(shù)據(jù)的讀取信號(hào)成為疊加了由磁場產(chǎn)生機(jī)構(gòu)產(chǎn)生的磁場(干擾磁場)的噪音的信號(hào)。由此，即使是使用了差動(dòng)頭的側(cè)錄裝置，也能夠大致可靠地防止磁數(shù)據(jù)從磁卡被竊取。
另外，所謂的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的振幅比隨時(shí)間而不同，是2個(gè)驅(qū)動(dòng)信號(hào)的頻率不同的情況、2個(gè)驅(qū)動(dòng)信號(hào)的相位不同的情況、還有2個(gè)驅(qū)動(dòng)信號(hào)的相位不同且振幅不同的情況等。
(3)上述磁場產(chǎn)生機(jī)構(gòu)是對(duì)于每個(gè)上述驅(qū)動(dòng)源以對(duì)該驅(qū)動(dòng)源預(yù)先設(shè)定的定時(shí)來切換上述輻射源的驅(qū)動(dòng)、停止的機(jī)構(gòu)。
在該結(jié)構(gòu)中，由于可以使在插入口的外側(cè)產(chǎn)生的干擾磁場隨時(shí)間變化，所以能夠更可靠地防止磁數(shù)據(jù)從磁卡被竊取。
切換輻射源的驅(qū)動(dòng)、停止的時(shí)間間隔優(yōu)選地以記錄在磁卡中的磁數(shù)據(jù)的讀取所需的間隔的幾十分之一～幾分之一左右的時(shí)間間隔變化。此外，如果使該時(shí)間間隔為幾十ms～幾百ms左右的較短的時(shí)間，則現(xiàn)實(shí)上不能進(jìn)行側(cè)錄裝置的差動(dòng)頭的平衡調(diào)節(jié)。
(4)上述磁場產(chǎn)生機(jī)構(gòu)是，對(duì)于每個(gè)上述驅(qū)動(dòng)源以對(duì)該驅(qū)動(dòng)源預(yù)先設(shè)定的定時(shí)來使驅(qū)動(dòng)上述輻射源的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的振幅變化的機(jī)構(gòu)。
在該結(jié)構(gòu)中，與上述(3)同樣，由于可以使在插入口的外側(cè)產(chǎn)生的干擾磁場隨時(shí)間變化，所以能夠更可靠地防止磁數(shù)據(jù)從磁卡被竊取。
(5)具備磁數(shù)據(jù)讀取機(jī)構(gòu)，對(duì)記錄在沿著卡傳送路傳送的磁卡中的磁數(shù)據(jù)，用設(shè)在該傳送路的途中的磁頭讀?。淮艌霎a(chǎn)生機(jī)構(gòu)，在上述傳送路的插入口的外側(cè)產(chǎn)生磁場；上述磁場產(chǎn)生機(jī)構(gòu)具有將磁場向上述傳送路的插入口的外側(cè)輻射的多個(gè)輻射源、和對(duì)每個(gè)輻射源設(shè)置的多個(gè)驅(qū)動(dòng)源；上述多個(gè)驅(qū)動(dòng)源中的特定的驅(qū)動(dòng)源使對(duì)應(yīng)的輻射源向上述傳送路的插入口的外側(cè)輻射的磁場隨時(shí)間變化。
在該結(jié)構(gòu)中，在插入口的外側(cè)產(chǎn)生從多個(gè)輻射源輻射的磁場的合成磁場。此外，使從特定的輻射源輻射的磁場隨時(shí)間變化，換言之，使從一個(gè)以上的輻射源輻射的磁場隨時(shí)間變化。由此，通過磁場產(chǎn)生機(jī)構(gòu)在插入口的外側(cè)產(chǎn)生的磁場(干擾磁場)隨時(shí)間變化。因而，在此情況下，即使在該插入口的外側(cè)非法地安裝了使用差動(dòng)頭的側(cè)錄裝置，也不能進(jìn)行側(cè)錄裝置的差動(dòng)頭的平衡調(diào)節(jié)。因此，可以大致可靠地防止數(shù)據(jù)從磁卡被竊取。
另外，使從特定的輻射源輻射的磁場變化的時(shí)間優(yōu)選為記錄在磁卡中的磁數(shù)據(jù)的讀取所需的時(shí)間的幾十分之一～幾分之一左右的時(shí)間、或幾十ms～幾百ms左右的較短的時(shí)間就可以。
(6)上述特定的驅(qū)動(dòng)源通過掃描驅(qū)動(dòng)上述輻射源的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的頻率，使對(duì)應(yīng)的輻射源向上述傳送路的插入口的外側(cè)輻射的磁場隨時(shí)間變化。
在該結(jié)構(gòu)中，通過掃描驅(qū)動(dòng)輻射源的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的頻率，使由磁產(chǎn)生機(jī)構(gòu)在插入口的外側(cè)產(chǎn)生的磁場(干擾磁場)隨時(shí)間變化。
(7)上述特定的驅(qū)動(dòng)源通過時(shí)間上連續(xù)地或斷續(xù)地切換驅(qū)動(dòng)上述輻射源的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的頻率，使對(duì)應(yīng)的輻射源向上述傳送路的插入口的外側(cè)輻射的磁場隨時(shí)間變化。
在該結(jié)構(gòu)中，通過在時(shí)間上連續(xù)或斷續(xù)地切換驅(qū)動(dòng)輻射源的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的頻率，使由磁場產(chǎn)生機(jī)構(gòu)在插入口的外側(cè)產(chǎn)生的磁場(干擾磁場)隨時(shí)間變化。
(8)具備磁數(shù)據(jù)讀取機(jī)構(gòu)，用設(shè)在卡傳送路的中途的磁頭讀取，讀取記錄在沿著該傳送路傳送的磁卡中的磁數(shù)據(jù)；磁場產(chǎn)生機(jī)構(gòu)，在上述傳送路的插入口的外側(cè)產(chǎn)生磁場；上述磁場產(chǎn)生機(jī)構(gòu)具有向上述傳送路的插入口的外側(cè)輻射磁場的多個(gè)輻射源、驅(qū)動(dòng)這些多個(gè)輻射源的驅(qū)動(dòng)源、和切換由上述驅(qū)動(dòng)源驅(qū)動(dòng)的輻射源的切換部。
在該結(jié)構(gòu)中，由于隨時(shí)間切換由驅(qū)動(dòng)源驅(qū)動(dòng)的輻射源，所以可以使在插入口的外側(cè)產(chǎn)生的干擾磁場隨時(shí)間變化。因而，側(cè)錄裝置的磁數(shù)據(jù)的讀取信號(hào)成為疊加了由磁場產(chǎn)生機(jī)構(gòu)產(chǎn)生的干擾磁場的噪音的信號(hào)。由此，即使是使用了差動(dòng)頭的側(cè)錄裝置，也能夠大致可靠地防止磁數(shù)據(jù)從磁卡被竊取。
另外，切換部切換驅(qū)動(dòng)源驅(qū)動(dòng)的輻射源的定時(shí)如上所述，只要設(shè)為記錄在磁卡中的磁數(shù)據(jù)的讀取所需的時(shí)間的幾十分之一～幾分之一左右的時(shí)間、或幾十ms～幾百ms左右的較短的時(shí)間就可以。
(9)上述驅(qū)動(dòng)源以規(guī)定的定時(shí)切換驅(qū)動(dòng)上述輻射源的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的頻率。
在該結(jié)構(gòu)中，由于也切換了驅(qū)動(dòng)源的頻率，所以能夠更可靠地防止磁卡中的磁數(shù)據(jù)被竊取。
(10)上述驅(qū)動(dòng)源以上述切換部切換輻射源的定時(shí)，來切換驅(qū)動(dòng)上述輻射源的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的頻率。
在該結(jié)構(gòu)中，與切換驅(qū)動(dòng)部驅(qū)動(dòng)的輻射源的定時(shí)同步地切換驅(qū)動(dòng)輻射源的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的頻率。
(11)具備抑制由上述磁場產(chǎn)生機(jī)構(gòu)產(chǎn)生的磁場對(duì)上述磁數(shù)據(jù)讀取機(jī)構(gòu)的上述磁頭的影響的抑制機(jī)構(gòu)。
在該結(jié)構(gòu)中，在磁頭從磁卡讀取磁數(shù)據(jù)時(shí)，可以不受由磁場產(chǎn)生機(jī)構(gòu)產(chǎn)生的干擾磁場的影響而讀取磁數(shù)據(jù)。
此外，作為本發(fā)明的實(shí)施方式的數(shù)據(jù)處理裝置是以下的結(jié)構(gòu)。
(12)內(nèi)裝有(1)～(11)的任一項(xiàng)所述的卡處理裝置；具備利用上述卡處理裝置的磁數(shù)據(jù)讀取機(jī)構(gòu)從磁卡讀取的磁數(shù)據(jù)進(jìn)行數(shù)據(jù)處理的處理機(jī)構(gòu)。
在該結(jié)構(gòu)中，可以提供可大致可靠地防止磁數(shù)據(jù)從磁卡被竊取的ATM、CD、CAT等的數(shù)據(jù)處理裝置。
(13)具備檢測機(jī)構(gòu)，檢測使用者的有無；指示機(jī)構(gòu)，在由上述檢測機(jī)構(gòu)檢測到使用者的存在時(shí)，對(duì)上述卡處理裝置指示上述磁場產(chǎn)生機(jī)構(gòu)的動(dòng)作開始。
在該結(jié)構(gòu)中，在使用者不存在時(shí)停止磁場產(chǎn)生機(jī)構(gòu)，所以可以抑制裝置主體的耗電，可以降低運(yùn)行成本。
根據(jù)本發(fā)明，可以大致可靠地防止磁卡中的磁數(shù)據(jù)被竊取，可充分提高磁數(shù)據(jù)的安全性。


圖1是表示卡處理裝置的主要部分的結(jié)構(gòu)的框圖。
圖2是表示卡處理裝置的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的概略圖。
圖3是表示卡處理裝置的干擾磁場產(chǎn)生部的結(jié)構(gòu)的圖。
圖4是表示在卡處理裝置中安裝有側(cè)錄裝置的狀態(tài)的圖。
圖5是表示差動(dòng)頭的結(jié)構(gòu)的圖。
圖6是表示卡處理裝置的取入動(dòng)作的流程圖。
圖7是表示卡處理裝置的返還動(dòng)作的流程圖。
圖8是說明對(duì)差動(dòng)頭施加影響的干擾磁場的圖。
圖9是說明卡處理裝置的干擾磁場產(chǎn)生定時(shí)的圖。
圖10是說明卡處理裝置的干擾磁場的變化的圖。
圖11是說明另一卡處理裝置的干擾磁場的變化的圖。
圖12是表示在另一卡處理裝置中使用筒型線圈的情況的圖。
圖13是表示另一卡處理裝置的干擾磁場產(chǎn)生部的結(jié)構(gòu)的圖。
圖14是說明內(nèi)裝有另一卡處理裝置的數(shù)據(jù)處理裝置的結(jié)構(gòu)的圖。
具體實(shí)施例方式
下面對(duì)作為本發(fā)明的實(shí)施方式的卡處理裝置進(jìn)行說明。
圖1是表示作為本發(fā)明的實(shí)施方式的卡處理裝置的主要部分的結(jié)構(gòu)的框圖。本實(shí)施方式的卡處理裝置1具備控制主體的動(dòng)作的控制部2、讀取插入主體的磁卡中記錄的磁數(shù)據(jù)的磁數(shù)據(jù)讀取部3、控制插入主體的卡的傳送的卡傳送控制部4、檢測傳送路的卡的有無的卡檢測部5、控制設(shè)在插入口的開閉器的開閉的開閉器控制部6、輸出從插入主體中的卡讀取的磁數(shù)據(jù)的輸出部7、和在插入口的外側(cè)產(chǎn)生干擾磁場的干擾磁場產(chǎn)生部8。磁數(shù)據(jù)讀取部3相當(dāng)于本發(fā)明中所謂的磁數(shù)據(jù)讀取機(jī)構(gòu)，干擾磁場產(chǎn)生部8相當(dāng)于本發(fā)明中所謂的磁場產(chǎn)生機(jī)構(gòu)。
圖2是表示作為本發(fā)明的實(shí)施方式的卡處理裝置的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的概況圖。在圖2中，10是磁卡(以下單稱作卡10)。在卡處理裝置1本體的前面形成有插入卡10的插入口11。在插入口11的附近設(shè)有檢測插入插入口11的卡10的插入檢測傳感器12。該插入檢測傳感器12是推壓傳感器，配置在由從插入口11插入的卡10推壓的位置。此外，在比插入檢測傳感器12稍靠主體內(nèi)側(cè)的位置配置有開閉器13。開閉器13由開閉器控制部6開閉。圖2表示開閉器13打開的狀態(tài)。開閉器13關(guān)閉的狀態(tài)是開閉器13的一部分與插入口11對(duì)置的狀態(tài)(在圖2中，將開閉器13降下的狀態(tài))。卡處理裝置1既可以是通常使開閉器13保持開狀態(tài)、僅在將卡10取入主體內(nèi)部的期間成為閉狀態(tài)的結(jié)構(gòu)，也可以是僅在卡10的插入時(shí)以及排出時(shí)成為開狀態(tài)的結(jié)構(gòu)。開閉器控制部6按照來自控制部2的指示開閉開閉器13。此外，卡處理裝置1也可以是不設(shè)置開閉器控制部6及開閉器13的結(jié)構(gòu)。
另外，在該實(shí)施方式中，是通常將開閉器13保持開狀態(tài)、僅在將卡10取入主體內(nèi)部的期間成為閉狀態(tài)的結(jié)構(gòu)。
此外，在卡10的傳送方向排列有夾持卡10并傳送的一對(duì)傳送輥14～17?？ㄌ幚硌b置1通過這些傳送輥14～17形成了卡10的傳送路。一對(duì)傳送輥14～17分別一個(gè)是傳遞電機(jī)的旋轉(zhuǎn)力的驅(qū)動(dòng)輥，另一個(gè)是從動(dòng)于該驅(qū)動(dòng)輥而旋轉(zhuǎn)的從動(dòng)輥。驅(qū)動(dòng)傳送輥14～17的電機(jī)(未圖示)是1個(gè)?？▊魉涂刂撇?通過控制該電機(jī)的旋轉(zhuǎn)(包括旋轉(zhuǎn)方向、旋轉(zhuǎn)速度)及停止，進(jìn)行卡10的取入、以及卡的排出(返還)。磁數(shù)據(jù)讀取部3具有讀取在由傳送輥14～17形成的傳送路中傳送的卡10的磁條中記錄的磁數(shù)據(jù)的磁頭18。此外，檢測卡10的有無的傳感器21～24沿著卡10的傳送路排列。傳感器21～24的配置間隔比卡10的傳送方向的長度短。傳感器21～24是由發(fā)光部與受光部構(gòu)成的光傳感器，使發(fā)光部和受光部夾著傳送路對(duì)置地配置。傳感器21是用來檢測卡10被夾持在離插入口11最近的傳送輥14的傳感器。此外，傳感器24是用來檢測插入主體的卡10到達(dá)了貯留部的傳感器。傳感器22、23是用來檢測在卡傳送路上傳送的卡10的位置的傳感器。卡檢測部5根據(jù)傳感器12、以及21～24的檢測結(jié)果，檢測在主體中是否插入了卡10、以及傳送路中的卡10的位置。此外，由于磁頭18與傳感器24的配置間隔比卡10的傳送方向的長度稍長，所以在卡10到達(dá)貯留部時(shí)，即在卡10的前端到達(dá)受傳感器24檢測的位置時(shí)，磁數(shù)據(jù)讀取部3結(jié)束對(duì)記錄在卡10中的磁數(shù)據(jù)的讀取。
進(jìn)而，干擾磁場產(chǎn)生部8配置在插入口11的附近，具有輻射干擾磁場的輻射源31、32。輻射源31、32配置為夾著卡10的傳送路對(duì)置。此外，輻射源31、32配置為夾著插入插入口11的卡10的磁條而對(duì)置。即，輻射源31配置在插入插入口11的卡10的磁條的正上方，輻射源32配置在插入插入口11的卡10的磁條的正下方。由此，能夠在插入插入口11的卡10的磁條通過的位置產(chǎn)生從輻射源31、32輻射的干擾磁場。輻射源31、32是在鐵心上卷繞線圈的簡單的結(jié)構(gòu)。干擾磁場產(chǎn)生部8在每個(gè)輻射源31、32具有在線圈中流過電流的驅(qū)動(dòng)源33、34(參照?qǐng)D3)。驅(qū)動(dòng)輻射源31的驅(qū)動(dòng)源33的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的頻率f1(流到輻射源31的線圈的電流的頻率f1)與驅(qū)動(dòng)輻射源32的驅(qū)動(dòng)源34的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的頻率f2(流到輻射源32的線圈的電流的頻率f2)是不同的頻率。因而，從輻射源31輻射的干擾磁場H1和從輻射源32輻射的干擾磁場H2是其強(qiáng)度及頻率不同的磁場。此外，在插入口11和磁頭18之間配置有鐵素體等透磁率較高的磁屏蔽部件35。該磁屏蔽部件35當(dāng)然是不妨礙傳送路中的卡10的傳送的形狀及配置。磁屏蔽部件35是吸收從輻射源31、32輻射的干擾磁場H1、H2的部件。因而，通過設(shè)置磁屏蔽部件35，可以抑制從輻射源31、32輻射的干擾磁場H1、H2對(duì)于比該磁屏蔽部件35更靠內(nèi)側(cè)的影響。由此，用配置在比磁屏蔽部件35更靠內(nèi)側(cè)的磁頭18，可以不受干擾磁場H1、H2的影響而讀取磁數(shù)據(jù)。該磁屏蔽部件35相當(dāng)于本發(fā)明中所謂的抑制機(jī)構(gòu)。
這里，簡單地說明竊取記錄在卡10中的磁數(shù)據(jù)的側(cè)錄裝置。如圖4所示，該側(cè)錄裝置50安裝在卡插入口11的前面。在安裝有側(cè)錄裝置50的情況下，卡10通過側(cè)錄裝置50而從插入口11取入主體。在該側(cè)錄裝置50中設(shè)有用來非法地讀取記錄在卡10中的磁數(shù)據(jù)的磁頭的讀取部、以及存儲(chǔ)非法地讀取的磁數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器、還有將存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中的磁數(shù)據(jù)通過無線輸出的無線通信部等。對(duì)該側(cè)錄裝置50的讀取部的磁頭是圖5所示的差動(dòng)頭51情況進(jìn)行說明。如圖5所示，差動(dòng)頭51具有與卡10的磁條抵接并讀取所記錄的磁數(shù)據(jù)的讀取頭52、和配置在該讀取頭52的附近的虛設(shè)頭53。此外，具備將讀取頭52的輸出放大的第1放大器54、將虛設(shè)頭53的輸出放大的第2放大器55、調(diào)節(jié)第2放大器55的增益的增益調(diào)節(jié)電路56、以及輸出第1放大器54與第2放大器55的差分的差分電路57。讀取頭52與虛設(shè)頭53的電特性大致相同。
差動(dòng)頭51是作為不受外部磁場的影響讀取磁數(shù)據(jù)的磁頭而開發(fā)的。在用該差動(dòng)頭51讀取磁數(shù)據(jù)時(shí)，與磁條抵接的讀取頭52的輸出成為對(duì)應(yīng)于磁數(shù)據(jù)的電動(dòng)勢(shì)與對(duì)應(yīng)于外部磁場(周邊的磁場)的電動(dòng)勢(shì)疊加的信號(hào)。另一方面，沒有抵接在磁條上的虛設(shè)頭53的輸出成為對(duì)應(yīng)于外部磁場(周邊的磁場)的電動(dòng)勢(shì)的信號(hào)。因而，理論上，通過取讀取頭52的輸出與虛設(shè)頭53的輸出的差分，能夠得到不受外部磁場的影響的磁數(shù)據(jù)的讀取信號(hào)。但是，在現(xiàn)實(shí)中，讀取頭52與虛設(shè)頭53因使用部件等的偏差，其電特性不完全相同。此外，將讀取頭52與虛設(shè)頭53配置在相同的位置在物理上是不可能的，讀取頭52和虛設(shè)頭53受到的外部磁場也不完全相同。所以，不是單純地將讀取頭52的輸出與虛設(shè)頭53的輸出的差分(差分電路57的輸出)作為讀取信號(hào)輸出，而是采用設(shè)置上述的第1放大器54及第2放大器55、再通過增益調(diào)節(jié)電路56調(diào)節(jié)第2放大器55的增益的結(jié)構(gòu)。第2放大器55的增益被調(diào)節(jié)為，在沒有用該差動(dòng)頭51讀取磁數(shù)據(jù)的狀態(tài)下，讀取頭52的輸出與虛設(shè)頭53的輸出的差分大致為0。
接著，對(duì)該實(shí)施方式的卡處理裝置1的動(dòng)作進(jìn)行說明。該實(shí)施方式的卡處理裝置1在裝置主體工作時(shí)，干擾磁場產(chǎn)生部8從輻射源31、32總是輻射干擾磁場。輻射源31產(chǎn)生與通過驅(qū)動(dòng)源33流到線圈的頻率f1的電流相應(yīng)的干擾磁場H1，輻射源32產(chǎn)生與通過驅(qū)動(dòng)源34流到線圈的頻率f2的電流相應(yīng)的干擾磁場H2。
首先，對(duì)將從插入口11插入的卡10取入主體時(shí)的動(dòng)作(取入動(dòng)作)進(jìn)行說明。圖6是表示該取入動(dòng)作的流程圖。卡處理裝置1是在卡檢測部5未檢測到卡10的初始狀態(tài)。此時(shí)，開閉器13打開。此外，如上述那樣，干擾磁場產(chǎn)生部8從輻射源31、32輻射干擾磁場。當(dāng)由插入檢測傳感器12檢測到卡10時(shí)，卡處理裝置1判斷為插入了卡10(s1)。在s1中，當(dāng)卡處理裝置1判斷為插入了卡10，開始傳送輥14～17的旋轉(zhuǎn)(s2)。在s2中，傳送輥14～17向?qū)⒖?0取入主體內(nèi)部的方向(以下稱作正方向)旋轉(zhuǎn)。此時(shí)，由于開閉器13打開，所以不妨礙使用者進(jìn)行的卡10的插入。然后，卡處理裝置1通過卡傳送控制部4以一定速度將插入的卡10傳送到貯留部。
卡處理裝置1在向貯留部傳送卡10時(shí)，磁頭18抵接在卡10的磁條，讀取記錄在該卡10的磁數(shù)據(jù)(s3)。磁數(shù)據(jù)讀取部3在讀取記錄在卡10的磁數(shù)據(jù)時(shí)，干擾磁場產(chǎn)生部8也從輻射源31、32輻射干擾磁場。如上述那樣，在輻射源31、32與磁頭18之間配置有磁屏蔽部件35。因此，磁數(shù)據(jù)讀取部3可以幾乎不受從輻射源31、32輻射的干擾磁場的影響而讀取記錄在卡10中的磁數(shù)據(jù)。
此外，在向貯留部傳送卡10時(shí)，當(dāng)利用配置在傳送輥14的旁邊(與插入口11相反側(cè))的傳感器21檢測到卡10的后端(s4)時(shí)，卡處理裝置1通過開閉器控制部6關(guān)閉開閉器13(s5)。在s4中，在從傳感器21檢測到卡10的狀態(tài)變化為未檢測到卡10的狀態(tài)時(shí)，判斷為檢測到卡10的后端。在s5中，通過關(guān)閉開閉器13，可以防止從插入口11插入其他的卡10。
當(dāng)卡10到達(dá)了貯留部時(shí)(s6)，卡處理裝置1停止通過卡傳送控制部4進(jìn)行的傳送輥14～17的旋轉(zhuǎn)(s7)。在s6中，在傳感器24檢測到卡10時(shí)，判斷為卡10到達(dá)了貯留部。對(duì)于磁數(shù)據(jù)讀取部3的磁數(shù)據(jù)的讀取，在卡10到達(dá)了貯留部時(shí)已經(jīng)結(jié)束。
接著，說明將在上述的取入處理中駐留在貯留部的卡10返還給使用者時(shí)的動(dòng)作(返還動(dòng)作)。圖6是表示該返還動(dòng)作的流程圖。開始傳送輥14～17的旋轉(zhuǎn)(s11)。在s11中，傳送輥14～17向從貯留部向插入口11傳送卡10的方向(以下稱作反方向)旋轉(zhuǎn)。卡10以一定速度向插入口11傳送。此時(shí)，干擾磁場產(chǎn)生部8從輻射源31、32輻射干擾磁場。當(dāng)通過配置在傳送輥14的旁邊(與插入口11相反側(cè))的傳感器21檢測到卡10的前端(s12)時(shí)，卡處理裝置1打開開閉器13(s13)。在s12中，在從傳感器21檢測到卡的狀態(tài)變化為未檢測到卡10的狀態(tài)時(shí)，卡處理裝置1判斷為由傳感器21檢測到卡10的前端。
另外，這里，根據(jù)卡10的傳送方向說明了卡10的前端、后端。因此，上述取入時(shí)的卡10的后端是該返還時(shí)的卡10的前端。
然后，當(dāng)通過傳感器21檢測到出卡10的后端時(shí)(s14)，卡處理裝置1通過卡傳送控制部4停止向反方向旋轉(zhuǎn)的傳送輥14～17的旋轉(zhuǎn)(s15)。在s14中，在從傳感器21檢測到卡的狀態(tài)變化為未檢測到卡10的狀態(tài)時(shí)，卡處理裝置1判斷為通過傳感器21檢測到了卡10的后端。通過傳送輥14～17的停止，卡10的傳送也停止。此時(shí)，卡10被傳送輥14夾持，并且，其前端部分從插入口11向外側(cè)突出。因而，使用者可以抓住從插入口11突出的卡10的前端部分而拔出。從由插入檢測傳感器12檢測到卡10的狀態(tài)變化為未檢測到的狀態(tài)時(shí)(s16)，卡處理裝置1判斷為卡10被拔出而結(jié)束本處理。
這里，對(duì)在插入口的前面安裝有用圖5所示的差動(dòng)頭51的側(cè)錄裝置50的情況進(jìn)行說明?？ㄌ幚硌b置1如上述那樣，在工作時(shí)，干擾磁場產(chǎn)生部8總是從輻射源31、32輻射干擾磁場。此外，側(cè)錄裝置50安裝在插入口11的前面，因此，在記錄于卡10的磁數(shù)據(jù)的讀取中，受到從輻射源31、32輻射的干擾磁場(它們的合成磁場)的影響。因此，設(shè)在側(cè)錄裝置50的磁頭若不是差動(dòng)頭的通常的磁頭，則其讀取信號(hào)成為疊加了干擾磁場的電動(dòng)勢(shì)的信號(hào)，不能讀取卡10的磁數(shù)據(jù)。
此外，在設(shè)于側(cè)錄裝置50的磁頭是圖5所示的差動(dòng)頭51的情況下，需要預(yù)先調(diào)節(jié)讀取頭52及虛設(shè)頭53的輸出的平衡。即，需要通過增益調(diào)節(jié)電路56調(diào)節(jié)第2放大器55的增益，使得在未讀取磁數(shù)據(jù)的狀態(tài)下差分電路57的輸出大致成為0。但是，如圖8所示，側(cè)錄裝置50的差動(dòng)頭51被配置的位置是從輻射源31輻射的干擾磁場H1與從輻射源32輻射的干擾磁場H2從不同的方向照射的環(huán)境。此外，干擾磁場H1與干擾磁場H2的頻率及強(qiáng)度不同。
這里，設(shè)從輻射源31輻射的干擾磁場為H1，而設(shè)對(duì)讀取頭52施加的影響為H1-1、對(duì)虛設(shè)頭53施加的影響為H1-2，并且設(shè)從輻射源32輻射的干擾磁場為H2，而設(shè)對(duì)讀取頭52施加的影響為H2-1、對(duì)虛設(shè)頭53施加的影響為H2-2。由于讀取頭52與虛設(shè)頭53的電特性及配置的位置不完全相同，因此，
H1-1≠H1-2，H2-1≠H2-2。
此外，如上所述，由于干擾磁場H1與干擾磁場H2的頻率及強(qiáng)度不同，所以H1-1∶H1-2≠H2-1∶H2-2。
因此，不能通過增益調(diào)節(jié)電路56調(diào)節(jié)第2放大器55的增益，使得在未讀取磁數(shù)據(jù)的狀態(tài)下差分電路57的輸出大致成為0。簡言之，即使通過增益調(diào)節(jié)電路56將第2放大器55的增益調(diào)節(jié)為能夠得到除去了干擾磁場H1的影響的磁數(shù)據(jù)的讀取信號(hào)的狀態(tài)，差分電路57的輸出也成為受到了干擾磁場H2的影響的信號(hào)。相反，即使通過增益調(diào)節(jié)電路56將第2放大器55的增益調(diào)節(jié)為能夠得到除去了干擾磁場H2的影響的磁數(shù)據(jù)的讀取信號(hào)的狀態(tài)，差分電路57的輸出也成為受到了干擾磁場H1的影響的信號(hào)。因而，即使是使用了差動(dòng)頭51的側(cè)錄裝置50，也不能得到除去了干擾磁場H1及干擾磁場H2的影響的磁數(shù)據(jù)的讀取信號(hào)。
這樣，該實(shí)施方式的控制部2即使是使用差動(dòng)頭51的側(cè)錄裝置50，也可以防止非法地讀取卡10的磁數(shù)據(jù)。因而，可以充分地確保對(duì)用側(cè)錄裝置50竊取記錄在卡10的磁數(shù)據(jù)的安全性。
此外，在上述實(shí)施方式中，以在插入口11附近設(shè)置2個(gè)輻射源31、32的情況為例進(jìn)行了說明，但也可以設(shè)置3個(gè)以上的輻射源。在此情況下，對(duì)于設(shè)置在每個(gè)輻射源的驅(qū)動(dòng)源的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的頻率只要是2種以上就可以，但更優(yōu)選為對(duì)每個(gè)驅(qū)動(dòng)源使驅(qū)動(dòng)信號(hào)的頻率不同。
此外，對(duì)于從輻射源31、32輻射的干擾磁場H1、H2的頻率，優(yōu)選地設(shè)為接近于讀取信號(hào)的頻率的頻率，以便成為與磁數(shù)據(jù)的讀取信號(hào)干涉的頻率。讀取信號(hào)的頻率由磁條的磁數(shù)據(jù)的記錄速度、以及卡10的傳送速度決定。
此外，在上述實(shí)施方式中，既可以是驅(qū)動(dòng)源33驅(qū)動(dòng)輻射源31的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的振幅與驅(qū)動(dòng)源34驅(qū)動(dòng)輻射源32的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的振幅相同，也可以不同。
此外，在上述實(shí)施方式中，驅(qū)動(dòng)源33驅(qū)動(dòng)輻射源31的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的頻率f1和驅(qū)動(dòng)源34驅(qū)動(dòng)輻射源32的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的頻率f2不同，但也可以通過使驅(qū)動(dòng)源33驅(qū)動(dòng)輻射源31的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的振幅與驅(qū)動(dòng)源34驅(qū)動(dòng)輻射源32的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的振幅的比隨時(shí)間變化，使這些驅(qū)動(dòng)信號(hào)的頻率相同。具體而言，只要使驅(qū)動(dòng)源33驅(qū)動(dòng)輻射源31的驅(qū)動(dòng)信號(hào)與驅(qū)動(dòng)源34驅(qū)動(dòng)輻射源32的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的相位不同就可以。此外，此時(shí)，也可以使驅(qū)動(dòng)源33驅(qū)動(dòng)輻射源31的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的振幅與驅(qū)動(dòng)源34驅(qū)動(dòng)輻射源32的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的振幅不同。
此外，在上述實(shí)施方式中，干擾磁場產(chǎn)生部8總是從輻射源31、32輻射干擾磁場H1、H2，但也可以如圖9所示，在從輻射源31輻射干擾磁場H1時(shí)停止來自輻射源32的干擾磁場H2的輻射，相反在從輻射源32輻射干擾磁場H2時(shí)停止來自輻射源31的干擾磁場H1的輻射。輻射源31輻射干擾磁場H1的時(shí)間與干擾磁場H1的停止輻射的時(shí)間既可以如圖9所示那樣相同，也可以不同。此外，切換輻射源31、32的時(shí)間間隔是記錄在卡10的磁數(shù)據(jù)的讀取所需的時(shí)間的幾十分之一～幾分之一左右的時(shí)間、或幾十ms～幾百ms左右的較短的時(shí)間。在該結(jié)構(gòu)中，可以使對(duì)側(cè)錄裝置50的干擾磁場隨時(shí)間變化。因此，側(cè)錄裝置50受到干擾磁場H1的影響的時(shí)間與受到干擾磁場H2的影響的時(shí)間交替地產(chǎn)生，所以結(jié)果使用差動(dòng)頭51，也不能非法地讀取卡10的磁數(shù)據(jù)。因而，可以充分地確保磁數(shù)據(jù)的安全性。此外，由于做成了在從一個(gè)輻射源輻射干擾磁場時(shí)停止從另一個(gè)輻射源的干擾磁場的輻射的結(jié)構(gòu)，所以可以抑制裝置主體的耗電，結(jié)果可抑制運(yùn)行成本。
進(jìn)而，也可以做成使驅(qū)動(dòng)源33流到輻射源31的線圈中的電流的頻率在時(shí)間上連續(xù)或斷續(xù)地變化的結(jié)構(gòu)。例如，也可以做成通過如圖10所示那樣，在fa～fb的范圍內(nèi)掃描驅(qū)動(dòng)源33的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的頻率(所謂掃頻)而使驅(qū)動(dòng)源33流到輻射源31的線圈中的電流的頻率在時(shí)間上連續(xù)地變化的結(jié)構(gòu)。在此情況下，從輻射源31輻射的干擾磁場H1在時(shí)間上連續(xù)地變化。因此，即使在插入口11的前面安裝有側(cè)錄裝置50，該側(cè)錄裝置50也受到從輻射源31輻射的、在時(shí)間上連續(xù)地變化的干擾磁場H1的影響。因此，即使在側(cè)錄裝置50中利用差動(dòng)頭51，由于干擾磁場H1在時(shí)間上連續(xù)地變化，所以也不能通過增益調(diào)節(jié)電路56將第2放大器55的增益調(diào)節(jié)為，在沒有讀取磁數(shù)據(jù)的狀態(tài)下差分電路57的輸出大致成為0。
這樣，如果是該實(shí)施方式的卡處理裝置1，則即使是使用了差動(dòng)頭的側(cè)錄裝置，也不能非法地讀取記錄在卡10中的磁數(shù)據(jù)。因此，能夠充分地確保磁數(shù)據(jù)的安全性。
此外，在上述的說明中，使驅(qū)動(dòng)源33的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的頻率在fa～fb的范圍內(nèi)掃頻，但也可以如圖11(A)所示那樣，使驅(qū)動(dòng)信號(hào)的頻率在fa～fb的范圍內(nèi)階段性地變化，也可以如圖11(B)那樣，使驅(qū)動(dòng)信號(hào)的頻率在fa～fb的范圍內(nèi)隨機(jī)地變化。
此外，這里表示了僅使驅(qū)動(dòng)源33的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的頻率變化的情況，但也可以做成同時(shí)使驅(qū)動(dòng)源34的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的頻率也變化的結(jié)構(gòu)。
此外，在上述實(shí)施方式中，在裝置主體插入了卡10時(shí)打開開閉器13，但也可以使開閉器13成為關(guān)閉的狀態(tài)。在此情況下，只要在圖6的s1中，當(dāng)判斷為插入了卡10時(shí)追加打開開閉器13的處理即可。此外，只要在圖7的s16中，當(dāng)判斷為使用者拔出了卡10時(shí)追加關(guān)閉開閉器13的處理就可以。如果這樣，可以防止從插入口11向主體插入垃圾等。
另外，這里，卡10是以在表面上形成的磁條上記錄了磁數(shù)據(jù)的磁卡為例，但也可以是除了該磁條以外還設(shè)有記錄了磁數(shù)據(jù)的IC芯片的復(fù)合卡。在此情況下，只要在卡處理裝置1主體上設(shè)置用于可以與傳送到貯留部中的卡10的IC芯片電連接并讀取記錄在IC芯片中的磁數(shù)據(jù)的磁頭的觸點(diǎn)就可以。
此外，在上述實(shí)施方式中，為了使磁數(shù)據(jù)讀取部3幾乎不受從輻射源31、32輻射的干擾磁場的影響而讀取記錄在卡10中的磁數(shù)據(jù)，在輻射源31、32和磁頭18之間配置了磁屏蔽部件35，但也可以將輻射源31、32由圖12(A)、圖12(B)所示的筒型線圈構(gòu)成，也可以如圖12(C)所示那樣配置。圖12(A)是該筒型線圈的斜視圖，圖12(B)是斷面圖。該筒型線圈的芯的材料是鐵素體等透磁率較高的材料。該芯的外形形狀如圖12(A)、圖12(B)所示，是一個(gè)面開口而另一個(gè)面不開口的圓筒形的形狀，如圖12(C)所示，將開口的面朝向插入口11安裝。此外，在芯的大致中心設(shè)有卷繞線圈的心。該筒型線圈中，從開口面輻射的磁場幾乎不對(duì)未開口的面的后側(cè)帶來影響。因而，磁數(shù)據(jù)讀取部3可以幾乎不受從輻射源31、32輻射的干擾磁場的影響而讀取記錄在卡10中的磁數(shù)據(jù)。
接著，對(duì)本發(fā)明的另一實(shí)施方式進(jìn)行說明。該實(shí)施方式的卡處理裝置1也是與上述實(shí)施方式的裝置大致相同的結(jié)構(gòu)，但干擾磁場產(chǎn)生部8的結(jié)構(gòu)不同。該實(shí)施方式的干擾磁場產(chǎn)生部8是圖13所示的結(jié)構(gòu)。具體而言，干擾磁場產(chǎn)生部8在具有輻射干擾磁場H1的輻射源31和輻射干擾磁場H2的輻射源32這一點(diǎn)上與上述實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)相同，但在驅(qū)動(dòng)這些輻射源31、32的驅(qū)動(dòng)源33是1個(gè)、并且具有有選擇地切換由驅(qū)動(dòng)源33驅(qū)動(dòng)的輻射源31、32的切換部35這一點(diǎn)上不同。切換部35以預(yù)先設(shè)定的定時(shí)切換由驅(qū)動(dòng)源33驅(qū)動(dòng)的輻射源31、32。例如，每隔一定時(shí)間、例如每個(gè)幾十ms～幾百ms切換由驅(qū)動(dòng)源33驅(qū)動(dòng)的輻射源31、32。驅(qū)動(dòng)源31的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的頻率是f1。2個(gè)輻射源31、32配置在與上述實(shí)施方式同樣的位置。
該實(shí)施方式的卡處理裝置1的卡10的取入動(dòng)作及返還動(dòng)作由于與圖6及圖7中說明的動(dòng)作相同，所以這里省略說明。
該實(shí)施方式的卡處理裝置1在裝置主體工作時(shí)，干擾磁場產(chǎn)生部8切換輻射源31、32并輻射干擾磁場。因此，即使側(cè)錄裝置50安裝在插入口11的前面，該側(cè)錄裝置50也會(huì)交替地受到從輻射源31輻射的干擾磁場H1、和從輻射源32輻射的干擾磁場H2的影響。由于輻射源31、32配置在不同的位置，所以干擾磁場H1、H2對(duì)側(cè)錄裝置50帶來的影響也不同。這里，與上述實(shí)施方式同樣，設(shè)從輻射源31輻射的干擾磁場為H1，而設(shè)對(duì)讀取頭52施加的影響為H1-1、對(duì)虛設(shè)頭53施加的影響為H1-2，并且設(shè)從輻射源32輻射的干擾磁場為H2，而設(shè)對(duì)讀取頭52施加的影響為H2-1、對(duì)虛設(shè)頭53施加的影響為H2-2。由于讀取頭52和虛設(shè)頭53的電特性及配置的位置不完全相同，因此，H1-1≠H1-2，H2-1≠H2-2。
此外，如上所述，由于兩個(gè)輻射源31、32配置在不同的位置，因此，H1-1∶H1-2≠H2-1∶H2-2。
因此，與上述實(shí)施方式同樣，不能通過增益調(diào)節(jié)電路56調(diào)節(jié)第2放大器55的增益，使得在未讀取磁數(shù)據(jù)的狀態(tài)下差分電路57的輸出大致成為0。
這樣，在該實(shí)施方式的卡處理裝置1中，由于側(cè)錄裝置50受到干擾磁場H1的影響的時(shí)間與受到干擾磁場H2的影響的時(shí)間交替地產(chǎn)生，因此，結(jié)果使用差動(dòng)頭51也不能非法地讀取記錄在卡10的磁數(shù)據(jù)。因而，可以充分地確保磁數(shù)據(jù)的安全性。此外，由于做成了取代上述實(shí)施方式的驅(qū)動(dòng)源33而設(shè)置了可以由比該驅(qū)動(dòng)源33更簡單的電路構(gòu)成的切換部35，所以可以降低裝置主體的制造成本。
此外，在該實(shí)施方式中，使驅(qū)動(dòng)源33的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的頻率為f1，但也可以做成與切換部35的輻射源31、32的切換聯(lián)動(dòng)而切換驅(qū)動(dòng)源33的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的頻率的結(jié)構(gòu)。例如，也可以在通過切換部35切換為輻射源31輻射干擾磁場的狀態(tài)的情況下使驅(qū)動(dòng)源33的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的頻率為f1，在切換為輻射源32輻射干擾磁場的狀態(tài)的情況下使驅(qū)動(dòng)源33的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的頻率為f2。如果這樣，則可以進(jìn)一步增大干擾磁場H1、H2的差異，可以更加充分地確保磁數(shù)據(jù)的安全性。
此外，也可以做成不與切換部35的輻射源31、32的切換聯(lián)動(dòng)而切換驅(qū)動(dòng)源33的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的頻率的結(jié)構(gòu)。
接著，對(duì)內(nèi)裝上述任一個(gè)實(shí)施方式的卡處理裝置的數(shù)據(jù)處理裝置100進(jìn)行說明。該數(shù)據(jù)處理裝置100例如是ATM、CD、CAT。圖14是表示該數(shù)據(jù)處理裝置的主要部分的結(jié)構(gòu)的框圖。該實(shí)施方式的數(shù)據(jù)處理裝置100具備上述任一個(gè)實(shí)施方式的卡處理裝置1、對(duì)利用卡處理裝置1從卡10讀取的磁數(shù)據(jù)進(jìn)行數(shù)據(jù)處理的數(shù)據(jù)處理部102、對(duì)裝置主體進(jìn)行輸入操作的操作部103、和檢測使用者的使用者檢測部104。此外，圖中所示的101是控制該數(shù)據(jù)處理裝置整體的動(dòng)作的高級(jí)控制部?？ㄌ幚硌b置1將從卡10讀取的磁數(shù)據(jù)從輸出部7輸出。數(shù)據(jù)處理部102取入從輸出部7輸出的磁數(shù)據(jù)，利用該磁數(shù)據(jù)進(jìn)行數(shù)據(jù)處理。該數(shù)據(jù)處理例如是有關(guān)賬戶交易或信用交易的數(shù)據(jù)處理。操作部103具有對(duì)使用者顯示操作向?qū)У娘@示器。使用者檢測部104是通過紅外線傳感器等檢測使用者的結(jié)構(gòu)。
內(nèi)裝在該實(shí)施方式的數(shù)據(jù)處理裝置100的卡處理裝置1按照來自數(shù)據(jù)處理裝置100的指示，切換干擾磁場的輻射、停止。數(shù)據(jù)處理裝置100在使用者檢測部104中檢測到使用者的期間，對(duì)卡處理裝置1指示干擾磁場的輻射，在沒有檢測到使用者的期間，對(duì)卡處理裝置1指示干擾磁場的停止。因而，在該實(shí)施方式的數(shù)據(jù)處理裝置100中，在使用者存在時(shí)、即在卡處理裝置1中插入卡10時(shí)，卡處理裝置1通過干擾磁場產(chǎn)生部8產(chǎn)生干擾磁場。換言之，在卡處理裝置1中未插入卡10時(shí)，卡處理裝置1不通過干擾磁場產(chǎn)生部8產(chǎn)生干擾磁場。換言之，在卡處理裝置1中沒有插入卡10時(shí)，卡處理裝置1不通過干擾磁場產(chǎn)生部8產(chǎn)生干擾磁場。
因而，卡處理裝置1不會(huì)產(chǎn)生無用的干擾磁場，可以充分降低裝置的運(yùn)行成本。此外，如上所述，即使是使用差動(dòng)頭的側(cè)錄裝置，也不能非法地讀取記錄在卡10中的磁數(shù)據(jù)，所以卡處理裝置1充分地確保磁數(shù)據(jù)的安全性。
權(quán)利要求
1.一種卡處理裝置，其特征在于，具備磁數(shù)據(jù)讀取機(jī)構(gòu)，用設(shè)在卡傳送路的中途的磁頭，讀取記錄在沿著該卡傳送路傳送的磁卡中的磁數(shù)據(jù)；磁場產(chǎn)生機(jī)構(gòu)，在上述傳送路的插入口的外側(cè)產(chǎn)生磁場；上述磁場產(chǎn)生機(jī)構(gòu)具有向上述傳送路的插入口的外側(cè)輻射磁場的多個(gè)輻射源、和對(duì)每個(gè)輻射源設(shè)置的多個(gè)驅(qū)動(dòng)源；上述多個(gè)驅(qū)動(dòng)源中的特定的2個(gè)驅(qū)動(dòng)源，驅(qū)動(dòng)上述輻射源的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的頻率不同、或者上述驅(qū)動(dòng)信號(hào)的振幅比隨時(shí)間不同。
2.如權(quán)利要求1所述的卡處理裝置，其特征在于，上述磁場產(chǎn)生機(jī)構(gòu)是，對(duì)于每個(gè)上述驅(qū)動(dòng)源以對(duì)該驅(qū)動(dòng)源預(yù)先設(shè)定的定時(shí)來切換上述輻射源的驅(qū)動(dòng)、停止的機(jī)構(gòu)。
3.如權(quán)利要求1所述的卡處理裝置，其特征在于，上述磁場產(chǎn)生機(jī)構(gòu)是，對(duì)于每個(gè)上述驅(qū)動(dòng)源以對(duì)該驅(qū)動(dòng)源預(yù)先設(shè)定的定時(shí)來使驅(qū)動(dòng)上述輻射源的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的振幅變化的機(jī)構(gòu)。
4.如權(quán)利要求1所述的卡處理裝置，其特征在于，上述多個(gè)驅(qū)動(dòng)源中的特定的驅(qū)動(dòng)源，使對(duì)應(yīng)的輻射源向上述傳送路的插入口的外側(cè)輻射的磁場按時(shí)間變化。
5.如權(quán)利要求4所述的卡處理裝置，其特征在于，上述特定的驅(qū)動(dòng)源通過掃描驅(qū)動(dòng)上述輻射源的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的頻率，使對(duì)應(yīng)的輻射源向上述傳送路的插入口的外側(cè)輻射的磁場按時(shí)間變化。
6.如權(quán)利要求4所述的卡處理裝置，其特征在于，上述特定的驅(qū)動(dòng)源通過時(shí)間上連續(xù)地或斷續(xù)地切換驅(qū)動(dòng)上述輻射源的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的頻率，使對(duì)應(yīng)的輻射源向上述傳送路的插入口的外側(cè)輻射的磁場按時(shí)間變化。
7.如權(quán)利要求1所述的卡處理裝置，其特征在于，上述磁場產(chǎn)生機(jī)構(gòu)具有切換由上述驅(qū)動(dòng)源驅(qū)動(dòng)的輻射源的切換部。
8.如權(quán)利要求7所述的卡處理裝置，其特征在于，上述驅(qū)動(dòng)源以規(guī)定的定時(shí)切換驅(qū)動(dòng)上述輻射源的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的頻率。
9.如權(quán)利要求7所述的卡處理裝置，其特征在于，上述驅(qū)動(dòng)源以上述切換部切換輻射源的定時(shí)，來切換驅(qū)動(dòng)上述輻射源的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的頻率。
10.權(quán)利要求1所述的卡處理裝置，其特征在于，具備抑制機(jī)構(gòu)，該抑制機(jī)構(gòu)抑制由上述磁場產(chǎn)生機(jī)構(gòu)產(chǎn)生的磁場對(duì)上述磁數(shù)據(jù)讀取機(jī)構(gòu)的上述磁頭造成的影響。
全文摘要
本發(fā)明提供一種可以大致可靠地防止記錄在磁卡中的磁數(shù)據(jù)被竊取、大幅提高安全性的卡處理裝置。卡處理裝置(1)通過輻射源(31、32)向插入口(11)的外側(cè)輻射干擾磁場。從輻射源(31)輻射的干擾磁場(H1)、和從輻射源(32)輻射的干擾磁場(H2)的頻率及強(qiáng)度不同。因此，即使在受到該干擾磁場(H1、H2)的影響的位置配置了差動(dòng)頭(51)，也基本上不能進(jìn)行除去這些干擾磁場(H1、H2)的影響的平衡調(diào)節(jié)。
文檔編號(hào)G07F7/08GK1983338SQ20061016421
公開日2007年6月20日 申請(qǐng)日期2006年12月5日 優(yōu)先權(quán)日2005年12月14日
發(fā)明者若林尚之 申請(qǐng)人:日立歐姆龍金融系統(tǒng)有限公司