專利名稱：用于檢測磁性的測量裝置和這種測量裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于檢測測量裝置周圍磁性的測量裝置以及這種測量裝置的制 造方法并在權(quán)利要求中要求德國專利申請書10 2008 033 579. 7的優(yōu)先權(quán)。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有技術(shù)中公開了用于識別上面印刷磁性圖案紙幣的測量裝置。這種測量裝置例 如在EP 1 729 142 Al中有所介紹。那里所介紹的測量裝置的缺點是，在所要確定的磁性 圖案通過那里所具有的傳感器行內(nèi)的空隙情況下出現(xiàn)檢測不精確性。所公開的測量裝置在 傳感器行的單個傳感元件之間其空隙區(qū)域內(nèi)的檢測精確性低。

發(fā)明內(nèi)容
在這種背景下本發(fā)明的目的在于，提供一種用于檢測測量裝置周圍磁性的測量裝 置，利用該測量裝置可以更精確地檢測測量裝置周圍的這些磁性。本發(fā)明此外的目的在于， 提供一種制造這種測量裝置的方法。本發(fā)明從這種主導思想出發(fā)，即測量裝置具有產(chǎn)生磁控制場(StUtzfeld)的控制 場裝置(StUtzfeldvorrichtimg)，該磁控制場具有對著行方向的磁場分量，其場強在行方 向上的傳感器行內(nèi)變化。人們知道，傳感器行出于加工工藝的原因在單個傳感元件之間具 有空隙和具有優(yōu)點的是提高各自傳感元件邊緣(Sensorrand)區(qū)域內(nèi)的靈敏度。由此存在 的可能性是，更加準確地檢測兩個傳感元件邊緣之間空隙內(nèi)的磁性。事實證明，為此特別適用一種控制場裝置，其磁控制場對著行方向的磁場分量具 有場強分布，該場強分布在形成傳感器行的傳感元件至少兩個在行方向上依次設置的傳感 器邊緣上沒有過零點和/或者最大值或者最小值。人們知道，如果磁控制場對著行方向的磁場分量的場強分布靠近傳感元件的傳感 器邊緣具有過零點的話，可以提高傳感元件邊緣上的靈敏度。如果磁控制場對著行方向的 磁場分量的場強分布在傳感元件的傳感器邊緣具有最大值或者最小值的話，則會對傳感元 件的靈敏度不利。為實現(xiàn)本發(fā)明的優(yōu)點，僅需磁控制場對著行方向的磁場分量的場強分布 在形成傳感器行的傳感元件至少兩個在行方向上依次設置的傳感器邊緣上沒有過零點。在 此方面，特別優(yōu)選磁控制場對著行方向的磁場分量的場強分布在形成傳感器行的傳感元件 兩個在行方向上依次設置的傳感器邊緣之間沒有過零點。為實現(xiàn)本發(fā)明的優(yōu)點，同樣僅需 磁控制場對著行方向的磁場分量的場強分布在形成傳感器行的傳感元件兩個在行方向上 依次設置的傳感器邊緣之間沒有最大值或者最小值。在一種優(yōu)選的實施方式中，磁控制場 對著行方向的磁場分量的場強分布在形成傳感器行的傳感元件兩個在行方向上依次設置 的傳感器邊緣之間既沒有過零點，在形成傳感器行的傳感元件的這兩個在行方向上依次設 置的傳感器邊緣上也沒有最大值或者最小值。在一種優(yōu)選的實施方式中，磁控制場對著行方向的磁場分量的場強分布在傳感元 件的整個區(qū)域內(nèi)沒有過零點。
測量裝置的傳感器行具有至少兩個設置在一行上的磁阻效應傳感元件。傳感器行 的長度并因此所使用的磁阻效應傳感元件的數(shù)量取決于所要實施的檢測。為檢測歐元紙 幣，一個傳感器行例如可以具有10個以上，特別是優(yōu)選20個以上，例如28個傳感元件。為 形成傳感器行，傳感元件設置在一行內(nèi)。特別優(yōu)選所有傳感元件的縱向中軸線處于一條線 上。但也可以設想，單行的傳感元件與對著行方向的軸線相關(guān)不同設置，從而單個傳感元件 的縱向中軸線不再都處于一條線上。但特別優(yōu)選這樣設置的傳感元件這樣設置，使單個傳 感元件部分重疊。在一種優(yōu)選的實施方式中，多個傳感元件組成一組，例如設置在一個共同的控制 結(jié)構(gòu)上。這種組下面稱為傳感器。一個傳感器例如可以具有2、3、4或者多個傳感元件。但 一個傳感器也可以通過唯一的傳感元件形成。在一種優(yōu)選的實施方式中，上面設置單個或多個傳感元件的傳感器作為芯片構(gòu) 成。芯片然后可以設置在測量裝置的支板(“板”)上。特別優(yōu)選多個，特別是四個傳感元件 設置在一個芯片上。傳感元件在芯片上最好彼此等距并設置在芯片的邊緣上。芯片可與支 板直接連接，例如通過所謂的“板上芯片(chip-on-board) ”或者“倒裝芯片(Flip-Chip) ” 工藝。作為選擇，傳感器對著芯片可以具有外殼，特別優(yōu)選塑料外殼，該外殼借助表面貼裝 (Surface-Mount)工藝與支板導電和機械連接。在一種優(yōu)選的實施方式中，傳感元件等距設置在行方向上。在一種特別優(yōu)選的實 施方式中，第一傳感元件與相鄰傳感元件的距離與兩個傳感元件中心之間的距離相關(guān)在1 到IOmm之間，最好在2到5mm之間和特別優(yōu)選為3. 5mm。在一種特別優(yōu)選的實施方式中， 芯片具有兩個在行方向上依次設置的傳感元件并在行方向上具有_無外殼-1. 5-9mm，最好 2-3mm和特別優(yōu)選2. 5mm的長度。在一種具有優(yōu)點的實施方式中，從一個芯片的邊緣到相鄰 芯片邊緣的距離小于1. 5mm和特別優(yōu)選小于1. 1mm。在一種可選擇的實施方式中，傳感元件這樣設置，使設置在一個芯片上的兩個相 鄰傳感元件的兩個邊緣之間的距離小于不設置在一個芯片上的相鄰傳感元件兩個邊緣之 間的距離。兩個芯片之間的距離一般通過可以將芯片連接在支板上的工藝預先規(guī)定。這些 工藝一般需要比將兩個磁阻效應傳感元件設置在一個芯片上的空間更多的空間。測量裝置 的靈敏度因此可以由此得到提高，即無論是將傳感元件安裝在芯片上，還是將芯片安裝在 板上，均可以按照各自所使用的工藝那樣緊密進行。在芯片上制造傳感元件優(yōu)選采用平面技術(shù)、半導體技術(shù)或者微系統(tǒng)的方法進行。傳感器行內(nèi)的傳感元件是磁阻效應傳感元件。特別是傳感元件可以具有“各向?qū)?性的”磁阻效應(AMR效應)或者“極高的“磁阻效應(GMR效應)。但傳感元件也可以具有 其他效應，例如像巨型磁阻效應(GMI)、隧道磁阻效應(TMR)或者霍爾效應。體據(jù)本發(fā)明的測量裝置可以用于檢測測量裝置周圍的磁性。測量裝置周圍的磁性 特別是指測量裝置周圍磁場的磁場強度、測量裝置周圍磁場的場方向或者也指例如測量裝 置磁場周圍場強或場方向的改變。例如作為周圍的磁性是指環(huán)繞測量裝置的磁場場強和場 方向的改變，如果該磁場通過由紙幣的磁性圖案產(chǎn)生的磁場重疊而改變的話。在一種優(yōu)選 的實施方式中，傳感器行這樣設計，使其僅探測測量裝置周圍磁性空間上和/或者時間上 的變化。依據(jù)本發(fā)明所使用的控制場裝置可以由一個或者多個部件例如永久磁鐵組成。但控制場裝置也可以由大量的元件組成，例如像在借助電磁線圈產(chǎn)生磁場所需的那些元件。在一種優(yōu)選的實施方式中，控制場裝置產(chǎn)生控制場，其對著行方向的磁場分量具 有行方向上的場強分布，該場強分布只能形成傳感器行的傳感元件的至少兩個傳感元件之 間具有最小值。在一種至少兩個芯片具有各自兩個設置在芯片上的傳感元件特別優(yōu)選的實 施方式中，控制場裝置產(chǎn)生控制場，其對著行方向的磁場分量具有行方向上的場強分布，該 場強分布在芯片之間具有過零點并在一個芯片的傳感元件之間具有最大值或最小值。在一種優(yōu)選的實施方式中具有一種基本上僅產(chǎn)生在傳感元件內(nèi)作用的場的控制 場設置。這種實施方式依據(jù)目的可以用于探測英磁材料。特別優(yōu)選使用一種控制場設置， 其中垂直對著傳感元件的磁場分量具有一種場強分布，該場強分布在傳感元件后面向從控 制場裝置到對著傳感元件的方向上迅速下降，例如在對著該方向的傳感元件表面的上面與 傳感器表面相距2mm在該方向上具有其最大場強約50%的數(shù)值。通過將具有硬磁的檢測對 象導過這種測量裝置，檢測對象硬磁的場與該控制場重疊。緊貼在傳感元件上的總磁場重 疊帶來的變化通過傳感元件可以檢測到。在一種優(yōu)選的實施方式中具有一種產(chǎn)生遠遠超出傳感元件作用的場的控制場設 置，該場可以使硬磁材料或者軟磁材料均可以得到探測。特別優(yōu)選使用一種控制場設置，其 中垂直對著傳感元件平面的磁場分量具有一種場強分布，該場強分布在傳感元件后面向從 控制場裝置到對著傳感元件的方向上僅少量下降，例如在對著該方向的傳感元件表面的上 面與傳感器表面相距2mm在該方向上具有其最大場強約80%的數(shù)值。通過將既具有硬磁材 料也具有軟磁材料的檢測對象導過這種測量裝置，控制場通過這種材料的存在而變形。緊 貼磁場的這種變形可以由產(chǎn)生傳感器信號的傳感元件探測到。特別優(yōu)選控制場在檢測期間 設置檢測對象的測量裝置的區(qū)域內(nèi)具有高于所要探測的磁性結(jié)構(gòu)矯頑磁場強度最好至少 三倍的磁場強度。已經(jīng)達到提高測量精度的是，至少兩個行方向上依次設置的傳感器邊緣上，行方 向上的場強分布沒有過零點和/或者最大值或者最小值。在此方面，行方向上依次設置的 這些傳感器邊緣彼此不必直接跟隨。達到本發(fā)明的成功還在于，只要是通過傳感器行的整 個延伸在行方向上依次設置的邊緣，行方向上的場強分布在傳感器行任意第一傳感元件的 任意邊緣上和傳感器行任意第二傳感元件的任意邊緣上就沒有過零點和/或者最大值或 者最小值。 在依據(jù)本發(fā)明的測量裝置的一種實施方式中，行方向上的場強分布在形成傳感器 行的傳感元件的一個傳感器邊緣上具有過零點和/或者最大值或者最小值。依據(jù)本發(fā)明的 優(yōu)點然后在其他傳感元件邊緣上實現(xiàn)。在依據(jù)本發(fā)明的測量裝置一種特別優(yōu)選的實施方式中產(chǎn)生控制場，其中行方向上 的場強分布在形成傳感器行的傳感元件在行方向上所有依次設置的傳感器邊緣上沒有過 零點和/或者最大值或者最小值?？刂茍隼缤ㄟ^每個傳感元件的各自一個磁鐵產(chǎn)生。該 磁鐵在最簡單的情況下可以在制造傳感元件期間直接安裝在傳感器上?？刂茍隹梢允菚r變的的，例如脈沖式構(gòu)造的。但在一種優(yōu)選的實施方式中，控制場 是時不變的并設置以相同的方式存在。這樣特別是簡化測量裝置的結(jié)構(gòu)，因為為產(chǎn)生控制 場可以使用永久磁鐵。在一種優(yōu)選的實施方式中，行方向上的場強分布為周期性的并在一種特別優(yōu)選的實施方式中，是傳感器行的傳感元件之間優(yōu)選保持不變的距離周期的整數(shù)數(shù)倍或整數(shù)的一 小部分。在一種特別優(yōu)選的實施方式中，控制場裝置在傳感器行的首端和末端設置磁鐵，這 些磁鐵在到行方向上的場強基本上周期性分布的行末端上也導過傳感器行。這一點可以通 過優(yōu)選具有至少3個超出傳感器行末端的其他極的磁鐵設置實現(xiàn)。在一種優(yōu)選的實施方式 中，為縮短總結(jié)構(gòu)長度，邊緣效應通過改變外部磁鐵的幾何形狀或者磁化或者設置得到降 低，例如以約30%的磁鐵周期縮短磁鐵的長度。在一種優(yōu)選的實施方式中，控制場裝置具有一行并非，特別是在傳感元件的行方 向上并排設置的磁鐵。該行磁鐵的磁化可以交變，從而一個磁鐵的磁化與其相鄰磁鐵的極 化相反。但一行內(nèi)并排設置的磁鐵也可以具有相同的磁化。在這種情況下，磁鐵特別優(yōu)選 在行方向上彼此相鄰設置。但一行內(nèi)并排設置的磁鐵也可以具有交替的磁化，它們增強傳 感元件側(cè)的磁場并削弱背面的磁場。在一種優(yōu)選的實施方式中，特別是在行方向上并排設置磁鐵的情況下，其中一個 磁鐵的磁化與相鄰磁鐵的磁化交變，磁鐵彼此直接相鄰設置。這樣使控制場均勻分布?？刂茍鲅b置特別是由塑料粘合的硬鐵氧體或者由側(cè)面地磁鐵制造。在一種優(yōu)選的實施方式中，控制場裝置具有一行并排設置的磁鐵，其中磁化交變 地相對于傳感器行這樣設置，使從一個磁鐵向相鄰磁鐵的過渡相對于傳感元件在行方向上 的延伸設置在至少一個傳感元件的中心。由此按照簡單方式達到行方向上的場強分布在形 成傳感器行的傳感元件相互設置的傳感器邊緣上沒有過零點和/或者最大值或者最小值。在一種優(yōu)選的實施方式中，控制場裝置具有永久磁鐵。由此可以簡單構(gòu)成控制場 功能。在一種優(yōu)選的實施方式中，測量裝置具有兩個并排設置的傳感器行，例如兩個在 所要檢測的檢測對象可以運動的檢測方向上并排設置的傳感器行。由此可以進一步通過測 量精度。作為補充或者選擇，測量裝置可以具有兩個并排設置的控制場裝置。由此可以使 控制場的場分布均勻化。控制場磁鐵有限的空間延伸特別是在使用空間上延伸的梯度傳感 器時會導致不希望的傳感器特性，例如像靈敏度波動。為避免這種缺陷，在一種優(yōu)選的實施 方式中通過使用至少另一個相距設置的控制磁鐵達到控制場垂直于行方向的均勻化。在一種特別優(yōu)選的實施方式中，具有兩個在行方向上依次設置的傳感器行，用于 測定不同的特性。公知紙幣具有所謂的硬磁和軟磁圖案。為識別硬磁圖案需要使紙幣預磁 化。為識別軟磁圖案需要強控制場。硬磁圖案和軟磁圖案的同時識別可以通過第一傳感器 行的控制場進行，首先將紙幣導過該行。該行的控制場因此可以識別軟磁圖案并同時用于 硬磁結(jié)構(gòu)的預磁化。如果隨后將紙幣導過第二傳感器行，那么該第二傳感器行可以分開識 別硬磁圖案。在一種優(yōu)選的實施方式中，無論是第一傳感器行還是第二傳感器行，均具有控 制場裝置。分開識別軟磁和硬磁結(jié)構(gòu)的優(yōu)點是提高真實性檢驗。同時可以取消使用分開的 預磁化。在一種優(yōu)選的實施方式中，依據(jù)本發(fā)明的測量裝置具有設置在傳感器行前面的預 磁化磁鐵。利用這種預磁化磁鐵可以進行軟磁圖案檢測對象的磁化。如果隨后將檢測對象 導過傳感器行，那么該傳感器行可以識別硬磁圖案。在一種優(yōu)選的實施方式中，預磁化磁鐵 這樣構(gòu)成和設置，使其在至少一個，最好所有傳感元件內(nèi)產(chǎn)生磁場，基本上僅具有一個垂直 對著傳感元件平面的方向。由此可以避免預磁化磁鐵的場影響傳感元件的靈敏度。
在一種優(yōu)選的實施方式中，測量裝置沒有預磁化磁鐵。利用這種測量裝置，檢測對 象的磁化例如可以由此產(chǎn)生，即控制場在檢測期間設置檢測對象的測量裝置區(qū)域內(nèi)，具有 明顯高于所要探測的磁結(jié)構(gòu)矯頑磁場強度的磁場強度。依據(jù)本發(fā)明的裝置可與前置放大器共同在一個外殼內(nèi)構(gòu)成。作為補充或者選擇， 外殼可以具有防止磨損或者這類現(xiàn)象的措施。依據(jù)本發(fā)明測量裝置的依據(jù)本發(fā)明的制造方法，具有一行并排設置的磁鐵的控制 場裝置相對于傳感器行定向。為此導電體設置在傳感器行的附近。導電體這樣構(gòu)成，使其在 電流通過時產(chǎn)生一個電場，該電場在傳感器行的傳感元件產(chǎn)生取決于控制場裝置的位置、 與傳感器行相對于第一附近的導電體的位置無關(guān)的信號。因此借助該信號可以識別控制場 裝置是否設置在相對于傳感器行所要求的位置上。利用這種裝置還可以控制單個傳感元件 的靈敏度。依據(jù)本發(fā)明的測量裝置可以在識別有價證券上的圖案方面使用，例如像通常具有 軟磁和/或者硬磁圖案的紙幣、支票。依據(jù)本發(fā)明的測量裝置同樣可以在識別所謂的日期 或者磁條形碼方面使用。依據(jù)本發(fā)明的測量裝置同樣可以在材料檢驗方面使用，例如像確 定缺陷部位、孔或者裂紋等。依據(jù)本發(fā)明的測量裝置同樣可以在生物芯片的磁性數(shù)組或者 所謂“片上實驗室(Lab-n-a-chip) ”工藝中，例如用于驗證磁珠或者用于數(shù)組靈敏度分布的 均勻化。


下面借助僅示出一個實施例的附圖對本發(fā)明進行詳細說明。其中圖1示出依據(jù)本發(fā)明的測量裝置俯視圖的示意圖；圖2示出依據(jù)本發(fā)明的測量裝置產(chǎn)生巨大作用控制場的控制場裝置結(jié)構(gòu)側(cè)視圖 的示意圖；圖3示出依據(jù)本發(fā)明的測量裝置產(chǎn)生局部限制在傳感元件上的控制場的控制場 裝置結(jié)構(gòu)側(cè)視圖的示意圖；圖4示出依據(jù)本發(fā)明的測量裝置產(chǎn)生局部限制在傳感元件上的控制場的控制場 裝置結(jié)構(gòu)側(cè)視圖的示意圖；圖5示出控制場裝置的剖面圖，其中示出在兩個傳感元件的區(qū)域內(nèi)單排設置控制 場磁鐵發(fā)散的場分布；以及圖6示出具有兩個控制場裝置設置的剖面圖，其中示出在兩個傳感元件的區(qū)域內(nèi) 雙排設置控制場磁鐵均勻、平行的場分布。
具體實施例方式依據(jù)本發(fā)明用于檢測測量裝置周圍磁性的測量裝置具有并排設置的磁阻效應傳 感元件1。傳感元件1設置在兩個彼此平行的行如、4b內(nèi)。單個磁阻效應的傳感元件1合 并在一個傳感芯片2上。傳感芯片2與外殼形成一個傳感器3，該傳感器設置在測量裝置未 詳細示出的支板上。依據(jù)本發(fā)明的測量裝置在圖1的圖示中具有至少兩個并排設置的芯片2。芯片2 這樣并排設置，使一個傳感器行如、4b內(nèi)所有傳感元件1的披此距離相同。
傳感器行的長度并因此磁阻效應傳感元件1的行取決于所要進行的檢測。特別是 所使用的傳感芯片2的數(shù)量取決于檢測任務，也就是基本上取決于所要檢測的對象的寬度 和傳感芯片2的尺寸。為檢測歐元紙幣，一個傳感器行例如可以具有10個以上，特別優(yōu)選 20個以上例如28個傳感元件1。圖2-4示出控制場裝置可能的結(jié)構(gòu)形式，利用該裝置可以產(chǎn)生磁場，該磁場具有 對著行方向上的磁場分量，其場強在行方向上的傳感器行內(nèi)變化。在圖2-4中，線段E代表 設置傳感元件1垂直于圖平面的平面。平面E上未詳細示出的傳感元件1形成從右到左分 布的傳感器行?？刂茍鲅b置通過多個磁鐵5形成，這些磁鐵在圖2-4所示的實施方式中設置在平 面E的下面，下面與檢測期間檢測對象所處的測量裝置的區(qū)域相關(guān)(在圖2-4的圖示中并 在圖2-4的實施例中該區(qū)域處于平面E的上面)。在圖2所示的實施方式中，磁鐵5相同定向。磁鐵的各自北極對著上面。正如從 圖2所示的場線中可看到的那樣，支承場此外從極向上擴展。在此方面，在各自極的中心垂 直向上定向。由于設置對稱，控制場在兩個磁鐵5之間的中心線上也垂直向上定向，而兩個 磁鐵5之間的極中心與中心線之間則具有與垂直向上的方向不同的方向并因此具有對著 行方向其場強不同于零的磁場分量。行方向上的這種對著行方向的磁場分量的分布在圖2 中所包含的圖示中示出。在該圖示中，為更好定向圖示中作為矩形代表示出傳感元件。在圖3所示的實施方式中，磁鐵5交變定向。正如從圖3所示的場線可看到的那 樣，控制場在各自極的中心垂直向上擴展。各自的極中心與各自相鄰極的中心之間，控制場 以圖3所示的方式擴展。因此控制場具有對著行方向其場強不同于零的磁場分量。行方向 上這種對著行方向的磁場分量的分布在圖3中所包含的圖示中示出。在圖4所示的實施方式中，磁鐵5交變定向。正如從圖4所示的場線可看到的那 樣，控制場在各自極的側(cè)面垂直向上擴展。各自磁鐵5的各自極該側(cè)面與各自相鄰極的另 一側(cè)面之間，控制場以圖4所示的方式擴展。因此控制場具有對著行方向其場強不同于零 的磁場分量。行方向上這種對著行方向的磁場分量的分布在圖4中所包含的圖示中示出。正如從圖2-4所示的圖示中可看到的那樣，控制場裝置在傳感器行^、4b的區(qū)域 內(nèi)產(chǎn)生在行方向上可變的周期性磁場。可以看出，行方向上的場強分布在傳感元件1邊緣 的區(qū)域內(nèi)，既沒有過零點，也沒有最大值或者最小值。在圖2-4所示的實施方式中，場強分 布在一個傳感芯片的中心具有最大值或最小值并在兩個傳感芯片之間具有過零點。圖5和6示出通過在傳感器行內(nèi)平行設置兩排控制場磁鐵5產(chǎn)生更加均勻場的情 況。圖5所示的控制場裝置由一排單個的控制場磁鐵組成，其中，在圖5的圖示中磁鐵排垂 直于圖平面延伸。圖5和6所示的結(jié)構(gòu)形式具有兩個垂直于圖平面延伸平行并排設置的傳 感器行。借助圖5所示的場線可以看出，控制場在傳感器行的平面上在所示的傳感元件內(nèi) 具有場分量，其在圖5和6的圖示中對著右側(cè)或左側(cè)。依據(jù)圖6所示的優(yōu)選實施方式具有 兩個彼此平行定向的控制場裝置。借助圖6所示的場線可以看出，控制場在傳感器行的平 面上所示的傳感元件內(nèi)基本上僅具有一個垂直于傳感元件平面的場分量。
權(quán)利要求
1.一種用于檢測測量裝置周圍磁性的測量裝置，具有傳感器行和產(chǎn)生磁控制場的控制 場裝置，所述傳感器行由至少兩個設置于在一個行方向上延伸的行中的磁阻效應傳感元件 (1)組成，磁控制場具有指向行方向的磁場分量，所述磁場分量的場強在行方向上變化，其 中，行方向上的這種場強分布在形成傳感器行的傳感元件(1)的至少兩個在行方向上依次 設置的傳感器邊緣上沒有過零點和/或沒有最大值或最小值。
2.按權(quán)利要求1所述的測量裝置，其特征在于，行方向上的場強分布在形成傳感器行 的傳感元件(1)的每個傳感器邊緣上沒有過零點和/或沒有最大值或者最小值。
3.按權(quán)利要求1或2所述的測量裝置，其特征在于，控制場是不隨時間變化的。
4.按權(quán)利要求1-3之一所述的測量裝置，其特征在于，行方向上的場強分布至少具有 兩個最大值和一個最小值。
5.按權(quán)利要求1-4之一所述的測量裝置，其特征在于，行方向上的場強分布在行的區(qū) 域內(nèi)為周期性的。
6.按權(quán)利要求1-5之一所述的測量裝置，其特征在于，行方向上的場強分布在至少一 個傳感元件(1)的中心對于其在行方向上的空間延伸具有最大值或者最小值。
7.按權(quán)利要求1-6之一所述的測量裝置，其特征在于，控制場裝置具有一行并排設置 的磁鐵(5)，其中，磁鐵(5)的磁化與其相鄰磁鐵(5)的磁化相反。
8.按權(quán)利要求1-6之一所述的測量裝置，其特征在于，控制場裝置具有一行并排設置 的磁鐵(5)，其中，磁鐵(5)的磁化平行于其相鄰磁鐵(5)的磁化。
9.按權(quán)利要求7或8所述的測量裝置，其特征在于，磁鐵( 直接彼此鄰接。
10.按權(quán)利要求7-9之一所述的測量裝置，其特征在于，所述一行并排設置的磁鐵(5) 相對于傳感器行被設置為使得磁鐵向相鄰磁鐵的過渡不設置在至少一個傳感元件(1)對 于其在行方向上的延伸的中心上。
11.按權(quán)利要求1-10之一所述的測量裝置，其特征在于，使用具有局部變化的磁化分 布的磁鐵，尤其使用具有局部變化的磁化分布的單個磁鐵。
12.按權(quán)利要求1-11之一所述的測量裝置，其特征在于，控制場裝置具有永久磁鐵。
13.按權(quán)利要求1-12之一所述的測量裝置，其特征在于具有至少兩個并排設置的傳感 器行。
14.按權(quán)利要求1-13之一所述的測量裝置，其特征在于具有至少兩個并排設置的控制 場裝置。
15.按權(quán)利要求1-14之一所述的測量裝置，其特征在于具有至少兩個依次設置的傳感 器行。
16.按權(quán)利要求1-15之一所述的測量裝置，其特征在于，傳感元件(1)被設置為使得傳 感器信號由在傳感元件(1)近區(qū)內(nèi)產(chǎn)生的局部的場梯度確定，但不由均勻場確定。
17.按權(quán)利要求1-16之一所述的測量裝置，其特征在于，行方向上的場強分布在至少 一個傳感元件上通過直接安裝在設置有傳感元件的芯片上的磁鐵產(chǎn)生。
18.按權(quán)利要求1-17之一所述測量裝置的一種制造方法，其中，具有一行并排設置的 磁鐵的控制場裝置相對于傳感器行定向，其特征在于，將導電體設置在傳感器行的附近，其 中，導電體被構(gòu)成為使得其在電流通過時產(chǎn)生一個場，該場在傳感器行的傳感元件中產(chǎn)生 取決于控制場裝置的位置、與傳感器行相對于第一附近的導電體的位置無關(guān)的信號。
全文摘要
用于檢測測量裝置周圍磁性的測量裝置，具有由至少兩個向一行方向延伸的行設置的磁阻效應傳感元件組成的傳感器行和一個產(chǎn)生磁控制場的磁控制場裝置，磁控制場具有對著行方向的磁場分量，其場強在行方向上變化，其中，行方向上的這種場強分布在形成傳感器行的傳感元件至少兩個在行方向上依次設置的傳感器邊緣上沒有過零點和/或者最大值或者最小值。
文檔編號G07D7/04GK102099702SQ200980128084
公開日2011年6月15日 申請日期2009年7月17日 優(yōu)先權(quán)日2008年7月17日
發(fā)明者A·巴托斯, A·麥森博格 申請人:米斯德國有限公司