專利名稱：一種電位調(diào)整可程序化儲(chǔ)存記錄實(shí)施方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明提出一種方法，用來解決半導(dǎo)體芯片在生產(chǎn)制造工藝過程，因環(huán)境溫度變
動(dòng)而產(chǎn)生電性漂移現(xiàn)象。該方法將半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)制造時(shí)，通過操作接口進(jìn)入?yún)?shù)記錄儲(chǔ)
存位置存取儲(chǔ)存所需的參數(shù)值，并將參數(shù)載入修整(trim)的半導(dǎo)體芯片，來提高半導(dǎo)體芯片制造時(shí)程與降低半導(dǎo)體芯片過去因電性漂移修整修整(trim)時(shí)程。
背景技術(shù)：
請(qǐng)參考圖1，圖1是半導(dǎo)體晶片的制造工藝的流程圖，晶片其材質(zhì)是硅也是集成電
路在生產(chǎn)制作所用的硅芯片，晶片制造工藝共有九項(xiàng)主要程序步驟，晶片(Wafer)其形狀
因?yàn)閳A形所以也稱之為晶片，通過將電路建構(gòu)于硅晶片上的方式，每片晶片可包含數(shù)百個(gè)
甚至數(shù)千個(gè)晶粒，其制造方式是采逐層建構(gòu)的方式來進(jìn)行，每一層的制造工藝為一種循環(huán)，
除了光掩膜上的圖案及植入的離子不同之外其它部份也幾乎相同只是程序的變化。 晶片制造程序步驟上均會(huì)經(jīng)過氧化、薄膜沉積、擴(kuò)散、離子值入、光刻、刻蝕、金屬
化、檢測(cè)等制造工藝，每一程序描述如下 1.氧化(Dxidation):當(dāng)硅晶片曝露于含氧的環(huán)境時(shí)，在晶片表面長(zhǎng)出一層的二氧化硅，作為絕緣體。 2.薄膜沉積(D印osition):利用物理現(xiàn)象或化學(xué)反應(yīng)的方式，在晶片表面上產(chǎn)生一層薄膜。 3.擴(kuò)散(Diffusion):將雜質(zhì)原子滲透到硅內(nèi)，然后利用高溫來作為雜質(zhì)擴(kuò)散以得到所需雜質(zhì)濃度。 4.離子植入(Ion Implantation):利用離子植入器將雜質(zhì)注入硅中，摻雜濃度能由離子束電流大小加以控制。 5.光刻(Lithogr即hy):將各種集成電路元件的表面結(jié)構(gòu)利用照相技術(shù)，將光掩膜的圖案移至晶片表面。 6.刻蝕(Etching):把光刻制造工藝沒有被光刻膠鋪蓋的薄膜部份，以化學(xué)反應(yīng)或物理現(xiàn)象的方式加以去除，以達(dá)到整個(gè)圖案移轉(zhuǎn)到薄膜的目的。 7.金屬化(Metallization):當(dāng)硅基上的元件制造完成后，必需將其連接，以達(dá)到電路連接的功能。 8.平坦化(Flatness Process):將晶片表面起伏的介電層外觀，加以平坦化的一種半導(dǎo)體制造工藝技術(shù)。 9.晶片檢查(Wafer inspection):晶片制造完成后，按照晶片的質(zhì)量給予分類，不合格者報(bào)廢。 每片晶片(Wafer)因材質(zhì)、生產(chǎn)制造工藝特有的電性關(guān)系，在晶片內(nèi)部會(huì)產(chǎn)生電性漂移，致使每批晶片出廠時(shí)，其內(nèi)部的每一單芯片內(nèi)部電性記錄值均會(huì)呈現(xiàn)不同參數(shù)。
在半導(dǎo)體IC芯片生產(chǎn)初始，需對(duì)每片晶片進(jìn)行檢測(cè)，檢測(cè)每片晶片良率及內(nèi)部晶粒電性，當(dāng)半導(dǎo)體IC芯片進(jìn)入生產(chǎn)后，將晶片加載晶片測(cè)試機(jī)(wafer probe)由測(cè)試機(jī)內(nèi)檢測(cè)探針針對(duì)晶片上的每顆芯片進(jìn)行量測(cè)及記錄；量測(cè)記錄完成后再依芯片個(gè)別電性漂移狀況，加載制造工藝所需程序及參數(shù)后，再由刻錄機(jī)進(jìn)行電性修整(trim)，每片晶片上晶粒電性漂宜記錄的值均不一樣，在修整時(shí)加載晶片上每顆晶粒的參數(shù)就會(huì)不同，每片晶片在進(jìn)行電性修整時(shí)，其需使用20分鐘。 請(qǐng)參照?qǐng)D2所示，圖2為目前半導(dǎo)體晶片修整(Trim)制造工藝，在圖2的步驟五所示晶片測(cè)試機(jī)讀取晶片參數(shù)后進(jìn)行記錄(Record)，圖2的步驟六為將晶片加載晶片刻錄機(jī)輸入需求參數(shù)后進(jìn)行激光修整(Laser trim)，步驟七為將晶片加載后進(jìn)行燒錄(trim),步驟八為修整完的電性測(cè)試，若因修整錯(cuò)誤該片芯片即報(bào)廢，修整完的芯片其中設(shè)置有電路包含一線性電路單元及一數(shù)字邏輯控制單元，芯片電路可加載程序，即是電路因電流導(dǎo)通使電路發(fā)生運(yùn)作，并產(chǎn)生電性與電壓及加載控制造工藝序使電路產(chǎn)生電壓值控制，再利用電路的數(shù)字邏輯控制單元來對(duì)電流導(dǎo)通所生成的電壓進(jìn)行編碼/譯碼執(zhí)行。其結(jié)果產(chǎn)出參數(shù)，提供予數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換邏輯單元，并經(jīng)適當(dāng)運(yùn)算后輸出一參考電壓，并由線性電路單元依據(jù)該參考電壓，據(jù)以設(shè)定電壓控制值或溫度值，因此若對(duì)芯片數(shù)字邏輯控制單元執(zhí)行編碼/譯碼，即可利用此方式針對(duì)相同屬性的芯片實(shí)施相同的電壓值或溫度值作業(yè)。
現(xiàn)行方法是以激光修整(Laser Trim)方式對(duì)半導(dǎo)體芯片電路進(jìn)行修整(trim)，在半導(dǎo)體芯片中設(shè)定有數(shù)字邏輯單元與線性電路單元，其中線性電路單元主要包含有運(yùn)算放大器(Operational Amplifiers)，而數(shù)字邏輯控制單元包括有功能參數(shù)編碼邏輯單元、功能參數(shù)譯碼邏輯單元及數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換邏輯單元(D/A Converter)等，半導(dǎo)體芯片是利用數(shù)字邏輯控制單元來執(zhí)行編碼/譯碼，其產(chǎn)生的結(jié)果用來提供數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換邏輯單元用以輸出一參考電壓，而線性電路單元?jiǎng)t依據(jù)參考電壓產(chǎn)生一控制電壓值，此一電壓值可用以做為半導(dǎo)體芯片功能設(shè)定的參數(shù)值。 但是在半導(dǎo)體晶片(wafer)在生產(chǎn)制造工藝中會(huì)產(chǎn)生電性漂移，致使原設(shè)定的電位準(zhǔn)、參數(shù)值產(chǎn)生非預(yù)期的變動(dòng)，為確保半導(dǎo)體制造工藝時(shí)能維持一致性，需以修整(trim)來對(duì)晶片內(nèi)部進(jìn)行檢測(cè)及進(jìn)行修整?，F(xiàn)有做法是對(duì)芯片進(jìn)行選擇性修整，即是以激光或電流燒針對(duì)晶片做參數(shù)載入，晶片依不同面積可分割成數(shù)量不等的芯片，且高容量的數(shù)字邏輯匣僅占有限面積，因此可燒錄4bit、8bit、16bit、32bit、64bit等數(shù)字邏輯匣。
現(xiàn)有可程序化芯片因制造工藝及電氣特性會(huì)產(chǎn)生電性規(guī)格漂移現(xiàn)象因此目前芯片在參數(shù)匹配對(duì)應(yīng)方式上采用單一加載方式，將對(duì)應(yīng)參數(shù)逐一加載芯片匹配采用逐一修整方式實(shí)施調(diào)配，當(dāng)量產(chǎn)制作時(shí)，采用逐一對(duì)應(yīng)匹配方式將需求參數(shù)以修整方式加載芯片并逐一進(jìn)行修整，而芯片須依規(guī)格需求電壓、頻率將參數(shù)逐一寫入設(shè)定，若參數(shù)有數(shù)種參數(shù)質(zhì)時(shí)，需逐一比對(duì)、加載及檢測(cè)，使參數(shù)能匹配對(duì)應(yīng)，若有溫度需求產(chǎn)生時(shí)，也需將溫度參數(shù)加載修整，若此，當(dāng)芯片大量生產(chǎn)制造時(shí)，不僅耗時(shí)也增加生產(chǎn)與庫存作業(yè)成本，無法快速響應(yīng)生產(chǎn)所需與滿足市場(chǎng)需求，且芯片逐一進(jìn)行參數(shù)設(shè)定時(shí)，其環(huán)境變量與人員操作均會(huì)因變動(dòng)使整體時(shí)程與可靠度存在不可知的變動(dòng)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是一種方法來簡(jiǎn)化半導(dǎo)體芯片修整制造工藝及提高半導(dǎo)體芯片修整(trim)效能的方法，實(shí)施程序?qū)雽?dǎo)體晶片由測(cè)試機(jī)(Wafer Probe)晶片承載盤載入，承載盤載入晶片后檢測(cè)頭上探針會(huì)對(duì)晶片內(nèi)部芯片串行電氣特性進(jìn)行電氣良率載測(cè)，被載測(cè)
5的芯片將被檢測(cè)芯片電性良率是否完整，損壞的芯片將會(huì)被注記，電性功能正常的芯片將依電壓、頻率高低位階逐項(xiàng)修整(trim)并被注記形成一個(gè)記錄(Record)或數(shù)據(jù)(data)并施予編碼分類(code Calibration)存記。存記的記錄將依類別、屬性(Property)、位置儲(chǔ)存于特定儲(chǔ)存字段或數(shù)據(jù)庫；另部份芯片則會(huì)進(jìn)行溫度修整(Temperaturetrim)，即是將芯片依高低溫特性進(jìn)行逐項(xiàng)修整及記錄，并將芯片的溫度修整參數(shù)記錄儲(chǔ)存，即是將溫度參數(shù)儲(chǔ)存(store)于特定儲(chǔ)存字段(Table)或數(shù)據(jù)庫(database)，特定儲(chǔ)存字段或數(shù)據(jù)庫即以分類方式載錄半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)制造工藝中有關(guān)溫度參數(shù)、電壓值、電頻等相關(guān)參數(shù)。
當(dāng)生產(chǎn)需求產(chǎn)生時(shí)，晶片電性在良率檢測(cè)及電性漂移狀態(tài)已經(jīng)實(shí)施量測(cè)，并對(duì)晶片內(nèi)部芯片狀態(tài)及良率不佳的芯片予以標(biāo)注(Mark)，因此在生產(chǎn)制造時(shí)不需經(jīng)過修整(trim)，可直接將已測(cè)試的晶片依客戶需求規(guī)格自記載區(qū)或數(shù)據(jù)夾取出相關(guān)參數(shù)進(jìn)行修整，修整完成的晶片即可以進(jìn)行后續(xù)貼片(Wafer mount)、切割(Die saw)、黏晶(DieBond)、焊線(Wire Bond)、封膠(mold)、打印(mark)...等一系列半導(dǎo)體制造工藝。
本方法可提高半導(dǎo)體芯片制造工藝效能及簡(jiǎn)化半導(dǎo)體晶片修整步驟，該方法可適用于任一款半導(dǎo)體芯片制造工藝。


圖1所示的是半導(dǎo)體晶片生產(chǎn)制作流程圖。
圖2所示的是現(xiàn)有半導(dǎo)體芯片修整流程圖。 圖3所示的是本發(fā)明半導(dǎo)體芯片修整改善流程圖(框線為改善區(qū)域)。
圖4所示的是本發(fā)明半導(dǎo)體芯片修整改善描述方塊圖一。
圖5所示的是本發(fā)明半導(dǎo)體芯片修整改善描述方塊圖二。
具體實(shí)施例方式
請(qǐng)參考圖3，圖3是本發(fā)明的晶片檢測(cè)實(shí)施流程圖，圖3是本發(fā)明的晶片檢測(cè)實(shí)施流程圖，S301，將晶片(Wafer)自儲(chǔ)存晶片(wafer storage)的芯片匣(wafer Carriers),通過機(jī)具或手動(dòng)方式，自芯片匣(wafer Carriers)取出一片晶片(Wafer)，隨即將取出的該片晶片(冊(cè)fer)置放入晶片檢測(cè)機(jī)(Wafer probe)的托盤(tray)，令托盤(tray)將已置放于檢測(cè)機(jī)之晶片，引導(dǎo)進(jìn)入晶片檢測(cè)機(jī)(Wafer probe)，使晶片進(jìn)入晶片檢測(cè)機(jī)內(nèi)
(5302) ; 載入晶片檢測(cè)機(jī)的晶片(Wafer),即由晶片檢測(cè)機(jī)內(nèi)的探針(Probe)，來對(duì)加載之晶片(wafer)進(jìn)行表面功能檢測(cè)(function test)與電性測(cè)試(electricity test)
(5303) ; 晶片檢測(cè)機(jī)(Wafer probe)對(duì)加載并進(jìn)行的晶片(wafer)會(huì)對(duì)加載之該晶片(Wafer)的功能(function)及電性(electricity)，依據(jù)需求設(shè)定，進(jìn)行良率判斷與記錄
(5304) ; 當(dāng)經(jīng)由晶片檢測(cè)機(jī)(Wafer probe)探針檢測(cè)，所載入檢測(cè)室之晶片(wafer)經(jīng)檢測(cè)(function test)后其功能與電性良好，將對(duì)該片晶片(wafer)進(jìn)行記錄(record)與注記(mark) (S305)，并且對(duì)該片檢測(cè)良好的晶片(Wafer)進(jìn)行電壓值校對(duì)(S306);
若經(jīng)由晶片檢測(cè)機(jī)(Wafer probe)的探針(probe)檢測(cè)(function test)所載入之晶片(wafer)，經(jīng)檢測(cè)(function test)發(fā)現(xiàn)功能與電性不佳，以及晶片有發(fā)生損害者(S307)，將對(duì)該片晶片(wafer)進(jìn)行損害記錄(record)與損害注記(mark) (S308);
經(jīng)(S308)進(jìn)行損害記錄(record)與損害注記(mark)的晶片，將會(huì)將其損害之記錄(record)及注記(mark)，轉(zhuǎn)檔傳輸并可儲(chǔ)存在儲(chǔ)存設(shè)備，例如數(shù)據(jù)庫(database)、磁盤片(disk)或閃存(Flash)等設(shè)備，進(jìn)行保存(S309); 另經(jīng)檢測(cè)良好(S305)及經(jīng)電壓值校對(duì)(S306)檢測(cè)(function test)后，其功能(function)與電性(electricity)良好的晶片，其晶片的檢測(cè)記錄(record)及注記(mark)，將轉(zhuǎn)檔傳輸儲(chǔ)存在儲(chǔ)存設(shè)備，例如數(shù)據(jù)庫(database)、磁盤片(disk)或閃存(Flash)等設(shè)備，進(jìn)行保存(S309) 另部份經(jīng)晶片檢測(cè)機(jī)(Wafer probe)檢測(cè)良好的晶片(Wafer)，另外會(huì)進(jìn)行溫
度測(cè)試(Temperature test)，其測(cè)試記錄將會(huì)轉(zhuǎn)文件傳輸儲(chǔ)存在儲(chǔ)存設(shè)備，例如數(shù)據(jù)庫
(database)、磁盤片(disk)或閃存(Flash)等設(shè)備，進(jìn)行保存(S309); 當(dāng)晶片生產(chǎn)需求產(chǎn)生時(shí)，其生產(chǎn)所需的參數(shù)數(shù)據(jù)，包含有需求規(guī)格(S310)及需求
參數(shù)(S311)，將會(huì)將生產(chǎn)所需參數(shù)數(shù)據(jù)載出(S312); 將載出的參數(shù)數(shù)據(jù)(S312)加載燒錄修整機(jī)臺(tái)(Trim) (S313); 燒錄修整機(jī)臺(tái)(Trim) (S313)，將會(huì)對(duì)欲生產(chǎn)的該片晶片(Wafer)進(jìn)行燒錄修整
(trim)，在進(jìn)行燒錄修整(S314)前，將會(huì)選擇采用電流進(jìn)行燒錄修整(S3141)或是采用激
光進(jìn)行燒錄修整(S3142); 燒錄修整機(jī)臺(tái)(S313)對(duì)生產(chǎn)的晶片(wafer)進(jìn)行燒錄修整(S314)，當(dāng)晶片燒錄修整后，會(huì)對(duì)已燒錄修整之晶片(Wafer)進(jìn)行功能檢測(cè)(S315); 當(dāng)燒錄的晶片經(jīng)修整功能檢測(cè)后(S315)，若經(jīng)檢測(cè)(S315)結(jié)果良好者，燒錄的晶片(Wafer)將會(huì)進(jìn)行貼片，若燒錄的晶片(wafer)經(jīng)修整檢測(cè)(S315)后，其檢測(cè)結(jié)果為不合格者，該片晶片將會(huì)報(bào)廢； 請(qǐng)參考圖4、圖5，圖4、圖5是本發(fā)明的另一實(shí)施方式；當(dāng)開始對(duì)芯片進(jìn)行測(cè)試時(shí)，首先取出保存置放于晶片儲(chǔ)存匣(冊(cè)fer Carriers)的晶片片，置放入晶片檢測(cè)機(jī)(Waferprobe)，晶片檢測(cè)機(jī)(Wafer probe)則會(huì)對(duì)自晶片儲(chǔ)存匣(wafer Carriers)加載的晶片片(Wafer)進(jìn)行晶片個(gè)別功能測(cè)試及特性進(jìn)行檢測(cè)及分類，測(cè)試該片晶片的功能(function)及電性規(guī)格(electricityrule)，而分類是對(duì)晶片內(nèi)所載存之規(guī)格進(jìn)行分類(class);
經(jīng)晶片檢測(cè)機(jī)(Wafer probe)測(cè)試的晶片功能若是完整，規(guī)格若是符合需求目標(biāo)(Target)，則會(huì)將晶片(wafer)進(jìn)行記錄(record)與注記(mark)，并且對(duì)該片檢測(cè)良好的晶片(Wafer)，經(jīng)由轉(zhuǎn)檔傳輸，儲(chǔ)存在儲(chǔ)存設(shè)備，例如數(shù)據(jù)庫(database)、磁盤片(disk)或閃存(Flash)等設(shè)備，進(jìn)行保存(S309); 另部份經(jīng)晶片檢測(cè)機(jī)(Wafer probe)測(cè)試及檢測(cè)結(jié)果良好之晶片，將進(jìn)行晶片的溫度進(jìn)行分類(Temperature class)，經(jīng)檢測(cè)機(jī)檢測(cè)之晶片，其數(shù)據(jù)規(guī)格若符合需求目標(biāo)(Target)，則會(huì)將晶片(wafer)進(jìn)行記錄(record)與注記(mark)，并且對(duì)該片溫度檢測(cè)良好的晶片(Wafer)，經(jīng)由轉(zhuǎn)檔傳輸，儲(chǔ)存在儲(chǔ)存設(shè)備，例如數(shù)據(jù)庫(database)、磁盤片(disk)或閃存(Flash)等設(shè)備，進(jìn)行保存(S309); 晶片若經(jīng)晶片檢測(cè)機(jī)溫度分類測(cè)試后，測(cè)試的晶片(Wafer)，若其溫度數(shù)據(jù)規(guī)格不符合需求，檢測(cè)機(jī)則對(duì)該晶片進(jìn)行再分類(class)，使進(jìn)行溫度測(cè)試的晶片，其晶片溫度屬性，能進(jìn)行細(xì)部分類并且記錄(record)，并經(jīng)由轉(zhuǎn)檔傳輸，儲(chǔ)存在儲(chǔ)存設(shè)備。 綜上所述，本發(fā)明應(yīng)用于半導(dǎo)體芯片的生產(chǎn)制造工藝，其綜效顯著，不但可縮短整
體半導(dǎo)體芯片規(guī)格修整時(shí)程，也能提高匹配良率，也能于生產(chǎn)實(shí)施時(shí)快速導(dǎo)入生產(chǎn)流程，且
芯片電性、溫度特性經(jīng)測(cè)試、驗(yàn)證并加以儲(chǔ)存。當(dāng)生產(chǎn)實(shí)施時(shí)，即能將客戶不同規(guī)格需求的
相關(guān)電性溫度、參數(shù)加載，具有可立即明顯的提升生產(chǎn)量，因此具有新穎性、進(jìn)步性及產(chǎn)業(yè)
利用性，符合發(fā)明的要件。 以上所述的具體實(shí)施方式
，對(duì)本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說明，所應(yīng)理解的是，以上所述僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式
而已，并不用于限定本發(fā)明的保護(hù)范圍，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
一種電位調(diào)整可程序化儲(chǔ)存記錄實(shí)施方法，其特征為，該方法將半導(dǎo)體IC芯片電性修整參數(shù)儲(chǔ)存于特定位置，當(dāng)制造需求產(chǎn)生時(shí)，可將儲(chǔ)存參數(shù)自儲(chǔ)存特定位置取出，并傳輸至具有參數(shù)加載功能的設(shè)備，該設(shè)備可將預(yù)儲(chǔ)的修整參數(shù)，依制造規(guī)格需求，快速加載生產(chǎn)指定位置實(shí)施。
2. 如權(quán)利要求1所述的一種電位調(diào)整可程序化儲(chǔ)存記錄實(shí)施方法，其特征為，參數(shù)包 含有電壓、頻率、溫度單元參數(shù)。
3. 如權(quán)利要求1所述的一種電位調(diào)整可程序化儲(chǔ)存記錄實(shí)施方法，其特征為，修整方 法可使用激光、電流方式實(shí)施。
4. 如權(quán)利要求1所述的一種電位調(diào)整可程序化儲(chǔ)存記錄實(shí)施方法，其特征為，修整參 數(shù)可以記錄、儲(chǔ)存、分類、寫入。
5. 如權(quán)利要求1所述的一種電位調(diào)整可程序化儲(chǔ)存記錄實(shí)施方法，其特征為，儲(chǔ)存特 定位置可包含一屬性文件，可用以儲(chǔ)存該電性數(shù)據(jù)的參數(shù)。
6. 如權(quán)利要求1所述的一種電位調(diào)整可程序化儲(chǔ)存記錄實(shí)施方法，其特征為，儲(chǔ)存參 數(shù)包含電壓、溫度、頻率參數(shù)、時(shí)間參數(shù)。
7 如權(quán)利要求1所述的一種電位調(diào)整可程序化儲(chǔ)存記錄實(shí)施方法，其特征為，儲(chǔ)存特 定位置為具有磁道儲(chǔ)存功能的設(shè)備。
8. 如權(quán)利要求1所述的一種電位調(diào)整可程序化儲(chǔ)存記錄實(shí)施方法，其特征為，儲(chǔ)存特 定位置為具有光儲(chǔ)存功能設(shè)備。
9. 如權(quán)利要求1所述的一種電位調(diào)整可程序化儲(chǔ)存記錄實(shí)施方法，其特征為，儲(chǔ)存特 定位置為具有記錄讀寫功能的儲(chǔ)存設(shè)備。
10. 如權(quán)利要求5所述的一種電位調(diào)整可程序化儲(chǔ)存記錄實(shí)施方法，其特征為，儲(chǔ)存特 定位置記錄功能包含有一加載功能。
11. 如權(quán)利要求1所述的一種電位調(diào)整可程序化儲(chǔ)存記錄實(shí)施方法，其特征為，儲(chǔ)存特 定位置記錄功能包含有一插入功能。
12. 如權(quán)利要求1所述的一種電位調(diào)整可程序化儲(chǔ)存記錄實(shí)施方法，其特征為，儲(chǔ)存特 定位置記錄功能包含有一修改功能。
13. 如權(quán)利要求1所述的一種電位調(diào)整可程序化儲(chǔ)存記錄實(shí)施方法，其特征為，儲(chǔ)存特 定位置記錄功能包含有一刪除功能。
14. 如權(quán)利要求3所述的一種電位調(diào)整可程序化儲(chǔ)存記錄實(shí)施方法，其特征為，溫度參 數(shù)修整為對(duì)半導(dǎo)體晶片面積上的晶粒電性進(jìn)行修整。
15. 如權(quán)利要求3所述的一種電位調(diào)整可程序化儲(chǔ)存記錄實(shí)施方法，其特征為，電壓參 數(shù)修整，為對(duì)半導(dǎo)體晶片面積上的晶粒電性進(jìn)行修整。
16. 如權(quán)利要求3所述的一種電位調(diào)整可程序化儲(chǔ)存記錄實(shí)施方法，其特征為，頻率參 數(shù)修整，對(duì)半導(dǎo)體晶片面積上的晶粒電性進(jìn)行修整。
17. 如權(quán)利要求1所述的一種電位調(diào)整可程序化儲(chǔ)存記錄實(shí)施方法，其特征為，儲(chǔ)存特 定位置記錄功能包含有記錄異動(dòng)開始/異動(dòng)結(jié)束功能。
18. 如權(quán)利要求1所述的一種電位調(diào)整可程序化儲(chǔ)存記錄實(shí)施方法，其特征為，儲(chǔ)存特 定位置的參數(shù)具有排序的功能。
19. 一種電位調(diào)整可程序化儲(chǔ)存記錄實(shí)施方法，其方法包括下列的步驟將晶片置入晶片檢測(cè)機(jī)，由晶片檢測(cè)機(jī)以探針量測(cè)晶片內(nèi)部電性及良率，并將量測(cè)及測(cè)試的各種參數(shù) 予以分類、記錄、注記，再將參數(shù)分類儲(chǔ)存于特定儲(chǔ)存位置；制造工藝作業(yè)實(shí)施時(shí)，將晶片取 出后加載具修整功能的機(jī)臺(tái)，依制造工藝功能需求自特定儲(chǔ)存位置存取所需參數(shù)，并將需 求參數(shù)按設(shè)定修整方式加載半導(dǎo)體芯片。
20. 如權(quán)利要求19所述的一種電位調(diào)整可程序化儲(chǔ)存記錄實(shí)施方法，其特征為，晶片 檢測(cè)機(jī)量測(cè)晶片所得的溫度、電壓、頻率的電性參數(shù)，其電壓參數(shù)具有儲(chǔ)存、標(biāo)記、修改功 能。
21. 如權(quán)利要求19所述的一種電位調(diào)整可程序化儲(chǔ)存記錄實(shí)施方法，其特征為，晶片 檢測(cè)機(jī)量測(cè)晶片所得的溫度、電壓、頻率的電性參數(shù)，其溫度參數(shù)具有儲(chǔ)存、標(biāo)記、修改功 能。
22. 如權(quán)利要求19所述的一種電位調(diào)整可程序化儲(chǔ)存記錄實(shí)施方法，其特征為，晶片 檢測(cè)機(jī)量測(cè)晶片所得的溫度、電壓、頻率的電性參數(shù)，其頻率參數(shù)具有儲(chǔ)存、標(biāo)記、修改功 能。
23. 如權(quán)利要求19所述的一種電位調(diào)整可程序化儲(chǔ)存記錄實(shí)施方法，其特征為，晶片 檢測(cè)機(jī)量測(cè)包含為對(duì)半導(dǎo)體晶片上的晶粒進(jìn)行電壓測(cè)試。
24. 如權(quán)利要求19所述的一種電位調(diào)整可程序化儲(chǔ)存記錄實(shí)施方法，其特征為，晶片 檢測(cè)機(jī)量測(cè)，包含對(duì)半導(dǎo)體晶片面積上的晶粒，進(jìn)行溫度測(cè)試。
25. 如權(quán)利要求19所述的一種電位調(diào)整可程序化儲(chǔ)存記錄實(shí)施方法，其特征為，晶片 檢測(cè)機(jī)量測(cè)，包含對(duì)半導(dǎo)體晶片面積上的晶粒進(jìn)行頻率測(cè)試。
26. 如權(quán)利要求19所述的一種電位調(diào)整可程序化儲(chǔ)存記錄實(shí)施方法，其特征為，晶片 檢測(cè)機(jī)檢測(cè)的半導(dǎo)體晶片，若晶片面積上的晶粒電性發(fā)生損毀，該損毀位置會(huì)予以注記并 記錄于儲(chǔ)存特定位置。
全文摘要
本發(fā)明提供一種電位調(diào)整可程序化儲(chǔ)存記錄實(shí)施方法，該方法將半導(dǎo)體IC芯片電性修整參數(shù)儲(chǔ)存于特定位置，當(dāng)制造需求產(chǎn)生時(shí)，可將儲(chǔ)存參數(shù)自儲(chǔ)存特定位置取出，并傳輸至具有參數(shù)加載功能的設(shè)備，該設(shè)備可將預(yù)儲(chǔ)的修整參數(shù)，依制造規(guī)格需求，快速加載生產(chǎn)指定位置實(shí)施。本發(fā)明設(shè)計(jì)一種可預(yù)先測(cè)量參數(shù)的通信接口，用以紀(jì)錄半導(dǎo)體芯片在不同溫度或電壓的規(guī)格參數(shù)，將此數(shù)據(jù)儲(chǔ)存紀(jì)錄，在制造工藝實(shí)施前，依照不同規(guī)格參數(shù)值以內(nèi)差方式實(shí)施修整(trim)，并達(dá)到縮短測(cè)試時(shí)間的目的。
文檔編號(hào)G07C3/00GK101739735SQ20081018155
公開日2010年6月16日 申請(qǐng)日期2008年11月27日 優(yōu)先權(quán)日2008年11月27日
發(fā)明者劉東榮, 王德如 申請(qǐng)人:朋程科技股份有限公司