專利名稱：訪問包含認證私密鑰的集成電路的方法和系統(tǒng)的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及電子集成電路的領域，并且更為特別地涉及訪問這樣的集成電路的方法和系統(tǒng)。
背景技術：
如今，電子集成電路在許多電子裝置中使用。已知地尤其是形成智能卡的電子芯片、存儲卡、U盤等的集成電路。集成電路制造通常在第一制造工場或單元(通常是工廠)中進行，其中電路在硅晶片(或wafer)上制作。繼而當電路需要進行定制或預定制時，該操作在第二定制工場或單元(或多個其它工場)中實施，其中，鑒于其需要執(zhí)行的功能如此制作的集成電路通過數(shù)字數(shù)據(jù)進行(預)定制。在本文獻的下文中，術語“定制” 一般性地被理解為由微電路板工業(yè)領域中的技術人員通常所采用的術語，或如由W. Rankl和W. Effing在文獻“智能卡手冊，第二版，Ed. John ffiley&Sons, Ltd”中以如下的方式定義的術語“術語定制，在其廣義上意味著卡或個人所特定的數(shù)據(jù)被輸入卡中。這些數(shù)據(jù)可以例如是姓名、地址，也可以是與卡相關的密鑰。唯一重要的事情是這些數(shù)據(jù)對于該卡是特定的。”推而廣之，集成電路的預定制在于一些相似操作，除了輸入這些集成電路中的數(shù)據(jù)對于一批次或一類型的裝置(例如智能卡)是共同的以外。這例如涉及包含在只讀存儲器ROM中的程序配置數(shù)據(jù)，其旨在確定與相同批次或相同類型的裝置的所有集成電路所共有的性能或運行。出于安全的原因，當集成電路離開制造工場時，集成電路應當包含每個集成電路所特有的稱為傳輸密鑰的密鑰，以預防各種不期望的對集成電路所包含的存儲器的訪問， 存儲器通常是EEPROM(" Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory"，也就是電可擦可編程只讀存儲器)。該傳輸密鑰因而在通過訪問這些存儲器以進行集成電路預定制或定制之前的認證控制時被使用。該傳輸密鑰因而可被視作是認證密鑰。圖1示出在基于集成電路生產(chǎn)電子智能卡的生產(chǎn)過程中的不同參與對象。如在圖2上示意性地示出的，智能卡CP通常包括塑料材料制的卡體⑶，卡體接納基于CI集成電路10構建的模塊。該集成電路包括處理器或微控制器11，以及可錄的非易失性存儲器12、RAM類型的易失性存儲器13、非可錄的非易失性存儲器ROM 14和通信接口 19，通信接口 19允許在處理器和智能卡外部之間交換數(shù)據(jù)和還允許對智能卡供電，例如根據(jù)IS0/IEC 7816標準的電觸點或符合IS0/IEC 14443標準的非接觸式接口。存儲器和通信接口通過微控制器進行管理并且是微控制器可訪問的(根據(jù)情況， 在讀取和/或?qū)懭霑r)?；氐綀D1，申請者100、例如智能卡制造商，根據(jù)智能卡中的期望功能，求助于集成電路制造商200(或創(chuàng)建者)和集成電路的(預)定制公司300。從如信息處理的物理觀點看，制造工場200是高安全等級的環(huán)境，以便保證基于硅晶片1或wafers的集成電路10的整合制造。在申請者處，用于集成電路的硬件安全模塊HSM( “ Hardware Security Module" )110被設置用于生成制造商密鑰MSK(“Manufacturer SecretKey")，下文中其被稱為根密鑰或主密鑰(root key)。這些根密鑰因而通過加安全的訪問、例如經(jīng)加安全的因特網(wǎng)被傳輸給制造工場200和(預)定制工場300。在創(chuàng)建者200處，也存在硬件安全模塊HSM 210，用于接收這些根密鑰MSK和安全地將其傳送給制造鏈的其余部分。所述制造鏈包括集成電路的控制和編程模塊220、和集成電路10的編程頭230。如在下文中將看見的，編程頭230還包括在初始測試時供電給集成電路10的供電部件(未顯示)°當然，制造操作和(預)定制操作可由同一家公司進行，制造和(預)定制單元可在同一工廠中，但是在不同的兩個操作區(qū)域內(nèi)。對于接下來的描述，將主要描述集成電路10的定制。但是本發(fā)明適用于其它操作，例如預定制操作。圖3示出智能卡CP的傳統(tǒng)生產(chǎn)步驟。在初始步驟EO時，創(chuàng)建者200負責集成電路10的硬件制造、因而參照圖2在前文中列舉的不同器件的制造。特別地，集成電路不同層的圖紋(dessin)制作非可錄的非易失性存儲器(ROM) 14，以使得其包括代表用于集成電路運行的基礎程序指令的數(shù)據(jù)，基礎程序指令例如引導(boot)程序的數(shù)據(jù)和能夠處理APDU(英語術語“Application Protocol Data Unit (應用協(xié)議數(shù)據(jù)單元)”)控制命令的操作系統(tǒng)OS的數(shù)據(jù)，如在下文中所述。在第一步驟El時，在智能卡制造商100處，通過HSM模塊110生成密鑰MSK，例如 8字節(jié)或16字節(jié)。在步驟E2時，通過加安全的因特網(wǎng)，密鑰MSK被傳輸給創(chuàng)建者200和定制工場 300，并且更為確切地被傳輸給HSM模塊210和310。在制造工場200處，電子集成電路10在晶片1(步驟E0)上制作。每個晶片屬于一批次的編號IDltrt的晶片，并且包括識別號IDwafw。在晶片上實現(xiàn)的每個集成電路此外可通過其在晶片上的位置(X。teuit、Y。teuit)進行識別或者包括在該批次或晶片上的電路號ID。teuit。在步驟E3，對于實現(xiàn)的每個集成電路IOi,已接收密鑰MSK的HSM模塊210通過利用每個電子電路IOi的唯一一個識別數(shù)據(jù)或唯一一個序列號IDi的所接收密鑰MSK的分散化(diversification)，來生成傳輸或認證私密鑰MSKDitl分散化的概念已充分地為本領域技術人員所熟知，并且不再進行細述。僅僅作為說明，可通過借助對稱算法例如MSKDi =AESdDi, MSK)對唯一識別數(shù)據(jù)IDi和根密鑰MSK 應用加密操作，來生成傳輸或認證私密鑰MSKDi。一旦集成電路IOi的晶片1被制出，編程模塊220在步驟E4控制編程頭230，用以在每個集成電路IOi的例如EEPROM類型的可錄的非易失性存儲器12中寫入-可例如包括集成電路類型、制造工場識別碼IDsite和識別碼IDltrt、IDwafer和 IDcdrcuit (或Xctouit、Yctouit)中所有或部分的集成電路唯一識別數(shù)據(jù)IDi,-該集成電路IOi特有的和在步驟E3時生成的傳輸/認證密鑰MSKDitl圖2示出在該步驟后的集成電路的狀態(tài)。
因此，編程頭230包括直接訪問存儲區(qū)域12的訪問部件，用于寫入這些各種的數(shù)據(jù)，例如通過在存儲器的物理端子上的直接接觸。這里“直接訪問”意指這樣的事實既不經(jīng)過集成電路的處理器也不經(jīng)過集成電路的正常通信接口來進行訪問(通常根據(jù)IS0/IEC 7816標準的電觸點)。當處理器11的操作系統(tǒng)包括探測與密鑰相關的異常情況或攻擊的探測部件時， 該直接訪問顯得有效，通常就是這種情形。實際上，在此情形下，如果在其傳輸或認證密鑰 MSKDi被存儲在非易失性存儲器上之前使處理器通電，則由于缺少密鑰立即探測到異常情況/攻擊，并且該探測引起集成電路運行停止，而這不是所述情形。需要注意的是，當編程模塊220期望執(zhí)行步驟E4的操作時，正是該編程模塊220 來控制HSM模塊210以執(zhí)行步驟E3的生成。繼而在步驟E5，創(chuàng)建者200在日志(數(shù)字文件或“l(fā)og”)中存儲所有使用的密鑰 MSKDi和相關電路的唯一識別數(shù)據(jù)IDi。該日志尤其以加密的方式被存儲在編程模塊220處， 或作為變型，被存儲在HSM模塊210中。在集成電路的(預)定制時出現(xiàn)問題的情況下，該日志尤其允許保存已被卸載的傳輸或認證密鑰MSKDi的軌跡，用于如果定制時不能再找到密鑰MSKDi來排除故障或需要時避免需丟棄電路。在該步驟結束時，集成電路10的編程已經(jīng)實施。然而已知進行供電測試E6，以驗證每個電路的良好的電力運行。該測試包括步驟E60，在該步驟的過程中，帶饋電頭的控制模塊(這可以是與配有其編程頭230的編程模塊220相同的模塊)與通信接口的正常的外部電觸點相連接，并通過給其應用第一供電模擬信號使集成電路IOi通電。因而在步驟E65，根據(jù)標準IS0/IEC 7816，電路IOi通過ATR消息("Answer To Reset (重置響應)”)響應通電。在IS0/IEC 14443標準(非接觸式卡)的范圍內(nèi)，該響應以ATS( "Answer To Select (選擇響應)”)消息的形式進行。如果集成電路返送符合ISO 7816標準的ATR消息并且如果其內(nèi)容是正確的，也就是控制模塊GIHiES)所期望的消息內(nèi)容，那么該集成電路1(^被視作是相符的(步驟E9)。否則(例如，在通常大約10到20微秒的時限內(nèi)沒有接收到任何響應)，集成電路被視作是有缺陷的和被廢棄(步驟E10)。在此情況下，集成電路可被標注為有缺陷的(通過控制模塊記錄在儲存器中或在步驟E5設置的日志中的等同寫入)。在該測試后，集成電路IOi離開制造工場，同時在存儲器上具有唯一的識別數(shù)據(jù) IDi和每個集成電路特有的傳輸/認證密鑰MSKDit5這些集成電路繼而或以完整晶片的形式或以通過晶片1切割已個體化形式，被交付給定制工場300(步驟Ell)。在步驟E12，所接收的集成電路如果需要從所接收的晶片中切割出，繼而例如被安裝在圖紋(vignette)上用以形成智能卡模塊，最后插入符合ISO 7816標準的卡體CO中以便產(chǎn)生智能卡。當然，實施相同方法，通過將集成電路安裝在非接觸式卡的模塊上用于生產(chǎn)非接觸式卡(“contactless”或“eCoveH易通維)”——商品名)，或通過選擇需要接納集成電路的裝置主體，用以生產(chǎn)其它便攜式裝置或袖珍裝置如存儲卡(SD或Flash)或U盤。繼而通過定制模塊/裝置320進行對智能卡的定制和因而其所包含的集成電路的定制，以符合所期望的功能。該定制在步驟E13包括智能卡CP與具有根密鑰MSK的訪問和定制裝置310/320 之間的認證。該認證的目的在于授權或不授權數(shù)據(jù)在集成電路IOi的EEPROM類型的非易失性存儲器中的寫入。該認證尤其是經(jīng)通信接口 14、例如經(jīng)根據(jù)ISO 7816標準的電觸點通過與集成電路IOi的通信實施。作為非限定性的說明，通過質(zhì)詢-響應算法的認證可被實施，以通過訪問或定制裝置對智能卡CP進行認證。通過智能卡CP對訪問或定制裝置的相似認證也被設置用于獲得這兩個裝置的交互認證。通過訪問或定制裝置對智能卡CP的認證可包括-由訪問或定制裝置向待定制卡發(fā)送APDU控制命令類型的第一數(shù)字認證控制命令，將合適規(guī)模的質(zhì)詢c (典型地隨機數(shù)字)傳輸給集成電路IOi (步驟E130)。在該階段， 該APDU控制命令構成所制造的智能卡通常接收的整個第一數(shù)字信號；-由卡的集成電路IOi計算響應resl，該響應對應于通過其特有的傳輸或認證密鑰MSKDi (步驟E134)對質(zhì)詢c的加密(例如通過應用DES或AES類型的對稱算法)；-將伴有卡的唯一識別數(shù)據(jù)IDi的響應resl發(fā)送給訪問或定制裝置(步驟E135)；-由訪問或定制裝置計算被認為由其接收的響應res2，■借助于同樣被接收的對應于該卡的唯一識別數(shù)據(jù)IDi,首先產(chǎn)生所持有的根密鑰MSK (從步驟E2)，用以獲得與該智能卡CP相關聯(lián)的(或更為特別地與該卡的集成電路相關聯(lián)的)傳輸/認證密鑰=MSKDi-- = AESdDi, MSK)(步驟E136)；然后■以與計算res 1相似的方式、但這次使用密鑰MSKDhaleul6e，借助該密鑰計算 res2 ；禾口-在兩個值resl和res2之間進行比較，以驗證或不驗證所述認證(步驟E137)。訪問或定制裝置通過智能卡CP進行的認證是相類似的，只是顛倒角色第一控制命令APDU允許智能卡CP生成一隨機數(shù)c，隨機數(shù)c因而被傳輸給訪問或定制裝置。在有效交互認證的情況下，智能卡CP的集成電路的定制E14因而通過定制裝置實施。否則定制不被允許。這種定制可在于在集成電路的非易失性存儲器12中存儲軟件指令，以使得智能卡提供“服務”(電子錢包、客票、護照等)。該定制還是如在文獻US 2007/095927中所描述的，在其中設置要定制加密的且無認證的密鑰，用于保證在智能卡的發(fā)送器和包括該智能卡的裝置之間通信安全。該密鑰的定制尤其包括兩個分散化子步驟，分散化子步驟之一產(chǎn)生主密鑰和另一個分散化子步驟產(chǎn)生電路密鑰。在如上所述的過程中，需要訪問集成電路的產(chǎn)品工場因而知曉根密鑰MSK，根密鑰通過智能卡100的申請人或制造商通知。自該相同的根密鑰MSK被使用于訪問大量的其它集成電路/智能卡的定制數(shù)據(jù)時起，這種知曉會尤其是就安全性而言形成一弊端。此外，在文獻US 2007/095927中的密鑰管理要求一附加的傳輸密鑰(transfer key)的通知，以及發(fā)送器的起始值(issuer seed)，這使管理過程變得復雜。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明旨在改進對集成電路進行訪問的安全性，尤其是關于根密鑰MSK的管理， 所述根密鑰MSK對地大批量制造的集成電路的是共同的，且被使用于生成這些集成電路特有的傳輸/認證私密鑰。 在該規(guī)劃中，本發(fā)明尤其涉及訪問集成電路的訪問方法，所述訪問包括一認證步驟利用訪問裝置，通過使用所述集成電路特有的并存儲在該集成電路中的認證私密鑰，對所述集成電路進行認證，所述認證私密鑰通過分散化根密鑰生成，其特征在于-通過分散化所述根密鑰的生成方法實施至少兩個分散化密鑰的步驟，并且-所述訪問裝置從中央工場接收一中間密鑰，所述中間密鑰產(chǎn)生于分散化所述根密鑰的第一步分散化驟。根據(jù)本發(fā)明，訪問裝置，在上述示例中尤其是代表智能卡的定制工場，不再接收根密鑰，不過接收在集成電路特有的認證私密鑰的生成中產(chǎn)生的中間密鑰。這通過使分散化根密鑰的分解——分解為至少兩個分散化密鑰的步驟——變得可能，尤其在一意義上是這些連續(xù)的步驟的組成部分，該意義是通過這些步驟之一產(chǎn)生的中間密鑰被使用作為輸入的，用于下述的步驟。與知曉根密鑰相關的不安全性因而被消除。特別是，用于每個分散化步驟的應用標準的合適選擇允許，對于一定數(shù)量上或多或少有限制的集成電路，獲得可操作的中間密鑰，如在下文中將可以看到的。此外，這種對集成電路的訪問可嵌入進該集成電路的定制過程中，甚至嵌入進包括初始定制的該集成電路的生產(chǎn)過程中。特別地，所述訪問裝置對所述接收的中間密鑰實施第二分散化步驟，以獲得用于對所述集成電路進行認證的所述認證私密鑰。因而知曉認證私密鑰，訪問裝置可進行認證， 以例如訪問集成電路的非易失性存儲器，來對其進行定制。在一實施方式中，所述認證私密鑰通過基于所述集成電路的唯一序列號(或唯一識別數(shù)據(jù))分散化所述根密鑰的方式獲得。根據(jù)一特征，所述第一分散化步驟包括基于所述集成電路的唯一序列號的第一子部分分散化所述根密鑰的操作。根據(jù)第一子部分的選擇，對于制造的集成電路的子集，該布置允許獲得可操作的中間密鑰。因此可將一中間密鑰與對制造的集成電路的一子集進行操作的第三方進行對應。該第三方因而不知曉根密鑰和/或其它中間密鑰，所述密鑰對于集成電路是可操作的，該第三方并不操控集成電路。特別地，所述序列號的所述第一子部分對于多個集成電路是共同的。其可例如包含在之上建立集成電路的晶片的批次號或晶片號的信息。因而其涉及共同制造的集成電路的批次。生成的中間密鑰因而對應該批次晶片或該特定的晶片。根據(jù)另一特征，第二分散化步驟包括基于所述集成電路的唯一序列號的第二子部分分散化所述中間密鑰的操作。特別地，所述唯一序列號的所述第二子部分包含從所述第一子部分識別的所述多個集成電路內(nèi)識別所述集成電路的識別信息。其可例如涉及集成電路在晶片上或在晶片批次中的位置。因而對于制造的每個集成電路，個體化認證密鑰。
特別是，序列號的所述第一和第二子部分在所述唯一序列號中是補充的。在一實施方式中，所述方法包括在制造工場制造所述集成電路的制造步驟，和通過所述制造工場，接收來自所述中央工場的所述根密鑰或所述中間密鑰的接收步驟，和所述制造包括借助于所述分散化步驟，通過所述根密鑰或中間密鑰的分散化生成所述認證私密鑰的生成步驟，和所述認證私密鑰在所述集成電路的非易失性存儲器中的記錄步驟。因此，在離開制造工場時，所有集成電路包含其特有的認證密鑰。在一變型中，所述方法包括在制造工場制造所述集成電路的制造步驟，和通過所述制造工場，接收來自所述中央工場的所述根密鑰或所述中間密鑰的接收步驟，和所述制造包括將所述根密鑰或所述中間密鑰記錄在所述集成電路的非易失性存儲器中的記錄步驟。該布置允許簡化與通過集成電路的創(chuàng)建者/制造商實施的密鑰相關聯(lián)的操作，這是因為創(chuàng)建者/制造商不再管理每個電路特有的認證私密鑰，和對于同時制造的或多或少而言大量的集成電路，今后僅操作單一密鑰，根密鑰。因此對于創(chuàng)建者而言，操作成本和與密鑰操作相關聯(lián)的風險都得到降低。此外，步驟E5的日志管理明顯地得到簡化。根據(jù)一特征，所述方法包括一生成步驟，其在于在所述集成電路內(nèi)并在響應通過所述集成電路接收的第一信號時，通過分散化所述記錄的密鑰生成所述認證私密鑰。當然，該分散化實施兩個分散化步驟。此外，該內(nèi)部生成增強認證私密鑰的秘密性，這是因為其值不是外部機構已知的 (日志、創(chuàng)建者等)。所述方法此外包括以下步驟-刪除非易失性的存儲器的所述根密鑰；和-在集成電路的非易失性存儲器中記錄所述認證私密鑰。特別地，所述刪除通過在存儲器中粉碎由生成的認證私密鑰記錄的根密鑰來實施。認證密鑰的存儲允許在例如用于定制訪問集成電路時實施認證。至于粉碎，其保證在擁有該集成電路時，懷有惡意目的的人不能恢復需要時可被重新使用的根密鑰。在一實施方式中，認證私密鑰基于存儲在集成電路的所述非易失性存儲器中的集成電路的唯一序列號，通過分散化根密鑰獲得。需要注意的是，該序列號的記錄可在制造工場與根密鑰的記錄同時進行。因此，認證私密鑰的生成可獨立地通過集成電路本身進行，而不需要來自集成電路外部的信息。集成電路的唯一序列號可尤其包括所述集成電路在其上制作的一批次硅晶片或一硅晶片的識別碼，并包括在所述批次或晶片內(nèi)的所述集成電路的識別碼(識別碼或空間坐標)。在本發(fā)明的一實施方式中，所述第一信號是集成電路通電的第一模擬信號。其通常涉及在將付給定制工場前，通過在制造工場上由測試設備進行的首次測試通電，以了解是否集成電路是可運行的還是要被丟棄的。該布置允許在對集成電路進行各種干預前生成認證私密鑰。由于在制造工場上存在測試，因而該布置使得當集成電路被交付以便定制時，集成電路已經(jīng)包含其傳輸私密鑰，傳輸私密鑰對于每個集成電路是不同的。因此避免了僅知道根密鑰就能夠訪問具有公共根密鑰的所有卡。作為變型，所述第一信號是第一數(shù)字信號，即包含數(shù)字信息的信號。這允許僅僅當集成電路的數(shù)字處理部件(處理器或微控制器)被請求時生成認證私密鑰。一般性地，通過數(shù)字信號進行的該首次訪問在集成電路的首次定制嘗試時實施。因此，在該配置中，用于獲得認證私密鑰的對應根密鑰的(子)分散化的等待時長被移到制造工場之外。這允許避免在制造工場的各種等待。此外，考慮到模擬信號的處理(制造工場)比數(shù)字信號的處理(通常在定制工場) 更加簡短，因而由于這種數(shù)字信號的處理時限，該布置使認證密鑰的生成是準透明的。特別地，第一數(shù)字信號是第一控制指令，例如由訪問裝置發(fā)送的APDU類型的和例如在為集成電路定制的首次訪問嘗試時?？刂浦噶畹墓δ苡绕湓谟谕ㄟ^請求已經(jīng)存儲在集成電路中的一程序(例如操作系統(tǒng))來在集成電路上執(zhí)行一行動。根據(jù)一特定特征，本方法包括在集成電路接收到所述第一信號時在一次性可編程的非易失性存儲器(PR0M即“Programmable Read Only Memory”(可編程只讀存儲器)類型，或OTP即One Time Programmable ( 一次性可編程))中寫入指示第一信號已經(jīng)接收的信息的步驟。借助于該信息(例如通過特征位或各種其它二進制指示標)，集成電路以更小代價了解已經(jīng)實現(xiàn)了所述已記錄的密鑰的分散化，以獲得其認證私密鑰。該信息在一次性可編程的存儲器中的寫入還保證了 沒有任何惡意行動能夠引起集成電路重新實施所述已記錄的密鑰的分散化。因此，在此情形下，所述方法可包括這樣的步驟在接收到信號(與所述第一信號具有相同的屬性)時和在所述認證私密鑰的生成的啟動之前，確定指示第一信號已經(jīng)接收的信息在一次性可編程的非易失性存儲器中的存在。因此，如果傳輸從證私密鑰已經(jīng)被實現(xiàn)，則集成電路能夠有效地阻止認證私密鑰的新的生成。根據(jù)一特別的特征，第一信號已經(jīng)接收的信息的所述寫入在認證私密鑰記錄在集成電路的非易失性存儲器中的記錄步驟之后。該布置保護集成電路避免可能在通過分散化進行的內(nèi)部生成結束前集成電路供電斷開所產(chǎn)生的某些問題。實際上，首次訪問已經(jīng)實施的信息因而僅僅當認證私密鑰良好地被生成時才被寫入存儲器中。當然，可考慮一些變型，如該信息的寫入在通過分散化進行的生成之前進行。根據(jù)另一特征，所述集成電路將對所述第一信號的響應傳輸?shù)酵獠垦b置，并且這在認證私密鑰在集成電路的非易失性存儲器中的記錄步驟之后進行。當然，該外部裝置尤其是已經(jīng)生成集成電路的所述第一注意信號的裝置。當集成電路被使用時——例如用于執(zhí)行集成電路的第一次定制時，特別地可涉及所述訪問裝置。該布置允許根據(jù)通過分散化進行生成的步驟的成功與否來調(diào)整響應。因此，可能的錯誤可在外部裝置中回溯，以便例如使集成電路作廢。特別地，所述外部裝置在生成錯誤前的至少50ms (微秒)內(nèi)、尤其至少10ms、優(yōu)選至少250ms內(nèi)等待對所述第一信號的響應。通過分散化的生成導致相對于第一信號處理的附加處理時限。該布置因而保證這些生成時限在集成電路的測試和/或定制裝置處得以考
慮在一實施方式中，同一根密鑰或中間密鑰在制造工場處被記錄在于同一硅晶片上制作的多個集成電路中。該布置允許創(chuàng)建者即集成電路制造者對于同一硅晶片(wafer)或同一批次的所有電路，都只能操作較少數(shù)量的根密鑰/中間密鑰，甚至僅一個密鑰。需要注意的是，同一根密鑰/中間密鑰可被使用于整一個硅晶片批次。。此外，根密鑰或中間密鑰在非易失性存儲器中的記錄步驟可包括對所述非易失性存儲器的直接訪問的訪問步驟，即不需要經(jīng)過集成電路的傳統(tǒng)的通信接口或處理器；和在該直接訪問時將所述根密鑰寫入在存儲器中的寫入步驟。該直接訪問允許在如果集成電路被通電而未持有根密鑰和關于密鑰的異常情況的探測部配備在該電路上時，避免對異常情況的探測。根據(jù)其它的方面，認證步驟可包括-集成電路通過訪問裝置的認證；-訪問裝置通過集成電路的認證；或-集合兩種前述認證的交互認證。每個認證可是質(zhì)詢-響應類型的。特別是，所述方法可包括在與預定制和定制的工場相區(qū)別的工場處對多個集成電路進行定制的步驟。這些定制步驟先于認證步驟，在認證過程中通過向該集成電路發(fā)送控制命令獲得對應的集成電路的序列號，基于所述獲得的序列號對所述根密鑰進行分散化，并且基于此根密鑰在集成電路和定制裝置之間實施認證，優(yōu)選地是交互的認證。根據(jù)本發(fā)明的一特征，所述方法包括將所述集成電路安裝在符合標準ISO 7816 的卡體中。當然，集成電路還可安裝在符合標準ISO 14443的非接觸式裝置的模塊上。符合這些標準之一的裝置可尤其具有格式卡片ID1、生物統(tǒng)計學通行證、U盤、 micro SD類型的存儲器等的形式。根據(jù)本發(fā)明的另一特征，根密鑰的所述分散化使用哈希函數(shù)，例如SHA_256(“安全哈希算法”產(chǎn)生256比特的結果或哈希)。根據(jù)本發(fā)明的另一特征，所述集成電路在存儲器上包括所述認證私密鑰，并且所述認證步驟使用對稱密鑰的加密算法。當然，可設計使用不對稱密鑰的加密算法。根據(jù)本發(fā)明的另一特征，所述方法在所述集成電路的定制操作的過程中實施。相應地，本發(fā)明涉及訪問集成電路的訪問系統(tǒng)，其包括訪問裝置，所述訪問裝置配有認證模塊，所述認證模塊使用所述集成電路特有的并存儲在所述集成電路中的認證私密鑰認證所述集成電路，所述認證私密鑰通過分散化根密鑰生成，其特征在于-通過分散化所述根密鑰的生成方法實施至少兩個分散化密鑰的步驟，和-所述訪問系統(tǒng)包括一中央工場，所述中央工場能夠生成中間密鑰，所述中間密鑰產(chǎn)生于所述分散化根密鑰的分散化第一步驟，并且所述中央工場能夠?qū)⑺鲋虚g密鑰傳輸?shù)剿鲈L問裝置。所述系統(tǒng)具有與在上文展示的方法相似的優(yōu)點。
特別地，所述訪問裝置被配置用于通過對所述接收的中間密鑰應用第二分散化步驟，來生成所述認證私密鑰?？蛇x擇地，所述系統(tǒng)可包括參照在前文展示的方法的特征的部件，并且尤其是一制造單元、一定制和認證單元。特別地，制造單元可被配置以制造集成電路、接收來自中間工場的所述根密鑰或中間密鑰，并且在所述集成電路的非易失性存儲器中記錄所述根密鑰或中間密鑰。因此，集成電路可包括一模塊，其能夠響應接收的第一信號，來通過所述記錄的根密鑰或中間密鑰的分散化生成所述認證私密鑰。在此情形下，集成電路還可包括能夠記錄指示第一信號已經(jīng)接收的信息的部件， 并且該部件可包括一次性可編程的非易失性存儲器，并且被配置以在一次性可編程的非易失性存儲器中寫入所述信息。此外，所述集成電路可包括記錄部件，所述記錄部件通過在非易失性存儲器中粉碎所述記錄的根密鑰或中間密鑰的方式，記錄所述認證私密鑰。認證模塊例如在集成電路的非易失性存儲器的定制之前的認證期間是可運作的。


本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點還將在接下來的參照附圖示意表示的描述中進行展示， 附圖中-圖1示出根據(jù)現(xiàn)有技術的生產(chǎn)系統(tǒng)；-圖2示意性地示出根據(jù)現(xiàn)有技術的包含傳輸從證密鑰的智能卡中的集成電路；-圖3以邏輯圖的形式示出根據(jù)現(xiàn)有技術的智能卡或集成電路的生產(chǎn)步驟；-圖4示出根據(jù)第一實施方式實施本發(fā)明的生產(chǎn)系統(tǒng)；-圖5以邏輯圖的形式示出根據(jù)圖4的第一實施方式的智能卡或集成電路的生產(chǎn)步驟；-圖6和7示意性地示出在根據(jù)圖4的第一實施方式的集成電路生產(chǎn)中在兩個不同時刻的集成電路存儲器的狀態(tài)，分別在集成電路內(nèi)部生成傳輸或認證私密鑰之前和之后，-圖8示出根據(jù)第二實施方式實施本發(fā)明的生產(chǎn)系統(tǒng)；和-圖9以邏輯圖的形式示出根據(jù)圖8的第二實施方式生產(chǎn)智能卡或集成電路的生
產(chǎn)步驟。
具體實施例方式圖4和圖5示出本發(fā)明的第一實施方式，其仍采用與前文所述的與圖1和圖3相同的標記來表示相同的元件或相同步驟。在第一實施方式中，步驟El后跟隨步驟El'，在步驟El'的過程中，HSM模塊110 例如通過基于正在制造工場200構建的批次號IDlrt或晶片號IDwafw的根密鑰MSK分散化的第一步驟Si，同樣生成中間密鑰MSKL。如前文所述的，該批次號或晶片號構成集成電路IOi 的唯一識別數(shù)據(jù)或唯一序列號IDi的第一子部分。該子部分尤其是所有集成電路(相同批次或者相同晶片的集成電路)所共有的，并且為此，中間密鑰MSKL是該同一組集成電路所公共的。作為說明，該第一分散化步驟Sl可使用哈希加密函數(shù)，例如SHA-256，其具有快速執(zhí)行和難以探測的優(yōu)點。因此，基于簡單地級聯(lián)輸入哈希函數(shù)的16字節(jié)的根密鑰MSK和4 到8字節(jié)之間的批次號IDlot，獲得32字節(jié)的中間密鑰MSKL =MSKL = SHA-256 (IDlot | |MSK)。在步驟ΕΓ之后，步驟E2僅僅在于將根密鑰MSK傳輸給創(chuàng)建者200，繼而步驟 E2 ‘在于將中間密鑰MSKL傳輸給定制工場300。在該階段，因而可觀察到，定制工場300不知曉根密鑰MSK，這提高了對集成電路進行保護的安全性。步驟E2'后緊隨有步驟E4'，步驟E4'與圖3的步驟E4相似，不同之處僅在于記錄在集成電路IOi中的密鑰是所接收的根密鑰MSK。此外可以注意到，傳輸/認證私密鑰MSKDi的自動生成程序也被存儲在ROM存儲器14中，其在集成電路的物理設計EO時被設置。然而，需要注意的是，某些程序可通過部件220和230被輸入和存儲在非易失性存儲器12中。因此產(chǎn)生一些集成電路，其中的每個集成電路包括-其唯一的序列號IDi,例如其由子部分IDltrt(或IDwafJ和IDctouit組成；-根密鑰MSK。因而在該階段注意到，所有集成電路在存儲器上具有相同的根密鑰MSK。因此， 創(chuàng)建者100僅操控該根密鑰，而不需要生成每個集成電路的私密鑰也不需要生成中間密鑰 MSKL0對于創(chuàng)建者，較難處理的步驟E3因而被消除。其處理因而得到加速，尤其降低了與密鑰操控相關聯(lián)的錯誤風險。圖6示出在該階段非易失性存儲器12的狀態(tài)。接下來的步驟E5此外被簡化，因為步驟E5不再需要寫入私密鑰MSKDi,僅僅序列號IDi被存儲。然后在基本對應步驟E6的步驟E6'，當集成電路首次被通電(E60)時，其自動地啟動通過處理器11運行(E61 ‘)傳輸/認證私密鑰MSKDi的自動生成程序。該生成計算例如在于在基于唯一序列號IDi的相繼兩個分散化步驟Sl和S2使根密鑰MSK分散化，這兩個信息(根密鑰和序列號)被記錄在處理器11訪問的非易失性存儲器12中。如前文所述，第一步驟Sl在于基于存儲器上的根密鑰MSK獲得中間密鑰MSKL， 例如MSKL = SHAjSeaDlrt I | MSK)。然后第二步驟S2在于基于在該批次中或該晶片上(或坐標X。_it、Ycircuit)的集成電路號ID。ircuit(4到8字節(jié)之間)使中間密鑰MSKL分散化。作為說明，可簡單地將IDcdrcuit與中間密鑰MSKL進行級聯(lián)，并對所獲得的數(shù)值應用哈希函數(shù) SHA-256 =MSKDi = SHA-256 (IDcircuit MSKL)?？梢宰⒁獾?，哈希函數(shù)如SHA-256的使用的優(yōu)點在于簡化用于形成這些函數(shù)的輸入字的處理沒有截取，單一級聯(lián)(這里由符號“I I”表示)是有效的，因為哈希函數(shù)可接收可變長度的輸入數(shù)據(jù)。此外，哈希函數(shù)SHA-256的優(yōu)點在于生成32字節(jié)的傳輸/認證私密鑰，這對應于可使用于認證E13的算法AES用的密鑰的尺寸。特別是，根據(jù)認證算法，將使用這樣生成的私密鑰的字節(jié)的全部或部分對于3DES或AES-U8類型的算法，私密鑰MSKDi的僅僅前16 個字節(jié)將被使用；對于AES-192類型的算法，私密鑰MSKDi的僅僅前M個字節(jié)將被使用；和對于AES-256類型的算法，私密鑰MSKDi的32個字節(jié)將被使用。在步驟E61'之后，處理器在非易失性存儲器12中記錄(E62')這樣生成的私密鑰MSKDi,來替代根密鑰MSK。為避免懷有惡意目的的人可訪問到根密鑰，該操作通過利用新的私密鑰MSKDi覆蓋根密鑰MSK來實施。繼而，處理器在一次性可編程的非易失性存儲器15(圖6)中寫入指示私密鑰 MSKDi的生成已經(jīng)發(fā)生的特征位150(flag，例如比特)(步驟E63')，存儲器15還已知為術語“PR0M存儲器”即!Programmable Read Only Memory (可編程只讀存儲器)、或“OTP存儲器”即One Time Programmable ( 一次性可編程)。但是，OTP存儲器15可以是非可錄的非易失性存儲器ROM 14的一部分。這種OTP存儲器15，例如通過熔絲的不可逆的焙燒，避免對信息150的各種修改， 因此對于知曉是否私密鑰MSKDi已被良好生成而言保證了安全性。尤其是在集成電路的每次通電時(例如在私密鑰的自動生成程序運行開始時)驗證該信息在OTP存儲器15中的存在與否，以確定是否涉及電路的首次通電，在電路首次通電的情況下，私密鑰MSKDi的生成需要如前所述那樣實現(xiàn)，或者以確定是否涉及以后的通電，在這種情況下，該私密鑰的生成程序的運行被阻止。因此，特征位150指示第一通電信號已被接收。在該實施方式中，步驟E63'在生成步驟E61'之后，因而使集成電路安全防護于在分散化生成E61'結束之前可能斷電會導致的一些問題。實際上，在此情形下，沒有適當?shù)卦诖鎯ζ?5中指示私密鑰MSKDi已經(jīng)生成。下一次通電E61因而將重新啟動該生成。但是作為變型，步驟63'可在步驟E61'之前或同時發(fā)生。在這些步驟之后，實施步驟E65，步驟E65和與參照圖3描述的步驟相似。如果需要，該步驟順序允許在對通電的響應(在設置用于符合IS0/IEC 7816標準的接觸式裝置的集成電路的情形中是ATR，在設置用于符合IS0/IEC 14443標準的非接觸式裝置的集成電路的情形中是ATQ中指示在通過分散化生成私密鑰時產(chǎn)生錯誤或異常。探測智能卡程序運行中的錯誤的探測部件因而被設置在集成電路IOi中。因此在測試E8時探測到錯誤或異常的指示，以廢棄集成電路IOit5但是作為變型，步驟E61'、E62'和E63'的全部或部分可在步驟E65后實施。由于在集成電路IOi中生成私密鑰MSKDi所需的時間(取50ms到500ms之間，通常在100ms到200ms之間)，控制模塊220被配置成在測試E8時等待足夠長的時間以允許私密鑰的完全生成。因此，該控制模塊被配置成在生成錯誤前等待對通電的響應ATR/ATS至少 50ms (微秒)，尤其至少100ms，優(yōu)選至少250ms甚至500ms。在大多數(shù)情況中，等待將不大于1秒、甚至500ms。因而可以觀察到，該等待明顯大于用于常見的對通電響應的等待。步驟E9、E10、E11和E12與前文所描述的那些步驟相同。圖7示出在交付Ell時集成電路IOi的狀態(tài)存儲器12包括私密鑰MKSDi,但不再有根密鑰MSK，并且OTP存儲器15包括特征位150。認證步驟E13'與前文所述的步驟E13相似，不同之處只在于包括通過定制裝置計算私密鑰的MSKDiL16e的子步驟E136'是不同的。實際上，定制工場300已經(jīng)僅接收了中間密鑰MSKL (步驟El')，該計算操作包括基于針對智能卡CP所獲得的電路號IDctouit對所接收的中間密鑰MSKL實施如前所述的第二分散化步驟 S2，以獲得所述私密鑰 MSKDhaleuwe =MSKDi^calcuwe = SHA-256 (IDcircuit MSKL)。優(yōu)選地，在定制裝置和集成電路之間進行交互認證。因而可以觀察到，認證可被實施，而定制裝置320并不知道產(chǎn)生不同集成電路的私密鑰MSKDi的根密鑰MSK。與了解根密鑰相關的不安全性因而被消除。此外，應用于每個分散化步驟Sl或S2的標準的適當選擇，允許對于或多或少有限數(shù)量的集成電路而言獲得可操作的中間密鑰。尤其是，提供給300的中間密鑰MSKL可僅僅涉及300所處理的集成電路，例如僅僅交付其識別碼IDltrt或IDwafe用于該告知的中間密鑰 MSKL的生成El'的批次或晶片。接下來的定制E14仍是傳統(tǒng)的。圖8和9示出本發(fā)明的第二實施方式，其中與前文所述標記相同的標記涉及相同的元件或相同的步驟。該實施方式與第一實施方式的不同之處在于集成電路IOi內(nèi)部的私密鑰MSKDiW 生成是在集成電路IOi接收E130到第一有效控制命令、即接收到數(shù)字信號——在本例中是 APDU控制命令時實施。編程模塊220仍在集成電路IOi的非易失性存儲器12中寫入(E4')根密鑰MSK 和序列號IDi。繼而，供電測試E6與圖3的測試相似。在交付Ell時，存儲器12因而包含根密鑰MSK但沒有私密鑰MSKDi,并且在OPT存儲器15中沒有特征位150 (圖6)。認證E13"的不同之處在于在接收E130整個第一控制命令APDU時，傳輸/認證私密鑰MSKDi的自動生成程序的運行在集成電路IOi內(nèi)部啟動(E131")。當然，可應用在接收到“第一”控制命令時就啟動的其它啟動標準，例如接收能引起處理器11執(zhí)行一動作的第一有效控制命令，或接收在控制命令類別中或在預定的控制命令列表中的第一控制命令。步驟E132"和E133"分別地與前文所述的步驟E62 ‘和E63'相似，它們在接收到控制命令時引起在啟動私密鑰MSKDi生成的運行E131"之前，對存儲器15上是否存在特征位150進行驗證。后序步驟E134、E135、E136'、E137和E14保持不變，允許集成電路IOi的認證和定制。該集成電路在定制步驟E14前的狀態(tài)與圖7上所示的狀態(tài)相同。與第一實施方式相類似地，步驟E131"、E132〃、E133"的順序可以更改，當然步驟E135在響應中提供基于在步驟E131 “生成的私密鑰MSKDi計算出的值resl。此外，在認證E13"時，定制裝置320被配置成在生成錯誤消息或發(fā)送新的控制命令APDU之前，等待集成電路IOi能生成私密鑰MSKDi所必需的時間，即通常為至少50ms，甚至 100ms、250ms 或 500ms。但是可以注意到，這類裝置320的等待控制命令的時間通常大于如前文所述的控制模塊220的等待時間。作為示例，常見的是，智能卡讀卡器在考慮請求操作失敗之前等待一秒。因此，該實施方式特別地適合于集成電路或智能卡的讀取裝置的實際等待時間。 考慮到數(shù)字控制命令的處理時限，私密鑰MSKDi的生成因此顯示出是準透明的。同樣，響應E135可對在生成E131"或記錄E132"和E133"中產(chǎn)生的各種錯誤或異常提供情況。此外，盡管在這些實施例中，用于在兩個相繼的分散化步驟中生成私密鑰的序列號第一部分IDltrt(或IDwafJ及同一序列號第二部分IDcdrcuit是唯一序列號的互補部分=IDi = IDlot (或IDwafJ I I IDcdrcuit，可考慮不是這種情況，例如這兩部分是不同的但具有共同的一子部分(作為示例，一方IDltrt和IDwafCT，另一方面
IDwafer 禾口 ^-^circuit^ °在這兩個實施方式的一變型中，步驟Ε2和Ε2'在于將在步驟El'時生成的中間密鑰MSKL同樣發(fā)送給制造工場200和定制工場300。在此情形下，步驟Ε4'在于在集成電路IOi的存儲器中記錄MSKL，步驟Ε6Γ和 Ε131'在于僅僅實施第二分散化步驟，在本文示例中MSKDi = SHA-256 (IDcircuit MSKL)。圖6和圖7也適用于該第二實施方式，不同之處只在于在圖6的狀態(tài)中，存儲器 12包括中間密鑰MSKL，來替代根密鑰MSK。本發(fā)明的另一變型在于創(chuàng)建者100本身根據(jù)其所接收的密鑰MSK或中間密鑰 MSKL的一個或另一個，通過密鑰MSK或中間密鑰MSKL的分散化，計算私密鑰MSKDi (步驟 Ε3)。在此情形下，考慮到步驟Ε3的特性和使用步驟Ε136'，而不是步驟Ε136，應用圖3 的步驟Ε3到Ε14 序列號IDi和私密鑰MSKDi在步驟Ε4記錄在集成電路中；在這些集成電路內(nèi)沒有生成私密鑰MSKDi。前述的示例只是本發(fā)明的一些非限定性的實施方式。例如，盡管提到根密鑰MSK分散化的兩個組成步驟Sl和S2，但可設置更多數(shù)目的步驟，從而生成多個中間密鑰。這樣的情形可以例如用于對于將一批次晶片所交付給的公司(允許生成針對該公司的一中間密鑰的借助IDlrt的第一分散化步驟，)，這些晶片分布在多個定制工場(允許對于每個工場生成一個中間密鑰的借助于IDwafe的第二分散化步驟)。 每個工場因而借助于所接收的中間密鑰實施認證Ε13'或Ε13"。特別是，第一分散化可在集成電路中在接收到第一通電信號時實施(步驟Ε6')， 并且第二分散化也在集成電路中、但在接收到第一數(shù)字信號時實施(步驟Ε13")。此外，本發(fā)明可在與如上所述的集成電路的制造和(預)定制背景不同的使用背景中實施。作為示例，根密鑰可在智能卡CP的定制操作時被存儲在易失性存儲器中。繼而自在使用者處的首次使用起(來自使用者的讀取/寫入裝置的第一信號的探測)，將根密鑰分散化為認證私密鑰。此外，盡管如前所述的分散化示例實施SHA-256類型的哈希操作，但這些分散化可實施對稱密鑰式或非對稱密鑰式的加密操作(AES、DES)，或者直接地在整個或部分的序列號IDi上實施，或者在哈希操作的結果上實施(在此情形下，合并哈希和加密操作)。
權利要求
1.訪問集成電路(IOi)的方法，所述方法包括一認證步驟(E13'，E13〃)利用訪問裝置(320)，通過使用所述集成電路特有的并存儲在該集成電路中的認證私密鑰(MSKDi), 對所述集成電路進行認證，所述認證私密鑰通過分散化根密鑰(MSK)生成，其特征在于-通過分散化所述根密鑰(MSK)的生成方法實施至少兩個分散化密鑰的步驟(S1，S2)，并且-所述訪問裝置(320)從中央工場(100)接收一中間密鑰(MSKL)，所述中間密鑰 (MSKL)產(chǎn)生于分散化所述根密鑰(MSK)的第一步分散化驟(Si)。
2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述訪問裝置(320)對所述接收的中間密鑰(MSKL)實施(E136')第二分散化步驟(S2)，以獲得用于對所述集成電路(IOi)進行認證(E13'，E13")的所述認證私密鑰(MSKDi)。
3.根據(jù)前述權利要求任一項所述的方法，其特征在于，所述認證私密鑰(MSKDi)通過基于所述集成電路(IOi)的唯一序列號(IDi)分散化所述根密鑰(MiiK)的方式獲得。
4.根據(jù)權利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一分散化步驟(Si)包括基于所述集成電路的唯一序列號(IDi)的第一子部分(IDlrt，IDwafer)分散化所述根密鑰(MiiK)的操作。
5.根據(jù)權利要求4所述的方法，其特征在于，所述序列號(IDi)的所述第一子部分 (IDlot, IDwafer)對于多個集成電路是共同的。
6.根據(jù)權利要求4或5所述的方法，其特征在于，第二分散化步驟(S》包括基于所述集成電路的唯一序列號(IDi)的第二子部分(IDctouit)分散化所述中間密鑰(MSKL)的操作。
7.根據(jù)權利要求6所述的方法，其特征在于，所述唯一序列號的所述第二子部分包含從所述第一子部分(IDlrt，IDwafJ識別的所述多個集成電路內(nèi)識別所述集成電路(IOi)的識別信息(ID。_it)。
8.根據(jù)權利要求3到7任一項所述的方法，其特征在于，所述集成電路的唯一序列號存儲在所述集成電路的非易失性存儲器上。
9.根據(jù)權利要求1到8任一項所述的方法，其特征在于，所述方法包括在制造工場 (200)制造所述集成電路(IOi)的制造步驟，和通過所述制造工場，接收來自所述中央工場 (100)的所述根密鑰(MSK)或所述中間密鑰(MSKL)的接收步驟(E2)，和所述制造包括將所述根密鑰(MSK)或所述中間密鑰(MSKL)記錄在所述集成電路的非易失性存儲器(12)中的記錄步驟(E4')。
10.根據(jù)權利要求9所述的方法，其特征在于，所述方法包括一生成步驟，其在于在所述集成電路(IOi)內(nèi)并在響應通過所述集成電路接收的第一信號(E61，E131)時，通過分散化所述記錄的密鑰(MSK, MSKL)生成(E62'，E132")所述認證私密鑰(MSKDi)。
11.根據(jù)權利要求10所述的方法，其特征在于，所述方法包括一寫入步驟(E64'， E134"):在通過所述集成電路(IOi)接收所述第一信號(E61，E131)時，在一次性可編程的非易失性存儲器(1 中寫入一指示第一信號已經(jīng)被接收的信息(150)。
12.根據(jù)權利要求11所述的方法，其特征在于，所述方法在接收(E61，E131)信號時和在所述認證私密鑰(MSKDi)的生成(E62'，E132")啟動之前包括一確定步驟確定在一次性可編程的非易失性存儲器(1 中存在所述的指示第一信號已經(jīng)接收的信息(150)。
13.根據(jù)前述權利要求中任一項所述的方法，其特征在于，所述根密鑰(MSK)的分散化使用哈希函數(shù)。
14.根據(jù)前述權利要求中任一項所述的方法，其特征在于，所述根密鑰(MSK)的分散化使用加密函數(shù)。
15.根據(jù)前述權利要求中任一項所述的方法，其特征在于，所述集成電路(IOi)在存儲器上包括所述認證私密鑰(MSKDi),并且所述認證步驟(E13'，E13")使用對稱密鑰的加密算法。
16.訪問集成電路(IOi)的訪問系統(tǒng)，其包括訪問裝置(300，320)，所述訪問裝置(300， 320)配有認證模塊，所述認證模塊使用所述集成電路特有的并存儲在所述集成電路中的認證私密鑰(MSKDi)認證所述集成電路，所述認證私密鑰通過分散化根密鑰(MSK)生成，其特征在于-通過分散化所述根密鑰(MSK)的生成方法實施至少兩個分散化密鑰的步驟(S1，S2)，和-所述訪問系統(tǒng)包括一中央工場(100)，所述中央工場能夠生成中間密鑰(MSKL)，所述中間密鑰產(chǎn)生于所述分散化根密鑰(MSK)的分散化第一步驟(Si)，并且所述中央工場能夠?qū)⑺鲋虚g密鑰(MSKL)傳輸?shù)剿鲈L問裝置(300，320)。
17.根據(jù)前述權利要求所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述訪問裝置(300，320)被配置用于通過對所述接收的中間密鑰(MSKL)應用第二分散化步驟(S2)，來生成所述認證私密鑰 (MSKDi)。
全文摘要
本發(fā)明涉及電子集成電路(10i)的領域，并且更為特別地涉及訪問這類集成電路的方法和系統(tǒng)。所述方法包括一認證步驟(E13′，E13″)利用訪問裝置(320)，通過使用所述集成電路特有的并存儲在該集成電路中的認證私密鑰(MSKDi)，對所述集成電路進行認證，所述認證私密鑰通過分散化根密鑰(MSK)生成。此外，通過分散化所述根密鑰(MSK)的生成方法實施至少兩個分散化密鑰的步驟(S1，S2)。所述訪問裝置(320)從中央工場(100)接收一中間密鑰(MSKL)，所述中間密鑰(MSKL)產(chǎn)生于分散化所述根密鑰(MSK)的第一分散化步驟(S1)。
文檔編號G07F7/10GK102354413SQ201110132298
公開日2012年2月15日 申請日期2011年5月20日 優(yōu)先權日2010年5月20日
發(fā)明者B·科利耶, R·西米瓊莫 申請人:歐貝特技術公司